Fundamentos de Microondas

Convenio UACJ SA
Tcnicas de RF y Microondas
Fundamentos de las Microondas.
Circuitos activos y pasivos de RF y microondas.
Los circuitos de microondas pueden ser divididos en dos grandes grupos; los circuitos
activos y los circuitos pasivos. Los circuitos pasivos no agregan potencia a la seal que
reciben y los circuitos activos pueden agregar potencia a la seal que reciben. La tabla 1
muestra una divisin entre circuitos pasivos y activos, con una divisin intermedia de
circuitos que pueden ser uno u otro. Los circuitos pasivos incluyen desde elementos
discretos como resistencias, inductancias y capacitancias hasta circuitos mas complejos,
tales como: Filtros, divisores y combinadotes. Los circuitos que pueden ser tanto activos
como pasivos, estn las antenas, multiplexores y mezcladores. Los circuitos activos cubren
dispositivos tales como: Amplificadores, osciladores y moduladores.
Tabla 1. Divisin de circuitos entre pasivos y activos
Pasivos Pasivos/activos Activos
Duplexers Antenas Diodos
Diplexers Switches RFICs
Filtros Multiplexores MMICs
Acopladores Mezcladores T/R mdulos
Puentes Muestreadores Transceptores
Splitters, divisores Multiplicadores Receptores
Combinadores Sintonizadores
Aislantes Convertidores
Circuladores VCAs
Atenuadores VCOs
Adaptadores VTFs
Circuitos abiertos, cerrados y cargas Osciladores
Lneas de retrazo Moduladores
Cables VCAtten
Lneas de transmisin Transistores
Gua de onda
Resonadores
Dielctricos
R, L, C's
Dr. Vctor Hinostroza
109
Convenio UACJ SA
Simbologa y circuitos de RF y microondas
Existe una simbologa estndar para identificar los diversos circuitos en RF y microondas.
Esta simbologa se describe a continuacin. Asimismo, se proporciona la explicacin de la
operacin y construccin de algunos de estos circuitos.
Amplificador. Tiene la funcin de amplificar las seales que se aplican a la entrada. El
smbolo de un amplificador es el siguiente.
Amplificador
Amplificador variable
Un amplificador de puede simbolizar como una red de dos puertos. La ganancia total de un
amplificador se define de la siguiente manera:
2
2
2
21
11
2
1
1
1
1
salida L
L
s
s
T
S
S
G

Donde
s
es el coeficiente de reflexin de la fuente,
salida
es el coeficiente de reflexin de
salida de la red de dos puertos y
L
es el coeficiente de reflexin de la carga. La ganancia
disponible se define como la relacin entre la potencia disponible de la salida de la red de
dos puertos y la potencia disponible de la fuente.
2
2
21
11
2
1
1
1
1
salida
s
s
T
S
S
G

Con
11
21 12
22
1 S
S S
S
s
s
salida

+
110
Convenio UACJ SA
Toda la potencia disponible en un puerto puede ser transferida a la carga, si la salida es
terminada con el complejo conjugado de la carga.
Figura 4.1 Esquemtico de un amplificador tpico
Antena. Dispositivo cuya funcin es emitir o recibir ondas electromagnticas del o hacia
el espacio. Este tema requiere un curso completo para cubrir sus fundamentos. Su smbolo
es el siguiente:
Antena
Filtro pasa-bandas. Un filtro pasa-banda ideal presenta una banda de paso entre dos
frecuencias de corte, de forma que en este rango de frecuencias la seal no se ve atenuada.
En cambio si el valor de frecuencia se encuentra por debajo del lmite inferior f
l
de dicha
banda o por encima del lmite superior f
h
la seal se atena.
Filtro pasa bandas
111
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Filtro pasa-altas. Los filtros pasa-altas son circuitos que atenan todas las seales cuya
frecuencia est por debajo de una frecuencia de corte especfica
c
y pasa todas aquellas
seales cuya frecuencia es superior a la frecuencia de corte. Es decir, el filtro pasa altas
funciona en la forma contraria al filtro pasa bajas.
Filtro pasa altas
Filtro pasa-bajas. Es el filtro cuyo funcionamiento es el siguiente; permite el paso de
seales de frecuencias desde 0 Hertz hasta una frecuencia f
1
y de esa frecuencia en adelante
no permite paso de seal.
Filtro pasa bajas
Figura 4.2 Modelo de un mezclador.
Mezclador. En mezclador (mixer) es un dispositivo que tiene la funcin de recibir dos
seales de diferente frecuencia y multiplicar estas dos seales. De manera que la salida del
A(t) = cos
s
t
cos
p
t
RF
LO
IF
112
A(t)[1/2 cos(
s
-

