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ANÁLISIS DE FUNCIONAMIENTO DEL SCR

Cesar A Patache (853), Denis M. Tixi (856) Estudiantes de Laboratorio de Electronica II,
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo, Facultad de Informática y Electrónica, Escuela de
Control y Redes Industriales

I. INTRODUCCIÓN IV. FUNDAMENTACION TEORICA

Los semiconductores son materiales intermedios entre SCR:

conductores y aislantes, sus propiedades son muy interesantes El rectificador controlado de silicio SCR –
por lo cual hoy en día son considerados como la base de la Silicon Controlled Rectifier-, es un dispositivo
electrónica, y son los que han permitido tener prácticamente de estado sólido tipo semiconductor que
todos los aparatos electrodomésticos y conduce la corriente eléctrica en su estado de
electrónicos de los que disfrutamos hoy en día. Sin lugar a encendido y la bloquea en su estado de apagado.
dudas, el estudio de las propiedades físicas de los materiales El SCR dispone de tres terminales: Ánodo,
semiconductores y sus sorprendentes aplicaciones en el Cátodo y Puerta, la conducción de la corriente
desarrollo técnico de dispositivos eléctricos, representan una entre Ánodo y Cátodo es controlada a través del
de las revoluciones de mayor impacto sobre nuestra sociedad. terminal de puerta. Es un elemento
Para tener una idea de la real magnitud de esta revolución unidireccional sentido de la corriente es único,
podemos tomar como ejemplo los transistores, que conmutador casi ideal, rectificador y
probablemente es la aplicación tecnológica más importante de amplificador a la vez.(Nro, 2017)
los semiconductores. Los transistores están presentes entre
otros aparatos electrónicos, en televisores, teléfonos, equipos Estructura del SCR
de música, focos ahorradores, este último es el objetivo que
persigue esta práctica, dando a conocer sus tipos, sus La estructura física base de los miembros de la
características y su funcionamiento familia de los tiristores (SCR) está formada por
cuatro capas de semiconductores P y N como se
II. OBJETIVOS DE LA PRACTICA ilustra en la Figura 1, figura donde también se ha
incluido el símbolo del SCR por ser el dispositivo
1. OBJETIVO GENERAL más representativo de la familia (Nachez & Iv,
 Conocer el funcionamiento del disparo en n.d.)
corriente continua(cc) y alterna(ca) que posee
un SCR
2. OBJETIVOS ESPECIFICOS
 Conocer la estructura interna y los principales
parámetros de un SCR
 Investigar el datashet del SCR para que se
obtenga los valores necesarios para la practica
 Implementar el circuito en la protoboard y
Figura 1. Estructura y símbolo del SCR
observar los resultados.
El tiristor (SCR), está formado por cuatro capas
III. EQUIPOS Y MATERIALES
semiconductoras P y N. Estas cuatro capas
forman 3 uniones PN:
EQUIPOS MATERIALES
 U1 (P1-N1),
kit de instrumentos Sonda de osciloscopio con
ELVIS NI punta de lápiz  U2 (N1-P2)
multímetro digital Cable de timbre  U3 (P2-N2),
Sonda de laboratorio con Que se corresponden con 3 diodos. El
puntas de lagarto comportamiento de estos diodos no es
COMPONENTES DEL LA PRACTICA independiente, ya que hay capas comunes entre
V1= Fuente regulada a D1= Diodo Rectificador ellos, y por tanto habrá interacciones que
12v 1N4007 determinan el comportamiento final como en la
R1= Resistencia de 470Ω R2= Resistencia de 100Ω figura 2.(Nro, 2017)
(1/2 w) (1/2 w)
RV1= Potenciómetro de U1= SCR TIC106
1k Ω
L1= Lampara de 12 vca
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significativos, respetando los subíndices:

 F: (Forward)
 Directo R: (Reverse) Inverso
En todos los casos, para asegurar su vida útil y una
correcta operación, es indispensable no superar
los valores máximos suministrados por el
fabricante.(Nachez & Iv, n.d.; Nro, 2017)

Nomenclatura de los SCR

Figura 2: Estructura Interna del SCR La nomenclatura utilizada para distinguir los
Comparado con el diodo semiconductor, el SCR diferentes parámetros está compuesta por la
controla la entrada en conducción de la corriente magnitud (V) para la tensión, (I) para la intensidad
eléctrica entre los terminales ánodo al cátodo por medio y (P) para la potencia, seguido de diferentes
de un pulso de cebado aplicado en el terminal de puerta subíndices que describen rangos y parámetros del
(G)(Nro, 2017) elemento. Los subíndices se desglosan en la
siguiente tabla 1. (Nro, 2017)
Funcionamiento del SCR

El SCR es un dispositivo rectificador de la familia de los

tiristores, sólo permite la circulación de corriente
eléctrica en la dirección ánodo-cátodo cuando se hace
efectivo el pulso de cebado o disparo aplicado en la Figura 4: Nomenclatura de los SCR
puerta. En el caso típico de rectificación la tensión
alterna CA, monofásica o trifásica, el SCR sólo conduce Magnitud Subíndice
durante los semiciclos positivos de la señal de voltaje. 1 2 3
El SCR entra en estado de conducción cuando la tensión
V D R M
entre el ánodo y el cátodo es positiva y se aplica el pulso
de disparo en la puerta; el SCR se apaga en forma (V),(I),(P) F (Directo) R (Valor M (Valor
natural, cuando la corriente entre los dos terminales repetitivo) máximo o
principales cae por debajo de la corriente de pico)
mantenimiento especificada por el fabricante. Cuando el D (Bloqueo W (Estado RMS (Valor
SCR está encendido el voltaje ánodocátodo es del orden directo) de trabajo o eficaz)
de 1 voltio y cuando está apagado se somete a una estado
tensión inversa cuyo valor máximo no debe superar la normal de
tensión de ruptura para evitar que entre en avalancha y funcionamie
se destruya. El SCR también está apagado con tensión nto)
positiva entre ánodo y cátodo si no sea aplica el pulso T (Estado de S (Valor no AV (Valor
de cebado.(Nro, 2017) conducción) repetitivo) medio)
R (Bloqueo
inverso)
Curva Característica Tabla 1. Nomenclatura de los SCR
Modelo equivalente
En la figura 3se representa la curva característica de un Podemos utilizar el modelo equivalente de dos
tiristor (SCR) en la que se aprecia la polarización directa transistores para analizar el funcionamiento del
e inversa de la tensión ánodo-cátodo VAK, con sus tiristor. Estos transistores están conectados de
cuatro regiones respectivas. Para el primer cuadrante se forma que se obtiene una realimentación positiva.
han incluido dos gráficas, las correspondientes a una
baja corriente de gate y a corriente nula. En estado de
conducción directa, la característica se asemeja a una
resistencia de bajo valor, mientras que con polarización
inversa, una eventual conducción daría lugar a la
destrucción del tiristor en la región de avalancha por
tensión excesiva.

La corriente de ánodo depende de la corriente de

puerta y de α1 y α2 (ICOX es muy pequeña). En
algunos transistores de Si, la ganancia “α” es baja
para valores reducidos de corriente, pero aumenta
cuando lo hace la corriente. Para IG = 0, ICO1 +
ICO2 es reducida, el denominador se acerca a la
unidad (tiristor OFF). Por el contrario, cuando por
cualquier motivo aumenta la corriente de fugas
(ICO1 + ICO2) lo hace también la corriente y la
ganancia (α1+α2)Æ1 y la corriente de ánodo
tiende a infinito (tiristor ON). Cuando aumenta la
corriente de fugas debido a un aumento de la
Figura 3: Curva Característica del Diodo tensión ánodo-cátodo puede dispararse el SCR y
Se incluyen a continuación los parámetros más este método es desaconsejado en la mayoría de los
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casos.(Electrónica & Jaén, n.d.) Iv, n.d.)

Estado de conducción
𝑉𝐹(𝐴𝑉) : Valor medio de la tensión (caída de tensión
en bornes del tiristor) en conducción durante un
semiciclo, e integrada en el ciclo completo. Se
considera carga resistiva y un ángulo de
conducción de 180º. (Nachez & Iv, n.d.)

𝐼𝐹 ; 𝐼𝐹𝐴𝑉 ; 𝐼𝐹𝑅𝑀𝑆 ; Corrientes directas en el estado de

conducción
 𝐼𝐹 ; valor instantáneo
 𝐼𝐹𝐴𝑉 ; valor medio
Figura4: Modelo Equivalente
 𝐼𝐹𝑅𝑀𝑆 ; valor eficaz
Principales parámetros

 VDRM Tensión de pico repetitivo en estado de 𝐼𝐹𝐴𝑉𝑀 ; Máxima corriente directa media en el
estado de conducción, correspondiente una
bloqueo directo. (Repetitive peak off-state
voltage). Expresa el valor máximo de voltaje tensión senoidal de media onda con una carga
repetitivo para el cual el fabricante garantiza resistiva, a una determinada temperatura de
cápsula Tc y una frecuencia entre 40 y 60 Hz.
que no hay conmutación, con la puerta en
circuito abierto. 𝐼𝐹𝑅𝑀𝑆𝑀 ; Máxima corriente directa eficaz en el
 VDSM Tensión de pico no repetitivo en estado estado de conducción. (Nachez & Iv, n.d.)
de bloqueo directo. (Non -repetitive peak off - 𝐼𝐹𝑆𝑀 : Máxima corriente no repetitiva que puede
state voltage). Valor máximo de tensión en soportar en un semiciclo de conducción
sentido directo que se puede aplicar durante un (sobrecorriente de cortocircuito durante 10 ms)
determinado periodo de tiempo con la puerta 𝐼 2 𝑡: Es una medida de la sobre corriente en valor
abierta sin provocar el disparo. eficaz (no repetitiva) durante un semiciclo (se
 IL Corriente de enganche. (Latching current). utiliza para el cálculo de fusibles); su unidad es 𝐴2
Corriente de ánodo mínima que hace bascular seg. (Nachez & Iv, n.d.)
al tiristor del estado de bloqueo al estado de
conducción. Estado de bloqueo inverso
 IH Corriente de mantenimiento. (Holding 𝑉𝑅𝑅𝑀 ; Tensión inversa máxima (de pico) inversa
current). Mínima corriente de ánodo que que puede soportar el tiristor en forma repetitiva.
conserva al tiristor en su estado de conducción. 𝑉𝑆𝑅𝑀 : Tensión inversa máxima (de pico) inversa
 PGM Potencia de pico disipada en la puerta. que puede soportar el tiristor, no repetitiva.
(Peak gate power dissipation). Potencia 𝑉𝑅𝐵𝑂(𝐷𝐶) : Tensión de continua inversa permitida
máxima disipada en la unión puerta-cátodo, en al tiristor en el estado de bloqueo inverso.
el caso de que apliquemos una señal de disparo 𝐼𝑅𝑅𝑀 ; Valor de la corriente en el tiristor bloqueado
no continua. con tensión inversa (corriente de pérdida inversa)
 VGT Tensión de disparo de puerta. (Tensión Condiciones de Encendido
de encendido). (Gate voltage to trigger). 𝑉𝐺𝑇 : Tensión contínua (D.C.) necesaria para que
Tensión de puerta que asegura el disparo con circule 𝐼𝐺𝑇
tensión ánodo - cátodo en directo. 𝑉𝐺𝑅 : :Tensión máxima de pico inversa entre Gate
 IGT Corriente de disparo de puerta. (Gate y Cátodo
current to trigger). Corriente de puerta que 𝐼𝐺𝑇 : Corriente continua (D.C.) necesaria en el gate
asegura el disparo con un determinado voltaje del tiristor para que lo haga conducir
de ánodo. 𝐼𝐺𝐹 :Valor instantáneo de la corriente de gate
 DV/DT Valor mínimo de la pendiente de directa. A este valor le corresponde una tensión
tensión por debajo de la cual no se produce el 𝑉𝐺𝑇 .
cebado sin señal de puerta. 𝐼𝐻 ; Corriente de mantenimiento. Es la corriente
 DI/DT Valor mínimo de la pendiente de la mínima que requiere el tiristor para mantenerse en
intensidad por debajo de la cual no se producen conducción. Por debajo de este valor se corta la
puntos calientes.(Nro, 2017) conducción.
Estado de bloqueo directo 𝐼𝐿 ; Corriente de enganche. Es la corriente mínima
𝑉𝐵𝑂 : Tensión a la cual el tiristor pasa del estado de corte necesaria para que el tiristor entre en conducción
al de conducción para un valor dado de la corriente de y la mantenga, sin cortarse después que
gate. desaparezca el pulso de gate. (IL>IH)
𝑉(𝐵𝑂)0 : Tensión a la cual se el tiristor pasa del estado de 𝑃𝐺 ; Máximo valor instantáneo de potencia en el
corte al de conducción para corriente de gate nula. Gate.
𝑉𝐷(𝐷𝐶) : Tensión de continua directa permitida al tiristor 𝑃𝐺𝐴𝑉 : Máximo valor de potencia media que puede
en el estado de bloqueo directo. ser disipada en la compuerta sobre un ciclo
𝑉𝐷𝑅𝑀 : Máxima tensión de pico repetitivo en condición completo(Electrónica & Jaén, n.d.; Nro, 2017)
de bloqueo directo
𝑉𝐷𝑆𝑀 : Máxima tensión de pico no repetitivo en V. PROCEDIMIENTO
condición de bloqueo directo
𝐼𝐷𝑅𝑀 : Corriente de pérdidas a VDRM en condición de .
bloqueo directo (corriente de pérdida directa)(Nachez & 1. Investigar el datashet del SCR TIC106 para poder
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identificar el ando, cátodo y gate, además de los 𝑖𝐺 = 3.86𝑚𝐴

