Tema 4.

BJT

TEMA 4 BJT

En este capítulo se resuelven algunos problemas de aplicación de

transistores BJT. En primer lugar se detallan las ecuaciones o tablas más
importantes para resolver los problemas propuestos. A conticuación se
detalla la resolución de algunos problemas básicos y finalemente se
relacionan algunos problemas de ampliación.

CONTENIDO:
ECUACIONES Y TABLAS 2

COLECCIÓN DE PROBLEMAS 3
PROBLEMAS DE AMPLIACIÓN 23

1
Problemas de Dispositivos Electrónicos

ECUACIONES Y TABLAS
Regiones de funcionamiento del transistor BJT

REGION MODELO CONDICIONES

ACTIVA Ic=β·IB IB > 0
VBE=VBE,ON VCE>VCEsat
CORTE IB=0
VBE < VBE,ON
IC=0
SATURACIÓN VCE=VCEsat Ic < β·IB
VBE=VBE,ON IB > 0

2
 Tema 4. BJT

COLECCIÓN DE PROBLEMAS
PROBLEMA 4.1.
Dado el circuito de la figura, responde a las siguientes cuestiones:

Datos:

VCC = 15 V
VBB = 3 V
RC = 3.9 kΩ
RE = 1 kΩ
RB = 56 kΩ

VCE,sat = 0.2 V
VBE,on = 0.7 V
β = 100

Nota: En los cálculos NO se puede despreciar la Intensidad de Base IB

(a) ¿Cuál será el punto de polarización?

(b) Dibuja la recta de carga en el circuito del colector y sitúa en ella el punto de
polarización
(c) ¿Para qué rango de valores de VBB el transistor se encuentra en zona activa
(lineal)

SOLUCIÓN
(a) Suponiendo que el transistor se encuentra en activa:

𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝐼𝐼𝐵𝐵 = = 14.65 𝜇𝜇𝜇𝜇
𝑅𝑅𝐵𝐵𝐵𝐵 + (𝛽𝛽 + 1)𝑅𝑅𝐸𝐸

𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽 · 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 1.46 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐶𝐶 − (𝛽𝛽 + 1)𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 7.8 𝑉𝑉 > 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶,𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠

3
Problemas de Dispositivos Electrónicos

Por tanto, el transistor se encuentra en activa y el punto de polarización es:

IB = 14.65 𝜇𝜇𝜇𝜇, IC = 1.465𝑚𝑚𝑚𝑚, 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 7.8 𝑉𝑉, 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0.7 𝑉𝑉

(b) Recta de carga:

La ecuación de la recta de carga en el

circuito del colector viene dada por: Ic

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 ≅ 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝐶𝐶 · (𝑅𝑅𝐸𝐸 + 𝑅𝑅𝐶𝐶 ) 3.1mA

La intersección de esta ecuación con Q

los ejes es: 1.46mA

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 0 → 𝐼𝐼𝐶𝐶 = = 3.1𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸
𝐼𝐼𝐶𝐶 = 0 → 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 15𝑉𝑉 7.8V 15V VCE

(c) Límite de corte:

𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝐼𝐼𝐵𝐵 = > 0 → 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 > 0.7𝑉𝑉
𝑅𝑅𝐵𝐵𝐵𝐵 + (𝛽𝛽 + 1)𝑅𝑅𝐸𝐸

Límite de saturación:

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐶𝐶 − (𝛽𝛽 + 1)𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐸𝐸 > 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶,𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶,𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
𝐼𝐼𝐵𝐵 < = 30.14𝜇𝜇𝜇𝜇 = 𝐼𝐼𝐵𝐵,𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽𝑅𝑅𝐶𝐶 + (𝛽𝛽 + 1)𝑅𝑅𝐸𝐸

Dado que:

𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝐼𝐼𝐵𝐵 = < 𝐼𝐼𝐵𝐵,𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑅𝑅𝐵𝐵𝐵𝐵 + (𝛽𝛽 + 1)𝑅𝑅𝐸𝐸

𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 < 𝐼𝐼𝐵𝐵,𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 · [𝑅𝑅𝐵𝐵𝐵𝐵 + (𝛽𝛽 + 1)𝑅𝑅𝐸𝐸 ] + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 5.43𝑉𝑉

Por tanto:

0.7𝑉𝑉 < 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 < 5.43𝑉𝑉

4
 Tema 4. BJT

PROBLEMA 4.2.
Sea el siguiente circuito:

Circuito Datos del circuito:

VCC = 15 V.
R1=R2=10 KΩ

Datos del BJT:

β = 100.
IC MAX = 500 mA.
VCE MAX = 45 V.
Tj MAX = 175 ºC.
VBE = 0.7 V.
PMAX = 500 mW.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.
Rth=100ºC/W
Tamb=20ºC
(a) Para RC=RE=1 KΩ. Indique los valores de VCE e IC en los que estará ubicado el
punto de polarización del transistor sobre la recta de carga.
(b) Para RC= 10 KΩ y RE=0 Ω. Indique cuánto vale la corriente que circula por el
emisor del transistor.

SOLUCIÓN
(a) Los valores de la fuente de la fuente de tensión y resistencia del equivalente Thevenin
de la base son RB=5K y VBB=7.5(V). A partir de estos valores se calcula la corriente
que circula por la base:

VBB − VBE
IB = = 64,15µA
RB + (β + 1)RE
Y a partir de ella la corriente que circula por el colector es IC=6,42mA.
Del análisis de la malla de colector se obtiene la tensión VCE:

 β +1 
VCE = VCC − I C  RC + RE  = 2.095(V )
 β 

5
Problemas de Dispositivos Electrónicos

(b) Los valores de la fuente de la fuente de tensión y resistencia del equivalente Thevenin
de la base son RB=5K y VBB=7.5(V).

Si suponemos que el transistor está en activa,

𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 7.5 − 0.7

𝐼𝐼𝐵𝐵 = = = 1.4𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑅𝑅𝐵𝐵 5 · 103

La tensión VCE será, por tanto:

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝛽𝛽 · 𝐼𝐼𝐵𝐵 · 𝑅𝑅𝐶𝐶 = −1.34 kV

Lo cual no es posible para el estado activa. El transistor se encontrará, por tanto,

saturado. Por tanto:

VCC − VBE
IB = = 1,36mA
RB
VCC − VCE
IC = = 1,48mA
RC
I E = I C + I B = 2,84mA

PROBLEMA 4.3.
Calcular que VI hace que el BJT se sature.

