Apuntes de Metodos Electricos
Apuntes de Metodos Electricos
Apuntes de Metodos Electricos
ELCTRICOS
ndice
I.1
I.2
1
1
I.2.1
I.2.2
I.3
I.4
Permeabilidad magntica
Diferencia entre resistencia y resistividad
4
5
6
I.4.1
I.4.2
I.4.3
Conduccin electrnica
6
8
Conduccin electroltica
Conduccin dielctrica
Medio homogneo y heterogneo
Isotropa y anisotropa
9
9
I.6.1
Isotropa
I.6.2
II
II.1
II.2
II.2.1
II.3
Anisotropa
TEORA BSICA
Condiciones de frontera
Resistividad aparente para varios arreglos
Factores geomtricos ms comunes
Potencial sobre la superficie de un semi-espacio
11
14
17
18
21
23
homogneo
Potencial de un punto fuente sobre un semiespacio
27
estratificado.
Representacin matricial para 2 y 3 capas
Equivalencia en el caso de tres capas
Solucin recursiva del sistema de ecuaciones
33
33
36
I.5
I.6
II.4
II.5
II.6
II.7
mtodo de Pakeris
II.8
II.9
II.10
II.11
II.12
III
Expresin de
arreglos tetrapolares
Asntotas horizontales de la curva Schlumberger
Resistividad en 2 dimensiones
Punto de atribucin en el dipolo-dipolo
Sensibilidad mtodo dipolo-dipolo
MODELADO BIDIMENSIONAL PARA MEDIOS
40
42
44
47
48
49
HETEROGNEOS E ISOTRPICOS
III.1
Diferencias finitas
50
III.2
Elementos finitos
52
2
III.3
Ecuacin integral
53
III.4
I.V
Resumen
CONSIDERACIONES TERICAS DE COSAS PRCTICAS
57
59
I.V.1
Efecto topogrfico
59
I.V.2
60
I.V.3
Caractersticas de la fuente
60
I.V.4
V
63
65
V.1
Polarizacin de membrana
66
V.2
Polarizacin electrdica
66
V.3
VI
Aproximacin de Siegel
MTODO ELCTRICO DE POTENCIAL ESPONTANEO
68
69
VI.1
(SP)
VI.2
Introduccin
69
VI.3
Principios Tericos
70
VI.4
74
VI.5
Equipo
74
VI.6
76
VI.7
76
Semi-Interpretacin cualitativa
79
Bibliografa:
81
H
Ley de Faraday
t
X H = E+
E
Ley de Ampere
t
J = E ; D= E ; B= H Ecuaciones Constitutivas
=Permitividad elctrica
4 x 107 h enry
m
( faradios
m )
=Conductividad elctrica(
(Vacio)
siemens
)
m
En mtodos elctricos
solo se trabaja
=108 ohmm . La
materiales
se
que
quedan
entre
estos
dos
rangos
les
llama
ohms . m
y los sedimentos
ohms . m , el
ohms . m .
en
su
deformacin
en
cada
ciclo.
Algunos
materiales
3
farads
en el vacio
m
C=V EM en el vacio
r r Indice de refraccin
De la ecuacin de Ampere
X H = E+
E
t
E
t
despreciarlo. Sin embargo para los que trabajan con antenas, donde la
onda electromagntica se propaga por el aire
es casi cero.
E
t
empieza a ser
importante.
El agua es el elemento de mayor
I.2.2-.Permeabilidad magntica
El valor de es importante y no se puede despreciar de las ecuaciones
de Maxwell, el problema es que en la mayora de los materiales
terrestres no vara mucho. La magnetita tiene un valor alto, pero al
quedar diseminada en una roca, disminuye mucho su valor efectivo. Por
eso para prospeccin con frecuencia variable es cercana a la del aire.
Anexar una tabla de valores tpicos de permeabilidad magnetica
R=
L
A
de la longitud L A.
=
RA
L
Electrnica
Electroltica
Dielctrica
I.4.2-.Conduccin electroltica
Tambin es conocido como conduccin inica, pues aqu no se mueven
electrones, sino iones a lo largo de la parte fluida de una roca. Como
sabemos la mayora de las rocas son porosas en mayor o menor grado y
tales poros son ocupados con frecuencia por agua de algn tipo.
