Calculo de Enlace Fibra Optica
Calculo de Enlace Fibra Optica
Calculo de Enlace Fibra Optica
Caractersticas de Transmisin
Para una correcta planificacin de las instalaciones de cables con fibras pticas es necesario considerar la atenuacin total del enlace y el ancho de banda del cable utilizado. Para el clculo de atenuacin de enlace se consideran 2 mtodos:
Clculo del cable de fibra ptica Clculo del margen de enlace con cable de fibra ptica seleccionado
Donde: PM = Margen de potencia en dB (mxima atenuacin permisible) Pt = Potencia del transmisor en dB Pu = Potencia de umbral en dB (dependiente de la sensibilidad del receptor) La potencia de salida del transmisor es el promedio de la potencia ptica de salida del equipo generador de luz empleando un patrn estndar de datos de prueba. El umbral de sensibilidad del receptor para una tasa de error de bit (BER) es la mnima cantidad de potencia ptica necesaria para que el equipo ptico receptor obtenga el BER deseado dentro del sistema digital. En los sistemas analgicos es la mnima cantidad de potencia de luz necesaria para que el equipo ptico obtenga el nivel de seal a ruido (S/N) deseado. Por lo tanto de la expresin de at = PM
Ejemplo
Tenemos un enlace para un sistema de 34 Mbits y = 1300 nm. Supongamos que L = 25 Km y se emplean fibras pticas de 2000 mts. por lo que se requieren 12 empalmes con atenuacin promedio de 0.2 dB, los conectores de transmisin y recepcin con atenuacin 0.5 dB. 1.- Clculo de la fibra La reserva fijamos en 0.3 dB/Km
Para una potencia de transmisin de 0 dB y un umbral de sensibilidad de 30 dBm (BER 10-9) El margen de potencia mxima = 30 dB
Podemos elegir un cable con una atenuacin menor o igual a 0.76 dB/Km
b1 = ancho de banda por longitud en MHz*Km B1 = ancho de banda del cable de fibra ptica en MHz a L1 L1 = longitud de fibra ptica generalmente 1 Km para B1 L = longitud de la fibra del enlace en Km El ancho de banda no disminuye linealmente con la longitud por la dispersin de modos se aproxima con (exponente longitudinal) entre 0.6 y 1 (valor emprico 0.8). Para el ejemplo de perfil de ndice gradual y = 1300 nm el ancho de banda B para sistema de 34 Mbits es 50 MHz ancho de banda de campo regulador tanto para LED como para LD (para 8 Mbits 25 MHz y para 140 Mbits 120 MHz
En fibra ptica de perfil de ndice gradual = 1300 nm b1 incrementa en pasos de 200 MHz/Km (600 800 1000 MHz/Km), por tanto para 657 se adopta 800 MHz*Km.
El clculo de la dispersin en sistemas encima de 565 Mbits/seg considera adicionalmente caractersticas del lser como ruido de distribucin de modos.
Caractersticas mecnicas
Se debe tener en cuenta la configuracin de los cables para que los mismos se encuentren protegidos de influencias ambientales.
h = constante de Plank = Frecuencia del fotn = longitud de onda V= velocidad de la luz en el medio En el semiconductor para pasar un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin, existe energa absorbida por incidencia de un fotn. Proceso inverso se realiza para liberar fotones. E=EC - EV Donde: EC energa de un electrn, cuando se encuentra en la banda de conduccin EV energa de un electrn, cuando se encuentra en la banda de valencia
E es una caracterstica del material y se puede cambiar en funcin al contaminante empleado en el semiconductor. Cuando se libera un fotn se lo puede hacer de dos maneras: espontnea o estimulada. En la emisin espontnea no existe ningn medio externo que induzca al electrn pasar de la banda de conduccin a la banda de valencia. En la emisin estimulada un fotn induce a que el electrn pase a su estado de reposo, liberando un fotn, en cuyo caso se dice que existe amplificacin, si adems existe retroalimentacin y un elemento de selectividad, se lograr tener emisiones coherentes (mediante espejos). Una representacin de estos procesos se indica en la figura que se encuentra a continuacin.
Diodos LED
Son fuentes de luz con emisin espontnea o natural (no coherente), son diodos semiconductores de unin p-n que para emitir luz se polarizan directamente.
La energa luminosa emitida por el LED es proporcional al nivel de corriente de la polarizacin del diodo. En la figura anterior vemos la representacin caracterstica de potencia ptica- corriente de polarizacin. Existen dos tipos de LED:
LED de superficie que emite la luz a travs de la superficie de la zona activa. LED de perfil que emite a travs de la seccin transversal (este tipo es mas direccional)
La emisin del LD es siempre de perfil, estos tienen una corriente de umbral y a niveles de corriente arriba del umbral la luz emitida es coherente, y a niveles menores al umbral el LD emite luz incoherente como un LED. La figura muestra una comparacin de los espectros emitidos por un LED y un LD.
Como las caractersticas de los espejos son funciones tanto de la temperatura, como de la operacin; la caracterstica potencia ptica- corriente de polarizacin es funcin de la temperatura y sufre un cierto tipo de envejecimiento. Una representacin grfica de la corriente de umbral, del proceso de envejecimiento se ilustra en la a continuacin.
Receptores pticos
El propsito del receptor ptico es extraer la informacin contenida en una portadora ptica que incide en el fotodetector. En los sistemas de transmisin analgica el receptor debe amplificar la salida del fotodetector y despus demodularla para obtener la informacin. En los sistemas de transmisin digital el receptor debe producir una secuencia de pulsos (unos y ceros) que contienen la informacin del mensaje transmitido.
Fotodetector
Convierte la potencia ptica incidente en corriente elctrica, esta corriente es muy dbil por lo que debe amplificarse. Las caractersticas principales que debe tener son:
Sensibilidad alta a la longitud de onda de operacin Contribucin mnima al ruido total del receptor Ancho de banda grande (respuesta rpida)
Fotodetectores PIN
Genera un solo par electrn-hueco por fotn absorbido. Son los ms comunes y estn formados por una capa de material semiconductor ligeramente contaminado (regin intrnseca), la cual se coloca entre dos capas de material semiconductor, una tipo N y otra tipo P. Cuando se le aplica una polarizacin inversa al fotodetector, se crea una zona desrtica (libre de portadores) en la regin intrnseca en la cual se forma un campo elctrico. Donde un fotn en la zona desrtica con mayor energa o igual a la del material semiconductor, puede perder su energa y excitar a un electrn que se encuentra en la banda de valencia para que pase a la banda de conduccin. Este proceso genera pares electrn hueco que se les llama fotoportadores.
Fotodetectores de Avalancha APD.Presenta ganancia interna y genera mas de un par electrn-hueco, debido al proceso de ionizacin de impacto llamado ganancia de avalancha. Cuando a un fotodetector se le aumenta el voltaje de polarizacin, llega un momento en que la corriente crece por el fenmeno de avalancha, si en esta regin se controla el fenmeno de avalancha limitando la corriente (antes de la destruccin del dispositivo), la sensibilidad del fotodetector se incrementa. Cuando se aplican altos voltajes de polarizacin, los portadores de carga libres se desplazan rpidamente, con mayor energa y liberan nuevos portadores secundarios, los cuales tambin son capaces de producir nuevos portadores. Este efecto se llama multiplicacin por avalancha (M) que esta dada por:
Donde: IT : fotocorriente total IP : fotocorriente primaria V : Voltaje de polarizacin aplicado VB : Voltaje de ruptura del dispositivo n : coeficiente