INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
CIRCUITOS DE MODULADORES DE AM
La ubicacin de la modulacin en un transmisor determina si un
circuito es un transmisor de alto o de bajo nivel. Con la modulacin de
nivel bajo, la modulacin se realiza antes del elemento resultante de
la etapa final del transmisor, en otras palabras, antes del colector del
transistor de potencia en un transmisor transistorizado; antes del
drenaje de la salida del FET en un transmisor a FET o antes de la
placa del tubo de salida en un transmisor de tubo de vaco.
Una ventaja de la modulacin de bajo nivel es que para lograr un alto
porcentaje de modulacin se requiere menos potencia de la seal
modulante. En los moduladores de nivel alto, la modulacin se realiza
en el elemento final o etapa final en donde la seal de la portadora
est en su mxima amplitud y, por lo tanto, requiere de una seal
modulante de amplitud mucho ms alta para lograr una modulacin
de porcentaje razonable. Con la modulacin de nivel alto, el
amplificador de la seal modulante final debe suministrar toda la
potencia de la banda lateral, el cual puede ser hasta 33% del total de
la potencia de transmisin o el 50% de la potencia de la portadora.
Una desventaja obvia de la modulacin de nivel bajo est en las
aplicaciones de potencia alta cuando todos los amplificadores que
siguen a la etapa del modulador deben ser amplificadores lineales, lo
cual es extremadamente ineficiente.

Modulador AM de nivel bajo

La figura 3-15 muestra el diagrama esquemtico para un modulador
simple de nivel bajo con un solo componente activo (Q1) La portadora
[0.01 sen(25 x 105t)] se aplica a la base del transistor y la seal
modulante [6 sen2(1000t)] al emisor. Por lo tanto, este mtodo de
modulacin de nivel bajo se llama modulacin de emisor. Con la
modulacin de emisor, es importante que el transistor sea polarizado
en clase A con un punto-Q centrado. La seal modulante se multiplica
con la portadora produciendo la modulacin.
Operacin del circuito. Con la modulacin del emisor, la amplitud
pico de la portadora (10mV) es mucho menor que la amplitud pico de
la seal modulante (6 V) Si la seal modulante se remueve o se
mantiene constante en 0V, Q1 opera como un amplificador lineal. La
seal de entrada a la base simplemente es amplificada e invertida
180 en el colector. La amplificacin en Q1 se determina por la
relacin de la resistencia del colector en ca (rc con la resistencia del
emisor en ca (re) (es decir, Av = rc/re) Para los valores de los
componentes mostrados, rc y re se determinan de la siguiente
manera:

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z

Rc = combinacin en paralelo de Rc y RL
Por lo tanto, para un tpico = 100,

en donde Aq = ganancia de voltaje en reposo (o en operacin)

En esencia quiescent significa reposo, en este caso. En trminos de
circuitos electrnicos significa un punto de estabilidad, en la cual
empezar a trabajar un dispositivo transistorizado. Por lo general, se
le llama punto de operacin o punto Q.
Sin seal de entrada modulante, Q1 es un amplificador lineal con una
ganancia de voltaje en operacin de Aq=61.7. Con un voltaje de
entrada de la portadora Vc = 10 mV, el Vsalida es
Vsalida = AqVentrada = 61.7(0.01 V) = 0.617 V
Cuando la seal modulante [Vm(t)] se aplica al circuito, su voltaje se
combina con el voltaje de Thvenin en c.c. El resultado es un voltaje
polarizado que tiene un trmino constante y un trmino que vara con
una razn sinusoidal de baja frecuencia igual a la frecuencia de la
seal modulante. Por lo tanto
2

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
V polarizado = Vth + Ventrada
Para este ejemplo,
Vpolarizado = 10 + 6sen(21000t)
Para analizar la operacin de este circuito, no es necesario considerar
cada valor posible de Vbias. En cambio, el circuito se analiza usando
varios valores claves para Ventrada y los otros puntos se interpolan
en ellos. Los tres valores ms significativos para Vpolarizado son:
cuando la seal de entrada es 0 V, mximo positivo y mximo
negativo. Cuando Vm = 0V el voltaje polarizado es igual al voltaje de
Thvenin y la ganancia de voltaje es el valor en operacin,
Av = Aq = 61,7
Cuando la seal modulante es la mxima y negativa,