p
)t +1/2(cos(
s
+

p
)t
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mezclador tiene frecuencias suma y frecuencias diferencia de estas seales. Como se
muestra en la figura 4.2. La figura 4.3 muestra un esquemtico de un mezclador tpico.
Figura 4.3. Mezclador con un transistor MOSFET
Generador de seal. Circuito que tiene la funcin de generar las seales necesarias para la
operacin de los sistemas de microondas. Generalmente la fuente de la seal es un
oscilador. La figura 4.4 muestra un esquemtico tpico de un oscilador. Recientemente es
ms comn generar las seales con circuitos de amarre de fase (PLL).
Figura 4.4. Esquemtico de un oscilador tpico.
Smbolo
113
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Generador de seal
Atenuadores. Circuitos cuya funcin es reducir el nivel de potencia de la seal en un valor
determinado. Tpicamente se forman de resistencias en formacin o delta (). Como se
muestra en la figura 4.5.
Smbolo
Atenuador fijo
Atenuador variable
Figura 4.5. Esquemtico de atenuadores
Divisor de potencia (splitter). Circuito que tiene la funcin de recibir una seal y dividir
su potencia en dos o ms salidas. Normalmente se forma de transformadores balanceados.
114
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Divisor o splitter
Conmutador (switch). Circuito cuya funcin consiste en seleccionar y conectar, de dos o
ms entradas una salida.
Conmutador
Circulador. Es un conmutador rotativo que conecta una o varias entradas a una o varias
salidas. Se usa tpicamente en radares.
Circulador
Duplexer. Filtro de dos bandas en un mismo circuito, para seleccionar dos bandas de
frecuencias a la vez. Por ejemplo, las frecuencias fordward y las frecuencias de reversa
en los sistemas de cable.
Duplexer
4.1 Componentes pasivos discretos de microondas
Resistencias.
115
Convenio UACJ SA
En los circuitos de RF y microondas es casi indispensable que los componentes discretos
sean de tecnologa de montaje en superficie (SMT). En el caso de las resistencias, se
construyen de la siguiente manera; Se deposita una pelcula resistiva sobre un sustrato de
cermica, el sustrato tiene terminaciones soldables en cada extremo del componente como
se muestra en al figura 4.6.
Resistores SMT existen en valores de resistencia estndar, con tolerancias que van desde 10
a 1% y con tamaos de componente estndar tambin. Los tamaos se definen de la
siguiente manera: Por ejemplo el tamao 2512 o el tamao 0201, estos nmeros quieren
decir los siguiente, el numero 2512, quiere decir que el tamao del componente es de 2.5
Mm. por 1.2 Mm. O el tamao 0201 es de un tamao 0.2 por 0.1 Mm.

Figura 4.6. Resistencia SMT.
El material resistivo es depositado con un espesor uniforme t
R
y tiene una conductancia
finita
R
, el material es casi siempre depositado en una forma rectangular que permite
calcular la resistencia de la siguiente manera:
116
Pelcula
resistiva
Terminales
soldables
Sustrato
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( )
R R R
R
t w
l
R
Donde w
R
y l
R
es la anchura y longitud de la pelcula resistiva, respectivamente. La figura
4.7 muestra un esquemtico equivalente de la resistencia a altas frecuencias, donde se
muestran las inductancias y capacitancias parsitas de la resistencia.

