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___111'

APENDICE

,,~--~--"C~"",~

Valores

probables

de las constantes
fsicas generales*

II

~
--

:::

Smbolo

Constante
Cargadelelectrn """""""""""'"
Masadelelectrn
Relacin entre carga y masa del electrn.
. . . . ..
Masadel tomo de peso atmico unidad (hipottica)
Masadelprotn
Relacin de masasdel protn y del electrn. . ...
Constante de Planck
Constante de Boltzmann

Constante de Stefan-Boltzmann
.
Numero de Avogadro
Constante
de los gases
.
Velocidad

de

la

luz

""""""""""""

Constante de Faraday
Volumenpormol
Aceleracin de la gravedad.

. . . . . . . . . . . . . . . ..

Permeabilidad del espacio libre.

PermisiYidaddelespaciolibre

. . . . . . . . . . . . ..

q
m
q/m

Valor

mp
mp/m
hk
k
a
NA
R

1,602 X 10-19 C
9,109X 10-31 kg
1,759 X 1011 C/kg
1,660 X 10-27 kg
1,673 X 10-27 kg
1,837 X 103
6,626 X 10-34
23 J-seg
1,381 X 10- J/ K
8,620 X 10-5 eV/oK
5,670 X 10-8 W/(m2)(OK4)
23
6,023 X 10 molec/mole
8,314 J/(gr)8. (mole)

2,998

F
Va
g

9,649 X 103 C/mole

2,241 X 10-2 m3
9,807 m/seg2

110
Ea

1,257 X 10-6 H/m

8,849 X 10-12 F/m

10

m/seg

. E. A. Mechtly, "Sistema internacional de unidades: Constantes fsicas y factores de

conversin", Administracin Nacional de Aeronutica y del Espacio, NASA SP-7012,
Washington, D. C., 1964,
,

.
.
.

::
,

.
c,

c~

c,c.-

APENDICE B
Factores

de conversin
y prefijos

I ampere(A)
1 angstrom(A)

= I C/seg

= 1(fl o m
= l0-4,um
I atmsfera
depresin = 760 mm Hg
1 coulomb (C)
= 1 A-seg
1 electrnvolt(eV)
= 1,60X1(f19J
1 farad(F)
= 1 C/V
I pie (ft)
= 0,305 m
1 caloragramo
= 4,185 J
giga(G)
= X 109
I henry (H)
= 1 V-seg/A
1 hertz (Hz)
= 1 ciclo/seg
I pulgada(in.)
= 2,54 cm
1 joule (J)
= 107 erg
= 1 W-seg
=' 6,25 X 1018eV
= 1 N-m
= 1 C-V
kilo (k)
= X 103
I kilogramo(kg)
= 2,205 lb
1 kilmetro (km)
= 0,622 millas
1 lumen
= 0,0016W
(a 0,55 ,um)

I lumen por
pie cuadrado
mega(M)
1 metro (m)
micra(.u)
1 micrn

= 1 ft-candela(fc)
= X 106
= 39,37 pulgadas
= X 1(f6
= 1(f6 m

= l~m
1 mil
1 milla
mili (m)
nano(n)
1 newton (N)
pico (p)
1 libra (lb)
I tesla(T)
1 tonelada
1 volt (V)
1 wat (W)
1 weber(Wb)
1 weberpor metro

cuadrado

(Wb/m2)

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

1(f3 in.
25,um
5,280pies(ft)
1,609km
X 1(f3
X 1(f9
1 kg-m~seg2
X l(fl
453,6 ~
1 Wb/m2
2 000 libras
1 W/A
1 J/seg
1 V-seg

= 104gauss

~liiI8~.1
,

--1

'C=...J_",~:c

?r*~,~,."--,,,

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1-1

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.
-occ'

-. 'e,
-"'"

funcin

.
.

,,'

L
"

.,.,

"C-,-i' ,

.,-

senoidal. Es decir, sen 8 = 8 - 83 /3!

+ 85/S!

1-3

Un electrn parte con velocidad nula de la inferior de dos placas horizontales

separadas
El potencial
de aceleracin
placas
mente con3elcm.
tiempo
desde cero,
a un ritmo entre
de 10estas
V .us.dos
Cuando
elaumenta
electrn linealest a
2,8

cm de. la placa inferior,

aumentolineal.

una tensin inversa de 50 V sustituye

la tensin

de

(a) .~~l es el potencial instantneo entre las placas, en el momento de aplicar

tenslon Inversa?
(b) Con qu electrodo chocar el electrn?
(c) Durante cunto tiempo estar circulando?
(d) Cul ser la velocidad del electrn en el momento del impacto?

,c'~"

11111-

- ....

O, un electrn es liberado de la superficie de la placa inferior con una velocidad va

(metros por segundo) normal a las placas. El potencial de la placa superior, respecto
a la inferior, es - Vm sen wt.
(a) Hallar la posicin del electrn en cualquier instante.-'
(b) Hallar el valor del campo elctrico en el instante en que la velocidad del electrn sea cero.

:c:,...,'c'

~~~.
'

(a) La distancia entre las placas de un condensador plano paralelo es de 1 cm. Un

electrn est parado sobre la placa negativa. Si se aplica una tensin directa de

1-2 Las placasde un condensadorplano estnseparadas

entre s d m. En el instantet =

.';""

.,

;]

1 000 V, cunto tardar el electrn en alcanzar la placa positiva?

(?) Cul es el val~r de la fuerza que se ejerce sobre el electrn al principio y al
fmal de su trayectona?
(c) Cul ser su velocidad final?
(d) Si se aplica una tensin senoidal de 60 Hz, de 1 000 V de pico, cul ser el
tiempo de trnsito? Supngaseque el electrn tiene una velocidad nula en el instante en que la tensin aplicada pasa por cero. Sugerencia: Desarrollar en serie la

~"';
-~"

I'

CAPITULO 1

: --

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Problemas

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..
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I
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APENDICE

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I
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---

770
14

ELECTRONICAINTEGRADA
Un in de hidrgeno de 100 eV, se libera en el centro entre dos placas, como
muestra la figura. La tensin entre placas vara linealmente desde O a 5O V en 1(J7
seg pasando inmediatamente a cero, donde permanece. La separacin entre placas es
de 2 cm. Si el in entra en la regin entre placas, en el instante t = O, a qu
distancia del eje X saldr de las placas?
.

yo-

2cm

-1

~;;~,::;.

~5cm-.j
Probo 1.4
1-5

Se proyectan electrones en una regin de intensidad de campo elctrico constante

de valor 5 X 103 V 1m en posicin vertical. El dispositivo que emite los electrones
forma un ngulo de 30 con el horizontal, y ademsinyecta los electrones con una
energa de 100 eV.
(a) Cunto tarda el electrn al dejar el dispositivo emisor en poder atravesar un
orificio situado a 3 cm en distancia horizontal desde la posicin del disparador?
Referirse a la figura. Suponer que el campo es hacia abajo.
(b) Cul debe ser la distancia d para que las partculas crucen por el agujero?
(c) Repetir el problema en el caso del campo dirigido hacia arriba.

~~
F;:"

3cm

ooH

90.

&~

1-6

1-7

~~4

_1~~~

Probo 1-5

(a) Un electrn es emitido desde un electrodo con velocidad inicial despreciabley

se le acelera con un potencial de 1 000 V. Calcular la velocidad final de la partcula.
(b) Repetir el problema en el caso00 un tomo 00 deuterio (in de hidrgeno pesado,de
peso atmico 2,01) que se ha introducido en el campo elctrico con la velocidad
inicial de 105 m/seg.
Un electrn con una energa cintica inicial de 1(J16 J en la superficie de una de
dos placas paralelas, se mueve hacia la otra, vindose frenado por el campo creado
por un potencial de 400 V aplicado entre los dos electrodos,
(a) Alcanzar el electrn el segundo electrodo?
(b) Qu potencial de retardo se requerir para que un electrn alcance el segundo
electrodo con velocidad nula?

APENDICE

1-8

771

C PROBLEMAS

En un cierto diodo de placas paralelas, el potencial V viene dado en funcin de la

distancia x entre electrodos por la ecuacin
V = kX4/3

~~
~~~
~~~

en la que k es una constante.

(a) Hallar la explesin del tiempo que tarda un electrn que parte del electrodo de
menor potencial con velocidad inicial cero hasta alcanzar el otro electrodo situado a
una distancia d.
(b) Hallar la expresin de la velocidad de ese electrn.
1-9 La disposicin esencial del tubo de un osciloscopio se indica en la figura adjunta. La
diferencia de potencial entre K y A es Va Y entre P y P2, es de Vp' No existe
interferencia entre los dos campos. Los electrones se emiten desde el electrodo K
con velocidad inicial nula, y pasan por un orificio en la mitad del electrodo A.
Debido al campo existente entre P y P2, cambia de direccin cuando pasa por
entre las dos placas siguiendo despuscon velocidad uniforme hasta la pantalla S. La
distancia entre las placas es d.

;J

,--l

LJ ~
p