parámetros para que el SCR se pongan en 𝑅𝑣1 𝑎𝑙 40% = 400Ω
funcionamiento obteniendo los siguientes datos: 𝑖1(470 + 400) − 𝑖𝐺(400) = 12
Anexo1 400𝑖1 − (400 + 100) ∗ 𝑖𝐺 = 1.4
 VGT=1v 𝑖𝐺 = 13.02𝑚𝐴
 IGT=20mA 𝑅𝑣1 𝑎𝑙 85% = 850Ω
 IH=40mA 𝑖1(470 + 850) − 𝑖𝐺(850) = 12
2. Procedemos a armar en el protoboard la figura 5, 850𝑖1 − (850 + 100) ∗ 𝑖𝐺 = 1.4
además se documentará las actividades que se va a 𝑖𝐺 = 15.71𝑚𝐴
realizar

𝑅1 = 470Ω y R2 = 100Ω
𝑅𝑣1 𝐼𝐺 𝐸𝑆𝑇𝐴𝐷𝑂
100Ω 3.86mA Off
400Ω 13.02mA Off
850Ω 15.71mA Off
Tabla 2: Tabla de Disparo de SCR teórico

𝑅1 = 470Ω y R2 = 100Ω
Figura 5: Circuito de disparo del SCR en CC
𝑅𝑣1 𝐼𝐺 𝐸𝑆𝑇𝐴𝐷𝑂
COMPONENTES DEL LA PRACTICA 100Ω 0.07mA Off
V1= Fuente regulada a D1= Diodo Rectificador 400Ω 12mA Off
12v 1N4007
R1= Resistencia de 470Ω R2= Resistencia de 100Ω 850Ω 15mA Off
(1/2 w) (1/2 w) Tabla 3: Tabla de Disparo de SCR Practico
RV1= Potenciómetro de U1= SCR TIC106
1k Ω 4. En caso del proceso anterior donde no se observó
L1= Lampara de 12 vca que la lampará se encienda se procederá a
cambiar las resistencias de R1 y R2
3. Calcular la IG que obtendría
corriente remplazándolas en las ecuaciones planteadas y
considerando el 10%, 40% y 85% del valor del resolviendo el sistema de ecuaciones.(Anexos
potenciómetro de 1K y un voltaje teórico de 2,3,4,5)
0.7V(Anexos 2,3,4,5)
𝑅1 = 10Ω y R2 = 10Ω
𝑅𝑣1 𝐼𝐺 𝐸𝑆𝑇𝐴𝐷𝑂
100Ω 85,2mA On
400Ω 91.9mA On
850Ω 93.2mA On
Tabla 4: Tabla de Disparo de SCR teórico

𝑅1 = 10Ω y R2 = 10Ω
𝑅𝑣1 𝐼𝐺 𝐸𝑆𝑇𝐴𝐷𝑂
100Ω 80mA On
400Ω 97mA On
850Ω 102mA On
Tabla 5: Tabla de Disparo de SCR teórico

