Samsung d�taille sa roadmap jusqu'au 4nm

Samsung a donn� quelques d�tails  sur les prochaines versions de ses process de fabrication, annon�ant pas moins de cinq nouveaux process baptis�s 8LPP, 7LPP, 6LPP, 5LPP et... 4LPP. Quelques informations sont donn�es sur les diff�rences. Ainsi, le 8LPP sera une variante du process 10nm de Samsung qui profitera de gains de performances ainsi que de gains de densit�, possiblement par l'utilisation de nouvelles biblioth�ques (les blocs de base qui servent � cr�er les puces).

Le 7LPP sera le prochain "vrai" node de Samsung. Pr�vu pour la fin 2018, il s'agira du premier node � introduire la lithgraphie EUV. Le constructeur indique dans son communiqu� de presse avoir co-d�velopp� avec ASML une source lumineuse 250W pour cette mise en production (pour rappel, tous les fabricants ont collabor� avec ASML sur l'EUV, TSMC �voquait �galement 250W fin 2018 pour la mise en production de l'EUV).

Le 6LPP sera une variante optimis�e du 7LPP qui utilisera ce que le marketing appelle du "Smart Scaling", diverses techniques permettant d'am�liorer la densit�. Il s'agira surtout pour Samsung de profiter de l'apprentissage de son premier process EUV pour optimiser l�g�rement les choses.

Le 5LPP sera vraisemblablement le "node" suivant au sens traditionnel du terme, il servira � pr�parer le terrain pour le suivant. Car c'est au niveau du 4LPP qu'un gros changement arrivera avec un passage � un nouveau type de structure de transistor. Samsung utilisera des transistors dit Gate All Around (GAAFET) qui sont une variante des FinFET o� la Gate entoure le canal. La version de Samsung sera baptis�e MBCFET (Multi Bridge Channel FET) et utilisera une nanosheet sur laquelle aucun d�tail n'est donn� pour l'instant.

Les diff�rences entre les types de transistors (source )

Ces nodes et ces variantes devraient appara�tre progressivement dans les ann�es � venir, Samsung �voquant simplement son 4LPP pour 2020 pour ne pas s'engager plus fortement sur le timing. On ne leur en tiendra pas rigueur, il est assez rare que les fondeurs partagent publiquement, et avec tant de visibilit� leur roadmap.

On pourra bien entendu s'interroger sur les nomenclatures choisies par Samsung, mais au-del� de cela, la tendance reste commune chez tous les fondeurs qui multiplient les variantes d'un m�me process. TSMC en est � sa quatri�me version de "16nm", baptis�e pour le coup 12FFC, tandis qu'Intel annon�ait fin mars pour la premi�re fois trois versions de 14nm et de 10nm.

Derri�re ces annonces, on retrouve des constatations communes, il est de plus en plus difficile de r�duire la taille des puces, et les gains de performances et de densit�s apport�s ne sont plus forc�ment aussi importants qu'auparavant (m�me si les fondeurs, Intel en t�te, continuent d'innover sur les formules math�matiques pour ne pas dire que la loi de Moore ralentit).

Le passage au 5nm chez tous les fondeurs est attendu autour de 2020 en production risque, m�me si chez Intel on parlerait logiquement de "7nm", cf cette roadmap bas�e sur des estimations publi�es sur le blog SemiWiki 

Mais au-del� du marketing derri�re les variantes, le rythme annonc� par Samsung reste assez soutenu laissant penser � un �cart de deux ans entre le 7nm et le 5nm, ce qui est tr�s agressif et align� sur ce que devrait proposer TSMC (qui lancera son 7nm d'abord sans EUV, le 8LPP lui �tant oppos� par Samsung). TSMC a confirm�  qu'il lancera le d�but de sa production en 7nm ce trimestre (la production en volume est attendue l'ann�e prochaine). Le 5nm d�marrera ses essais de production en 2019 pour une production volume en 2020 chez le fondeur taiwanais.

La confiance de Samsung sur l'EUV est �galement un point que l'on ne n�gligera pas, la lithographie � immersion touche aujourd'hui ses limites et si les probl�mes de l'EUV ne sont pas tous r�solus, la technologie devrait donner un peu de marge aux fondeurs.