~~~~"~"~~~

~~

p..

.."~.

~
Probo 1-9
(a) Hallar la velocidad Vx de los electrones en funcin de Va, cuando pasan porA.
(b) Hallar la componente

Y de ],a velocidad Vy de los electrones cuando salen del

campo de las placasP y P2, en funcin de Vp' Ip, d Y Vx.

(c) Hallar la distancia al centro de la pantalla (doS)cuando los electrones la alcanzan,
en funcin de las dimensiones del tubo y de las tensiones aplicadas.
(d) Hallar los valores numricos de vx, Vy y doS
para Va ;= 1,0 kV Y Vp = 10 V, Id =
1,27 cm, d = 0,475 cm, y loS
= 19,4 cm.
(e) Si queremos tener una deflexin doS= 10 cm del rayo de electrones, cul ser
el valor de Va?
1-10 Un diodo est constituido por un emisor plano y por un nodo plano paralelo,
separados por una distancia de 0,5 cm. El nodo se mantiene a un potencial de 10 V
negativo con respecto al ctodo.
(a) Si un electrn parte del emisor con una velocidad de 106 m/seg y dirigido hacia
el nodo, a qu distancia del ctodo cortar la barrera de energa potencial?
(b) Cul deber ser la velocidad del electrn al dejar el emisor, para poder alcanzar
el nodo?
1-11 Cuando una partcula es desplazadade su posicin de equilibrio, queda sujeta a una
fuerza de restitucin f = - kx, en la que x es el desplazamiento medido desde la
posicin de equilibrio" Demostrar por el mtodo de la energa, que la partcula
ejecutar vibraciones peridicas con un desplazamiento mximo proporcional a la
raz cuadrada de la energa total de la partcula.

--

772

ELECTRONICAINTEGRADA

1-12 Una partcula

de masa m es proyectada

verticalmente

hacia arriba en el campo de

gravitacin, con una velocidad va.

(a)
Demostrar por el mtodo de la energa que esta partcula cambiar de direccin
a la altura de v2a /2g, en la que g es la aceleracin de la gravedad.
(b) Demostrar.que el punto de inversin equivale a la "colisin" con la barrera
de energa potencial.

1-13

(a)

(b)

Demostrar la Ec. (1-13).

Demostrar que el punto de inversin equivale a la "colisin" con la barrera de

energa potencial.
h2E a n2

r=---

1fmq2
donde n es un entero distinto de cero. Para el estado de tierra (n = 1), demostrar
que el radio es de 0,53 A.
1-14 Demostrar que el tiempo de una revolucin del electrn de un tomo de hidrgeno
en su trayectoria circular en tomo al ncleo, es

T=

m '/2Q2
4~

Ea(-

W)3/2

donde los smholos se definen en la Seco1-4.

1-15 Demostrar, para un tomo de hidrgeno, que la inversa de la longitud de onda
(denominada nmero de onda) de las lneas del espectro, viene dada, en ondas por
metro, por

~=R
A

(~
n22

~
nl2

en cuya igualdad ni Y n, son nmeros enteros, con ni mayor que n2, Y R =

mq4 /8Ea2h3 c = 1,10 X 10 m-1 se denomina constante de Rydberg.
Si n2 = 1, esta frmula da una serie de lneas en el ultravioleta, llamada serie de
Lyman. Si n2 = 2, la frmula da una serie de lneas en el espectro visible, denominada serie de Balmer. Asimismo, la serie para n2 = 3 se denomina serie de Paschem.
Estas lneas indicadas se observan en el espectro del hidrgeno.
1-16 Demostrar que la Ec. (1-14) es equivalente a la Ec. (1-11).
1-17 (a) Un fotn, de longitud de onda 1026 A es absorbido por hidrgeno, y son
emitidos otros dos fotones. Si uno de ellos est en la lnea 1 216 A, cul ser la
longitud de onda del segundo?
(b) Si el resultado del bombardeo del hidrgeno seala la presencia de lneas fluorescentes de 18 751 y 1 026 A, cul ha sido la longitud de onda de la radiacin de
bombardeo?
1-18 Los siete niveles ms bajos de energa del vapo,r de sodio, son O, 2,10, 3,19, 3,60,
3,75,4,10 y 4,26 eVo Un fotn de longitud de onda de 3 300 A es absorbido por un
tomo del vapor.
(a)
Culesson todas las posibles lneas fluorescentes que aparezcan?
(b) Si se emiten tres fotones y uno de ellos est en la lnea de los 11 380 A; cul
ser la longitud de onda de los otros dos?
(c)
Entre qu estados de energa tiene lugar la transicin para producir estas
lneas?

",-

APENDICE

.
,,~,.'::.',

.
-

..

~""'~,

~~
~

'-

?;cC":-

"

C PROBLEMAS

-,
773

1-19 (a) Con qu, veloci~ad deber~ circular un ,electrn, por una lmpara de vapor de
sodio para excItar la hnea amarilla cuya longitud de onda es de 5 893 A?
(b) Cul deber ser la frecuencia de un fotn para excitar la misma lnea amarilla?
(c) Qu suceder si la frecuencia del fotn es de 530 490 THz (T = Tera =
1012)?
(d) Cul deber ser la frecuencia mnima del fotn para ionizar un tomo sin
excitar de vapor de sodio?
(e) Cul deber ser la velocidad mnima de un electrn para ionizar un tomo sin
excitar de vapor de sodio? Ionizacin del vapor de sodio: 5,12 eV.
1-20 Un tubo de rayos X es, esencialmente, un diodo de alta tensil!. Los electrones del
filamento incandescente se aceleran por la tensin de alimentacin de la placa, de
manera que llegan al nodo con una considerable energa. Por tanto pueden efectuar

~',

~
~

~
.,.