RC
Datos :
RB
βSAT= 60,
VCE SAT =0.2 V,
VBE SAT = 0.7 V.
VI VCC VCC = 18 V
RC = 1 KΩ
RB = 10 KΩ

6
 Tema 4. BJT

SOLUCIÓN
De la malla de colector tenemos la ecuación:

VCC = I Csat ·RC + VCEsat

Si despejamos ICsat tendremos:

VCC − VCEsat 18 V − 0.2 V

I Csat = = = 17.8 mA
RC 1000 Ω
De la ecuación del transistor tendremos que:

I Csat 17.8 mA
I Bsat = = = 296.66 mA
β sat 60
Con este valor en la malla de base obtenemos:

VI = RB · I Bsat + VBEsat = 10000 Ω ·296.66 µA + 0.7 V = 3.666 V

Resultado:
VI = 3.666 V

7
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

PROBLEMA 4.4.
Datos del circuito:
VCC = 9 V.
RC = 1 KΩ.
RE = 100 Ω.

Datos del BJT:

β = 100.
IC MAX = 200 mA.
VCE MAX = 20 V.
Tj MAX = 175 ºC.
VBE = 0.7 V. (en la zona lineal)
PMAX = 1 W.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.

Calcular:

Nota: No se puede despreciar la IB para los cálculos de los apartados a), b) y c).

(a) El valor de R1 y R2 para que VCE = 4.5 V. (Tomar como criterio de diseño que la
intensidad que pasa por R2 es 10 veces la IB).
(b) Si R2 vale 100 KΩ y R1 vale 100 KΩ ¿Cuál será el nuevo punto Q de
funcionamiento del BJT?. (Para dar el punto Q hay que dar los valores de VCE,
IC, IB y VBE).
(c) Si R2 vale 100 KΩ y R1 vale 100 KΩ y además sustituimos el transistor del
circuito por otro cuya β = 400. ¿Cuáles serán los valores de VCE y VBE?
(d) Dibujar la recta de carga del circuito de colector con los datos del apartado c).
(e) Dibujar el SOA (área de operación segura) del transistor.

SOLUCIÓN
a) Como VCE = 4.5 V ⇒ que el BJT está en zona lineal (VCE sat < VCE < VCC), podemos aplicar
las fórmulas:

I C = β ·I B y I E = ( β + 1)·I B (1) y (2)

Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:
8
 Tema 4. BJT

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC (3)

Si sustituimos (1) y (2) en (3) tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Si despejamos IB entonces:

VCC − VCE
IB = = 40.87 µA
β ·RC + ( β + 1)·RE
Para el cálculo de R2 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2 = VBE + VRE = VBE + I E ·RE = VBE + I B ( β + 1)·RE = 1.1128 V

Si tomamos como criterio de diseño que IR2 = 10·IB , podemos calcular R2 mediante la
aplicación de la ley de Ohm.

VR 2 V 1.1128 V
R2 = = R2 = = 2722.66 Ω
I R 2 10·I B 10·40.87 µA
Para el cálculo de R1 también aplicamos la ley de Ohm.

VR1 VCC − VR 2 VCC − VR 2 9 V − 1.1128 V

R1 = = = = = 17543.03 Ω
I R1 I R 2 + I B 10·I B + I B 11·40.87 µA
Resultado:

R1 = 17543.03 Ω; R2 = 2722.66 Ω
b) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base. Si calculamos VT y RT con los nuevos valores de R1, R2 tendremos:

R1 RC
RC
VCC
RT

VT VCC
R2 RE
⇔ RE

9
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

R2 100 KΩ
VT = ·VCC = ·9 V = 4.5 V
R2 + R1 100 KΩ + 100 KΩ
R2 ·R1 100 KΩ·100 KΩ
RT = = = 50 KΩ
R2 + R1 100 KΩ + 100 KΩ
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:

VT = I B ·RT + VBE + I E ·RE = I B ·RT + VBE + I B ·(β + 1)·RE = I B ·(RT + ( β + 1)·RE ) + VBE

Si despejamos IB:

VT − VBE
IB = = 63.22 µA
RT + ( β + 1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Despejando VCE:

VCE = VCC − β ·I B ·RC − ( β + 1)·I B ·RE = 2.038 V

Como VCE > 0.2 V implica que el BJT está en la zona lineal, la suposición ha sido
acertada. Falta calcular IC, lo haremos con la fórmula (1).

I C = β ·I B = 100·63.22 mA = 6.322 mA
Resultado:
IC = 6.322mA; IB = 63.22µA; VCE = 2.038 V; VBE = 0.7 V;
c) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base. Como R1 , R2 y Vcc no han cambiado, los valores son los mismos que en el apartado
b). Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará
en la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT = I B ·RT + VBE + I E ·RE = I B ·RT + VBE + I B ·(β + 1)·RE = I B ·(RT + ( β + 1)·RE ) + VBE
Si despejamos IB:

10
 Tema 4. BJT

VT − VBE
IB = = 42.17 µA
RT + ( β + 1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Despejando VCE:

VCE = VCC − β ·I B ·RC − ( β + 1)·I B ·RE = −9.56 V

Como VCE < 0.2 V implica que el BJT está en saturación. La IB no es la calculada
anteriormente, tendremos que modificar nuestros criterios. La VCE será la de saturación
(VCE sat = 0.2 V) y además IC < β·IB . En el circuito equivalente las ecuaciones de malla
serán:

VCC = RC ·I Csat + VCEsat + RE ·(I Csat + I B ) (4)

VT = RT ·I B + VBE + RE ·(I Csat + I B )

Aquí tenemos un sistema de ecuaciones con 2 incógnitas, si despejamos tendremos que:

RE
VCC − ·(VT − VBE ) − VCEsat
RT + RE
I Csat = 2
= 7.994 mA
RE
RC + RE −
RT + RE
VT − VBE − RE ·I Csat
IB = = 59.89 µA
RT + RE
Resultado:
IC = 7.994 mA; IB = 59.89 µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;
Podemos simplificar los cálculos si en (4) hacemos la siguiente aproximación:
VCC = RC ·I Csat + VCEsat + RE ·(I Csat + I B ) ≈ RC ·I Csat + VCEsat + RE ·I Csat = VCEsat + ( RE + RC )·I Csat
Si despejamos ICsat entonces:
VCC − VCEsat 9 V − 0.2 V
I Csat ≈ = = 8 mA
RE + RC 1 KΩ + 100 Ω
Si con este valor despejamos en (5) el valor de IB tendremos:

11
Problemas de Dispositivos Electrónicos

VT − VBE − RE ·I Csat
IB ≈ = 59.88 µA
RT + RE
Resultado aproximado:

IC ≅ 8 mA; IB ≅ 59.88 µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;

d) Para la dibujar la recta de carga partimos de la ecuación:

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC

Si hacemos la aproximación de IC ≅ IE entonces:

VCC = I C ·RC + VCE + I C ·RE = I C ·(RC + RE ) + VCE

Si calculamos los puntos de corte con los ejes:

IC (mA)

10

VCC (8.18)
Si VCE = 0 ⇒ I C = = 8.18 mA 8

RC + RE
6
Si I E = 0 ⇒ VCE = VCC = 9 V
4

VCE (V)

2 4 6 8 9 10

e) Para dibujar la SOA tendremos que fijarnos en los límites del BJT que son:
IC = IC max = 200 mA.
VCE = VCE max = 20 V
Pmax = 1 W
Para dibujar la hipérbola de máxima disipación de potencia, debemos dibujar la curva
dando valores a VCE e IC.
Pmax = VCE · IC = 1 W.

VCE (V) 4 8 12 16 20 24
IC (mA) 250 125 83.33 62.5 50 41.66
12
 Tema 4. BJT

Al dibujarlo nos queda:

IC (mA)

200

160

120

80

40

VCE (V)

4 8 12 16 20

PROBLEMA 4.5.
En el siguiente circuito:

Datos del circuito:

VCC = 10 V.
R1 RC RC = 1 KΩ.
RE = 100 Ω.
VCC
(apartado d) Datos del BJT:
β = 100.
IC MAX = 500 mA.
VCE MAX = 45 V.
Tj MAX = 175 ºC.
R2 RE VBE = 0.7 V.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.

Datos del LED:

VAK = 1.5 V.
ID = 20 mA

Calcular:

Nota: No se puede despreciar la IB en los cálculos de los apartados a), b) y d).

13
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

(a) El valor de R1 y R2 para que VCE = 5 V. (Tomar como criterio de diseño que la
intensidad que pasa por R2 es 10 veces la IB). ¿Cuál será el punto Q (VCE, IC, VBE,
IB) de funcionamiento del BJT?
(b) Con las resistencias calculadas en el apartado anterior, si el BJT cambia su β a un
valor de 200. ¿Cuál será el nuevo punto Q (VCE, IC, VBE, IB) de funcionamiento del
BJT?
(c) Dibujar la recta de carga del circuito de colector y demostrar en que punto de la
recta de carga el transistor disipa la máxima potencia. (para este apartado se puede
despreciar la contribución de la IB).
(d) Si R1 tiene un valor de 10 kΩ, R2 tiene un valor de 470 Ω y sustituimos RC por un
diodo LED ¿Qué intensidad pasará por el LED?.

SOLUCIÓN
a) Como VCE = 5 V ⇒ que el BJT está en zona lineal (VCE sat < VCE < VCC), podemos aplicar
las fórmulas:

I C = β ·I B y I E = ( β + 1)·I B (1) y (2)

Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC (3)

Si sustituimos (1) y (2) en (3) tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Si despejamos IB entonces:

VCC − VCE
IB = = 45.41 µA
β ·RC + ( β + 1)·RE
Para el cálculo de R2 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2 = VBE + VRE = VBE + I E ·RE = VBE + I B ( β + 1)·RE = 1.158 V

Si tomamos como criterio de diseño que IR2 = 10·IB , podemos calcular R2 mediante la
aplicación de la ley de Ohm.

VR 2 V 1.158 V
R2 = = R2 = = 2551.40 Ω
I R 2 10 · I B 10 ·45.41 µA

14
 Tema 4. BJT

Para el cálculo de R1 también aplicamos la ley de Ohm.

VR1 VCC − VR 2 VCC − VR 2 10 V − 1.158 V

R1 = = = = = 17698.72 Ω
I R1 I R 2 + I B 10 · I B + I B 11·45.41 µA
Resultado:

R1 = 17698.72 Ω; R2 = 2551.40 Ω
b) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base. Si calculamos VT y RT con los valores de R1, R2 tendremos:

R1 RC
RC
VCC
RT

VT VCC
R2 RE
⇔ RE

R2 2551.40 Ω
VT = ·VCC = ·10 V = 1.259 V
R2 + R1 2551.40 Ω + 17698.72 Ω
R2 ·R1 2551.40 Ω ·17698.72 Ω
RT = = = 2229.9 Ω
R2 + R1 2551.40 Ω + 17698.72 Ω
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT = I B ·RT + VBE + I E ·RE = I B ·RT + VBE + I B ·(β + 1)·RE = I B ·(RT + ( β + 1)·RE ) + VBE

Si despejamos IB:

VT − VBE
IB = = 25.07 µA
RT + ( β + 1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:
15
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Despejando VCE:

VCE = VCC − β ·I B ·RC − ( β + 1)·I B ·RE = 4.48 V

Como VCE > 0.2 V implica que el BJT está en la zona lineal, la suposición ha sido
acertada. Falta calcular IC, lo haremos con la fórmula (1).

I C = β ·I B = 200 ·25.07 mA = 5.015 mA

Resultado:
IC = 5.015mA; IB = 25.07 µA; VCE = 4.48 V; VBE = 0.7 V;
c) Para la dibujar la recta de carga partimos de la ecuación:

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC

Si hacemos la aproximación de IC ≅ IE entonces:

VCC = I C ·RC + VCE + I C ·RE = I C ·(RC + RE ) + VCE (4)

Si calculamos los puntos de corte con los ejes:
IC (mA)

10
(9.09)
VCC
Si VCE = 0 ⇒ I C = = 9.09 mA 8

RC + RE
6
Si I E = 0 ⇒ VCE = VCC = 10 V
4

VCE (V)

2 4 6 8 10

Vamos a ver cuál es la disipación de potencia del BJT.