En tales tipos de materiales se realiza conduccin electrnica a lo largo
de los granos de la roca y conduccin inica a lo largo de los poros de la
misma. En rocas con poco contenido de metales, la conduccin inica es
muchas veces superior a la conductividad electrnica. Esto significa que
si tomamos sedimentos secos o una roca seca y medimos su
resistividad, pues ser la debida a la conduccin electrnica y si le
agregamos
agua
tendremos
conduccin
inica,
por
lo
tanto
la
m n
s w
e =Resistividad efectiva
=Fraccinde porosidad ( 0 a 1 )
s=Fraccion de poros conteniendo agua
n=parmetro 2
, s , w
, la estimacin de
ser
HOMOGNEO
1D
2D
3D
10
Si suponemos que
J x = Ex
J y = E y
J z = E z
J = E
11
J = (E)
I.6.2-. Anisotropa
En un medio anisotrpico
| ||
||
J x xx xy xz E x
J y = yx yy yx E y
J z zx zy zz E z
12
la misma
Jy
y en
Jz
xx
en las direcciones
zx
Jx
, pero
(E x , E y , Ez )
Ey
Ex y Ey
xy = yx
en el material gracias a
xy
obtendremos un
incidimos un
Ex
obtenemos un
Jy
Ey
Jx
Jx
y cuando
, gracias a
yx
Si
Ex y Ey
xy = yx
entonces
J y =J x
13
es
en un tensor simtrico.
J y = yx E x J x = xy E y
yx=
xy= yx
Jy
J
y xy = x
Ex
Ey
principio de reciprocidad.
El caso que sigue es aquel donde suponemos que
Ex
no produce
Jy
xx 0
0
0 yy 0
0
0 zz
14
m o o
o m o m Horizontal v Vertical
o o v
II-.TEORA BSICA
15
es un
E yJ
a travs
de
E yJ .
Para campos elctricos muy grandes existe una saturacin, sin embargo
para los materiales terrestres los campos elctricos no son tan altos.
Esta ecuacin es una buena aproximacin.
2. En el caso de los mtodos elctricos de frecuencia cero, debido a que
tratamos con un campo conservativo, E se puede expresar entonces
a travs del gradiente de un potencial.
V ^ V ^ V ^
i+
j+
k
E= V =
x y
z
]
16
El gradiente del potencial (V) cuyas unidades son volts y las de E son
volt/m se puede expresar como:
J = E= V
J
E
J n^ =0
Las corrientes que entran son las mismas de las que salen, si hacemos
una seccin de esa esfera queda:
n
Donde
n^
es el vector normal a la
superficie
y J es el vector de corriente
J
n
J =ai+bj
Entonces
n^ 1=i+ j
n^ 2=i j
17
1= a+ b
J n^
2=ab
J n^
J n^ 1 + J . n^ 2=0
J n^ ds= J dv
Si esto es cierto por lo tanto,
J =0
principio de no
fuentes ni sumideros.
3. Ecuacion diferencial para un medio homogneo hasta tridimensional.
Aplicando el teorema de Gauss en trminos del potencial elctrico, nos
queda:
. ( V ) =0
Si
suponemos
un
medio
isotrpico,
pero
heterogneo
en
la
conductividad.
2
V + V =0
Si suponemos que la conductividad es homognea.
0
2
2
2
V =0 para un medio h omogeneo V = = V =0 ecuaci n de Laplace
Resumiendo:
18
constante
19
II.1-.Condiciones de frontera
Antes de poder resolver problemas ms complicados debemos saber cmo se comportan E
y J al pasar una interface entre dos medios de diferente conductividad.
Por la ley de Gauss
J . n^ ds= . J dv=0
J
Jt1 n1
1
Jn1
J
dz
Jt2
2
n2
Jn2
J . n^ ds=0
la frontera
Jn1=Jn2
Significa que las corrientes normales son continuas en la interface.
Aplicable a interfaces no-planas.
En funcin del campo:
1 E n1= 2 E n2
E n 1=
2
E
1 n2
La ecuacin nos dice que es discontinuo en las fronteras y que los campos elctricos
normales son continuos.