I
",
1
,

~
,
c

j-

transicionesentre los electronesde los tomos del metal que hacede blanco (no- ;;"

'"

do).
(a) Cul es la mnima tensin que se debe aplicar en el tubo para producir rayos X
con una longitud de onda de 0,5 A?
(b) Cul es la mnima longitud de onda del espectro de un tubo de rayos al que se
aplican 60 kV?
1-21 La radiacin de resonancia del argn, correspondiente a una energa de 11,6 eV, cae
sobre vapor de sodio. Si un fotn ioniza un tomo de sodio desexcitado, cul ser
la velocidad de emisin del electrn? El potencial de ionizacin del sodio es de
5,12 eVo
1-22 Un transmisor de radio emite 1 000 W a una frecuencia de 10 MHz.
(a) Cul ser la energa de cada cuantum radiado en electrn-volt?
(b) Qu cantidad de cuantum son emitidos por segundo?
(c) Qu cantidad de cuantum son emitidos en cada perodo de oscilacin del
campo electromagntico?
(d) Si cada cuantum acta como una partcula, cul es su momento?
1-23 Cul es la longitud de onda de: (a) una masa de 1 kg movida a una velocidad de
1 m/seg, (b) un electrn que ha sido acelerado desde el reposo por una diferencia de
potencial de 10 V?

1-24 La fsica clsica es vlida mientras las dimensiones fsicas del sistema sean mucho
mayores que la longitud de onda de De Broglie. Determinar si la partcula se
comporta de la forma clsica en cada uno de los siguientes casos:
(a) Un electrn que se acelera con un potencial de 300 V en un dispositivo cuyas
dimensiones son del orden de 1 cm.
(b) Un electrn del haz de electrones de un tubo de rayos catdicos (la tensin de
nodo a ctodo es de 25 kV)
(c) El electrn de un tomo de hidrgeno.
1-25 Un fotn de una longitud de onda de 1 216 A excita un tomo de hidrgeno en
reposo.
Calcular:
(a) El momento del fotn comunicado al tomo.
(b) La energa correspondiente a este momento y dada al tomo de hidrgeno.
(c) La relacin entre la energa hallada en el apartado b con respecto a la energa
del fotn. Sugerencia: emplear la conservacin del momento.

"
:,

,
~,,-

""

J. "

.
774

ELECTRONICAINTEGRADA

CAPITULO 2
2-1

Demostrar que la concentracin n de electrones libres por metro cbico de un

metal, viene dada por

n=-= dv
AM

Aodv X 103 '

A

donde d = densidad,kg/m3

"=

valencia,electroneslibres por tomo

pesoatmico

M = peso del tomo de peso atmico unidad, kg (Apndice A)

Ao = nmero de Avogadro, molculas/mol
2.2

La densidad especfica del tungsteno es de 18,8 g/cm3, y su peso atmico es 184,0.

Supngase que hay dos electrones libres por tomo. Calcular la concentracin de
electrones libres.
2-3 (a) Calcular la conductividad del cobre, para el que /.l = 34,8 cm2/V -seg y d =
8,9 g/cm3. Emplear el resultado del Prob. 2-1.
(b) Si se aplica un campo elctrico a travs de una barra de cobre con una intensidad de 10 V/cm, hallar la velocidad media de los electrones libres.
24 Calcular la movilidad de los electrones libres del aluminio cuya densidad es de
2,70 g/cm3 y cuya resistividad es de 3,44 X 10-6 n-cm. Supngase que el aluminio
tiene tres electrones de valencia por tomo. Emplear el resultado del problema 2-1.
2-5 La resistencia de un hilo de cobre del n.O 18 (dimetro = 1,03 mm) esde 21,34n
por 1 000 metros. La concentracin de electrones libres en el cobre es de 8,4 X
102S electrones/m3. Si la corriente es de 2 A, hallar la (a) velocidad de desplaza2-6

miento, (b) movilidad, (c) conductividad.

(a) Determinar la concentracin de electrones libres y de huecos en una muestra de
germanio a 3000 K que tiene una concentracin de tomos donadores igual a 2 X
1014 tomos/cm3 y una concentracin de tomos aceptadores de 3 X 1014 tomos/cm3. Es un germanio de tipo pon? En otras palabras, la conductividad se
debe fundamentalmente a los huecos o a los electrones?
(b) Repetir el apartado a para una concentracin igual de donadores y de aceptadores de 1015 tomos/cm3. Esun germanio del tipo p o del tipo n?
(c) Repetir el apartado a fara una concentracin de donadores de 1016 tomos/
cm3 y de aceptadores de 10 4 tomos/cm3.

2-7

(a) Hallar la concentracin de huecos y de electrones en un germanio del tipo p a

3000 K, si su conductividad es de 100 (il-cm)-I.
(b) Repetir el apartado a para un silicio de tipo n, si su conductividad es de 0,1
(il-cm)-I.
2-8 (a) Demostrar que la resistividad del germanio intrnseco a 3000 K, es de 45 n-cm.
(b) Si se agrega un tipo de impureza donadora del orden de 1 tomo por cada 108
tomos de germanio, demostrar que la resistividad desciende a 3,7 n-cm.
2-9 (a) Hallar la resistividad del silicio intrnseco a 3000 K.
(b) Si se agrega una impureza donadora en la cuanta de 1 tomo por cada 108
tomos de silicio, hallar la resistividad.
2-10 Considerar un germanio intrnseco a temperatura ambiente (3000 K). En qu porcentaje aumenta la conductividad por grado de incremento de la temperatura?

775

APENDICEC-PROBLEMAS

2-11 Repetir el problema 2-10 para el silicio intrnseco.

2-12 Repetir el problema 2-6a para la temperatura de 4000 K, Y demostrar que la muestra es esencialmente intrnseca.
2-13 Una muestra de germanio se dopa en una cuanta de 1014 tomos donadores/cm3 y
7 X 1013 tomos aceptadores/cm3. A la temperatura de la muestra, la resistividad
del germanio puro (intrnseco) es de 60 n-cm. Si el campo elctrico aplicado es de
2 V/cm, hallar la densidad de corriente total de conduccin.
2-14 (a) Hallar la tensin de Hall VH en una barra de germanio de tipo n empleada en la
Fig. 2-10, teniendo una concentracin de portadores mayoritarios ND = 1017/cm3.

Supngase
Bz = 0,1Wb/m2,d = 3 mm,y Cnx 5 V/cm.
(b) Qu le suceder a Vlf si se emplea en el apartado a una barra de germanio del
tipo P con NA = 1017 /cm ?

2-15 El efecto Hall se emplea para determinar la movilidad de los huecos de la barra de
silicio tipo p de la Fig. 2-10. Supngase que la resistividad de la barra es de
200000 n-cm, que el valor del campo magntico es Bz = 0,1 Wb/m2, y que d = w
= 3 mm. Los valores medidos de la corriente y de la tensin de Hall son 10 JlA Y
50 mV, respectivamente. Hallar Jlp.
2-16 Una cierta superficie fotosensible tiene una sensibilidad espectral de 6 mA/W de la
radiacin incidente de longitud de onda 2 537 A. Cuntoselentronesse emitirn
fotoelctricamente por un impulso de radiacin de 10 000 fotones de esta longitud
de onda?
2-17 (a) Considerar la situacin indicada en la Fig. 2-13 con la luz encendida. Demostrar
que la ecuacin de la conservacin de la carga es
p P
-dp +-=-

dt

con el eje de tiempos en la Fig. 2-13 trasladado a t'.