PBJT = VCE · I C + VBE · I B ≈ VCE · I C (5)

De la malla de colector (4) podemos calcular cuanto vale IC:

VCC − VCE
IC = (6)
RC + RE

16
 Tema 4. BJT

Si sustituimos (6) en (5) tendremos:

 V − VCE   VCC  VCE

2
PBJT = VCE · I C + VBE · I B ≈ VCE · I C = VCE · CC  = VCE ·  − R + R
 RC + RE   RC + RE  C E

Si derivamos la potencia con respecto a VCE e igualamos a 0 tendremos:

(PBJT )´! = VCC V

− 2 CE = 0 = VCC − 2VCE ⇒ VCE =
VCC
⇒ c.q.d .
RC + RE RC + RE 2
d) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base.

R1 LED LED
VCC

RT

⇔
VT VCC
R2 RE
RE

Si calculamos VT tendremos:

R2 470 Ω
VT = ·VCC = ·10 V = 0.4489 V
R2 + R1 470 Ω + 10000 Ω
Como VT es menor que 0.7 V, el BJT estará en corte.
Por lo tanto IB = IC = IE = ILED =0.
Resultado:
ILED =0 A

17
Problemas de Dispositivos Electrónicos

PROBLEMA 4.6.
Dados los siguientes circuitos:

RC R1 RC
R1 VCC VCC

R2 R2
RE

Circuito 1 Circuito 2

Datos de los circuitos 1 y 2:

Vcc = 20 V
R1 = 8.2 KΩ
VBE = 0.7 V
R2 = 330 Ω
VCEsat = 0.2 V
RE = 100 Ω
ß = 50

Nota: No despreciar Ib si no se indica lo contrario.

(a) Calcule el valor de RC para que VCE=VCC/2, en el circuito 1.
(b) Calcule el valor mínimo de RC necesario para que el BJT del circuito 1 esté en
saturación.
(c) Al cambiar los BJTs de los circuitos 1 y 2, la ß pasa de valer 50 a valer 120. Para
ver cómo afecta esto al funcionamiento del circuito, rellene la siguiente tabla
utilizando para ambos circuitos un valor de RC = 150 Ω.

Circ. 1 Circ. 1 Circuito 1 Circ. 2 Circ. 2 Circuito 2

ß = 50 ß = 120 % Variación ß = 50 ß = 120 % Variación
Situación inicial Situación inicial
ß 50 120 140 % 50 120 140 %
Ic
VCE

18
 Tema 4. BJT

(d) Para el circuito 1, demuestre de manera teórica que el mayor consumo de potencia
se produce cuando Vce = Vcc/2. Nota: Considere despreciable la contribución de
Ib al cálculo de la potencia.

SOLUCIÓN
a) Para calcular RC debemos fijarnos en la malla del circuito de colector:

I C ·RC + VCE = VCC

Si despejamos RC tendremos:

VCC − VCE
RC = (1)
IC
De esta ecuación desconocemos IC, deberemos hallarla mediante la malla del circuito de
base, para ello realizaremos el circuito equivalente de Thevenin.

R1 RC RC
VCC
RT

VT VCC

R2 ⇔

R2 330 Ω
VT = ·VCC = ·20 V = 0.7737 V
R2 + R1 330 Ω + 8200 Ω
R2 ·R1 330 Ω·8200 Ω
RT = = = 317.23 Ω
R2 + R1 330 Ω + 8200 Ω
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, además sabemos que estará en
la zona lineal. Entonces en la malla de base tendremos:

VT = I B ·RT + VBE

19
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

Si despejamos IB:

VT − VBE
IB = = 0.2324 mA
RT
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

I C = β ·I B = 11.62 mA
Aplicando la ecuación (1) tendremos:

VCC − VCE 20 V − 10 V
RC = = = 860.41 Ω
IC 11.26 mA
Resultado:

RC = 860.41 Ω
b) Para este apartado nos valen los cálculos realizados en el apartado a), como seguiremos en
zona lineal la IB seguirá siendo la misma y por lo tanto la IC también.

VCC − VCE 20 V − 0.2 V

RC = = = 1703.66 Ω
IC 11.26 mA
Resultado:

RC = 1703.66 Ω
c) Para este apartado debemos analizar cada circuito por separado, empezaremos por el
circuito 1 y suponemos que estamos en zona lineal.
Si β=50 la IB = 0.2324 mA y la IC = 11.62 mA (ambos valores calculados en a) ).
Para calcular VCE debemos fijarnos en la malla del circuito de colector:

I C ·RC + VCE = VCC

Si despejamos VCE tendremos:

VCE = VCC − RC ·I C = 20 V − 150 Ω · 11.62 mA = 18.257 V

Si β=120 la IB = 0.2324 mA (valor calculado en a) ).

I C = β ·I B = 120 · 0.2324 mA = 27.879 mA

Para calcular VCE debemos fijarnos en la malla del circuito de colector:

20
 Tema 4. BJT

I C ·RC + VCE = VCC

Si despejamos VCE tendremos:

VCE = VCC − RC ·I C = 20 V − 150 Ω · 28.104 mA = 15.78 V

Ahora toca analizar el circuito 2, empezaremos por hacer el equivalente de Thevenin.

R1 RC
RC
VCC
RT

VT VCC
R2 RE
⇔ RE

R2 330 Ω
VT = ·VCC = ·20 V = 0.7737 V
R2 + R1 330 Ω + 8200 Ω
R2 ·R1 330 Ω·8200 Ω
RT = = = 317.23 Ω
R2 + R1 330 Ω + 8200 Ω
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT = I B ·RT + VBE + I E ·RE = I B ·RT + VBE + I B ·(β + 1)·RE = I B ·(RT + ( β + 1)·RE ) + VBE

Si β=50
Si despejamos IB:

VT − VBE
IB = = 13.61 µA
RT + ( β + 1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

21
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

Despejando VCE:

VCE = VCC − β ·I B ·RC − ( β + 1)·I B ·RE = 19.828 V

Como VCE > 0.2 V implica que el BJT está en la zona lineal, la suposición ha sido
acertada. Falta calcular IC, lo haremos con la fórmula (1).

I C = β ·I B = 50 ·13.61 µA = 680.6 µA
Si β=120
Si despejamos IB:

VT − VBE
IB = = 5.938 µA
RT + ( β + 1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Despejando VCE:

VCE = VCC − β ·I B ·RC − ( β + 1)·I B ·RE = 19.821 V

Como VCE > 0.2 V implica que el BJT está en la zona lineal, la suposición ha sido
acertada. Falta calcular IC, lo haremos con la fórmula (1).