20
|En| |Jn|
1
Frontera
E dS= E d l
Et1 n1
1
En
1
J
En
Teorema de Stokes
dz
Et2
2
n2
21
J t 1 Jt 2
=
1 2 , por lo cual
J t 1=
1
J
2 t2
|En|
z
|Jn|
1
2
|Jt|
|Et|
Fronter
a
((
I
2
1
1
1
1
R AM
R BM
R AN R BN
)(
))
G Factor geometrico
V=
=2
I
G
2
V 1
G
I
Donde
a cuando no es homogeneo
23
Colineales
No colineales
24
G1=a
a=2
V
a
I
[(
[(
1
1
1
1
+
a+na na
2 a+ na a+ na
)(
naana
a+na2 ana
( a+ na ) ( na )
( 2 a+na ) ( a+na )
)(
)]
)]
25
a
a
+
( a+na ) ( na) ( 2a+ na ) (a+ na)
a ( 2 a+na )( a+ na ) +a ( a+ na ) (na)
( a+ na )( na )( 2 a+ na ) (a+na)
G=
2 ana+na
n ( a+na ) (2 a+na)
G=
2a
n ( a+na ) (2 a+na)
2
L
a
2
L+
AB/2=L
1
a
L
2
a
2
] [(
=
a
a
( L+ )
2
2
2a
2
a
2
L
4
1 2 a2
G = (L )
2a
4
=a
MN
G=
a
a
2 L+ L+
2
2
1
a
L+
2
1
a
L+
2
1
a
L
2
a=2
V 1 V 2 a 2
G =
(L ) Exacta
I
a I
4
V 2 a2
(L )
a I
4
a=lim
a 0
a=
2 a2 V
(L )
I
4 a
2 dV 2
L
= L Ex
I
da I
26
V
a , tiende
E x=
dV
dx , es aproximadamente el campo elctrico. Esto para el caso
L 5 a
(de la experiencia en
AB
5 MN
2
solo mover simtricamente AB, esto nos generar una curva del
siguiente tipo.
cerca de la
superficie, por lo tanto esos cambios sern bien definidos para AB/2
27
con la profundidad.
a=
a=
en la primera
en la ltima capa.
28
Para
el
caso
superficies
homogneo
equipotenciales
las
son
semi-esferas.
2 V =
2 V V
1 V 1 V
1
V
+
+
+ 2
+ 2
2
2
2
R R R Rsen R R sen 2
Pero debido a que el potencial V solo vara con respecto al radio R y no respecto a
la latitud o longitud, nos queda:
2 V 2 V
1 V 1 2 V
1
2 V
V=
+
+
+
+
R R R 2 Rsen R2 2 R2 sen 2 2
2
V=
C
R
donde
termino
E= V
E=
V
R
29
V
R
R=a
C C
=
R R a2
( )
C
a2
I
C
I
= 2 , C=
2
2
2 a
a
Por lo tanto
V ( r , z )=
I
I
=
con la fuente en la superficie
2 R 2 R
I
con la fuente dentro de latierra , o en el fondo de unlago .
4 R
30
V ( P )=V
V ( P )=
I 1
1
2 R1 R 2
I 1
1
2 R3 R 4
I
2
{[
][
1
1
1
1
R1 R2
R3 R 4
]}
31
Donde:
A y B son electrodos de corriente
M y N electrodos de potencial
a separacin entre electrodos
V=
I
2
[(
V=
I
2
a
2 aa
I a2 a2a+ a
(
=
([ a2
)
)
]
2a
2a ] 2 [
2a
V=
I 2 a
I 1
I
=
=
G
2
2 2a
2 a
2
1 1
1 1
2a a
a 2a
)(
)]
[ ] [ ]
V
IG
=2
Donde
V 1
G
I
G1
32
F (u , v , z )=
1
f ( x , y , z) ei (ux+ vy) dx dy
2
2
F ( , z )= rf ( r , z ) J 0 ( r ) dr
Transformada de Hankel
1
f ( x , y , z)e(ux+vy ) dx dy= rf ( r , z ) J 0 ( r)dr
2
2
0
Donde
r= x 2 + y 2 ,
= u 2+ v 2
[ V ( r , z) ] J 0 ( r ) dr V (2 , z ) 2 V ( , z )=0
z
2
33
V ( , z )=C1 e
+C 2 e
V ( r , z ) y no V ( , z )
V ( r , z )= V ( , z ) Jo(r ) d
(e
A1
+B 1 e z) Jo ( r ) d
V ( r , z )=
0
Donde:
A 1 ( )=C 1 , B1 ( )= C 2
34
V ( r , z )= [ A ( ) e z +B ( ) e z ] J 0 ( r ) d
0
Donde
A ( )
B()
35
1
= e z J 0 ( r ) d
r 0
Para
la
primera
capa
segunda
tercera
cuarta
V 1=
1 I 1 I
+
( A1 ez + B1 e z )Jo ( r ) d
2 r 2
V 2=
1 I
( A 2 ez + B2 e z ) Jo ( r ) d
V 3=
1 I
( A 3 ez + B3 e z ) Jo ( r ) d
V 4=
1 I
A 4 ez Jo ( r ) d
etc
y B
1,2,3,etc.
E t 1=E t 2
J n 1=J n 2
36
Aplicando la condicin
porque
J n 0=J n 1= 0 E n 0,= 1 E n1 .
J n 0=0
En 1=0.
J n 0=0
0 =0
1 0
, por
perpendicilares en la
interface aire-tierra.
E z=
V
=0 en z =0
z
e z + A 1e z +B 1
e z + A 1e z +B 1
( e z ) J 0 ( r ) d
( e z) J 0 ( r ) d=
z
V
=0=
z
z
ez + A 1 ez + B 1
e zA 1e z + B 1 e z
J
(
r
)
d=
(A 1+ B1 ) J 0 ( r ) d
z=0 0
[ ( e z )]J 0 ( r ) d= )
0
z
37
Se ocupa que
V
=0
z
A 1=B1
para Jn=0
J 0 ( r ) d=0
0
En la superficie Aire-Tierra
A 1=B1 (1)
Condicin 2
Para las otras interfaces
J n 1=J n 2 1 E z 1= 2 E z 2
V 1
V 2
= 2
z
z z =h
e z + A 1 ez + B1
( e ) J 0 ( r ) d= 2 A 2 ez J 0 ( r ) d
z 0
1
z
z
(2)
Condicin 3
Tambin sabemos que Et es continuo en la interface, entonces V1 y V2
tambin
38
E 2 dl= E x dx
E1 dl= V 2=
V 1 =
Los integrandos deben ser iguales
V 1=V 2 solo en la interface z=h
ez + A1 ez + B1
z =h
( e ) J 0 ( r ) d
= A 2 ez J 0 ( r ) d z =h
0
e h+ A 1 eh + B1 e h= A 2 eh . ( 3 )
De esta manera las tres ecuaciones nos quedan:
A 1=B1
1 e
(1)
1 A1 e
+ 1 B1 e = 2 A2 e
(2)
(3)
e h+ A 1 eh + B1 e h= A 2 eh
1 e
1 A 1 e
+ 1 A 1 e = 2 A2 e
..(4)
Sustituyendo 1 en 3
h
+ A1 e
Despejando
A 2=
+ A1 e = A2e
A2
(5)
de (4) y factorizando
1 1
+ A 1 1 A 1 e 2 h= 1 + 1 A 1 ( 1e 2 h) ..(6)
2 2
2
2 2
39
Despejando
A 2 en(5)
A1 ( 1e 2 h ) A 1 ( 1+e 2 h )=1 1
2
2
A1
1 A1 e h 1 +1 =1 1
2
2
2
( )
( )
1 2
1
2
+
A 1=
x 1 2
+
1
( 2 1 )+( 2 1 )e2 h +
2
2
1
2
1 + coeficiente de impedanciaelectrica
K= 1 2
Si
A 1=
K
solo para 2 capas
e K
2 h
B 1= A 1
B1 y A2
A2
A2
V 1 en z =0 ?
40
V 1=
1 I 1 I
+
( A1 ez + B1 e z )|z=0 Jo ( r ) d
2 r 2 0
1+ A1 + B1
()Jo ( r ) d
1 I
V 1=
V 1=
1 I
( 1+ 2 A1 )Jo ( r ) d
2
A 1=
K
e K
2 h
V 1=
1 I
( 1+ 2 A1 )Jo ( r ) d
2 0
V1
con n capas y
A1
contiene la
interface aire-tierra.
El Kernel es vlido slo en la frontera aire-tierra.
En resumen para el caso de 2 capas,
de abajo,
A 1,
capas
A2
A1
cambiaria.
Tarea:
a) Hacer la transformada de Hankel para la ecua. De Laplace en
coordenadas cilndricas.
41
1 (z A 1 e
e
+ B 1 e z)= 2 (A 2 ez )
B 1 A2
]( ) ( )
1
1
0
A1
0
ez
e z ez B 1 = ez
1 ez 1 e z 2 ez A2
1 ez
1
1
0
0
0
z
z
z
z
e
e
e
e
0
z
z
z
z
1 e
1e
2 e
2 e
0
z
z
0
0
e
e
e z
0
0
2 ez 2 e z 3 ez
]( ) ( )
A1
0
B1
e z
A 2 = 1 e z
B2
0
0
A3
42
V1
queda
1 I
V 1=
( 1+2 A 1 ) J 0 ( r ) d
2 0
Donde:
A 1=
R1=
R1 e2 h
1+ R1 e2 h
T=
12 T
1 + 2 T
1R2 e2 h
1+ R 2 e2 h
R 2=
23
2 + 3
Esto simplificara
R1
R1
13 1+
(1 3 ) 2 h2
2
2
1 + 3 + 1+
( 1 3 ) 2 h 2
2
2
( )
( )
h2 h 1 y 2 1 y 3 se obtiene que
43
R1
13 2 h 2
1 + 3 + 2 h2
Donde producto
2 h2
2 h2
h2
h2 h 1 y 2 1 y 3 se obtiene que
R1
3 1 2 h2
3 + 1+ 2 h2
44
En la relacin anterior
pero
Donde el producto
conductancia=
2 h2
h2
= 2 h 2
2
Ejemplo:
Un modelo con
ejemplo
2 h2
(500)(1)=(250)(2),
estos
modelos
producirn
la
misma
h2
45
ecuaciones se simplifican.
e + A1
z
(e +B 1 e z) Jo ( r ) d
V 1=
(e
1I
2 0
A2
+B 2 e z)Jo ( r ) d
V 2=
1I
2 0
V n=
1I
A ez Jo ( r ) d
2 0 n
V1,
V2,
Vn
A2
B2
46
e +1
z
(e +1 e z ) Jo ( r ) d
V 1=
1 I
2 0
ez +2
(ez +2 e z ) Jo ( r ) d
1 I
V 2=
2 0
z
e +n
z
(e +n e z ) Jo ( r ) d
V n=
1 I
2 0
Donde:
1= A1
2= A2 ez
n= A n ez
1=B1
2=B2
n=0
A1
A2
A n B 1 , B 2 , Bn
Pero
al
cambiar
de
variable
ahora
el
objetivo
es
encontrar
1 , 2 ,n , 1 , 2 , n
Aplicando las condiciones de frontera:
V i=V i +1
V i V i+1
=
z
z i+1
47
zi
zi
+i e
zi
zi
+ i e =e
zi
+i+1 e
zi
+i +1 e (1)
e z i +1 e z + i+1 e z (2)
1
1
e z i e z + i e zi )=
(
i
i+1
i
Simplificando al dividir
e z
en la ecuacin (1) y
e z
la ecuacin
(2)
1+i+ i e2 z =1+ i+1 +i+1 e 2 z ..(3)
i
1
1
1+ii e 2 z ) =
1+i +1i+1 e 2 z ) (4)
(
(
i
i+1
i
Dividiendo 3 entre 4
i
1+i+ i e2 z
1+ i1 e2 z
Si definimos
K i ( )=
) (
=i +1
1+i +1i+1 e 2 z
1+i+1 +i+ 1 e 2 z
1+ i+1i +1 e 2 z
(4b)
=K i+1 . ( 5 )
Ki
i1
1+i i e2 z
i1
.(6)
===========================================
======
Ejemplo para la primera capa:
K 1 ( )=
1+ 1+ 1 e 2 z
i1
1+1 1 e 2 z
i1
48
K 1 ( )=
1+ 1+1 (1)
1+11 (1)
V1
transformada de la resistividad.
===========================================
=======
Regresando a nuestro intento por obtener una ecuacin recursiva.
1+i
i
Despejando
de (6)
1+i+ i e2 z =K i(1+i i e2 z )
i1
i1
2 z i1
2 z i1
i e
Factorizando
( 1K i ) ( 1+i ) = i e
1+i
K +1 2 z
= i
e
i
K i1
2 zi1
(1+ K i)
i1
1+1 2 z
+e
i
i
= i+1 K i +1
1+ 1 2 z
e
i
i
(7)
49
K i +1 2 z
e
+ e2 z
K i1
( )
( )
i1
K i+1 2 z
e
e2 z
K i 1
i1
= i+1 K i+1
(8)
K i1
K
K
2 z
2 z
i ( i+1)e
( K i1)e = i+1 K i +1
i ( i+1)e 2 z +( K i1)e2 z
i1
i1
Dividiendo por
e2 z
i1
K
K
K
( i+ 1)( i1)e2 (z z )= i+1 K i +1
( i+ 1)+(K i1)e 2 ( z z )
i
i
i1
Si definimos
t i =zi z i1
i1
y adems
Pi =
i
i+1
sola
K i ( 1+ e2 t ) (e 2 t 1)
i
K i+1=P i
K i+1
( e 2 t +1 ) K i (e 2 t 1)
i
tanh ( t i )=
e 1
2 ti
e +1
50
K i tanh ( t i )
1K i tanh ( t i )
Ki
para calcular
Ki
K i+1 + Pi tanh ( t i )
Pi+ K i+1 tanh ( t i )
K2
Ki
Ejemplo:
Sabemos que
K 3=
K 2=
K 1=
n=0
1+1 +1 e2 zi1
=1
1+11 e 2 zi1
K 3 + P2 tanh ( t 2 )
P2+ K 3 tanh ( t 2 )
K 2+ P1 tanh ( t 1 )
P1+ K 2 tanh ( t 1 )
en la ltima capa