(b) Comprobar que la concentracin viene dada por la ecuacin
p

= p + (Po-

jj)e-tj.

2-18 La concentracin de huecos en un semiconductor est indicada en la figura.

(a) Hallar la expresin y esbozar la densidad de corriente de huecos Jp(x) para el
caso en el que no hay campo elctrico exterior aplicado.
(b) Hallar la expresin y esbozar el campo elctrico interno que debe existir si no
ha de haber ninguna corriente de huecos asociada con la distribucin indicada.
(c) Hallar el valor del potencial entre los puntos x = O Y x = W si p(O)/Po = 103.

p(O)

Po
o
I
I

W
Prob.2-18

---

776

ELECTRONICAINTEGRADA

2-19 Tenemos una barra de germanio tipo n de 20 n-cm, con material con un tiempo de
vida de 100 Ilseg, una seccin de 1 mm2, y una longitud de 1 cm. Un lado de la
barra se ilumina con 1015 fotones/seg. Supngaseque cada fotn incidente genera
un par electrn-hueco y que estos estn distribuidos uniformemente en toda la
barra. Hallar la resistencia de la barra bajo excitacin continua de luz a la temperatura ambiente.
2-20 (a) Considerar un semiconductor con unin gradual como el de la Fig. 2-17a, en
circuito abierto. Comprobar la ecuacin de Boltzmann para los electrones [Ec.
(2-61)].
(b) Para el semiconductor con unin abrupta de la Fig. 2-17b, comprobar la expresin del potencial de contacto Va dado en la Ec. (2-63), empezando con Jn = O.
2.21 (a) Considerar el semiconductor de germanio con unin abrupta de la Fif' 2-17b,
con N D = 103 N A Y con N A que corresponda a 1 tomo aceptador por 10 tomos
de germanio. Calcular la diferencia de potencial de contacto Va a temperatura
ambiente.
(b) Repetir el apartado a para una unin p-n de silicio.

CAPITULO 3
3-1

3.2

3.3
3-4

(a) Las resistividades de los dos lados de un diodo de germanio de unin abrupta es
de 2 n-cm (lado p) y de 1 n-cm (lado n). Calcular la altura de la barrera de energa
potencial Ea.
(b) Repetir el apartado (a) para una unin p-n de silicio.
(a) Esbozar los diagramas lineal y logartmico de la concentracin de/,ortadores en
funcin de la distancia para una unin abrupta de silicio, si N D = 101 tomos/cm3
y N A = 1016 tomos/cm3. Dar valores numricos a las ordenadas. Marcar las
regiones n, p y de deflexin.
(b) Esbozar el campo elctrico, la carga de espacio y el potencial en funcin de la
distancia, para este caso. (Fig. 3-1).
Repetir el problema 3-2 para una unin abrupta de germanio.
(a) Consideremos un diodo pon que trabaja con una inyeccin a bajo nivel, de
forma que Pn ~ nn. Suponiendo que la corriente de minoritarios sea debida enteramente a la difusin, comprobar que el campo elctrico en el lado n viene dado por
&(x)

3.5

1 + (Dn/Dp - 1) Ipn(x)

qnllnA
(b) Empleando este valor de &, hallar la siguiente aproximacin para la corriente de
desplazamiento de los huecos, y demostrar que cabe verdaderamente despreciarla
comparada con la corriente de difusin de los huecos.
(c) Esbozar las siguientes corrientes en funcin de la distancia en el lado n:
(i) corriente total del diodo; () corriente de los portadores minoritarios; (i) corriente de difusin mayoritaria; (iv) corriente de desplazamiento mayoritaria; (v)
corriente total de portadores mayoritarios.
Partiendo de la Ec. (3-5) para Ipn y la correspondiente expresi? para Inp, probar
que la relacin entre las corrientes de huecos y de electrones que atrav1esanuna
unin p-n, viene dada por

~=~
Inp(O)

(JnLp

APENDICE

3-6

- PROBLEMAS

777

donde ap(an) = conductividad del lado p(n). Obsrveseque esta relacin depende
de la relacin de conductividades. Por ejemplo, si el lado p est mucho ms dopado
que el lado n, la corriente de huecos que atraviesa la unin ser mucho mayor que la
de electrones.
(a) Demostrar que la corriente de saturacin inversa en un diodo p-n, viene dada
por
Io=Aq

-+Dp
LpND

- Dn
LnNA

n2

(b) Partiendo de la expresin de lo hallada en el apartado a, comprobar que la

corriente de saturacin inversa viene dada por
1o =AVT
donde an(ap)
a
b
3-7

ba?
(1 + br

1
-+Lpan

= conductividad
conductividad
= #ln/#lp
=

1
Lnap

de lado n(p)
del material intrnseco

(a) Empleando el resultado del problema 3-6, hallar la corriente inversa de saturacin de un diodo de unin p-n de germanio a temperatura ambiente, 3000 K. El
rea de la seccin transversal es de 4,0 mm2, y
ap = 1,0 (Q-cm)-l

an = 0,1 (Q-cm)-l

Ln = Lp = 0,15 cm

Las otras constantes fsicas vienen dadas en la Tabla 2-1.

(b)

Repetir el apartado a para un diodo de unin p-n de silicio. Suponer Ln

= Lp =

0,01 cm y an = ap = 0,01 (Q-cm)-l

3.8 (a) Hallar la relacin entre las corrientesinversasde saturacin,del germanioy del
silicio, empleandoel resultadodel problema3-6. SuponerLn = Lp = 0,1 cm y an =

3-9

al' = 1,0 (.Q-cm)-l para el germanio, mientras que los valores correspondientes del
sIlicio sern 0,01 cm y 0,01 (Q-cm)-l. Ver tabla 2-1.
(a) A qu tensin la corriente inversa de un diodo p-n de germanio alcanza el 90 %
del valor de saturacin, a temperatura ambiente?
(b) Cul es la relacin entre la corriente con polarizacin directa de 0,05 V, Y la
corriente con polarizacin inversa del mismo valor?
(c) Si la corriente inversa de saturacin es de 10 #lA, calcular la corriente
para las tensiones de 0,1,0,2 Y 0,3 V respectivamente.

directa

3-10 (a) Hallar el valor de 11de la Ec. (3-9) a partir de la pendiente del grfico de la Fig.
3-8, para la temperatura de T = 250 C. Dibujar la lnea ms ajustada en el margen
de corrientes desde 0,01 a 10 mA.
(b) Repetirlo para T= - 55 Y 1500 C.
3-11 (a) Calcular el factor por el que se multiplica la corriente inversa de saturacin del
diodo de germanio cuando la temperatura aumenta desde 25 a 800 C.
(b) Repetir el apartado a para el diodo de silicio en un margen de temperaturas de
25 a 1500 C.
3-12 Se predice que, para el germanio, la corriente inversa de saturacin aumentar en
0,110 C-1. Se encuentra experimentalmente que, en un diodo determinado con una
tensin inversa de 10 V, la corriente inversa es de 5 #lA Y la dependencia con la