Cuando la seal modulante es la mxima y positiva

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z

Figura 3-15 . a) Modulador de emisor simple. b) Formas de onda

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
Modulador de AM de potencia media
Los primeros transmisores de AM de potencia media y alta estaban
limitados a los que usaban tubos de vaco para los dispositivos
activos. Sin embargo, desde la mitad de la dcada de 1970, los
transmisores de estado slido han estado disponibles con potencias
de salida tan altas como varios miles de watts. Esto se logra
colocando varios amplificadores de potencia final en paralelo para
que sus seales de salida combinen en fase y sean por lo tanto
aditivos. La figura 3-17a muestra un diagrama esquemtico para un
modulador de AM de potencia media de transistor simple. La
modulacin se realiza en el colector, el cual es el elemento de salida
del transistor. Por lo tanto, si esta es la ltima etapa activa del
transmisor (es decir, no hay amplificadores entre l y la antena), no
es un modulador de nivel bajo.
Para lograr una eficiencia de potencia alta, los moduladores de AM de
potencia media y alta normalmente operan en clase C. Por lo tanto, es
posible una eficiencia prctica tan alta como 80%. El circuito
mostrado en la figura 3-17a es un amplificador de clase C con dos
entradas: una portadora (vc) y una seal modulante de frecuencia
simple (vm) Debido a que el transistor se polariza en clase C, opera
de manera no lineal y es capaz de mezclar (modulacin) Este circuito
se llama modulador de colector porque la seal de modulacin se
aplica directamente al colector. El RFC es un choque de
radiofrecuencia que acta como un corto en c.c. y un circuito abierto
a altas frecuencias. Por lo tanto, el RFC asla la fuente de poder de c.c.
de la portadora de alta frecuencia y frecuencias laterales, mientras
que an permite que las seales inteligentes de frecuencia baja
modulen al colector de Q,

Operacin del circuito.

Para la siguiente explicacin, refirase al circuito mostrado en la

figura 3-17a y las formas de onda mostradas en la figura 3-17b.
Cuando la amplitud de la portadora excede el potencial de umbral de
la unin base-emisor (aproximadamente 0.7 V para un transistor de
silicio), Q1 se enciende y la corriente del
colector fluye. Cuando la amplitud de la portadora cae abajo de 0.7 V,
Q1 se apaga y cesa la corriente del colector. Consecuentemente, Q1
cambia entre la saturacin y el punto de corte controlado por la seal
de la portadora, la corriente del colector fluye por menos de 180 en
cada ciclo de la portadora, y se logra la operacin de clase C. Cada
ciclo sucesivo de la portadora enciende a Q1 por un instante y
permite que la corriente circule por un corto tiempo, produciendo una
forma de onda negativa en el colector. La corriente del colector y las
formas de onda del voltaje se muestran en la figura 3-17b. La forma