5. Se procede hacer las mediciones de

Figura 6: Circuito SCR identificación de intensidades voltaje entre ánodo y cátodo VAK, voltaje
en los terminales del potenciómetro VP1 y
de corriente de ánodo IA, verifique si el
𝐿𝑉𝐾 𝑀𝐴𝐿𝐿𝐴 𝐼
estado del SCR sea “desactivado” y que la
−12 + 𝑖1 ∗ 𝑅1 + 𝑅𝑣1(𝑖1 − 𝑖𝐺) = 0
−12 + 𝑖1 ∗ 𝑅1 + 𝑅𝑣1 ∗ 𝑖1 − 𝑅𝑣1 ∗ 𝑖𝐺 = 0 lampara piloto este apagada.
𝑖1(𝑅1 + 𝑅𝑣1) − 𝑖𝐺(𝑅𝑣1) = 0
𝐿𝐶𝐾 𝑀𝐴𝐿𝐿𝐴 𝐼𝐼 𝑉𝐴𝐾 12V 0.05V
0.7 + 𝑖𝐺 ∗ 𝑅𝑣1 − 𝑖1 ∗ 𝑅𝑣1 + 𝑖𝐺 ∗ 𝑅2 + 0.7 𝑉𝑅1 1.46V 1.65V
𝑖1 ∗ 𝑅𝑣1 − 𝑖𝐺(𝑅𝑣1 + 𝑅2) = 1.4 𝐼𝐴 0A 496mA
𝑅𝑣1 𝑎𝑙 10% = 100Ω Estado Off On
𝑖1(470 + 100) − 𝑖𝐺(100) = 12 Tabla 4: medición de voltajes en los estados de
100𝑖1 − (100 + 100) ∗ 𝑖𝐺 = 1.4 on y off
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6. Procedemos a armar en el protoboard la figura 7, para funcionar o desactivarse según sea el caso
además se documentará las actividades que se va a
realizar

Figura 9: Onda con un PV>90%

Figura 7: disparo del SCR en corriente alterna Para el punto 8 y 9 la señal es rectificada ya que en el
semiciclo negativo la intensidad será menor a la IG de
COMPONENTES DEL LA PRACTICA tal manera el SCR se desactivara
V1= voltaje de generador R1= Resistencia de 470Ω VI. COCLUCIONES
de 10Vpp a 10Hz (1/2 w) Existen diferentes marcas de fabricantes de SCR
R2= Resistencia de 100Ω R3= Resistencia de 1Ω pero todos cumplen la misma función la cual es
(1/2 w) (1/2 w) que al recibir una intensidad mayor o igual a la IG
RV1= Potenciómetro de U1= SCR TIC106
1k Ω o mayor al voltaje que los encontramos en el
L1= Lampara de 12 vca datashet del SCR, este se procede activar

7. Configure el generador de señales del ELVIS El SCR al momento que se activa, de tal manera
para generar una señal sinusoidal de 10Vpp, este permanecerá encendido sin importar que el
10Hz y 0V de offset. Verifique con el potenciómetro varié, este se desactivará siempre y
osciloscopio que la señal se está generando cuando se quite la fuente.
correctamente.
La IG es la intensidad la cual se debe superar para
que el SCR entre en funcionamiento si no lo es
8. Configure el potenciómetro que sea menor al 5% este permanecerá desactivado.
de 1K Observe las señales, recolecte datos e
interprete los resultados. Las intensidades varían según la R1 y R2 están
nos darán la intensidad la cual puede ser mayor o
Vpp= 84.40mmV menor que IG según sea el caso

La señal de entrada es recortada ya que el voltaje no es igual VII. RECOMENDACIONES

al de la entrada de tal manera el SCR conduce con una señal
recortada aproximadamente un 25% Para armar en el protoboard identificar primero
los pines del SCR los cuales son ánodo, cátodo y
gate, de tal manera se lo tiene que realizar con el
datashet respectivo del SCR a utilizar.

Tener cuidado en la configuración de Elvis el cual

se lo puede cponfigurar de forma manual o
automática dependiendo el caso se lo conectara
para obtener los voltajes y la señal generada.

Para realizar el cambio de alguna resistencia o

cualquier elemento del circuito armado siempre se
apagará para poder cambiarlo con tal de evitar un
problema ya sea que se queme alguno de los
elementos a utilizar
Figura 8: Señal con el PV<5%
En la activación mediante una señal de CA hay
que tener cuidado en el valor de R3 ya que la
9. Configure el potenciómetro que sea mayor al señal que se desea mostrar no sé notara.
95% de 1K Observe las señales, recolecte datos
e interprete los resultados.

La señal se recorta un 10% aproximado y esto lo

realiza por el SCR el cual depende de la intensidad
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VIII. REFERENCIAS

Electrónica, D. De, & Jaén, U. (n.d.). Prof . J . D . Aguilar

Peña.
Nachez, A., & Iv, A.---E. (n.d.). Características y
Principios de Funcionamiento.
Nro, C. I. (2017). Rectificador Controlado de Silicio (
SCR ), 1.
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