en la otra capa
=12 1
51
1 I
( 1+21 ) J 0 ( r ) d
2 0
I
V 1= 1
2 0
K 1 ( ) J 0( r) d=
II.8 Expresin de
tetrapolares
Para un arreglo polo-polo:
K 1 ( ) J 0( r)d
1 I
V 1=
2 0
V =V ( AM )V ( BM )V ( AN ) +V ( BN )
52
K 1 J 0 ( r BN ) d
K 1 J 0 ( r AN )d+
0
K 1 J 0( r AM ) d K 1 J 0 (r BM ) d
0
V=
1 I
V 1
GD D
I
2 a
n ( a+na ) (2 a+ na)
(r
1
AM
1
r BM
) (r
1
AN
1
r BN
I
V W = 1 2 K 1 J 0 (a) d2 K 1 J 0 ( 2 a)d
2
0
0
GW =
a=2
V W 1
GW
I
y G en su expresin
a= r 2
Ex
I
Ex
I
54
E x=
I
V 1 I
=
K 1 ( ) [ J 0 ( r ) ] d= 1 K 1 [J 1 ( r ) d ]
r
2 0
r
2
V + 1 I
E x=
=
K 1 J 1 ( r ) d solouna integral gracias ala aproximacin
r
2 0
r=
Donde
AB
2
En trminos de
a= 1 r
K 1 ( ) J 1 ( r ) d
0
AB /2>5 MN .
( 11+1) J 1 ( r ) d=1 r
J 1 ( r ) d+r
a=1 r
[ K 1 ( )1 ] J 1 ( r ) d
0
55
J 1 ( r ) d= r12
Transformada de Hankel
a=
1
efecto
semiespacio
1+ r
[ K 1 ( ) 1 ] J 1 ( r ) d
0
perturbacion debida
a un semiespacio estratificado
K1( )
para
Al termino
K1( )
K 1 ( )=1 cuando x
resistividad.
Demostracin:
K 1 ( )=
Para
K
e K
K=
2 h1
=0
1 2
1 + 2
tenemos
56
1 2
1 + 2
( 12 ) ( 1+ 2) 12
K
K 1 ( )=
=
=
=
12 1 + 2 1+ 2
2 2
1+ 2 ) (2 2)
(
1
1 + 2
1 + 2
tanh ( 0 )=0
1+
K 1=
K 1=
tanh ( )=1
1
tanh ( t i )
2
1
+ tanh ( t i )
2
2
1
2
1
Si
K 1=1
En trminos de (r)
Este resultado es importante para demostrar las propiedades asintticas
a
de la curva de
del Schlumberger.
a (r )=r
d=
K 1 ( ) J 1 ( r ) d
0
r =w ,o sea =
Haciendo que
w
r
dw
r
nos queda:
w
dw
a ( r )=r K 1 ( ,r ) J ( w )
= 1 K 1 ( , r ) w J 1 ( w ) dw
r 1
r
0
0
2
a ( r )= a ( r ) =1 w J 1 ( w ) dw= 1
0
57
a ( r )= a ( r ) =2 w J 1 ( w ) dw= 2
0
a ( r )= n
a= 1
a 2
45 0
58
II.10
Resistividad en 2 dimensiones
Recordemos
que
cuando
decimos
2D
nos
referimos
que
la
Donde
=f ( x , z ) V =f (x , y , z )
Dipolo dipolo
Coeficientes de reflexin
59
K es el coeficiente de impedancia
K=(21)/(2+1)
CASO 1
El siguiente caso analtico de un contacto vertical se obtiene V con el
mtodo de imgenes (coeficientes de reflexin) empleando un arreglo
Wenner. El mtodo calcula el efecto de C 1 y C2 (electrodos de corriente)
medidos en P1 y P2 (electrodos de potencial) de las corrientes que se
transmiten y se reflejan.
CASO 1
V ( P 1 )=
I 1
2
1
+K
1
+K
+
( +
([ a+na
)
2 sana
na 2 s2ana )]
V ( P 2 )=
I 1
2
[(
1
+K
1
+K
+
+
2ana 2 s2 ana
na+a 2 s3 an
)(
CASO 2
V ( P 1 )=
I 1
2
[(
1
+K
1
+K
+
+
a+na 2 sana
na 2 s2ana
V ( P 2 )=
)(
I 2
2
1K
(
([ 21K
)
a+na
a+ na ) ]
60
)]
CASO 3
V ( P 1 )=
I 2
2
[( ) ( )]
V ( P 2 )=
I 2
2
[(
1K
1K
a+na
na
1K
1K
2 a+na
a+ na
)(
)]
CASO 4
V ( P 1 )=
I 2
2
[( ) (
V ( P 2 )=
I 2
2
1
K
(
+
([ 21K
)
a+na
a+ na 2 a2 s+na+ a )]
1K
1
K
+
a+na
na 2 a2 sna
)]
CASO 5
V ( P 1 )=
I 2
2
1
K
1
K
+
( +
([ a+na
)
2 s+ a+na
na 2 s+2 a+ na )]
V ( P 2 )=
I 2
2
[(
1
K
1
K
+
+
2 a+na 2 s +2 a+na
a+na 2 s +3 a+ n
)(
V =V ( P1 ) V ( P 2 )
61
II.11
Xo,Yo(pseudoprofundidad)
Yo=(a/2)+(na/2)
10
12
14
16
18
20
22
24
0
289
P R O FU N D ID A D A P A R EN T E (m )
-2
250
179
200
173
105
-4
194
120
94
110
66
66
45
74
-6
169
81
30
221
125
120
250
375
500
625
157
162
73
66
172
105
71
71
302
104
58
59
141
70
56
108
53
L N E A 1
102
73
44
169
131
91
62
88
-1 0
124
73
13
136
103
52
103
-8
133
36
136
152
174
179
136
98
70
65
58
55
294
759
750
62
26
II.12
de
mtodos
elctricos
electromagnticos
la
funcin
de
sensibilidad es:
63
III
Para 3D
=f ( x , z )
=f ( x , y , z )
V =f ( x , y , z )
V =f ( x , y , z )
2.- Elementos
Finitos
3.- Ecuacin
Integral
3
E= G ( r 1 r 0 ) . E ( r 1 r 0 ) (r ) d r
64
III.1-.Diferencias finitas
Es uno de los mtodos ms accesibles para resolver cualquier ecuacin
de manera numrica.
. V + 2 V =q ( xx 0 ) ( y y 0 ) (zz 0 )
Resolviendo para 3D
V V V
2 V 2 V 2 V
+
+
.
+
+
+
+
+
=q ( xx 0 ) ( y y 0 ) ( zz 0 )
x y z
x y z
x2 y 2 z 2
)(
) (
i , j, k =
i +1= i +1, j , k
j+1= i , j+1,k
Donde las direcciones son: j y,
kz, ix
,
;o
x
x
x
2x
es Aproximacin de primer orden (es una diferencia simtrica)
V i +1V i V i V i1
V i+12 V i +V i1
V
x
x
=
2
2
x
x
x
2
65
i+1 i1
4 x
; y=
j +1 j1
4 y
; z=
k +1 k1
4 z
V i +1 2 V + 2 V i1 +
V j +1
V+
2
2
2
2
x
x
x
y
y
y
Si hacemos
+=
+ x
x2
ai
x
x2
ai
+=
+y
y2
bj
y
y2
bj
+=
+ z
z2
c k
z
z2
c k
d=2
1
1
1
+
+ 2
2
2
x y z
Reescribiendo
V k1 + d V i , j ,k =q
+ V k+1 +c k
V j1+ ck
+ V j+1 +bj
V i1 +bj
+ V i+1 +a i
a i
66
III.2-.Elementos finitos
Es otro mtodo para resolver la ecuacin diferencial, pero la diferencia
es que aqu nos queda una integral del tipo:
F ( V )= ( V + 2 V ) d V j
J
Donde
. J s Trmino de la fuente
67
III.3-.Ecuacin integral
La ecuacin diferencial de Helmholtz se puede pasar a una ecuacin
integral
2 E+ K 2 E=0 ya contiene a lasecuaciones de Maxwell
Se puede pasar a la ecuacin de Scattering
de
E
(r 0 ) = G
E ( r , )
(r ) dV '
( r 1 , r 0 , 0 )
perturbacion
del campo
V'
funcin
campo
electrico
perturbacion
enrho
2)
r1
68
ro
E(r 0 , )
que es el campo
x, y ,z ,
x, y ,z
y medido en
produce scattering.