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
de onda del voltaje del colector es semejante a la seal rectificada de
media onda repetitiva con una frecuencia fundamental igual a fc.
Cuando una seal modulante se aplica al colector en serie con el
voltaje de la fuente de poder de c.c., se agrega y se resta de Vcc. Las
formas de ondas mostradas en la figura 3-17c son producidas cuando
la mxima amplitud pico de la seal modulante es igual a Vcc. Puede
verse que la forma de onda del voltaje resultante cambia de un
mximo valor de 2Vcc a aproximadamente 0 V [Vce(sat)] La variacin
pico en el voltaje del colector es igual a Vcc. Nuevamente, la forma de
onda se asemeja a una portadora de media onda rectificada
sobrepuesta a una seal inteligente en ca de frecuencia inferior.
Debido a que Q, trabaja en forma no lineal, la forma de onda del
colector contiene las dos frecuencias de entrada originales (fc y fm) y
sus frecuencias de suma y diferencia (fc +- fm) Debido a que la forma
de onda de salida tambin contiene la armnica de orden ms alta y
los componentes de intermodulacin, debe limitarse la banda a fc +fm antes de ser transmitida. Un circuito ms prctico para producir
una seal AM DSBFC de potencia mediana se muestra en la figura 318a, con las formas de onda correspondientes mostradas en la figura
3-18b. Este circuito tambin es un modulador de colector con una
mxima amplitud pico de la seal modulante Vm(max) = Vcc. La
operacin de este circuito es casi idntica al circuito mostrado en la
figura 3-17a excepto por la adicin de un circuito tanque (C1 y L) en
el colector de Q1. Debido a
que el transistor est operando entre la saturacin y el punto de
corte, la corriente del colector no depende del voltaje de excitacin
de la base. El voltaje desarrollado a travs del circuito tanque se
determina por el componente en ca de la corriente del colector y la
resistencia del circuito tanque en resonancia, el cual depende del
factor de calidad (Q) de la bobina.
Las formas de onda para la seal modulante, portadora y corriente de
colector son idnticas a las del ejemplo anterior.
El voltaje de salida de informacin es una seal AM DSBFC simtrica
con un voltaje promedio de 0 V, una mxima amplitud pico positiva
igual a 2 Vcc y una mxima amplitud pico negativa igual a -2Vcc.
El medio ciclo positivo de la forma de onda de salida se produce en el
circuito tanque por el efecto volante. Cuando Q1 conduce, C1 se
carga a Vcc + Vm (un valor mximo de 2 Vcc y, cuando Q1 est
apagado, C1 se descarga por L1) Cuando L1 descarga, C1 se carga a
un valor mnimo de -2Vcc. Esto produce el medio ciclo positivo de la
envolvente AM. La frecuencia resonante del circuito tanque es igual a
la frecuencia de la portadora y el ancho de banda se extiende desde
(fc fm) a (fc + fm). Consecuentemente, la seal modulante, las
7

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
armnicas y todos los productos cruzados de orden superior se
remueven de la forma de onda, dejando una onda AM DSBFC
simtrica. La modulacin al cien por cien ocurre cuando la mxima
amplitud de la seal modulante AM se iguala a Vcc.

Fig. 3-17 Modulador de AM DSBFC de transistor de potencia media

simplificado; (a) diagrama esquemtico; (b) formas de onda de
colector sin seal modulante.
Varios componentes mostrados en la figura 3-18a no han sido
explicados. R1 es la resistencia de polarizacin para Q1. R1 y C2
forman un circuito enclavador que produce auto polarizacin
inversa y, en conjunto con el potencial de la barrera del transistor,
determinan el voltaje de encendido para Q1. Consecuentemente, Q1
puede ser polarizado para encenderse solamente durante los picos
ms positivos del voltaje de la portadora. Esto produce una forma de
8

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
onda de corriente del colector angosta y mejora la eficiencia de la
clase C.
C3 es un capacitor de desvo de RF (bypass) que se observa como un
corto en las frecuencias de la seal modulante, previniendo que las
seales de informacin entren a la fuente de poder de c.c. C1 es el
capacitor de la juntura de base a colector de Q1. En radiofrecuencias,
las capacitancias relativamente pequeas de juntura dentro del
transistor son insignificantes.
Si la reactancia capacitiva de C1 es significativa, la seal del colector
puede regresarse a la base con suficiente amplitud para causar que
Q1 comience a oscilar.

Por lo tanto, una seal de igual amplitud y frecuencia y 180 fuera de

fase, debe retroalimentarse a la base para cancelar o neutralizar la
retroalimentacin de capacidad interna. CN es un capacitor
neutralizante. Su propsito es proporcionar un camino de
retroalimentacin para una seal que sea igual en amplitud y
frecuencia pero 180 fuera de fase con la seal regresada por C1. C4
es un capacitor de bypass de RF. Su propsito es aislar la fuente de
poder de c.c. de las radiofrecuencias. Su funcionamiento es bastante
similar: en la frecuencia de la portadora, C4 parece un corto circuito a
tierra, previniendo a la portadora pasar a la fuente de poder o a los
circuitos de la seal modulante y distribuirse por el transmisor.

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
Modulacin de colector y de base simultneas
Los moduladores de colector producen una envolvente ms simtrica
que los moduladores de emisor de potencia baja, y los moduladores
de colector son ms eficientes en potencia. Sin embargo, los
moduladores de colector requieren de una seal modulante de
amplitud ms alta y no pueden lograr una oscilacin de voltaje de
salida desde saturacin al punto de corte, logrando que ocurra la
modulacin al 100%. Por lo tanto, para lograr la modulacin simtrica,
operar a su mxima eficiencia, desarrollar una alta potencia de salida
y requerir la menor cantidad posible de potencia del amplificador de
la seal modulante, se usan a veces las modulaciones de emisor y
colector simultneamente.

Figura 3-18 Modulador de AM DSBFC de transistor de potencia

media (a) Circuito

10

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
Operacin del circuito. La figura 3-19 muestra un modulador de AM
que utiliza una combinacin de modulaciones de emisor y colector. La
seal de modulacin se alimenta simultneamente a los colectores de
los moduladores de push-pull (Q2 y Q3) y al colector del amplificador
del excitador (Q1) La modulacin de colector ocurre en Q1; por lo
tanto, la seal de la portadora sobre la base de Q2 y Q3 ya ha sido
modulada parcialmente y la potencia de la seal modulante puede
reducirse. Adems, los moduladores no se requieren para operar
sobre toda la curva de operacin para lograr el 100% de modulacin.

Moduladores de AM de circuito integrado lineal

Los generadores de funciones de circuito integrado lineal utilizan un
arreglo nico de transistores y FET para realizar la multiplicacin de
seales. Esta caracterstica los hace que sean idealmente adecuados
para generar formas de onda AM. Los circuitos integrados, a
diferencia de sus contrapartes discretas, pueden acoplarse en forma
muy precisa al flujo de la corriente, ganancia de voltaje del
amplificador y variaciones de temperatura. Los moduladores de AM
de circuito integrado lineal tambin ofrecen una excelente estabilidad
en
frecuencia,
caractersticas
de
modulacin
simtricas,
miniaturizacin del circuito, menos componentes, inmunidad de la

11

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z
temperatura y simplicidad de diseo. Sus desventajas incluyen baja
potencia de salida, un rango de frecuencia relativamente de baja
utilidad y susceptibilidad a las fluctuaciones en la fuente de voltaje de
c.c..

Operacin del circuito. El generador de funciones monoltico XR2206 est idealmente equipado para realizar la modulacin de
amplitud. La figura 3-20a muestra el diagrama esquemtico para un
modulador de AM de circuito integrado que utiliza el XR-2206. La
frecuencia que opera sin limitaciones de VCO en el generador de
funciones XR-2206 es la portadora, y su frecuencia se determina por
un capacitor de tiempo externo C1 y resistor R1. La seal de
modulacin se aplica al pin 1, y la envolvente de AM que resulta
aparece en el pin 2. La figura 3-20b muestra la amplitud de salida
normalizada contra las caractersticas de voltaje de polarizacin de
entrada para el VCO. La amplitud del voltaje de salida vara de
manera lineal con el voltaje aplicado para los valores entre +-4 V de
V+/2. Debido a que la amplitud de salida es proporcional a la fuente
de voltaje de V+, una fuente de c.c. bien regulada debe usarse con
esta configuracin.

12

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR SUCRE

TRANSMISORES Y RECEPTORES
ALDO RUIZ Z

El nivel de c.c. sobre el pin 2 es aproximadamente igual al voltaje de

c.c. en el pin 3, el cual generalmente se polariza a la mitad entre V+ y
la tierra fsica para permitir una mxima seal de salida de ca
simtrica. La onda que resulta es una seal de AM DSBFC simtrica
que contiene fc y fc. +- fm.
Figura 3-20 Modulador de AM de circuito integrado lineal: (a)
Diagrama en bloques; (b) curva de voltaje de salida contra voltaje de
entrada

13