I C = β ·I B = 50 ·13.61 µA = 712.62 µA
Resultados:

Circuito 1 Circuito 1 Circuito 1 Circuito 2 Circuito 2 Circuito 2

ß = 50 ß = 120 % Variación ß = 50 ß = 120 % Variación
ß 50 120 140 % 50 120 140 %
Ic 11.62 mA 27.88 mA 141.8 % 680.6 µA 712.62 µA 4.705 %
VCE 18.27 V 15.78 V -13.63 % 19.828 V 19.821 V -0.035 %
d) Vamos a ver cual es la disipación de potencia del BJT.

PBJT = VCE · I C + VBE · I B ≈ VCE · I C (2)

De la malla de colector podemos calcular cuanto vale IC:

22
 Tema 4. BJT

VCC − VCE
IC = (3)
RC
Si sustituimos (3) en (2) tendremos:

 VCC − VCE   VCC  VCE 2

PBJT = VCE · I C + VBE · I B ≈ VCE · I C = VCE ·  = VCE ·  −
 RC   RC  RC
Si derivamos la potencia con respecto a VCE e igualamos a 0 tendremos:

(PBJT )´! = VCC − 2 VCE = 0 = VCC − 2VCE ⇒ VCE =

VCC
⇒ c.q.d .
RC RC 2

PROBLEMA 4.7.
Datos del transistor a 20 ºC:
A
R1 RC VBE= 0.7 V
ICMAX=0.5 A
VCC β=100
B C PMAX=0.5W
VCESAT=0.2 V
Rthj-a= 100 K/W

Nota: Rthj-a es la resistencia térmica entre

R2 RE la unión del transistor y el ambiente.

Datos del circuito:

RC = 1 KΩ
RE = 100 Ω
R2 = 10 KΩ;
VCC = 12 V.
(a) R1 es una resistencia variable. ¿Qué valor óhmico debe tener entre sus terminales
A y B para que la tensión VCE del transistor sea de 6 V? Si se dispone de
potenciómetros cuyas resistencias nominales son de 1 kΩ, 10 kΩ, 100 kΩ y 1MΩ
con Pn= 500 mW? ¿Qué potenciómetros podrían usarse?
(b) Si cambiamos la resistencia variable por una resistencia de 10 kΩ, determinar cuál
es punto Q de funcionamiento del transistor. (VCE, IC, VBE, IB) y la temperatura que
alcanza en la unión si la temperatura ambiente es de 20 ºC

23
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

SOLUCIÓN
a) Como VCE = 6 V ⇒ que el BJT está en zona lineal (VCE sat < VCE < VCC), podemos aplicar
las fórmulas:

I C = β ·I B y I E = ( β + 1)·I B (1) y (2)

Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC (3)

Si sustituimos (1) y (2) en (3) tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Si despejamos IB entonces:

VCC − VCE
IB = = 54.49 µA
β ·RC + ( β + 1)·RE
Para el cálculo de R1 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2 = VBE + VRE = VBE + I E ·RE = VBE + I B ( β + 1)·RE = 1.2504 V

Necesitamos averiguar la IR2:

VR 2 1.2504 V
I R2 = = = 125.04 µA
R2 10 KΩ
Para el cálculo de R1 aplicamos la ley de Ohm.

VR1 VCC − VR 2 12 V − 1.2504 V

R1 = = = = 59874.03 Ω
I R1 I R 2 + I B 125.04 µA + 54.49 µA
Podemos usar potenciómetros cuyo valor de resistencia nominal sea mayor a este valor.
Resultado:

Potenciómetros de 100 K Ω y 1 M Ω
b) Ahora tenemos un sencillo circuito con un BJT y 4 resistencias. Para el análisis del circuito
deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de base.

24
 Tema 4. BJT

R1 RC
VCC RC
RT

VT VCC
R2 RE

⇔ RE

R2 10 KΩ
VT = ·VCC = ·12 V = 6 V
R2 + R1 10 KΩ + 10 KΩ
R2 ·R1 10 KΩ·10 KΩ
RT = = = 5 KΩ
R2 + R1 10 KΩ + 10 KΩ
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT = I B ·RT + VBE + I E ·RE = I B ·RT + VBE + I B ·(β + 1)·RE = I B ·(RT + ( β + 1)·RE ) + VBE

Si despejamos IB:

VT − VBE
IB = = 0.3509 mA
RT + ( β + 1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Despejando VCE:

VCE = VCC − β ·I B ·RC − ( β + 1)·I B ·RE = −26.64 V

Como VCE < 0.2 V implica que el BJT está en saturación. La IB no es la calculada
anteriormente, tendremos que modificar nuestros criterios. La VCE será la de saturación
(VCE sat = 0.2 V) y además IC < β·IB . En el circuito equivalente las ecuaciones de malla
serán:
25
Problemas de Dispositivos Electrónicos

VCC = RC ·I Csat + VCEsat + RE ·(I Csat + I B ) (4)

VT = RT ·I B + VBE + RE ·(I Csat + I B ) (5)
Aquí tenemos un sistema de ecuaciones con 2 incógnitas, si despejamos tendremos que:

RE
VCC − ·(VT − VBE ) − VCEsat
RT + RE
I Csat = 2
= 10.65 mA
RE
RC + RE −
RT + RE
VT − VBE − RE ·I Csat
IB = = 0.8304 mA
RT + RE
La potencia disipada por el BJT será:

PBJT = VCE · I C + VBE · I B = 2.711 mW

La temperatura alcanzada será de:

TJ =
Tamb + PBJT · Rth =
20 º C + 2.711 mW ·100 º C / W =
20.27 º C
Resultado:
IC = 10.65 mA; IB = 0.8304 mA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V; Tj = 20.27 ºC
Podemos simplificar los cálculos si en (4) hacemos la siguiente aproximación:
VCC = RC ·I Csat + VCEsat + RE ·(I Csat + I B ) ≈ RC ·I Csat + VCEsat + RE ·I Csat = VCEsat + ( RE + RC )·I Csat
Si despejamos ICsat entonces:
VCC − VCEsat 12 V − 0.2 V
I Csat ≈ = = 10.72 mA
RE + RC 100 Ω + 1000 Ω
Si con este valor despejamos en (5) el valor de IB tendremos:

VT − VBE − RE ·I Csat
IB ≈ = 0.8289 mA
RT + RE
Resultado aproximado:
IC = 10.72 mA; IB = 0.8289 mA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V; Tj = 20.19 ºC

26
 Tema 4. BJT

PROBLEMA 4.8.
RC

RB
1K

VI
VCC
10 K

VI es una señal cuadrada de niveles comprendidos entre 0 V y +12V y una frecuencia de 1

MHz. Representa sincronizadamente en función del tiempo VI, IC y VCE.