Figura 4.7 Esquemtico equivalente de una resistencia SMT.
Donde L
s
y C
s
son la inductancia y capacitancia serie de las terminales de la resistencia y
C
p/2
es la capacitancia de cada terminal a tierra.
Capacitancias.
La construccin de los capacitores SMT o capacitores chip, es muy similar en tamao y
apariencia a las resistencias SMT. Los valores tpicos van desde 0.5 pF hasta los
microfaradios. Hay dos tipos principales de construccin, los de placas paralelas y los de
multi-capa, segn se muestra en la figura 4.8. Los de placas paralelas son de menor valor en
capacitancia para un mismo tamao, comparados con los multi-capa. Se usan varios tipos
L
s R
C
s
C
p/2
C
p/2
117
Convenio UACJ SA
de dielctricos, los mas comunes son: NPO, XR7 y Z5U. Materiales con baja constante
dielctrica, tales como los NPO, tienen menos prdida y son menos sensibles a la
temperatura. Materiales con mayor constante dielctrica, tales como XR7 y Z5U, varan
mas con la temperatura y con el voltaje aplicado a sus terminales.

Figura 4.8 Estilos de capacitores SMT (a) de placas paralelas y (b) multi-capa.
Los capacitores de placas paralelas, figura 4.8(a), se construyen montando una capa
delgada de dielctrico sobre un sustrato de baja resistencia o puede ser una capa gruesa de
dielctrico con terminales en la parte superior e inferior. Su valor esta dado por la siguiente
ecuacin:
d
t
wl
C

Donde t
d
, l y w son el espesor, la longitud y la anchura del dielctrico, respectivamente.
es la permitividad del material del cual esta formado el dielctrico. Los capacitores de
multi-capa se construyen como un sndwich de varios electrodos delgado entre capas de
dielctrico. Su capacitancia esta dada por la siguiente ecuacin
(a)
(b)
118
Convenio UACJ SA
( )
l
p
t
l w
n C

1
Donde n es la cantidad de capas, t
l
es el espesor del dielctrico y w
d
es el ancho de la capa.

La figura 4.9 muestra el esquemtico equivalente de un capacitor SMT. Donde L
s
y R
s
son
la inductancia y resistencia de las terminales, y G
p
es la conductancia entre placas.
Figura 4.9 Esquemtico equivalente de un capacitor
Inductancia
Los inductores SMT, se construyen impresos sobre el cuerpo del chip y de un tamao
similar al de las resistencias y capacitancias. Los estilos de construccin pueden ser dos;
devanados y multi-capa. Los devanados se forman enrollando un conductor sobre un ncleo
de cermica o ferrita, como se muestra en la figura 4.10(a). La construccin multi-capa se
muestra en la figura 4.10(b), aunque se pueden encontrar inductores chip planares.
La inductancia esta dada por la siguiente ecuacin:
( )
H
l d
d n
L
10 5 . 4
825 . 9
2 2
+

L
s R
s
C
G
p
119
Convenio UACJ SA
Figura 4.10 Inductores chip, (a) devanados y (b) multi-capa.
Donde n es el nmero de vueltas, d es el dimetro de la vuelta y l es la longitud de la
bobina. La figura 4.11 muestra el esquemtico equivalente de un inductor chip.
Figura 4.11 Esquemtico equivalente de un inductor chip.
4.2 Componentes activos discretos de microondas.
Diodos gun, diodos tunel, varactores y diodos Schottky.
(b)
(a)
L
R
s
C
s
120
Convenio UACJ SA
Varactores. Un Varactor es un dispositivo reactivo no lineal, usado para la generacin de
armnicas de alta frecuencia, amplificacin paramtrica, mezclado, deteccin y
sintonizacin por voltaje variable. Los varactores normalmente tienen una capacitancia
dependiente del voltaje y pueden ser construidos de diferentes materiales semiconductores.
Modelo de un varactor. La figura 4.12 muestra el modelo de un varactor, tiene una
resistencia constante en serie y una elastncia diferencial no lineal.
) (
1
) (
V C dQ
dV
V S

Donde V es el voltaje a travs de la juntura del diodo.

Figura 4.12 Modelo de un Varactor y smbolo.
Aplicaciones de un Varactor. Es la principal aplicacin de los varactores, la
multiplicacin de frecuencias se hace aprovechando las caractersticas no lineales de estos
diodos. Su operacin es como sigue; Se aplica una seal al diodo varactor y debido a sus
caractersticas no lineales, se generan frecuentas armnicas de esa frecuencia de entrada y a
la salida se adapta un filtro pasa bajas, sintonizado a la armnica deseada.
Diodos Schottky. Estos diodos tambin exhiben comportamiento no lineal. Este tipo de
diodos esta construido con una juntura bipolar de semiconductor, con una de las terminales
metlicas. Este diodo tiene tanto resistencia, como capacitancia no lineal, La terminal
metlica de este diodo provoca que tenga un tiempo de descarga (polarizacin con voltaje
inverso) muy bajo, lo que lo hace adecuado pata aplicaciones de lata frecuencia.
121
Convenio UACJ SA

Diodos Gunn. Estos diodos tienen la propiedad de que tienen una regin en su curva
caracterstica que se le llama de resistencia negativa. Ver figura 4.13. Esto es en esta regin
cuando el voltaje aumenta la corriente disminuye. Lo que los hace apropiados para las
aplicaciones de generacin de seales (osciladores).
Figura 4.13 Curva caracterstica de un diodo Gunn y su smbolo.
Diodos Tunnel. Los diodos tnel generan las caractersticas activas por medio de un
mecanismo de retroalimentacin interna que involucra el entunelamiento de electrones
entre bandas de energa en semicundcutores altamente dopados. Este entunelamineto
provoca que cuando se tienen la polarizacin adecuada, se tengan caractersticas de
resistencia negativa similares a las del diodo Gunn. La figura 4.14 muestra un ejemplo de
circuito de un oscilador con diodo tnel.
122
Punto de
polarizacin
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Figura 4.14 Oscilador con diodo Tnel.
A los diodos tnel y Gunn se les conoce como dispositivos tipo TED (dispositivos de
transferencia de electrones). Estos dispositivos tienen la caracterstica de que a ciertos
niveles de voltaje (determinado campo elctrico), sus caractersticas de velocidad de carga
de electrones es esencialmente dependiente de la resistencia y por lo tanto pueden operar a
altas frecuencias.
Transistores BJT
Este tema es muy amplio y nos llevara varios volmenes tratarlo. As por falta de espacio y
tiempo, nos enfocaremos en describir su operacin en altas frecuencias. La ganancia de
corriente es la caracterstica DC ms relevante de un transistor bipolar. Las propiedades de
alta frecuencia son medidas generalmente por dos figuras de merito; la frecuencia de corte
f
T
y la frecuencia mxima de operacin f
max
. La frecuencia de corte es la frecuencia a la cual
la magnitud de la ganancia de corriente AC (la corriente de colector de pequea seal
dividida entre la corriente de base de pequea seal) se decrementa en uno. Analticamente,
123
Convenio UACJ SA
se describe en trminos de el tiempo de transito de emisor colector (
ec
), el cual es
inversamente proporcional a f
T
.
El tiempo de transito de emisor a colector se puede descomponer en varias partes. El
primero es el tiempo de carga del emisor
e,
es el tiempo requerido para cambiar el potencial
de la base por medio de la carga de las capacitancias a travs de la resistencia diferencial de
la juntura baseemisor.
C
jBE
y C
jBC
son las capacitancias de las junturas de base-emisor y colector-emisor. La
dependencia inversa de
e
con la corriente de colector, es la razn por la cual los
transistores que se usan a altas frecuencias, normalmente tienen altas corrientes de colector.
El segundo trmino es el tiempo de trnsito de base, es el tiempo requerido para las cargas
inyectadas en la base se diluyan o se muevan en la base.
Donde X y D son caractersticas del tamao de la base y v tiene un valor tpico de 2 y
depende del campo elctrico de la base.
Un tercer trmino es el tiempo de carga-espacio
sc
es el tiempo requerido para los
electrones para pasar la juntura de separacin de base-colector.

Donde X
dep
es el grosor de la juntura de separacin de base-colector
124
Convenio UACJ SA
El ltimo trmino, el tiempo de carga del colector
e
dado por .

Donde R
e
y R
c
son las resistencias del emisor y colector.
El tiempo de trnsito total es la suma de los cuatro componentes
De esta manera, se puede sustituir esta ecuacin en la de la frecuencia de corte y relacionar
la frecuencia de corte con las caractersticas de construccin del transistor.
La mxima frecuencia de operacin es la frecuencia a la cual la ganancia de potencia es
igual a un y esta definida por la siguiente ecuacin.

