Procesos de Difusión
Procesos de Difusión
Procesos de Difusión
Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta concentracin a una de baja a
travs del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se
introducen tomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el
proceso de difusin de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil
de dopaje deseado. Las impurezas ms comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el
Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo n). Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa
difundida tambin puede utilizarse como conductor.
El fenmeno de la difusin se puede demostrar mediante el par difusor formado por la unin de dos metales
(Cu y Ni) puestos en contacto a travs de las dos caras. Este par se calienta a elevada temperatura (por
debajo de la temperatura de fusin de ambos metales) durante un largo perodo de tiempo y luego se enfra a
temperatura ambiente.
Los tomos de cobre han migrado o difundido dentro del nquel y que el nquel ha difundido dentro del cobre.
Este proceso, en que los tomos de un metal difunden en el otro, se denomina inter difusin o difusin de
impurezas.
Los procesos de difusin superficial incorporan especies qumicas las que consiguen, con o sin tratamientos
trmicos adicionales, incrementar las caractersticas de la capa superficial modificada.
El Vanadio-Galio (V3) se puede preparar mediante la difusin superficial, donde el componente de alta
temperatura como slido se baa en el otro elemento en estado lquido o gas.
La teora cuntica nos ensea que los tomos tienen niveles de energa discretos cuando estn aislados unos
de otros. Sin embargo, si consideramos una gran cantidad de tomos la situacin cambia dramticamente.
Realicemos un experimento imaginario en el que un conjunto de N tomos idnticos inicialmente aislados son
gradualmente acercados entre s para formar una red cristalina. Observaremos los siguientes cambios en la
estructura electrnica:
Cuando los N tomos se encuentran muy prximos, las funciones de onda electrnicas se empiezan a
traslapar y la interaccin entre ellos ocasiona que cada nivel energtico se divida en N niveles con energas
ligeramente diferentes.
En un slido macroscpico, N es del orden de 1023 de modo que cada nivel se divide en un nmero muy
grande de niveles energticos llamados una banda. Los niveles estn espaciados casi continuamente dentro
de una banda.
Las bandas de energa, llamadas tambin bandas permitidas, se encuentran separadas unas de otras por
brechas, denominadas bandas prohibidas. El ancho de estas bandas depender del tipo de tomo y el tipo de
enlace en el slido. Las bandas se designan por las letras s, p, d etc. De acuerdo con el valor del momentum
angular orbital del nivel energtico al cual estn asociadas.
De acuerdo con el principio de exclusin de Pauli, si consideramos un cristal compuesto por N tomos, cada
banda podr acomodar un mximo de 2(2 l+1) N electrones, correspondientes a las dos orientaciones
Conductor es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se encuentra
inmediatamente adyacente a la energa del ltimo estado electrnico ocupado. En otros trminos, un
conductor es un material en el cual la ltima banda ocupada no est completamente llena.
Aislador es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se encuentra separada, por
una brecha finita, de la energa del ltimo estado electrnico ocupado.
Semiconductor es un material aislador en que el ancho de banda prohibida es menor que 1eV.
Semiconductores extrnsecos
Hasta ahora slo hemos hablado acerca de materiales semiconductores naturales, los que definimos como
aisladores de banda prohibida angosta; ellos reciben el nombre de semiconductores intrnsecos. Sin embargo,
existe la posibilidad de disear y fabricar materiales con caractersticas elctricas especficas a la medida
agregando, de manera controlada, impureza a semiconductores. Este proceso de introduccin de impurezas
extraas se denomina dopado.
Consideremos los efectos de estas impurezas en el silicio (Si), uno de los semiconductores de uso ms
frecuente (vase la Figura 3). La configuracin electrnica del Si es [ Ne ] 3 s 2 3 p2 de modo que tiene
cuatro electrones de valencia. Para fijar ideas, veamos que sucede si remplazamos algunos de los tomos de
Si por tomos de fsforo (P) que tienen cinco electrones de valencia y cuya configuracin electrnica es
[ Ne ] 3 s 2 3 p3
Por cada tomo de P que se agrega aparece un estado electrnico nuevo y adicional en la banda prohibida.
Este nivel se ubica justo por debajo de la banda de conduccin del Si.
Cada tomo de P utiliza cuatro de sus cinco electrones de valencia para formar enlaces con cuatro tomos de
Si vecinos, quedando un electrn extra que necesita liberar para alcanzar su configuracin ms estable de
ocho electrones. La energa trmica es suficiente para que el electrn extra sea transferido a la banda de
+
conduccin dejando atrs un in positivo P inmvil.
Los tomos de P se llaman tomos dadores, y la conductividad elctrica en este tipo de semiconductores
implica fundamentalmente movimiento de electrones procedentes de los tomos dadores a travs de la banda
de conduccin. Este tipo de semiconductores se denomina de tipo-n, donde n se refiera a negativo, el tipo de
carga elctrica que transportan los electrones.
Reemplacemos ahora algunos tomos de Si por tomos de aluminio (Al) cuya configuracin electrnica es
[ Ne ] 3 s 2 3 p1 de manera que tiene tres electrones de valencia.
Por cada tomo de Al que se agrega aparece un estado electrnico nuevo que se encuentra justo por encima
de la banda de valencia del Si.
Cada tomo de Al utiliza sus tres electrones de valencia para formar enlaces con tres tomos de Si vecinos.
La capa externa del Al tratar de capturar un electrn extra de la banda de valencia para conformar una capa
estable de ocho electrones.
Un electrn se trasfiere con facilidad desde la banda de valencia hasta el nivel aceptor formando un in
negativo inmvil. Cuando esto ocurre, se crea una vacante positiva en la banda de valencia. Debido a que en
este tipo de semiconductores la conductividad elctrica consiste fundamentalmente en la transferencia de
vacantes positivas, se les denomina semiconductores de tipo-p