Plantilla:Silici
Aparença
Silici | |||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
14Si
| |||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||
Aspecte | |||||||||||||||||||||||||||||||
Cristal·lina i reflectant, amb matisos blaus a les cares Línies espectrals del silici | |||||||||||||||||||||||||||||||
Propietats generals | |||||||||||||||||||||||||||||||
Nom, símbol, nombre | Silici, Si, 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Categoria d'elements | Metal·loides | ||||||||||||||||||||||||||||||
Grup, període, bloc | 14, 3, p | ||||||||||||||||||||||||||||||
Pes atòmic estàndard | 28,0855(3) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Configuració electrònica | [Ne] 3s2 3p2 2, 8, 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Propietats físiques | |||||||||||||||||||||||||||||||
Fase | Sòlid | ||||||||||||||||||||||||||||||
Densitat (prop de la t. a.) |
2,3290 g·cm−3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Densitat del líquid en el p. f. |
2,57 g·cm−3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Punt de fusió | 1.687 K, 1.414 °C | ||||||||||||||||||||||||||||||
Punt d'ebullició | 3.538 K, 3.265 °C | ||||||||||||||||||||||||||||||
Entalpia de fusió | 50,21 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Entalpia de vaporització | 359 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Capacitat calorífica molar | 19,789 J·mol−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Pressió de vapor | |||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||
Propietats atòmiques | |||||||||||||||||||||||||||||||
Estats d'oxidació | 4, 3 , 2 , 1[1] -1, -2, -3, -4 (òxid amfòter) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Electronegativitat | 1,90 (escala de Pauling) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Energies d'ionització (més) |
1a: 786,5 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
2a: 1.577,1 kJ·mol−1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
3a: 3.231,6 kJ·mol−1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Radi atòmic | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
Radi covalent | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
Radi de Van der Waals | 210 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
Miscel·lània | |||||||||||||||||||||||||||||||
Estructura cristal·lina | Cúbica en diamant | ||||||||||||||||||||||||||||||
Ordenació magnètica | Diamagnètic[2] | ||||||||||||||||||||||||||||||
Resistivitat elèctrica | (20 °C) 103[3]Ω·m | ||||||||||||||||||||||||||||||
Conductivitat tèrmica | 149 W·m−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Dilatació tèrmica | (25 °C) 2,6 µm·m−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Velocitat del so (barra prima) | (20 °C) 8.433 m·s−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Mòdul d'elasticitat | 130−188[4] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
Mòdul de cisallament | 51−80[4] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
Mòdul de compressibilitat | 97,6[4] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
Coeficient de Poisson | 0,064 - 0,28[4] | ||||||||||||||||||||||||||||||
Duresa de Mohs | 7 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Nombre CAS | 7440-21-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Energia de banda prohibida a 300 K | 1,12 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||
Isòtops més estables | |||||||||||||||||||||||||||||||
Article principal: Isòtops del silici | |||||||||||||||||||||||||||||||
|
Referències que es mostraran a l'article
[modifica]- ↑ Ram, R. S. et al. «Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD». J. Mol. Spectr., 190, 1998, pàg. 341–352. PMID: 9668026.
- ↑ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds
- ↑ Physical Properties of Silicon. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Ioffe Institute
- ↑ 4,0 4,1 4,2 4,3 [1] Hopcroft, et al., "What is the Young's Modulus of Silicon?" IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, 2010