~~

778

ELECTRONICAINTEGRADA

temperatura slo es de 0,07 oC-1. Cul es la resistencia de dispersin en paralelo

del propio diodo?
3-13 Un diodo se monta en. un chasis de tal manera que, por cada grado de temperatura
sobre la ambiente, se transfiere trmicamente 0,1 mW desde el diodo a su contorno.
(La "resistencia.trmica" del contacto mecnico entre el diodo y su contorno es de
0,1 mW/ o C.) La temperatura ambiente es de 25 o C. La temperatura del diodo no
debe aumentar ms de 10 o C por encima del ambiente. Si la corriente inversa de
saturacin es de 5,0 J,LAa 25 o C y aumenta con una relacin de 0,07 o C1, cul
ser la mxima tensin inversa de polarizacin que se pueda mantener en el diodo?
3-14 Un diodo de silicio trabaja con una tensin directa de 0,4 V. Calcular el factor por
el que se multiplica la corriente cuando la temperatura aumenta desde 25 a 150 o C.
Comparar el resultado con la curva de la Fig. 3-8.
3-15 Un diodo de unin ideal pon de germanio tiene, a la temperatura de 125 o C, una
corriente inversa de saturacin de 30 J,LA.A dicha temperatura de 125 o C, hallar la
resistencia dinmica pd una polarizacin de 0,2 V en (a) sentido directo, (b)
sentido inverso.
3-16 Demostrar que, en una unin pon aleada (con N A ~ N D), la anchura W de la capa de
deflexin viene dada por

W=(~)Y2
donde Vi es el potencial de la unin en las condiciones de una tensin Vd aplicada
al diodo.
3-17 (a) Demostrar que, en una unin p-n aleada de silicio (con NA ~ND)' la capacidad
de la capa de deflexin en picofarad por centmetro cuadrado viene dada por
CT =

( )

2,9X 10-4 -v:N

Y2

I
(b) Si la resistividad del material p es de 3,5 Q-cm, la altura Vo de la barrera es de
0,35 V, la tensin inversa aplicada es de 5 V, Y la seccin transversal tiene 1 mm de
dimetro, hallar CT'
3-18 (a) Para la unin de la Fig. 3-10, hallar la expresin de & y de Ven funcin de x en
el lado del tipo n, en el caso de que N y ND sean de valores comparables.
Sugerencia: Desplazar el origen de las x, de manera que x = O coincida con la unin.
(b) Demostrar que la tensin total de la barrera viene dada por la Ec. (3-21)
multiplicada por N /(N + ND) Y con W = W + Wn'
(c) Demostrar que CT = [qNNDe/2(N +Nv)]Y2V"Y2
(d) Demostrar que CT = eA/(Wp + Wn).
3-19 Los diodos polarizados inversamente se emplean a menudo como condensadores
variables controlables elctricamente. La capacidad de transicin de la unin abrupta de un diodo es de 20 pF a 5 V. Calcular la disminucin de capacidad para un
incremento de polarizacin de 1,0 V.
3-20 Calcular la capacidad de barrera de una unin de pon germanio, cuya seccin es de 1
X 1 mm y cuya carga espacial tiene un espesor de 2 X lcJ-4 cm. La constante
dielctrica del germanio es de 16 (relativa al espacio libre).
3-21 La altura de la barrera a tensin cero de una unin aleada pon de germanio es de
0,2 V. La concentracin N A de tomos aceptadores en el lado p es mucho menor

APENDICE

-PROBLEMAS

779

que la concentracin de tomos donadores en el material n, y N A = 3 X 1020

tomos/m3. Calcular la anchura de la capa de deflexin para una tensin inversa
aplicada de (a) 10 V, (b) 0,1 V Y (c), para una polarizacin directa de 0,1 V. (d) Si
la seccin transversal del diodo es de 1 mm2, calcular la capacidad de transicin
correspondiente a los valores de la tensin aplicada en los apartados (a) y (b).
3-22 (a) Considerar una unin de crecimiento para la cual la densidad de carga no
neutralizada p vara linealmente con la distancia. Si p = ax, demostrarque la
tensin de barrera V; viene dada por
aW3
JI:.=J

l2e

(b) Comprobar que la capacidad de la barrera CT viene dada por la Ec. (3-23).
3-23 Supongamos un diodo de silicio polarizado en directo con 1 = 1 mA. Si la capacidad
de difusin es de CD = 1 ,uF, cul ser la longitud de difusin Lp? Supngaseque
el lado p est mucho ms dopado que el n.
3-24 En la obtencin de la Ec. (3-28) para la capacidad de difusin se supone que el lado
p est mucho ms fuertemente dopado que el lado n, de tal manera que la corriente
en la unin es debida enteramente a los huecos. Hallar una expresin para la capacidad total de difusin cuando no se emplea esta aproximacin.
3-25 (a) Demostrar que el campo elctrico mximo 0-m, en una unin abrupta con N
~ N D, viene dado por
0-

2 JI:.
=--1

(b) Se ha comprobado que la ruptura zener sucede cuando 0-m = 2 X 107 V/m =
.1%.Demostrar que la tensin de zener V% viene dada por
e0- 2

V=-

2qND
Obsrveseque la tensin de ruptura zener puede ser controlada variando la concentracin de iones donadores.
3-26 (a) La ruptura zener ocurre en el germanio con una intensidad de campo de 2 X
107 V/m. Demostrar que la tensin de ruptura es V%= 5l/up, siendoup laconductividad del materialp en (.Q-cm)-l. Supngase
queN < N D'
(b) Si el material p es esencialmente intrnseco, calcular Vz .
(c) Para un dopado de 1 parte en 108 de material tipo p, la resistividad cae a
3,7 n-cm. Calcular Vz.
(d) Para qu resistividad del material tipo p tendremos Vz = 1 V?
3-27 (a) Dos diodos p-n de germanio estn conectados en serie y en oposicin. Se
conecta una batera de 5 V a este circuito. Hallar la diferencia de potencial en cada
unin a temperatura ambiente. Suponer que el valor de la tensin zener es superior
a 5 V.
Obsrveseque el resultado es independiente de la corriente inversa de saturacin.
Estambin independiente de la temperatura?
Sugerencia: Suponer que la corriente inversa de saturacin pasa por el circuito, y
justificar esta suposicin.

780

ELECTRONICAINTEGRADA

(b) Si el valor de la tensin zener es de 4,9 V, cul ser la corriente en el circuito? La corriente inversa de saturacin es de S /lA.
3-28 El diodo zener se puede emplear para prevenir las sobrecargasen un medidor sin
afectar la linealidad de ste. El circuito mostrado representa un voltmetro de
continua que mide 20 V a final de escala. La resistencia del voltmetro es de 560 n,
y R + R2 = 99,S K. Si el diodo es un zener de 16 V, hallar Rl y R2 de manera
que, cuando Vi >20 V, el diodo zener conduzca y la corriente de sobrecarga se
derive en paralelo con el medidor.