SOLUCIÓN
Como VI es una señal cuadrada, tendrá dos posibles valores, un valor será 0V y el otro será
12 V.
Para VI = 0 V el BJT estará en corte, con lo cual IB = 0 A; IC = 0 A y VCE = VCC = 12 V.
Para VI = 12 V el BJT estará en conducción, bien en la zona lineal o bien en saturación,
debemos analizar el circuito para averiguarlo. Como primera hipótesis de trabajo,
supondremos que el BJT está en la zona lineal, por lo tanto el circuito será:
RC

RB
1K

VI
VCC
10 K

VI = I B ·RB + VBE
Si despejamos IB:

27
Problemas de Dispositivos Electrónicos

VI − VBE
IB = = 1.13 mA
RB
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

I C = β ·I B = 113 mA
Aplicando las ecuaciones de colector tendremos:

VCE = VCC − I C ·RC = −101 V

Como VCE < 0.2 V ⇒ que el BJT está en saturación por lo tanto VCE = VCEsat.=0.2 V

VCC − VCEsat
I Csat = = 11.8 mA
RC
Para VI = 12 V el BJT estará en saturación, con lo cual IC = 11.8 mA y VCE = 0.2 V.

VIN 12 V

VCE 12 V
0.2 V

IC 11.8 mA

28
 Tema 4. BJT

PROBLEMAS DE AMPLIACIÓN
PROBLEMA 4.9.
Sea el siguiente circuito:

Datos:
LED AZUL. (modelo aproximado)
VT= 2.5 V, IDmax = 20 mA
LED ROJO. (modelo aproximado)
VT= 1.5 V, IDmax = 20 mA
DIODO SCHOTTKY (modelo aproximado)
VT= 0.2 V a IDmáx = 1000 mA
BJT
Beta =100, VBE=0.6 V, VCEsat= 0.2 V
Circuito
Vcc= 5 V, R2= 44 kΩ
Nota: En los cálculos NO se puede despreciar la Intensidad de base

Se pide:

(a) Calcular la IC, VCE y la intensidad que pasa por el diodo Schottky.
(b) Si ahora conectamos el diodo schottky al revés. Calcular la IC, VCE y la intensidad
que pasa por el diodo Schottky.

SOLUCIÓN
a) El diodo Schottky está polarizado en inversa. Por tanto, no circulará corriente a través de él
y será como si no estuviera conectado al resto del circuito.

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝐼𝐼𝐵𝐵 = = 0.1 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑅𝑅2

Suponemos que el transistor está en activa:

29
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽 · 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 10 𝑚𝑚𝑚𝑚

Como IC>0, los diodos estarán encendidos:

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐴𝐴𝐴𝐴(𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎) − 𝑉𝑉𝐴𝐴𝐴𝐴(𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟) = 5 − 2.5 − 1.5 = 1𝑉𝑉

Como VCE>VCESat, se cumple la suposición de que el transistor está en activa. Por tanto:

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 1𝑉𝑉, 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 10 𝑚𝑚𝑚𝑚, 𝐼𝐼𝑆𝑆𝑆𝑆ℎ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 0𝐴𝐴

b) El diodo Schottky está polarizado en directa. Por tanto, la diferencia de tensión entre ánodo
y cátodo será de 0.2V. Como el diodo está en paralelo con la unión base emisor del
transistor, éste estará en corte. Por tanto:

IB=0 A, IC= 0 A

La tensión colector-emisor será:

VCE = VCC = 5V

La corriente por el diodo Schottky será:

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐴𝐴𝐴𝐴 5 − 0.2

𝐼𝐼𝑆𝑆𝑆𝑆ℎ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = = = 0.109 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑅𝑅2 44 · 103

La solución será:

VCE = 5V, IC= 0 A, 𝐼𝐼𝑆𝑆𝑆𝑆ℎ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 0.109 𝑚𝑚𝐴𝐴

PROBLEMA 4.10.
En un transistor BJT NPN en la configuración de emisor común medimos la IC y la IE
obteniéndose los siguientes valores IC = 1.035 A e IE = 1.042 A, en estas condiciones
¿Cuánto valdrán los parámetros α y β del transistor?

SOLUCIÓN
Resultado: β = 147.85 ; α = 0.9932

30
 Tema 4. BJT

PROBLEMA 4.11.
Sea el siguiente circuito:
DATOS:

R1 RC
Datos del circuito:
VCC Vcc = 12 V

Datos del BJT:

β = 100
VBE = 0.7 V
R2 RE
VCE sat = 0.2 V

Se pide:

(Nota: No hay que despreciar la contribución de IB en ningún apartado.)

(a) Si RE = 100 Ω. Calcular los valores de RC, R1 y R2 para que la VCE sea 6 V y la IC
sea 1 mA. ¿En qué estado estará el BJT?
(b) Para RC= 10 KΩ y RE=0 Ω. Indique cuánto vale la corriente que circula por el
emisor del transistor.

SOLUCIÓN
a) Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC (1)

Como el BJT está en la zona lineal (0.2 V < VCE < VCC) podemos aplicar las ecuaciones:

I C = β ·I B y I E = ( β + 1)·I B (2), (3)

Si aplicamos estas fórmulas para calcular IB e IE tendremos:

31
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

IC 1 mA
IB = = = 0.01 mA y I E = ( β + 1)·I B = (100 + 1)·0.01 mA = 1.01 mA
β 100

Si sustituimos (2) y (3) en (1) tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Despejando RC:

VCC − VCE − ( β + 1)·I B ·RE 12 V − 6 V − (100 + 1)·0.001 mA·100 Ω

RC = = = 5899 Ω
β ·I B 100·0.001 mA

Para el cálculo de R2 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2 = VBE + VRE = VBE + I E ·RE = 0.7 V + 1.01 mA·100 Ω = 0.801 V

Si tomamos como criterio de diseño que IR2 = 10·IB , podemos calcular R2 mediante la
aplicación de la ley de Ohm.

VR 2 V 0.801 V
R2 = = R2 = = 8010 Ω
I R 2 10·I B 10·10 µA

Para el cálculo de R1 también aplicamos la ley de Ohm.

