Ejercicios TEMA 1
Ejercicios TEMA 1
Ejercicios TEMA 1
3) La densidad de una muestra de berilio HCP es 1,844 g/cm3, los parámetros de red son a = 0,22858 nm y
c = 0,35842 nm. Calcule (a) La fracción de puntos de la red que contienen vacancias (b) El número total
de vacantes en un centímetro cúbico.
4) El litio BCC tiene un parámetro de red de 3,5089 x 10-8 cm y contiene una vacancia por cada 200 celdas
unitarias. Calcule (a) El número de vacantes por centímetro cúbico (b) La densidad de Li.
5) La densidad de una muestra de paladio FCC es de 11,98 g/cm3, su parámetro de red es 3.8902 A y
su peso atómico 106,4 gr/mol. Calcule
(a) La fracción de los puntos de red que contengan vacancias y
(b) el número total de vacancias en un centímetro cubico de Pd.
6) Considere que existe un defecto Schottky por cada diez celdas unitarias de MgO. La estructura
cristalina del MgO es del tipo cloruro de sodio con un parámetro de red de 0,396 nm. Calcule (a) el
número de vacantes de aniones por cm3 y (b) la densidad de la cerámica.
7) El ZnS tiene la estructura de la blenda de zinc. Si la densidad es 3,02 g/cm3 y el parámetro de red es
0,59583 nm, determinar el número de defectos de Schottky (a) por celda unitaria (b) por centímetro
cúbico.
¿Qué otros cambios en cada estructura cristalina serían necesarios para mantener una carga
equilibrada? Explicar.
9) (a) Calcule el radio r de una impureza intersticial que justo encajara en un sitio octaédrico de la
red FCC en función del radio atómico R del átomo anfitrión (sin causar deformación en la red)
(b) Calcule el radio r de una impureza intersticial que justo encajara en un sitio tetraédrico de la red BCC
en función del radio atómico R del átomo anfitrión, sin causar deformación en la red.
(c) Determine el tamaño de los intersticios en ferrita y en la austenita.
(d) Calcule la deformación lineal provocada en la retícula del Fe fcc y el Fe bcc cuando un átomo de C
se ubica en la posición intersticial.
(e) Con base en la respuesta en (c) explique por qué se disolverá una mayor cantidad de carbono en la
austenita (Fe-γ) que en la ferrita (Fe-α): (2,14% en peso y 0,025% en peso, respectivamente)
10) La figura muestra una dislocación en un cristal de óxido de magnesio (MgO), que tiene la
estructura cristalina del cloruro de sodio y un parámetro de red de 0,396 nm. Determine la longitud del
vector de Burgers.
11) Dibuje un circuito de Burger alrededor de la dislocación que se muestra en la figura. Indique
claramente el vector de Burgers que encuentre. ¿Qué tipo de dislocación es ésta? ¿En qué dirección se
moverá la dislocación debido al esfuerzo de corte aplicado? Refiera sus respuestas a los ejes de
coordenadas que se muestran.
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Ejercicios
E TEM
MA 1 Defectos ccristalinos
14) La dennsidad de dislocaciones see define como o la longitud ttotal de línea s de dislocaciiones por cenntímetro
cubicoo en el materrial. ¿cuántos gramos de aluminio con uuna densidad de dislocacio ones de 10 ccm-2 se
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Ejercicios
E TEM
MA 1 Defectos ccristalinos
18. Considere un monocristal FCC. ¿Esperaría qu ue la energía superficial paara un plano (100) sea mayor o
menoor que la enerrgía superficiaal de un plano
o (111)? Justiffique su respuesta.
19. (a) Paara un materiaal dado ¿uste q la energíaa superficial ssea mayor, igual, o menos que la
ed esperaría que
energgía del borde de grano? ¿P Por qué?
(b) La energía de un borde de grano de ángu
ulo bajo es meenor que la de un borde de grano de án
ngulo alto
¿Por qué?
q
20. ¿Cóm
mo se mide el tamaño
t de grrano de un material
m policrristalino por eel método ASTTM?
21. Si se tienen
t 600 granos por pulggada cuadrad
da en una miccrografía de u
un metal a 100
0× aumentoss, ¿cuál es
el númmero ASTM ded tamaño de grano?
22. Si se tienen
t 400 granos por pulggada cuadrad
da en la microografía de un material ceráámico a 200×
aume entos, ¿cuál ess el número ASTM
A de tamaño de granoo del materiall?
Diámetro
o del grano Resistenncia
d -1⁄2
(m
mm) (MPa))
0.015 170 MPPa 8.1165
0.025 158 MPPa 6.3325
0.035 151 MPPa 5.3345
0.050 145 MPPa 4.4472
a) Deterrmine las consstantes de la ecuación de Hall-Petch
b) El tam
maño de grano o requerido para
p obtener una resistenccia de 200MPPa.
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