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RESUMEN 4 Capas

El documento describe diferentes tipos de tiristores, incluyendo SCR, LASCR, diac, triac y SCS. Los tiristores son dispositivos semiconductores de cuatro capas que pueden conducir electricidad en una u otra dirección cuando son activados por un pulso en la compuerta o cuando el voltaje excede un umbral. Cada tipo tiene características únicas de encendido y apagado.

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RESUMEN 4 Capas

El documento describe diferentes tipos de tiristores, incluyendo SCR, LASCR, diac, triac y SCS. Los tiristores son dispositivos semiconductores de cuatro capas que pueden conducir electricidad en una u otra dirección cuando son activados por un pulso en la compuerta o cuando el voltaje excede un umbral. Cada tipo tiene características únicas de encendido y apagado.

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RESUMEN

Seccin 111 Los tiristores son dispositivos construidos con capas


semiconductoras (pnpn).
Los tiristores incluyen diodos de 4 capas, SCR, LASCR, diacs, triacs, SCS y
PUT.
El diodo de 4 capas es un tiristor que conduce cuando el voltaje a travs de sus
terminales excede el potencial de ruptura.
Seccin 112 El rectificador controlado de silicio (SCR) puede ser disparado
por un pulso en la compuerta y apagado reduciendo la corriente en el nodo por
debajo del valor de retencin especificado.
La luz acta como fuente de disparo en SCR activados por luz (LASCR).
Seccin 114 El diac es capaz de conducir corriente en una u otra direccin y
se enciende cuando se excede el voltaje de ruptura. Se apaga cuando la corriente
se reduce por debajo del valor de retencin.
El triac, como el diac, es un dispositivo bidireccional. Puede ser encendido por
un pulso en la compuerta y conduce en una direccin segn la polaridad del
voltaje a travs de las terminales nodo.
Seccin 115 El interruptor controlado de silicio (SCS) tiene dos terminales
compuerta y puede ser encendido por un pulso en la compuerta ctodo y apagado
por un pulso en la compuerta nodo.
Seccin 116 La relacin de separacin intrnseca de un transistor de una sola
unin (UJT) determina el voltaje al cual el dispositivo se disparar.
Seccin 117 El transistor de una sola unin programable (PUT) puede ser
externamente programado a un nivel de voltaje entre el nodo y la compuerta
deseado.

TRMINOS CLAVE

Corriente de retencin (IH) El valor de la corriente en el nodo por debajo del


cual un dispositivo cambia de la regin de conduccin en directa a la regin de
bloqueo en directa.
Diac Dispositivo semiconductor de cuatro capas y dos terminales (tiristor) que
conduce corriente en una u otra direccin cuando est apropiadamente activado.
Diodo de 4 capas El tipo de tiristor de dos terminales que conduce corriente
cuando el voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza un valor de ruptura
especificado.
LASCR Rectificador controlado de silicio activado por luz; un dispositivo
semiconductor de cuatro capas (ms como un SCR que un UJT) activado para
que conduzca cuando el voltaje en el nodo excede el voltaje
en la compuerta.
PUT Transistor de montuna sola unin programable; un tipo de tiristor de tres
terminales (ms similar a un SCR que a un UJT) que es dispara para conducir
cuando el voltaje en el nodo excede el voltaje en la
compuerta.
Relacin de separacin La caracterstica de un UJT que determina su punto de
encendido.
SCR Rectificador controlado de silicio; un tipo de tiristor de tres terminales que
conduce corriente cuando es disparado por un voltaje en la terminal de compuerta
nica y permanece as hasta que la corriente en el nodo se reduce por debajo de
un valor especificado.
SCS Interruptor controlado de silicio; un tipo de tiristor de cuatro terminales que
tiene dos terminales de compuerta utilizadas para encender o apagar el
dispositivo.
Tiristor Clase de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn).
Triac Un tiristor de tres terminales que conduce corriente en una u otra direccin
cuando est apropiadamente activado.

UJT Transistor de una sola unin; un dispositivo de una unin pn y tres terminales
que presenta una caracterstica de resistencia negativa.
Voltaje de ruptura en directa (VBR(F) Voltaje al cual un dispositivo entra a la
regin de bloqueo en directa.

Caractersticas y valores nominales de un SCR


Varias de las caractersticas y de valores nominales ms importantes del SCR se
definen como a continuacin se describe. Utilice la curva que aparece en la figura
11-10(a) como referencia en los casos en que sea apropiado.
Voltaje de ruptura en directa, VBR(F) ste es el voltaje al cual el SCR entra a la
regin de conduccin en directa. El valor de VBR(F) es mximo cuando IG = 0 y
se designa VBR(F). Cuando se incrementa la corriente en la compuerta, VBR(F)
se reduce y se designa VBR(F1), VBR(F2), y as sucesivamente, con incrementos
graduales de la corriente en la compuerta (IG1, IG2, y as sucesivamente).
Corriente de retencin, IH ste es el valor de la corriente en el nodo por debajo
del cual el SCR cambia de la regin de conduccin en directa a la regin de
bloqueo en directa. El valor se incrementa con valores decrecientes de IG y es
mximo con IG = 0. Corriente de disparo en la compuerta, IGT ste es el valor de
la corriente en la compuerta necesario para cambiar el SCR de la regin de
bloqueo en directa a la regin de conduccin en directa en condiciones
especficas.
Corriente en directa promedio, IF(prom) sta es la corriente mxima en forma
continua en el nodo (cd) que el dispositivo puede soportar en el estado de
conduccin en condiciones especficas.
Regin de conduccin en directa Esta regin corresponde a la condicin
encendido del SCR en la que la corriente fluye del nodo al ctodo gracias a la
muy baja resistencia (corto aproximado) del SCR.
Regiones de bloqueo en directa y en inversa Estas regiones corresponden a la
condicin apagado del SCR en la que la corriente que fluye del nodo al ctodo es
bloqueada por el circuito abierto efectivo del SCR.

Voltaje de ruptura en inversa, VBR(R) Este parmetro especifica el valor de


voltaje en inversa del ctodo al nodo al cual el dispositivo irrumpe en la regin de
avalancha y comienza a conducir en exceso (igual que en un diodo de unin pn).

Identifique:

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