E= G ( r , 0 ) E ( r , r o , ) (r )dV '
V'
69
Si hacemos modelado
E
= G ( r , 0 ) E ( r , ro , ) (r
) dV '
desconocido
V'
A partir de
(r 0)=
conocido
se calcula
se calcula
se puede calcular
(r s )
1
G ( r , 0 ) . E ( r , r 0 , ) (r)d 3 r
C termino de conversin de E
En el caso inverso:
70
a (r o )=
conocido
1
G ( r , 0 )
E ( r ,r o , ) (r
) dV '
C
conocido
desconocido
desconocido
E ( r , r0 , )
como
es muy diferente de
Esto es equivalente a
a ( r o )=
1
(r , r 0 ,) ( r)dV '
G ( r , 0 ) E ( r , r 0 , 0 ) ( r ) dV + G ( r , 0 ) E
CV
V
diferenciade E
no eshomogeneo
E ( )
es casi 0
a (r o )
1
E(r , r 0 , 0)
(r ) dV '
G ( r , 0 )
CV
conocido
Al hacer
E ( )
conocido
desconocido
1
a (r ) 0 + G ( r , 0 ) E(r ,r 0 , 0 ) (r )dV '
C V
71
(r )
0= promedio de a
no se desvi mucho de
funcione.
f (a)
( x i) +
xi
1
G ( r , ) . E (r , r0 , ) ( r ) d3 r
C
72
III.4 Resumen
Modelado
Scattering
a ( r )= 0+ G ( r , r 0 , 0 ) E(r , ) (r ) dV '
V
Gmez
Inversin
Scattering
a (r ) 0 + G ( r , r 0 , 0 ) E (r , ) (r) dV '
V
Gmez
73
Para Gmez
1 y 2 no deben ser muy diferentes
n1 y n no deben ser muy diferentes
1 y n pueden ser muy diferentes debido a
que no estamos amarrados a 0 podemos permitirnos valores
de resistividad mayores y espaciados
(r )
se
Y como
a= 0
74
I.V
Como
a=2
V 1
G
Los efectos topogrficos causan que las mediciones de la
I
resistividad aparente:
75
V = E . dl
M
Hay equipos que miden DC y P.I. la nica diferencia es que para medir
P.I. al dejar de inyectar corriente deben registrar mediciones.
77
NOTA.- Cuando los datos estn ruidosos, ya sea porque el receptor est
muy lejos o la resistencia de contacto es muy baja entonces
son
V .
78
V
voltaje de la fuente
R resistencia de la fuente+ resistenciadel terreno
V =RI
y la corriente es muy
80
V POLARIZACION INDUCIDA
La polarizacin inducida es una tcnica ms reciente que el resto de las
tcnicas en geofsica, desde los aos 20s los hermanos Schlumberger
observaron el efecto de sobrevoltaje, pero fue hasta los aos 50s,
cuando el fenmeno se empez a estudiar sistemticamente en los
trabajos de Siegel.
El efecto de sobrevoltaje es un efecto bien conocido en fisicoqumica. El
efecto de PI consiste bsicamente en que al dejar de inyectar corriente
en el suelo, el voltaje en el receptor no cae sbitamente sino que tarda
en hacerlo, y esta cada depende del tipo de suelo, algunos han
comparado la curva de PI con una curva de un circuito de descarga RC
(resistencia- capacitor).
arcilla
s
arcilla
s
+++++
- - -+- - -
Efecto
+++++ de pila
+
82
de granos
de
metal,
pero
es
un
fenmeno
que
83
t2
M=
1
V ( t ) dt
V c t1
M=
dc
Transformacin
dc
Despejando
dc =
1M
85
en
el
campo
justifican
como
herramienta
de
celdas
voltaicas;
su
potencial
tiene
origen
niveles
Potencial Bioelectrico
Potencial Electrocintico
Potencial Redox
89
1960,
Sato
Mooney
propusieron
el
modelo
clsico
de
negativamente
la
parte
inferior
(ctodo)
cargada
Potencial termoelctrico
origen
de
estos
campos
elctricos
naturales
(potenciales
electrocintico
si
es
que se est
interesado
en
esta
92
en donde tengamos
flujos
trayectoria
94
96
50
-5 0
p r o f u n d id a d z
3 .5
-1 0 0
-1 5 0
-2 0 0
-2 5
S o lu c i n 2 a d e r q - z
4 .5
2 .5
-2 0
-1 5
-1 0
-5
10
15
20
25
s=2
s=3
s=4
s=5
1 .5
0 .5
0 .6
0 .7
0 .8
0 .9
1
1 .1
F a c t o r g e o m t r ic o q
1 .2
1 .3
97
1 .4
1 .5
Bibliografa:
Fundamentos de la teora EM, John Reits, Fondo Educativo
Interamericano
Principles of Direct Current Resistivity Prospecting, Geza Kunetz
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Summer, Elsevier
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Apuntes de clase S. Ontiverios, Universidad Politcnica de
Catalunya, 26 de Enero 2009.
D.Casas, Victor et al., Medicin de las Propiedades Elctricas del
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Escuela Geolgica, Minas y Geofsica. Tema 10, 17 oct . 2005.
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98