VR1 VCC − VR 2 VCC − VR 2 12 V − 0.801 V

R1 = = = = = 101809.09 Ω
I R1 I R 2 + I B 10·I B + I B 11·10 µA

Resultado:
RC = 5899 Ω; R2 = 8010 Ω; R1 = 101809.09 Ω;
Estado BJT = Zona Lineal

b) Para este apartado hay que analizar el circuito, lo más sencillo es calcular el circuito
equivalente Thevenin de la malla de base, con esto tendremos:

32
 Tema 4. BJT

R1 RC RC
VCC
RT

⇔ VT VCC

R2 RE
RE

Si calculamos VT tendremos:

R2 1000 Ω
VT = ·VCC = ·12 V = 0.1188 V
R2 + R1 1000 Ω + 100000 Ω
Como VT es menor que 0.7 V, el BJT estará en corte. Por lo tanto IB = IC = IE = 0, para
saber cuanto vale VCE tendremos que usar la ecuación de la malla de colector.

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC

Si despejamos VCE tendremos:

VCE = VCC − I C ·RC − I E ·RE = VCC − 0·RC − 0·RE = VCC = 12 V

Para saber cuanto vale VBE tendremos que usar la ecuación de la malla del circuito de base.

I B ·RT + VBE + I E ·RE = VT

Si despejamos VBE tendremos:

VBE = VT − I B ·RT − I E ·RE = VT − 0·RT − 0·RE = VT = 0.1188 V

Resultado:
IC = IB = 0 A; VCE=12 V; VBE = 0.1188 V;
Estado BJT = CORTE
c) El circuito en este apartado tendrá la siguiente configuración:

33
Problemas de Dispositivos Electrónicos

R1
RC

Aquí podemos calcular la IB fácilmente:

VR1 VCC − VBE 12 V − 0.7 V

I B = I R1 = = = = 113 µA
R1 R1 100 KΩ
Para el cálculo de IC podríamos hacer el supuesto de que el BJT esté en zona lineal,
entonces:

I C = β ·I B = 100·113 mA = 11.3 mA
De la malla de colector sacaríamos el valor de VCE de la forma:

VCE = VCC − I C ·RC = 12 V − 11.3 mA·6500 Ω = −51.28 V

Como VCE < 0.2 V implica que el BJT está en saturación. La IC no es la hallada
anteriormente, tendremos que calcular la IC de saturación mediante la fórmula:

I C sat ·RC + VCE sat = VCC

Despejando ICsat tendremos:

VCC − VCEsat 12 V − 0.2 V

I Csat = = = 2.107 mA
RC 5600 Ω
Resultado:
IC = 2.107 mA; IB = 113 µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;
Estado BJT = SATURACIÓN

34
 Tema 4. BJT

PROBLEMA 4.12.
En el siguiente circuito:

Datos del circuito:

VCC = 5 V.
RC = 10 KΩ.
R1 RC RE = 1 KΩ.
VCC
Datos del BJT:
β = 100.
IC MAX = 200 mA.
VCE MAX = 20 V.
Tj MAX = 175 ºC.
R2 RE
VBE = 0.7 V. (en la zona lineal)
PMAX = 250 mW.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.

Calcular:

Nota: No se puede despreciar la IB para los cálculos de los apartados a), b) y c).

(a) El valor de R1 y R2 para que VCE = 2.5 V. (Tomar como criterio de diseño que la
intensidad que pasa por R2 es 10 veces la IB).
(b) Si R2 vale 10 KΩ y R1 vale 100 kΩ ¿Cuál será el nuevo punto Q (VCE, VBE, IB, IC)
de funcionamiento del BJT?
(c) Si R2 vale 100 KΩ y R1 vale 100 kΩ y además sustituimos el transistor del
circuito por otro cuya β = 300. ¿Cuál será el nuevo punto Q (VCE , VBE, IB, IC) de
funcionamiento?

SOLUCIÓN
a) Como VCE = 2.5 V ⇒ que el BJT está en zona lineal (VCE sat < VCE < VCC), podemos aplicar
las fórmulas:

I C = β ·I B y I E = ( β + 1)·I B (1) y (2)

Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:

35
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC (3)

Si sustituimos (1) y (2) en (3) tendremos:

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Si despejamos IB entonces:

VCC − VCE
IB = = 2.2706 µA
β ·RC + ( β + 1)·RE
Para el cálculo de R2 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2 = VBE + VRE = VBE + I E ·RE = VBE + I B ( β + 1)·RE = 0.9233 V

Si tomamos como criterio de diseño que IR2 = 10·IB , podemos calcular R2 mediante la
aplicación de la ley de Ohm.

VR 2 V 0.9233 V
R2 = = R2 = = 40928 Ω
I R 2 10·I B 10·2.2706 µA
Para el cálculo de R1 también aplicamos la ley de Ohm.

VR1 VCC − VR 2 VCC − VR 2 5 V − 0.9233 V

R1 = = = = = 162974.54 Ω
I R1 I R 2 + I B 10·I B + I B 11·2.2706 µA
Resultado:

R2 = 40928 Ω; R1 = 162974.54 Ω
b) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base.

R1 RC
RC
VCC
RT

VT VCC
⇔
R2 RE

RE

36
 Tema 4. BJT

Si calculamos VT tendremos:

R2 10000 Ω
VT = ·VCC = ·5 V = 0.4545 V
R2 + R1 10000 Ω + 100000 Ω
Como VT es menor que 0.7 V, el BJT estará en corte. Por lo tanto IB = IC = IE = 0, para
saber cuanto vale VCE tendremos que usar la ecuación de la malla de colector.

I C ·RC + VCE + I E ·RE = VCC

Si despejamos VCE tendremos:

VCE = VCC − I C ·RC − I E ·RE = VCC − 0·RC − 0·RE = VCC = 5 V

Para saber cuánto vale VBE tendremos que usar la ecuación de la malla del circuito de base.