La resistencia de base R
B
tiene tres componentes que tienen ms o menos la misma
magnitud. Estos son; La resistencia del electrodo de la base R
B,Elec
., la resistencia intrnseca
de la base R
B,intrin
y la resistencia extrnseca de la base R
B, extrin
. La primera esta determinada
por el proceso de construccin del semiconductor. Las dos ltimas se definen de la
siguiente manera.
Donde R
SHbase
es la resistencia de hoja de la base. W
E
y L
E
son la longitud y anchura del
emisor y S
BE
es la separacin entre los contactos de la base y el emisor.

125
Convenio UACJ SA
Transistores MOSFET.
As como los BJT, los MOSFET son un tema muy amplio de manera que, de nuevo, nos
concentraremos en su operacin en altas frecuencias. Para empezar a hacer un anlisis del
MOSFET a altas frecuencias, es necesario primero definir un modelo de pequea seal del
dispositivo. Este modelo se muestra en la figura 4.15.
126
Convenio UACJ SA
R
ge
R
g
/3
C
gd
C
gs
r
j
g
m
v
gs
g
ds
C
db
r
d
r
s
C
sb
S
G D
127
C
g
/5
Convenio UACJ SA
Figura 4.15 Modelo de baja seal de un MOSFET.
Las limitantes de operacin impuestas por los efectos distribuidos en altas frecuencias, son
determinadas por varios parmetros, entre los cuales estn:

Frecuencia de ganancia de corriente unitaria f
T
. Esta es la frecuencia a la cual la
ganancia de pequea seal de corriente extrapolada es igual a uno. La ganancia de pequea
seal se define como la amplitud de la corriente de pequea seal del drenaje entre la
corriente de pequea seal de la compuerta y se le conoce como la frecuenta de trnsito y
se define analticamente como.
Potencia de potencia mxima disponible. La ganancia mxima de puerto a puerto de un
dispositivo ocurre cuando la impedancia de los puertos de entrad y salida del dispositivo
estn acoplados a la impedancia de la fuente y la carga. La mxima ganancia de potencia
disponible de un dispositivo G
max
, proporciona un limite en cuanto a cuanta potencia puede
ser manejada por el dispositivo. Relacionndola con la ecuacin anterior esta ganancia es
De aqu se concluye que la mxima potencia disponible del MOSFET es proporcional a la
frecuencia f
T
y es inversamente proporcional a la resistencia de compuerta.
Frecuencia de ganancia de potencia unitaria f
max
. Esta es la frecuencia a la cual la
ganancia de potencia mxima disponible es igual a uno. Un estimado de la f
max
para un
MOSFET operando en saturacin, es calculado usando la ecuacin anterior y haciendo G
max
igual a uno.
128
Convenio UACJ SA
4.3 Micro-cintas (microstrip).
Las lneas de transmisin en circuito impreso (microstrip), es una tecnologa que se ha
usado por algn tiempo. Esta tecnologa es ampliamente usada debido a que tiene un ancho
de banda muy amplio. Adems, proporciona circuitos muy compactos y ligeros. Son
econmicos de producir y fcilmente adaptables a las tecnologas de fabricacin de
circuitos integrados hbridos y monolticos a frecuentas de radio frecuencia y microondas.
Fundamentos de microstrip.
La figura 4.16 muestra diferentes lneas de transmisin con circuito impreso que son usadas
para circuitos de microondas, cada tipo tiene sus ventajas con respecto a los otros. En la
figura 1 se debe notar que los materiales de la tablilla se muestran en color claro y los
materiales conductores se muestran como partes negras. La lnea de microstrip en la
geometra de una lnea de transmisin es un solo conductor en un lado y un plano de tierra
en el otro separados por un aislante, normalmente una tablilla de circuito impreso.
La estructura de microstrip forma parte de una familia ms grande de lneas de transmisin,
llamadas estructuras de guas planas. Las estructuras de guas planas estn compuestas de
un dielctrico con metalizacin en uno o ambos lados. Controlando la dimensin de de la
metalizacin, es posible construir una variedad de circuitos pasivos, lneas de transmisin y
circuitos de acoplamiento de impedancias. Adicionalmente, dispositivos activos son
intercalados en estas estructuras. Esto proporciona una forma de construir complicados
circuitos de microondas, en una forma barata y compacta. Circuitos integrados de
microondas (MICs) y circuitos integrados monolticos de microondas (MMICs) se forman
de esta manera.
Una variedad de lneas de transmisin planas han sido desarrolladas, tales como;
microcinta, guas de onda coplanar, lnea de ranura (slotline) y cinta coplanar. De las cuales
microstrip es la ms usual. La descripcin de cada una de estas tcnicas es mostrada en la
figura 4.16.
129
Convenio UACJ SA
Una vez que se selecciona un dielctrico, las caractersticas de estas lneas de transmisin
son controladas por el ancho del conductor o los espacios en los planos superiores de la
estructura.
La figura 4.17 muestra una estructura de microstrip, que consiste de un conductor y un
plano de tierra. Un amplio rango de dispositivos pasivos de microondas pueden ser
construidos con microstrip, tales como; filtros, resonadores, duplexers, mezcladores y redes
de acoplamiento.
Para disear una lnea de microstrip bsica, es necesario ser capaz de determinar la
impedancia caracterstica y la permitividad efectiva, preferentemente como funcin de
frecuencia.
Figura 4.15 Estructuras de guas de onda planas.
Hay una gran variedad de aproximaciones para el diseo de microstrip, con la mayora de
las tcnicas usando un aproximacin casi- esttica de la impedancia caracterstica Z
0
a bajas
frecuencias y un modelo de dispersin para la impedancia caracterstica en funcin d ela
frecuencia Z
0
(f) en trminos de Z
0
. Un modelo bastante exacto y simple, despreciando el
grosor del metal esta dado por
,
_
+
h
W
W
h
Z
re
25 . 0
8
ln
2
0

