Reactivos para Dispositivos PDF
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ACADEMIA:
ELECTRÓNICA
ASIGNATURA:
DISPOSITIVOS
REACTIVOS
PARA
DIPOSITIVOS
ELABORÓ:
ELIZABETH ARÉVALO GONZÁLEZ
PROGRAMA DE ESTUDIOS:
2004
FECHA DE ELABORACION:
ENERO-FEBRERO DEL 2012
PERIODO DE APLICACIÓN:
2º 2009/2010 (ENE-JUN/2010), 1º 2010/2011 (AGO-DIC/2010), 2º 2010/2011 (ENE-JUN/2011), 1º
2011/2012 (AGO-DIC/2011), 2º 2012 (ENE-JUN/2012), 1º 2013 (AGO-DIC/2012)
ÍNDICE
Reactivos para apoyar a los alumnos en sus estudios en la evaluación teórica de la materia de
Dispositivos.
OBJETIVO
El alumno distinguirá las características generales de los componentes electrónicos (dispositivos), sus
principales representaciones gráficas en el plano X-Y, sus propiedades eléctricas, su clasificación de
acuerdo al número de terminales, los procesos de fabricación, los tipos de encapsulados y su
ejemplificación como bloques funcionales de acuerdo al proceso matemático que puede efectuar a la
señal eléctrica que se le aplique.
Respuesta:
2 Identifica los dispositivos eléctricos y electrónicos del siguiente circuito colocando el número que
le corresponde de acuerdo a la respuesta:
Respuesta:
1. Capacitores electrolíticos
2. Potenciómetro.
3. Transistor bipolar.
4. Diodos rectificadores.
5. Diodo emisor de luz.
6. Regulador de voltaje LM7XXX
7. Resistores.
8 Capacitor cerámico de disco.
Respuesta:
Respuesta:
1. Construidos con materiales semiconductores, tipo P y N.
2. Respuesta exponencial.
3. Dispositivos pasivos, es decir, consumen energía eléctrica para poder realizar su trabajo.
4. Su funcionamiento depende de la polarización (directa e indirecta).
5. Pueden tener dos (como los diodos), tres (como los transistores) ó más terminales (como los
circuitos integrados).
6. Existen dispositivos de estado sólido de propósito general, de respuesta rápida, de
conmutación, de potencia, entre otros.
Respuesta:
Existen 2 clasificaciones generales para lo encapsulados, según contengan circuitos
integrados ó componentes discretos, encapsulados IC y encapsulados discretos
respectivamente.
Tipos de Encapsulados
CI Discretos
De inserción Montaje Superficial De inserción Montaje Superficial
DIP SOP SP-8 SC-59 TO-252
SIP TSOP SST SC-62 TO-263
PGA QFP TO-3 SC-70 HVSON
SOJ TO-92 SC-74 HWSON
QFJ TO-126 SC-75 XSOF
QFN Isolated TO-220 SC-84 SOP8
TCP TO-220AB SC-88 TSSOP
BGALGA TO-251 SC-89 MLP
SC-95 EFLIP
7 Dar algunos ejemplos de dispositivos de estado sólido de dos, de tres y más terminales.
Respuesta:
1. Ejemplos de dispositivos de estado sólido de dos terminales: Diodo rectificador, Diodo Zener,
Diodo Túnel, Diodo Varactor, Diodo de conmutación, entre otros.
2. Ejemplos de dispositivos de estado sólido de tres terminales: Transistor bipolar (BJT), JFET,
MOSFET, SCR, TRIAC, entre otros.
3. Ejemplo de dispositivos de estado sólido de más de terminales: CI555, CI556, CI174, 74LS00,
74LS02, 74LS04, MOC3031, HC4007, MCT2, MC14544B, entre otros.
Respuesta:
Repuesta:
Proporciona un método útil y conveniente para caracterizar las relaciones funcionales ente
diversos componentes de un sistema de control. Los componentes del sistema se llaman de
manera alterna elementos del sistema. La forma más simple de representar un diagrama a
bloques es con un solo bloque, con una entrada y una salida.
10 ¿Cuáles son las características generales del diodo en polarización directa e inversa?
Respuesta
1. Polarización directa: VD pequeño; ID mayo a cero, resistencia interna del diodo pequeña.
2. Polarización inversa: VD menor ó igual a cero; ID aproximadamente a cero, resistencia interna
Respuesta.
Respuesta:
Respuesta:
BIBLIOGRAFÍA
Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrónicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA
OBJETIVO
R1
2 Calcular la potencia que disipa un LED rojo, si su 390 Ohm LED
resistencia interna es de 5Ω, y su voltaje de unión es de
1.8V. Vs 15V
_
Sol: PLED=49.42mW
R2
120 Ohm
3 Analizar el circuito y calcular la carga, para que esta disipe una 1N4001
potencia de 500mW, si el transformador tiene una relación de 6:1. N2
Dibujar la señal de la carga indicando el valor de la amplitud y el RL C
N1
N3
periodo. También calcular el valor del capacitor que está conectado
en paralelo con la carga, para tener un rizo de 100mV. 1N4001
¿Qué pasaría si el D1 se abriera? Explica.
Se tendría la respuesta de un circuito rectificador de media
onda.
R
4 Diseñar el circuito para que un diodo emisor de luz, trabaje
adecuadamente, de acuerdo a los siguientes datos: ILED=50mA a
E = 9V
VLED=3.3V
Sol: R=114Ω
D (Si )
5 Analizar y calcular VO y PO del circuito mostrado. También dibujar la 1k
+
20Senwt Vz = 5.1 V Vo
VO= 5.1V; y Po=72.42mW; semiciclo positivo.