Rm= 560n

Probo3.28
3-29 Una combinacin de un diodo de avalancha de 1S V en serie con un diodo de silicio
polarizado en directo, se emplea para construir una referencia de tensin de coeficiente de temperatura cero. El coeficiente de temperatura del diodo de silicio es de
- 1,7 mV/o C. Expresar en tanto por ciento por grado centgrado el coeficiente de
temperatura requerido del diodo zener.
3-30 Las corrientes de saturacin de los dos diodos son 1 y 2 /lA. La tensin de ruptura
es la misma en ambos e igual a 100 V.
(o) Calcular la corriente y la tensin en cada diodo, si V = 90 V Y V = 110 V.
(b) Repetir el apartado o si a cada diodo se le coloca en paralelo una resistencia de
10 M.
+

Probo 3-30
3-31 (a) El diodo de avalancha regula a SOV en un margen de corriente en el diodo de S
a 40 mA. La tensin de alimentacin

es de V

= 200

V. Calcular R para conseguir la

regulacin de tensin con una corriente de carga desdeIL = O hasta Imax, mximo
valor posible de [L' Cul es Imax? (b) Si R se fija como en el apartado o y la
corriente de carga es de IL = 25 mA, cules son los lmites entre los que V puede
variar sin perder la regulacin del circuito?

i::!:J:J+
~

V-

VL

1L

RL
'.

Probo3.31

~~

781

APENDlCEC-PROBLEMAS

3-32 (a) Considerar un diodo tnel con ND = NA Y con una concentracin de impurezas
correspondiente a 1 tomo por 103 tomos de germanio. Calcular, a temperatura
ambiente, (i) la altura de la barrera de energa potencial en circuito abierto (energa
potencial de contacto), (ii) la anchura de la regin de carga espacial.
(b) Repetir la parte a si el semiconductor es de silicio en lugar de germanio.
3-33 La fotocorriente 1 en un fotodiodo de unin p-n, en funcin de la distancia x del
punto de luz a la unin, viene dada en la Fig. 3-22. Demostrar que las pendientes de
1" 1 en funcin de x son - I/L Y - I/Ln, respectivamente, en los lados n y p.
Obsrveseque Lp representa la fongitud de difusin de los huecos en el material n.
3-34 (a) Para el tipo de clula fotovoltaica LS 223, cuyas caractersticas vienen dadas en
la Fig. 3-23, dibujar la potencia de salida en funcin de la resistencia de carga RL'
(b) Cul es el valor ptimo de RL?

CAPITULO 4
4-1

4-2

4-3

(a) En el circuito del problema 3-27, la tensin de avalancha zener es de 2,0 V. La

corriente inversa de saturacin es de 5 JlA. Si la resistencia del diodo de silicio se
puede despreciar, cul ser la corriente?
(b) Si la resistencia hmica es de 100 n, culserla corriente?
Observacin: Responder el apartado b trazando grficamente la Ec. (3-9) y dibu- .
jando una lnea de carga. Verificar la respuesta analticamente, mediante el mtodo
de las sucesivasaproximaciones.
Un diodo de unin p-n de germanio a temperatura ambiente tiene una corriente
inversa de saturacin de 10 JlA, resistencia hmica despreciable, y una tensin de
avalancha zener de 100 V. Se coloca una resistencia de 1 K en serie con el diodo, y
se alimenta esta combinacin con una batera de 30 V. Hallar la corriente (a) si el
diodo est polarizado en directo, (b) si la batera se coloca en el circuito en sentido
inverso. (c) Repetir los apartados a y b si la tensin de avalancha zener es de 10 V.
Cada diodo se describe por una caracterstica linealizada de tensin-corriente, con
una resistencia incremental r y una tensin umbral V'Y.El diodo DI es de germanio,
con V'Y = 0,2 V Y r = 20 n, mientras que D2 es de silicio con V'Y = 0,6 V Y r =
15 n. Hallar las corrientes por ambos diodos si (a)R = 10 K, (b)R = 1 K.

lOOV

{~:~~1~~]

D2

Probo4.3
4-4

El fotodiodo cuyas caractersticas vienen dadas en la Fig. 3 -21 est en serie con una
alimentacin de 30 V y con una resistencia R. Si la iluminacin es de 3 000 fc,
hallar la corriente para (a) R = O,(b) R = 50 K, (c) R = 100 K.

4-5

(a) Como aplicacin de la Seco4-3, dibujar la diferencia de potencial en el diodo

para un ciclo de la tensin de entrada vi. Supondremos Vm = 2,4 V, V'Y= 0,6 V, Rf

= 10nyRL = 100n.

(b) Por integracin directa hallar el valor medio de la tensin del diodo y la tensin

782

4-6
4-7

ELECTRONICA

INTEGRADA

de la carga. Obsrveseque estas dos respuestasson numricamente iguales; explicar

por qu.
Calcular la regin de ruptura en la que la resistencia dinmica de un diodo queda
multiplicada por el factor 1 000.
Para el circuito del diodo cortador de la Fig. 4-9a, supongamos que VR = 10 V, vi =
20 sen wt, y que la resistencia directa del diodo es de Rf = 100 n, mientrasqueR,
= ~ y V'Y= O.Despreciartodaslas capacidades.Dibujar a escalalasformasde onda
de

entrada

4-8

(b) R = 1 K, Y (c) R = 10 K.
Repetir el probo 4-7 para el caso en que la resistencia inversa seaR,

4-9

En

el

circuito

de

salida,

del

diodo

sealar

re

los

cortador

valores

de

las

mximo

Figs.

4-9a

mnimo

d,

vi

si

20

sen

(a)

n,

100

= 10 K.
wt,

K,

VR = 10 V. La tensin de referencia se o~tiene de la toma central de un potencimetro de 10 K conectado a la fuente de 100 V. Despreciar las capacidades. La
resistencia directa del diodo es de 50 n, R, = ~ y Voy= O.En amboscasos,dibujar
las formas de onda de entrada y de salida a escala. Qu circuito es mejor recortador? Sugerencia: Aplicar el teorema de Thvenin para la red divisora de la tensin
de referencia.
4-10 Una onda cuadrada simtrica de 5 kHz, cuya salida vara entre + 10 y-lO
V, se
aplica al circuito recortador de la figura. Suponer que Rf = O,R, = 2 M, Y Voy= O.
Esbozar la forma de onda de salida en rgimen permanente, indicando los valores
numricos del mximo y del mnimo, y de las partes constantes.

r -~--l~~-l

-1

1M

l"'V

1-

Probo4.10
4-11 Para los circuitos recortadores indicados en las Figs. 4-9b y d, obtener la caracterstica de transferencia va en funcin de vi, teniendo en cuenta Rf y V'YY considerando R, = ~.
4-12 El circuito recortador indicado emplea compensacin de temperatura. La tensin
continua V'Y de la fuente representa la tensin umbral; por otra parte, los diodos se
suponen

ideales

con

Rf

O Y R,

~.

DI

+r'

~
;

Vi

D2{IV'

V.

VR

t.

- - -- - -

""-

APENDICE

':

.-.
-,'" . ~

:~~

:c~c"

- PROBLEMAS

783

(a) Esbozar la cu':Vade transf~r~ncia va en fu~~in de vi.

.
(b) Demostrar que el valor maXlmo de la tensl0n de entrada vi para que la corriente
en D2 seasiempre en s~ntido directo, vale:

I
-,

~'C-"'c-.1

v.

I,max

.1

VR + --( VR - V'Y)
R'

(c) Cul es la dependencia de la temperatura sobre el punto de la onda de entrada

en el que ocurre el recorte?
4-13 (a) En el circuito

I
-

recortador

indicado,

D2 compensa las variaciones de la tempera-

t~ra. Supngaseque los diodos tienen una resiste~cia inversa infinita, una re~ist~ncia
dlfecta de 50 n, y un punto de cebado en el ongen (V 'Y= O). Calcular y dibujar la
c.aracterstica de transferencia .de va en fl:lncin de vi' Demostrar .que el circuito,
nene un punto de ruptura ampliado, es declf, dos puntos de ruptura juntos.

"1
~
~

DI

..-

D2

--

'~;;~~~
"':,~~'".2::-

lIi

10V

110

(5 K)

:-:'-~:~

.
-

r
.~

Prob.4-13

(b) Hallar la caracterstica de transferencia que resultara eliminando D2 y reemplazndolo por la resistencia R.
(c) Demostrar que la ruptura doble del apartado a desapareceray slo persistira la
del apartado _b, si las resiste~.ciasdirectas de los diodos pudieran ser despreciablemente pequenas en comparaCl0n con R.
4-14 (a) En el circuito recortador de picos indicado, agregar otro diodo D2 y una resistencia R ., de manera que se compense la desviacin con la temperatura.

~
~!~

+.

-L

/"I~A

D1

1:'

1:

~::-!::---J-

-~o.
"C~kO""

(b) Demostrar que el punto de ruptura de la curva de transmisin tiene lugar a VR .

~~~
~~~'""'--'

Suponer que Rr ~ R ~ Rf.

(c) Demostrar que para que D2 permanezca siempre en conduccin es necesario

:~-

que:

..
;."

R - V'Y)
v.<v.
= VR +~(V
I
I,max
R'
4-1 S (a) La tensin de entrada vi del recortador de doble nivel indicado en el apartado a

784

ELECTRONICAINTEGRADA

+f

1
-1

~1m~ ~?mJ{ 1+ +~

l~~.~ l~::

l'

"

I.~"

i2~~.~ i~

1'"

1-

-1

1'00.

t".

1'00'

(a)

~?mJ{ f+

1-

(b)
Probo4-15

de la figura vara linealmente desde O a 1SOV. Esbozar la tensin de salida va en la

misma escalade tiempos que la tensin de entrada. Suponer los diodos ideales.
(b) Repetir (a) para el circuito mostrado en la parte b de la figura.
4-16 El circuito de la Fig. 4-10a se emplea para "hacer cuadrada" una onda senoidal de
entrada de 10kHz, cuyo valor de pico es de SOV. Se deseaque la onda de tensin
de salida sea plana durante el 90 7;' del tiempo. Se emplean diodos que tienen una
resistencia directa de 100 y una resistencia inversa de 100 K.
(a) Hallar el valor de VRl y VRZ'
(b) Qu valor se puede considerar razonable para R?
4-17 (a) Los diodos son ideales. Escribir las ecuaciones de la caracterstica de transferencia (va en funcin de vi)'
(b) Dibujar va en relacin con vi, indicando todas las intersecciones, pendientes y
niveles de tensin.
(c) Trazar va si vi = 40 sen <JJt.Indicar todos los niveles de tensin.

Prob.4-17
4-18 (a)

Repetir el problema 4-17 para el circuito

indicado.

(b) Repetir10 para el caso en que los diodos tengan una tensin umbral de V'Y =
1 V.

Probo 4-18
4-19 Supngase que los diodos son ideales. Construir la curva va en funcin de vi para un
intervalo de vi, comprendido desde O hasta SO V. Indicar todas las pendientes y
niveles de tensin. Indicar, para cada regin, qu diodos conducen.

APENDICE

785

C PROBLEMAS

D2

Vi

OK

5K

"~

20VProbo4-19

4-20 La onda triangular indicada debe convertirse en senoidal empleando diodo s recortadores. Considerar la onda dibujada con trazos como primera aproximacin de una
senoide. La onda de trazos coincide con la senoide a 0, 30, 60, etc. Idear un
circuito cuya salida sea esta lnea quebrada cuando la entrada sea triangular. Suponer diodos ideales y calcular el valor de todas las tensiones de alimentacin y de las
resistenciasempleadas. El valor de pico de la senoide es de SOV.
100V

/;,:::.~:5;;~:'

o 30 60 90 120150180~40
GradOS",~/

2:~_/360
;/

Probo4-20
4-21 Construir circuitos cuyos terminales tengan las caractersticas mostradas en los apartados a y b de la figura.
1

(a)

(b)
Probo4-21

4-22 El comparador diodo-resistencia de la Fig. 4-13 se conecta a un dispositivo que

responde cuando la salida del comparador alcanza un nivel de 0,1 V. La entrada es
una rampa cuya pendiente es de 10 V/lIS. El diodo de germaniotiene una corriente
inversa de saturacin de 1 IIA. Inicialmente, R = 1 K, y el nivel de salida de 0,1 V se
obtiene

al cabo de un tiempo

tI.

Si ahora ponemos R

correspondiente cambio en tI? VR = O.

100 K. Cul ser el

786

ELECTRONICAINTEGRADA

4-23 Para la puerta muestreadora de cuatro diodos de la Fig. 4-14, considerar que V$est
en su valor ms negativo, por ejemplo v$ = - V$' Comprobar que las.expresiones
para Vn,min Y Vc,min dadas en las Ecs. (4-7) y (4-8) permanecen vlidas.
4-24 Un divisor de tensin equilibrador se intercala entre D3 y D4 en la Fig. 4-14, de
manera que da una tensin de salida cero para una entrada cero. Si se supone que el
divisor est puesto en su punto medio, si la resistencia total es R, y si R y Rf son
ambas mucho menores que Rc o RL' demostrar que

(2+~ ) (l+~ )

Vc,min=V$

RL

4Rf

4-25 (a) Explicar cualitativamente .el funcionamiento de la puerta muestreadora indicada. La tensin de alimentacin V es constante. La tensin de control es la onda
cuadrada de la Fig.4-l4b. Suponer diodos ideales con V'Y= O,Rf = OY Rr = oo.
Sugerencia: Cuando Vc = Vc, los diodosDI y D2 conducen(si V> Vmin) yD3 y
D4 estn en corte. Si Vc = - Vn, entonces D3 y D4 conducen y DI Y D2 estn
cortados.
Comprobar las siguientes relaciones:
(b) Vmin

=-Rc

R1

V$

R2 R1 + 2RL

en queR 1 = Rc R2 .
11

Vo
(c) A=-=V$

2RL

R1

R2

R1 + 2RL

(d) Vn min = V$
,

Rc
- V R2
Rc +R2
Rc +R2

(e) Vc,min=AV$

+V

-V
DI

D2

P1

Rc
P2

V
,

- v,

Probo4-25

APENDICEC PROBLEMAS

---

787

4-26 Un diodo cuya resistencia interna es de 20 il debe suministrar potencia a una carga
de 1 000 il desde una fuente de alimentacin de 110 V (eficaces). Calcular (a) la
corriente de pico en la carga, (b) la corriente continua de carga, (c) la corriente
alterna de carga, (d) la tensin continua del diodo, (e) la potencia total de entrada al
circuito, (f) el porcentaje de regulacin desde la carga nula a la carga considerada.
4-27 Demostrar que la mxima potencia de salida en continua Pdc =: Vdcldc en un
circuito de media onda de una sola fase, tiene lugar cuando la resistencia de carga
iguala a la resistencia del diodo Rf'
4-28 El rendimiento de la rectificacin 71rse define como la relacin entre la potencia de
salida en continua Pdc =: Vdcldc respecto a la potencia de entrada Pi =(1/21T) f~1T
vii da.
(a) Demostrar que, para un circuito de rectificacin de media onda,
71r

