عملية 350 نانومتر - ويكيبيديا

يفتقر محتوى هذه المقالة إلى الاستشهاد بمصادر. فضلاً، ساهم في تطوير هذه المقالة من خلال إضافة مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (مارس 2016)

تصنيع عناصر أشباه الموصلات

مقاييس الموسفت (قائمة المقاييس ^{[الإنجليزية]}‏) 10 ميكرومتر – 1971 6 ميكرومتر ^{[الإنجليزية]} - 1974 3 ميكرومتر – 1977 1.5 ميكرومتر – 1981 1 ميكرومتر – 1984 800 نانومتر – 1987 600 نانومتر – 1990 350 نانومتر – 1993 250 نانومتر – 1996 180 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 1999 130 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2001 90 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2003 65 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2005 45 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2007 32 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2009 22 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2012 14 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2014 10 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2016 7 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - 2018 مستقبلية 5 نانومتر - 2020 3 نانومتر ^{[الإنجليزية]} - ~2021
عدد الترانزستورات ^{[الإنجليزية]}‏ سيموس العناصر (متعدد البوابات) قانون مور أشباه الموصلات إلكترونيات نانوية

بوابة إلكترونيات

عملية 350 نانومتر (بالإنجليزية: 350 nm process )‏ عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1995–1996 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي‌ بي‌ إم.