Para
,
_
1
h
W
130
Convenio UACJ SA
1
0
444 . 1 667 . 0 393 . 1

'
,
_
+ + +
h
W
h
W
Z
re
Para
,
_
1
h
W
Figura 4.16 Estructura bsica de microstrip.
Donde W es el espesor del metal, h es el grosor del dielctrico,
re
es la permitividad
relativa y tiene un valor de 120 . La permitividad relativa esta dada por
,
_
+
+
h
W
F
r r
re
2
1
2
1
2 2 / 1
1 04 . 0
12
1

,
_
,
_
,
_

h
W
W
h
h
W
F Para
,
_
1
h
W
2 / 1
12
1

,
_
,
_
W
h
h
W
F Para
,
_
1
h
W
Plano de tierra
Dielctrico
Metal
131
Convenio UACJ SA
Con estas ecuaciones podemos determinar la impedancia caracterstica en trminos de la
geometra. Para una impedancia caracterstica deseada, el ancho de la lnea puede ser
determinado por.
2
8
2
A
A
e
e
h
W
Para A > 1.52
( )
'
1
]
1
+
+
+
r r
r
B B B
h
W

61 . 0
39 . 0 ) 1 ln(
1
1
1 2 ln 1
2
Para A< 1.52
Donde
'
+
+
'
+
r r
r r
Z
A

11 . 0
23 . 0
1
1
2
1
60
2 / 1
0
r
Z
B
0
2
60
En una lnea de microstrip la longitud de onda esta dada por

( )
5 . 0
re

Donde re es la permitividad efectiva que depende de la constante dielctrica del material y
las dimensiones fsicas de la lnea de microstrip,y es la longitud de onda en el espacio
libre.