I B ·RT + VBE + I E ·RE = VT

Si despejamos VBE tendremos:

VBE = VT − I B ·RT − I E ·RE = VT − 0·RT − 0·RE = VT = 0.4545 V

Resultado:
IC = IB = 0 A; VCE = 5 V; VBE = 0.4545 V;
c) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base. Si calculamos VT y RT con los nuevos valores de R1, R2 y β tendremos:

R2 100 KΩ
VT = ·VCC = ·5 V = 2.5 V
R2 + R1 100 KΩ + 100 KΩ
R2 ·R1 100 KΩ·100 KΩ
RT = = = 50 KΩ
R2 + R1 100 KΩ + 100 KΩ
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT = I B ·RT + VBE + I E ·RE = I B ·RT + VBE + I B ·(β + 1)·RE = I B ·(RT + ( β + 1)·RE ) + VBE
Si despejamos IB:

VT − VBE
IB = = 5.1282 µA
RT + ( β + 1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:
37
Problemas de Dispositivos Electrónicos

β ·I B ·RC + VCE + ( β + 1)·I B ·RE = VCC

Despejando VCE:

VCE = VCC − β ·I B ·RC − ( β + 1)·I B ·RE = −11.928 V

Como VCE < 0.2 V implica que el BJT está en saturación. La IB no es la calculada
anteriormente, tendremos que modificar nuestros criterios. La VCE será la de saturación
(VCE sat = 0.2 V) y además IC < β·IB . En el circuito equivalente las ecuaciones de malla
serán:

VCC = RC ·I Csat + VCEsat + RE ·(I Csat + I B ) (4)

VT = RT ·I B + VBE + RE ·(I Csat + I B ) (5)

Aquí tenemos un sistema de ecuaciones con 2 incógnitas, si despejamos tendremos que:

RE
VCC − ·(VT − VBE ) − VCEsat
RT + RE
I Csat = 2
= 433.93 µA
RE
RC + RE −
RT + RE
VT − VBE − RE ·I Csat
IB = = 26.78 µA
RT + RE
Resultado:
IC = 433.93µA; IB = 26.78µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;
Podemos simplificar los cálculos si en (4) hacemos la siguiente aproximación:
VCC = RC ·I Csat + VCEsat + RE ·(I Csat + I B ) ≈ RC ·I Csat + VCEsat + RE ·I Csat = VCEsat + ( RE + RC )·I Csat
Si despejamos ICsat entonces:
VCC − VCEsat 5 V − 0.2 V
I Csat ≈ = = 436.36 µA
RE + RC 1 KΩ + 10 KΩ
Si con este valor despejamos en (5) el valor de IB tendremos:

VT − VBE − RE ·I Csat
IB ≈ = 26.738 µA
RT + RE
Resultado aproximado:

38
 Tema 4. BJT

IC ≅ 436.36 µA; IB ≅ 26.73 µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;

PROBLEMA 4.13.
Sea el siguiente circuito:

Datos de las resistencias:

R1 RC R1 = 4.7 KΩ, R2 = 1 KΩ, RC = 100 Ω

VCC Datos del Transistor a 25 ºC de temperatura
ambiente:
VCEsat = 0.2 V, VBE = 0.7 V, β = 100,
IBMAX = 100 mA, ICMAX = 1A
R2 PMAX = 0.5 W, VCEMAX = 30 V
RTH = 200 ºC/W.
Temperatura máxima en la unión B-C del transistor =
125 ºC

(a) Si VCC = 4.5 V y la temperatura ambiente es de 25 ºC. ¿Cuánto valdrá el punto Q

de polarización? (Para el punto Q hay que hallar los valores de VCEQ, ICQ, IBQ y
VBEQ).
(b) Si VCC = 20 V ¿A qué temperatura ambiente máxima podrá trabajar el transistor
en régimen permanente?
(c) Si VCC = 20 V y la temperatura ambiente es de 25 ºC. ¿Estará toda la recta de
carga dentro de la zona de funcionamiento seguro? En caso contrario especificar
que zonas de la recta de carga están fuera de la zona de operación segura (SOA)
del transistor. (En este apartado se puede despreciar la contribución de la IB)
(d) Si VCC= 12 V y la temperatura ambiente es de 25 ºC. ¿Cuánto debe valer R2 para
que la VCE sea de 5 V?
(e) En las condiciones del apartado d). ¿En qué punto o puntos de la recta de carga el
transistor disipa más potencia? ¿En qué punto o puntos de la recta de carga el
transistor disipa menos potencia?

Nota: Para calcular los puntos de polarización NO se debe despreciar la IB

39
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

SOLUCIÓN
a) Resultado:

IC = 10.85 mA; IB = 108.51 µA; VCE = 3.414 V; VBE = 0.7 V;

BJT = Zona lineal

b) Resultado:

Pdisipada = 55.98 mW; T amb max = 113.8 ºC.

BJT = Zona saturación

c) Resultado:

IC (mA)

200

160

120

80

40

VCE (V)

4 8 12 16 20
2.92 17.07

Rango fuera de la SOA: VCE = [2.92 V ÷ 17.07 V]

d) Resultado:

R2 = 410.73 Ω

e) Resultado:

VCE = 6 V

40
 Tema 4. BJT

PROBLEMA 4.14.
En el siguiente circuito:

Datos del circuito:

VCC = 12 V.
R1 RC
RC = 1 KΩ.
VCC
RE = 100 Ω.
Datos del BJT:
β = 100.
IC MAX = 500 mA.
R2 RE VCE MAX = 45 V.
Tj MAX = 175 ºC.
VBE = 0.7 V.
PMAX = 500 mW.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.
Calcular:

(a) El valor de R1 y R2 para que VCE = 6 V. (Tomar como criterio de diseño que la
intensidad que pasa por R2 es 10 veces la IB).
(b) Si R1 tiene un valor de 1 KΩ. ¿entre qué valores de R2 el BJT estará en corte?
(c) Si R2 tiene un valor de 1 KΩ. ¿entre qué valores de R1 el BJT estará en saturación?
(d) En el apartado a). ¿Estará el punto Q de funcionamiento dentro del área de
funcionamiento seguro (S.O.A) del BJT? Dibujar la recta de carga del circuito de
colector, situar el punto Q y dibujar la S.O.A.

Nota: No se puede despreciar la IB en los cálculos de los apartados a), b) y c).

SOLUCIÓN
a) Resultado:

R1 = 17932.27 Ω; R2 = 2294.5 Ω

b) Resultado:

41
 Problemas de Dispositivos Electrónicos

0 Ω <R2< 61.94 Ω

c) Resultado:

0 Ω <R1< 5407.11 Ω

d) Resultado:

Pd = 32.69 mW < Pmax = 500 mW

VCE = 6 V < VCE max = 45 V
IC = 5.44 mA < IC max = 500 mA

IC (mA)

20

16

12
10.89

5.44
4

VCE (V)

4 8 12 16 20
6

42