40,6
1 + Rf/RL %

(b) Demostrar que, para un rectificador de onda completa, 71res el doble del valor
dado en el apartado a.
4-29 Demostrar que la regulacin de un rectificador ya sea de media onda o de onda
completa, viene dado por:
% regulacin

=~ = 100 %
RL

4-30 (a) Demostrar las Ecs. (4-21) y (4-22) para la tensin continua de un rectificador
de onda completa.
(b) Hallar la diferencia de potencia continua en un diodo, por integracin directa.
4-31 Un rectificador de onda completa de una sola fase est constituido por un tubo
de vaco de doble diodo; la resistencia interna de cada elemento del mismo, se
puede considerar constante e igual a 500 il. Alimentan una carga de resistencia pura
de 2 000 il. La tensin del secundario del transformador al centro es de 280 V.
Calcular (a) la corriente continua de carga, (b) la corriente directa en cada tubo, (c)
la cada de tensin alterna en cada diodo, (d) la potencia continua de salida, (e) el
porcentaje de regulacin.
4-32 En un puente de onda completa de una sola fase, pueden intercambiarse el transformador y la carga? Explicarlo detenidamente.
4-33 Un miliampermetro de continua de 1 mA cuya resistencia interna es de 10 il, se
calibra para leer tensiones eficaces cuando se emplea en un circuito puente con
diodos semiconductores. La resistencia efectiva de cada elemento se puede considerar cero en el sentido directo e infinita en el sentido inverso. La tensin de entrada
senoidal se aplica en serie con una resistencia de 5 K. Cul ser la lectura a fondo
de escaladel miliampermetro?
4-34 El circuito indicado es un doblador de tensin de media onda. Analizar el funcionamiento de este circuito. Calcular (a) la tensin mxima posible en cada condensador, (b) la tensin inversa de pico de cada diodo. Comparar este circuito con el
puente doblador de tensin de la Fig. 4-22. En este circuito, la tensin de salida es
negativa con respecto a tierra. Demostrar que, si las conexiones del ctodo y del
nodo de cada diodo se permutan entre s, la tensin de salida ser positiva con
respecto a tierra.

---

APENDICE

-PROBLEMAS

787

4-26 Un diodo cuya resistencia interna es de 20 Q debe suministrar potencia a una carga
de 1 000 Q desde una fuente de alimentacin de 110 V (eficaces). Calcular (a) la
corriente de pico en la carga, (b) la corriente continua de carga, (c) la corriente
alterna de carga, (d) la tensin continua del diodo, (e) la potencia total de entrada al
circuito, (j) el porcentaje de regulacin desde la carga nula a la carga considerada.
4-27 Demostrar que la mxima potencia de salida en continua Pdc = Vdcldc en un
circuito de media onda de una sola fase, tiene lugar cuando la resistencia de carga
iguala a la resistencia del diodo Rf.
4-28 El rendimiento de la rectificacin 11rse define como la relacin entre la potencia de
salida en continua

Pdc = Vdcldc respecto a la potencia

de entrada p

= (1/21T)f~

1T

vi da.
(a) Demostrar que, para un circuito de rectificacin de media onda,
"
',r

40,6

01
70

1 + Rf/RL
(b) Demostrar que, para un rectificador de onda completa, 11res el doble del valor
dado en el apartado a.
4-29 Demostrar que la regulacin de un rectificador ya sea de media onda o de onda
completa, viene dado por:
% regulacin

=~ = 100 %
RL

4-30 (a) Demostrar las Ecs. (4-21) y (4-22) para la tensin continua de un rectificador
de onda completa.
(b) Hallar la diferencia de potencia continua en un diodo, por integracin directa.
4-31 Un rectificador de onda completa de una sola fase est constituido por un tubo
de vaco de doble diodo; la resistencia interna de cada elemento del mismo, se
puede considerar constante e igual a 500 Q. Alimentan una carga de resistencia pura
de 2 000 Q. La tensin del secundario del transformador al centro es de 280 V.
Calcular (a) la corriente continua de carga, (b) la corriente directa en cada tubo, (c)
la cada de tensin alterna en cada diodo, (d) la potencia continua de salida, (e) el
porcentaje de regulacin.
4-32 En un puente de onda completa de una sola fase, pueden intercambiarse el transformador y la carga? Explicarlo detenidamente.
4-33 Un miliampermetro de continua de 1 mA cuya resistencia interna es de 10 Q, se
calibra para leer tensiones eficaces cuando se emplea en un circuito puente con
diodos semiconductores. La resistencia efectiva de cada elemento se puede considerar cero en el sentido directo e infinita en el sentido inverso. La tensin de entrada
senoidal se aplica en serie con una resistencia de 5 K. Cul ser la lectura a fondo
de escaladel miliampermetro?
4-34 El circuito indicado es un doblador de tensin de media onda. Analizar el funcionamiento de este circuito. Calcular (a) la tensin mxima posible en cada condensador, (b) la tensin inversa de pico de cada diodo. Comparar este circuito con el
puente doblador de tensin de la Fig. 4-22. En este circuito, la tensin de salida es
negativa con respecto a tierra. Demostrar que, si las conexiones del ctodo y del
nodo de cada diodo se permutan entre s, la tensin de salida ser positiva con
respecto a tierra.

788

ELECTRONICAINTEGRADA

D2
C2

EnEJll1

Salida

Probo4-34
4-35 El circuito del problema 4-34 puede ampliarse de doblador a cuadriplicador aadiendo dos diodos y dos condensadores,tal como se indica en la Fig., cuyas partes a
y b son dos formas distintas de representar el mismo circuito.
(a) Analizar el funcionamiento' de este circuito.
(b) Contestar las mismas preguntas del problema 4-34.
(c) Generalizar este circuito y el del Prob. 4-34 para multiplicar por n, con la
condicin de que n sea par. Como caso particular, indicar un circuito multiplicador
por 6.
(d) Demostrar que la multiplicacin por n, cuando n sea impar, se puede obtener
tambin si se elige apropiadamente la salida.

1-- Triplicador --
I c,,'
c?. I

c.

C.

O r1-:r1":I
t:lJ.:'LJ

EntD

111

Salida

EJ

Entrada

c,

111

..

(a)

L-

~.

Cuadriplicador
c,

(b)

Prob.4-35
4.36 En un rectificador de onda completa de una sola fase, se emplea un diodo semiconductor. La tensin del transformador es de 35 V eficaces al centro del devanado. La
carga consiste en un condensador de 40 J.lF, en paralelo con una resistencia de
250 n. Las resistencias del diodo, del transformador, y las reactancias de dispersin
se pueden despreciar.
(a) Calcular el ngulo de corte.
(b) Dibujar a escala la tensin de salida y la comente del diodo como en la Fig.
4-25. Determinar grficamente el punto de cebado, a partir de este dibujo, y hallar
la corriente de pico del diodo correspondiente a este punto.
(c) Repetir los apartados a y b empleando un condensador de 160 J.lF en lugar de
40J.lF.
CAPITULO 5
5-1

(a) Demostrar que, para un transistor de silicio n-p.n del tipo de aleacin en que la
resistividad PB de la base es mucho mayor que la del colector, la tensin de perfora-