132
Convenio UACJ SA
En una lnea de microstrip el campo electromagntico existe en dos partes; un aparte en el
aire arriba del dielctrico y otra en el dielctrico mismo. De manera intuitiva, se puede
deducir que la constante dielctrica efectiva de la lnea se espera que sea mayor que la
constante dielctrica del aire y menor que la constante dielctrica del dielctrico mismo. La
figura 4.17 muestra varias curvas de constante dielctrica como funcin de dimensiones
fsicas y constante dielctrica relativa.
Figura 4.17. Constante dielctrica efectiva en funcin de las dimensiones fsicas.
Comparacin de varios tipos de lneas de transmisin. Hay varios parmetros que nos
pueden proporcionar una forma de comparacin de diversos tipos de lneas de transmisin,
estos parmetros son; El factor Q del circuito, que nos da un valor de la capacidad de
sintona del circuito. Otros factores son la radiacin y la dispersin de las ondas
electromagnticas que viajan a travs de la lnea. La dispersin es una indicacin de cuanto
se dispersan las ondas con respecto al rea de la gua y la radiacin es una indicacin de la
133
Convenio UACJ SA
energa radiada por la estructura. Otro factor es el rango de impedancia de la estructura. Por
ltimo, si es posible o no montar en chip la estructura. Estos parmetros se muestran en la
tabla 1, para varios tipos de estructuras.
Tabla 2. Comparacin de varios tipos de lneas de transmisin
Lnea de
transmisin
Factor Q Radiacin Dispersin Rango de
Impedancias
Montaje de
chip
Microstrip
Dielctrico
GaAs, Si
250
100 a 150
Baja
Alta
Baja 20 a 120
Difcil en
paralelo,
fcil en serie
Stripline 400 Baja Ninguna 25 a 250 Pobre
Stripline
suspendida
500 Baja Ninguna 40 a 150 Regular
Slotline 100 Media Alta 60 a 200 Fcil para
paralelo,
difcil para
serie
Gua de onda
coplanar
150 Media Baja 20 a 250 Fcil para
serie y
paralelo
Finline 500 Ninguna Baja 100 a 400 Media
Ejemplos de circuitos con microstrip. La figura 4.18 muestra un filtro pasa banda. La
figura 4.18 (a) muestra el esquemtico y a figura 4.18(b) su equivalente en microstrip. En
los circuitos de microstrip las lneas gruesas, indican generalmente capacitancia en paralelo
y las lneas delgadas indican generalmente inductancias en serie, correspondiente al
esquemtico.
134
Convenio UACJ SA
(a)
Figura 4.18 (a) Circuito esquemtico y (b) circuito microstrip.
La figura 4.19 (a) y (b) se muestran el circuito en microstrip de dos filtros, en la figura 4.19
(a) las lneas delgadas, indican inductancias en serie y las lneas gruesas hacia abajo indican
capacitancias en paralelo. En la figura 4.19 (b), lo mismo solo que las capacitancias estn
en forma de rectngulos atravesados en la lnea principal. Los extremos inicial y final del
circuito son circuitos de acoplamiento de la impedancia caracterstica Z
0
.
135
Convenio UACJ SA
(a)
(b)
Figura 4.19. Filtro pasa bandas en microstrip.
La figura 4.20 muestra un circuito de un filtro pasa bandas, pero en este caso es con guas
de onda de longitud de onda, cada tramo de circuito es el equivalente en longitud a la
mitad de una longitud de onda de la frecuencia central del filtro.

136
Convenio UACJ SA
Figura 4.20 Filtro pasa bandas de mitad de longitud de onda.
El circuito de la figura 4.21 muestra un circuito mas elaborado de microstrip este circuito
tiene una gua de onda de 50 , con un divisor de dos a uno y con varios elementos
insertados en la gua de onda, un atenuador y varios capacitares chip.
DESIGN FEATURE
Figura 4.21 Circuito de microstrip de un PLL.
Hay que resaltar en este circuito, un elemento ms, las esquinas de la gua de onda. Estas
esquinas son una discontinuidad en un circuito de microstrip. Por lo tanto, esta parte del
circuito requiere un re-diseno. Estas discontinuidades son llamadas Chamfered bends y se
calculan con las siguientes ecuaciones. La figura 4.22 muestra una amplificacin de estas
esquinas y sus elementos.

,
_

+
h
w
e
d
s
35 . 1
65 . 0 52 . 0
137
de VCO
Salida de PLL
Divisor de dos
vias
Al sintetizador
Atenuador
Capacitares
Chips y
amplificador
Plano de tierra
s
Convenio UACJ SA
Figura 4.22 Circuito microstrip de Chamfered Bends.
Fuente: http://docentes.uacj.mx/vhinostr/cursos/tecnicas_rf/capitulo_IV.doc
138
d

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