VO= 0V; y Po=0W; semiciclo negativo.
Sol: C=3029.009µF
El circuito rectificador de onda completa se comporta como un
circuito rectificador de ½ onda.
+
Sol: de VO= 1.7V a VO=21.3Vp Vs = 12 Vp sent
E=2V
--
+
Z Vo
20Senwt
Sol: VO=3.9V y VO=0V, y se trata de un circuito recortador.
Sol: Vimín=22.406V
R = 1 Kohm
12 Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida (VO) del circuito +
mostrado. Dibujar la curva de salida y la función de transferencia del D (Si )
circuito. +
Vs = 20 Vp Vo
500 KHz Vz = 5.1 V
Sol: VO=20Vp y VO=-5.8V _
R1
13 Analizar el circuito y calcular VO del circuito mostrado. Dibuja Si los
diodos Zener ambos son de 5.1V, y la fuente de alimentación Vs
+
Vs Z1
entrega una señal senoidal con una amplitud de 20Vp a una
frecuencia de 100Hz, y una R1 de 1KΩ.
Z2
Sol: RLmín=142.1875Ω
BIBLIOGRAFÍA
Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrónicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA
OBJETIVOS
Vcc= 15 V
2 Analizar el circuito y calcular: VCB, VCE, VE, VB, VC, IB, IC, I1, I2, 1k
e IE, para una beta de 45 y con el potenciómetro en 0 de su R1
valor. 2.2 K
TIP 41
Con base en los resultados escribir en que región se
encuentra trabajando el transistor, e indicar la configuración RE
Z
del transistor, así como las características de esta. 100
5.1 V
P
Sol. VCE=-31.743V, VC=-28.04V, VCB=31.743V,VB=5.1V,
VBE=0.7V, VE=4.4V, IC=43.0435mA, I1=4.5mA, I2=3.5435mA, 10 k
IB=956.522µA, IE=44mA
Vcc=+5V
4 Analizar el circuito y calcular los resistores para que el
transistor trabaje en el región de saturación, el cual tiene
RC
VCEsat=0.25V, una ICsat de 25mA, un factor de ganancia en
corriente de 110 y el VI es igual al VCC. Considerando un LED
de rojo de 1.5V. +
RB
BC 547A Vo
Sol: RB=18KΩ y RC=120Ω Vi
_
R2 RE
7 Analizar el circuito y calcular: VCB, VCE, VE, VB, VC, IB, IC, I1, I2, + Vcc = 12V
e IE, para un factor de corriente de 180. Considerando
R1=68KΩ, R2=47KΩ, RC=390Ω, y RE=150Ω. R1 RC
RC=140Ω. TIP41
RG RS
VD D=12.5V
15 Analizar y diseñar el circuito para IDSS=8mA, VGSoff=-5V y un
VGS de 1V R2 R1
VD =5V
Sol: R3=1MΩ, R2=11.5MΩ y R1=651.04Ω
R3
12V
Sol: RD=1.4KΩ, y RG=1MΩ
BIBLIOGRAFIA
Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrónicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA
OBJETIVOS
R1
1 Calcular el valor de las resistencias para un ángulo de
conducción de 1350 y 900, empleando un SCR con IGT= RL
D (Si)
R2=10.63KΩ.
R1
RE
Rcarga
120Vca
R2
T2
R3
Lámpara DIAC
R2=15K
R1=100K TRIAC
120Vca
a 60Hz
C1=0.1uF
C1=0.1uF a 200V
a 250V
R1
1K
Rcarga
330
+
R2=5K
Vi
12VpSent SCR
R3
100
+
9V
VDRM de 400V, IGTtyp de 60µA y un VGTtyp de 0.6V. C106
0V ó 5V
SW
1k
Sol: IFi=9.795mA, V120K=8.1V, I120K=67.7µA, V82K= 0.6V, 1k
I82K=7.32µA, V18K=8.7V, I18K=483.3µA, IE=560.83µA,
IG=60.183µA Y Vd=-1.22V
LED
El circuito permite acoplar un voltaje de CC externo a la
entrada del dispositivo digital (compuerta), mediante el
optoacoplador 4N33. El circuito convierte un voltaje de 4N33
entrada de 12VCD en un nivel alto de 5V y uno nivel bajo
de aproximadamente 0V. Este circuito se puede emplear R2 TTL o CMOS
para monitorear una batería de automóvil. 470
Cuando de aplica la señal de 12VCD, circula una corriente
IF a través de la resistencia R1, se energiza el LED y el
fotodarlington conduce. Como resultado, circulara una
corriente de colector IC a través del resistor R2. Esta
corriente causa una caída de voltaje de
aproximadamente 5V que es interpretada por la entrada
de la compuerta inversora como un nivel alto ó 1 lógico.
Cuando se retira la señal de entrada, no circula corriente
a través del LED y el fotodarlington no conduce. Como
consecuencia, la entrada de la compuerta inversora
queda puesta a tierra y recibe un nivel bajo de
aproximadamente 0V.
Los valores de R1 y R2 deben elegirse de modo que la
corriente de entrada IF y de salida IC no excedan los
valores máximos especificados por el fabricante. Siendo
para el optoacoplador 4N33 IFmáx de 80mA e ICmáx de
100mA.
BIBLIOGRAFIA
Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrónicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA