543208 – Electrónica

Capítulo 2: Diodos
Felipe Villarroel
2018-2

10-09-2018 1
 Introducción
• El diodo es el dispositivo electrónico no lineal más simple
• Característica i-v no es una línea recta

• Su comportamiento depende de la polaridad de la tensión aplicada

• Se compone de 2 materiales diferentes de forma que la corriente fluye

fácilmente en una dirección pero no en la otra

• Los diodos actuales de silicio y germanio (estado sólido) datan de los

50s.

10-09-2018 2
 Introducción
Ejemplo: Diodos 1N4007 y 1N4148

Diodo 1N4007 Diodo 1N4148

10-09-2018 3
 Construcción del diodo

• Los diodos están constituidos por la unión

de un material semiconductor tipo p y uno
tipo n.
• El lado p del diodo se denomina ánodo y
el lado n cátodo.
• Los materiales más empleados son: silicio, germanio, y arseniuro de galio
• En la vecindad de la unión p-n se forma una región desértica o de
deplexión (región con muy pocos portadores)

10-09-2018 4
 Construcción del diodo
Circuito abierto

• Los huecos de la región p se difunden a la región n, mientras que los

electrones de la región n se difunden hacia la región p.
• Estas componentes se traducen en una corriente de difusión ID
• Los electrones se recombinan con los huecos de la región p, mientras que
los huecos se recombinan con los electrones de la región n.
• Se genera una barrera de potencial que limita la corriente de difusión.
• La corriente de difusión se define del lado p al lado n

10-09-2018 5
 Construcción del diodo
Circuito abierto

• Existe también otra corriente producto del desplazamiento de portadores

minoritarios a través de la unión.
• Algunos de los huecos generados térmicamente en el material n se
difunden hacia la región desértica y se deslizan hacia el lado p debido al
campo eléctrico. Lo mismo pasa con los electrones.
• Esto genera la corriente de desplazamiento IS
• La corriente de desplazamiento se define del lado n al p
• En circuito abierto no hay corriente neta por lo que: ID = IS

10-09-2018 6
 Construcción del diodo
Polarización directa

• Al aplicar un potencial positivo al material p en relación al n se dice que

el diodo está en polarización directa
• El potencial externo mueve electrones del material p al material n a través
del circuito externo. Esto añade electrones al lado n y huecos al lado p.
• Se reduce la región de deplexión y la barrera de potencial.
• La corriente puede fluir con mayor facilidad.
• Se debe cumplir en equilibrio que: ID – IS = I

10-09-2018 7
 Construcción del diodo
Polarización inversa

• La fuente de tensión mueve electrones del material n al material p

• Se crean iones adicionales a ambos lados de la unión
• Se incrementa la barrera de potencial y se ensancha la región de
deplexión. El diodo ahora actúa como aislante.
• Como la corriente de difusión es despreciable entonces iD = -Is

10-09-2018 8
 Característica i-v

Ideal

Práctica
10-09-2018 9
 Característica i-v
Diferencias respecto al ideal

• Existe corriente significativa solo si vD > Vγ

• Para diodos de silicio Vγ ≈ 0.7 [V]
• Cuando el diodo está polarizado en forma
inversa existe una pequeña corriente de fuga
• Existe una tensión inversa que puede dañar un
diodo normal
• Tensión inversa peak (peak inverse voltage)
• Se genera una gran corriente inversa con un pequeño aumento de
tensión
• Se distinguen 3 zonas: región de conducción en polarización directa,
corte en polarización inversa y conducción en polarización inversa

10-09-2018 10
 Modelos de gran señal

Modelo diodo ideal

Modelo diodo con tensión de

codo

10-09-2018 11
 Modelos de gran señal

Modelo aproximado lineal

Para polarización directa e

inversa
Rr: resistencia polarización inversa (MΩ)
Rf: resistencia de bloque y contacto (< 50Ω)

10-09-2018 12
 Modelos de gran señal
Ejemplo 1: Obtener VA. Considere el diodo como ideal.

Diodo en conducción: Supongamos que la corriente circula de la fuente

+12 V a la fuente de -8 V. El diodo estaría en conducción.

12  (8)
iD   2 mA
10k

Para comprobar el resultado lo

graficamos en la curva del diodo

10-09-2018 13
 Modelos de gran señal
Ejemplo 1: Obtener VA. Considere el diodo como ideal.

Diodo cortado: Supongamos que no circula corriente. El diodo estaría

cortado.
En este caso el voltaje del diodo debería ser:

vD  12  (8)  20 V
Dado que no hay circulación de corriente iD = 0 A

Este resultado está fuera de la

curva del diodo por lo que no es
correcto

10-09-2018 14
 Modelos de gran señal
Ejemplo 2: Obtener VC. Considere el diodo como ideal.

Diodo en conducción:

Se reemplaza la parte izquierda

por su equivalente Thevenin

1
5  2.5kiD  5kiD  6  0  iD   0.13 mA Imposible!
7.5k

10-09-2018 15
 Modelos de gran señal
Ejemplo 2: Obtener VC. Considere el diodo como ideal.

Diodo cortado:

vD  5  6  1 V
Diodo está polarizado en forma
inversa por lo que no circula corriente
Se reemplaza la parte izquierda
por su equivalente Thevenin

Dado que el diodo está cortado, VC = 6 V

10-09-2018 16
 Modelos de gran señal
Ejemplo 3: Obtener VA. Considere el modelo con tensión de codo.

Diodo en conducción:

12  (0.7  8)
iD   1.93 mA
10k

Para comprobar el resultado lo

graficamos en la curva del diodo

10-09-2018 17
 Modelos de gran señal
Ejemplo 4: Suponer que D1 y D2 son diodos ideales de GaAs con una tensión de
codo de 1.2V. Hallar el valor de Ii cuando a) Vi = 12 V, b) Vi = 1.7V, c) Hallar la
menor Vi para la que los estados del diodo en b) no son válidos.

Parte a):
Supondremos D1 en conducción y D2 en corte.

12  1.2
Ii   5.4 mA
2k
VD 2  (12  1.2)  10.8 V

1.2 1.2
I i  I D1   I D1  5.4m   5.16 mA
5k 5k

10-09-2018 18
 Modelos de gran señal
Ejemplo 4: Suponer que D1 y D2 son diodos ideales de GaAs con una tensión de
codo de 1.2V. Hallar el valor de Ii cuando a) Vi = 12 V, b) Vi = 1.7V, c) Hallar la
menor Vi para la que los estados del diodo en b) no son válidos.

Parte a):
Supondremos D1 en conducción y D2 en corte.

VD 2  (12  1.2)  10.8 V

1.2 1.2
I i  I D1   I D1  5.4m   5.16 mA
5k 5k
Ambos puntos están en la curva del diodo

10-09-2018 19
 Modelos de gran señal
Ejemplo 4: Suponer que D1 y D2 son diodos ideales de GaAs con una tensión de
codo de 1.2V. Hallar el valor de Ii cuando a) Vi = 12 V, b) Vi = 1.7V, c) Hallar la
menor Vi para la que los estados del diodo en b) no son válidos.

Parte b):
Supondremos D1 en conducción y D2 en corte.

1.7  1.2
Ii   0.25 mA
2k
VD 2  (1.7  1.2)  0.5 V
1.2 1.2
I i  I D1   I D1  0.25m   0.01 mA
5k 5k

10-09-2018 20
 Modelos de gran señal
Ejemplo 4: Suponer que D1 y D2 son diodos ideales de GaAs con una tensión de
codo de 1.2V. Hallar el valor de Ii cuando a) Vi = 12 V, b) Vi = 1.7V, c) Hallar la
menor Vi para la que los estados del diodo en b) no son válidos.

Parte b):
Supondremos D1 en conducción y D2 en corte.

VD 2  (1.7  1.2)  0.5 V

1.2 1.2
I i  I D1   I D1  0.25m   0.01 mA
5k 5k
Ambos puntos están en la curva del diodo

10-09-2018 21
 Modelos de gran señal
Ejemplo 4: Suponer que D1 y D2 son diodos ideales de GaAs con una tensión de
codo de 1.2V. Hallar el valor de Ii cuando a) Vi = 12 V, b) Vi = 1.7V, c) Hallar la
menor Vi para la que los estados del diodo en b) no son válidos.

Parte c):
Debemos ver que diodo cambia antes de estado.

D2 cambiará de polaridad si Vi = 1.2 V:

VD 2  0  Vi  1.2V

D1 cambiará si:
1.2 Vi  1.2
Ii  Ii   Vi  1.68V
5k 2k

10-09-2018 22
 Modelos de pequeña señal para ac

Polarización inversa Polarización directa

CD: capacitor de difusión

CJ: capacitancia de unión CJ: capacitor de unión
rd: resistencia dinámica

10-09-2018 23
 Ecuación del diodo

• Es posible escribir una expresión para la corriente en un diodo y el

potencial aplicado en terminales
• A partir de leyes físicas es posible llegar a que:

iD: corriente en el diodo

vD: diferencia de potencial aplicada
Io: corriente de fuga
  qvD   q: carga del electrón 1.6  10-19 C
iD  I o exp    1 k: constante de Boltzmann 1.38  10-23 J/K
  nkT   T: temperatura absoluta en Kelvin
n: constante empírica (factor de idealidad, entre
1 y 2)

• Esta expresión solo es válida fuera de la región de ruptura

10-09-2018 24
 Ecuación del diodo

• Es común definir el término VT denominado voltaje térmico que define la

dependencia de temperatura del diodo:

kT
VT 
q
• A 25ºC (298K) VT ≈ 26 [mV]
  vD  
• En términos de VT la ecuación del diodo queda: iD  I o exp    1
  nVT  

 vD 
• En polarización directa (vD > 0) a 25ºC: iD  I o exp  
 T
nV

10-09-2018 25
 Ecuación del diodo

10-09-2018 26
 Aproximación lineal del diodo
• Ahora se puede determinar la pendiente de la curva para una iD dada.
Esto es útil en análisis de pequeña señal.
  v 
I o exp  D 
• La pendiente de la curva en un punto es: diD   nVT 

dvD nVT

 
• De la ecuación del diodo: exp vD  iD  1
 
 nVT  Io

diD iD  I o
• Luego: 
dvD nVT 1
 diD  nVT nVT
• La resistencia dinámica es: rd     
 dvD  iD  I o iD

10-09-2018 27
 Efectos de la temperatura
• El voltaje umbral Vγ disminuye al aumentar la temperatura
• La corriente de saturación inversa Io aumenta con la temperatura

10-09-2018 28
 Efectos de la temperatura
• El voltaje umbral Vγ sigue la relación:
To: temperatura ambiente en ºC (Ej.: 25ºC)
T1: nueva temperatura del diodo en ºC
V (T1 )  V (To )  k (T1  To ) Vγ(To): tensión umbral a temperatura To
Vγ(T1): tensión umbral a la temperatura T1
k: coeficiente de temperatura en V/ºC

• Para un diodo de silicio To = 25ºC: Vγ(To) = 0.7 V, k = -2.0 mV/ºC

• La corriente de saturación Io sigue la relación:

T1: temperatura 1 en ºC
I o (T2 )  I o (T1 ) exp  ki (T2  T1 )  T2: temperatura 2 en ºC
ki: 0.072/ºC

10-09-2018 29
 Líneas de carga del diodo
• La relación entre la corriente y el voltaje en un diodo es no lineal por lo
que no resulta sencillo obtener las corrientes y voltajes en un circuito
• Un método para abordar la solución de los circuitos con diodos es a
través de las líneas o rectas de carga
• La línea o recta de carga define las restricciones sobre la operación del
diodo que impone el circuito al cual está conectado
• En la literatura esta clase de métodos también se puede encontrar como
análisis de pequeña señal

10-09-2018 30
 Líneas de carga del diodo

• El circuito a analizar tiene una fuente dc Vs y una fuente ac vs

• El primer paso es analizar la operación del circuito anulando la fuente ac

• Al anular la fuente ac se tiene en estado estacionario:

VS  VD
VS  VD  R1 I D  I D 
R1
Para VD = 0, ID = VS/R1, mientras que para ID = 0, VD = VS

• La recta resultante se conoce como recta de carga dc y se puede graficar

en un mismo gráfico que la característica i-v del diodo

10-09-2018 31
 Líneas de carga del diodo

• La intersección de la recta de carga

dc con la curva del diodo
corresponde al punto de
operación en reposo (punto Q)

• Es la solución simultánea de la
característica del diodo y de la
ecuación del circuito

10-09-2018 32
 Líneas de carga del diodo

• Falta analizar que ocurre con la parte ac de la entrada

• Para la parte ac se considera que es de una frecuencia suficientemente
alta como para que el condensador sea un cortocircuito
• Luego:
vs  vd
vs  vd  ( R1 || RL )id  id 
R1 || RL
• La tensión vD y corriente iD en el diodo son:

vD  vd  VDQ iD  id  I DQ
• Luego la expresión anterior queda:
vs   vD  VDQ   vD vs  VDQ
iD  I DQ   iD    I DQ
R1 || RL R1 || RL R1 || RL
10-09-2018 33
 Líneas de carga del diodo
• Así se obtiene la recta de carga ac:

 vD vs  VDQ
iD    I DQ
R1 || RL R1 || RL
• Para vs = 0 debe pasar por el punto
Q
VDQ VDQ
iD    I DQ  I DQ
R1 || RL R1 || RL

10-09-2018 34
 Líneas de carga del diodo
Ejemplo: Usando un modelo de pequeña señal encuentre la corriente iD para vS = 1.1
+ 0.1 sin 1000t. Considere nVT = 40 mV y Vγ = 0.7 V.

Punto de operación del diodo

Lo aproximaremos como una fuente de voltaje
(modelo de gran señal):

VS  VD  RL I D  V  RL I D
VS  V 1.1  0.7
ID    4 mA Punto de operación
RL 100

Análisis para parte ac de la entrada

Ahora se debe calcular la resistencia dinámica (modelo de pequeña señal).
Asumiendo que la resistencia de contacto es despreciable entonces Rf ≈ rd

10-09-2018 35
 Líneas de carga del diodo
Ejemplo: Usando un modelo de pequeña señal encuentre la corriente iD para vS = 1.1
+ 0.1 sin 1000t. Considere nVT = 40 mV y Vγ = 0.7 V.

Análisis para parte ac de la entrada

nVT 40 mV Resistencia dinámica
R f  rd    10 del modelo
ID 4 mA
vs 0.1sin1000t
Luego para la parte ac: vs  R f id  RLid  id  
R f  RL 110
 id  0.91sin1000t mA

Luego la corriente total es: iD  I D  id  4  0.91sin1000t mA

El resultado es válido porque la corriente iD es siempre positiva.

10-09-2018 36
 Rectificación de media onda
• Dado que el diodo conduce corriente en un solo sentido puede usarse para
obtener una fuente dc a partir de una ac.

• Consideremos que disponemos de una fuente alterna (ej.: red eléctrica) y

queremos alimentar una carga R.

• Para el semiciclo positivo (0 ≤ t < T/2) el diodo queda polarizado en

forma directa, por lo que se comporta como un corto circuito.

10-09-2018 37
 Rectificación de media onda
• Para el semiciclo negativo (T/2 ≤ t < T) el diodo queda polarizado de
forma inversa, por lo que se comporta como un circuito abierto.

• El rectificador de media onda solo transfiere energía durante medio ciclo.

10-09-2018 38
 Rectificación de media onda
• Claramente el voltaje de salida no es un valor constante, pero si tiene un
valor medio no nulo.

• El valor medio se obtiene calculando la integral de la forma de onda

durante un periodo y dividiendo por el periodo

1 
Vo 
2 0
Vm sen(t )d (t )

Vm
Vo   0.318Vm


10-09-2018 39
 Rectificación de media onda
• También se puede considerar la caída de tensión en el diodo.
• Esto produce un efecto de desplazamiento de la señal. El diodo comienza
a conducir cuando se supera la barrera y deja de conducir cuando el
voltaje es menor a ésta.

• En este caso el valor medio de la tensión de salida es:

1  
Vo 
2  (Vm  VT ) sen(t )d (t )

10-09-2018 40
 Rectificación de onda completa
• Un rectificador de onda completa opera durante ambos semiciclos de la
entrada alterna a diferencia del de media onda
• Produce un mayor voltaje medio de salida que el de media onda
• Existen 2 configuraciones: con transformador con tap central y tipo
puente

Con transformador con tap Tipo puente

central

10-09-2018 41
 Rectificación de onda completa
Rectificador de onda completa (transformador con tap central)
• En el semiciclo positivo (0 ≤ t < T/2) el diodo D1 queda polarizado de
forma directa, por lo que se comporta como corto circuito.

• Por otra parte, el diodo D2 queda polarizado de forma inversa, por lo que
se comporta como circuito abierto.

10-09-2018 42
 Rectificación de onda completa
Rectificador de onda completa (transformador con tap central)
• En el semiciclo negativo (T/2 ≤ t < T) el diodo D1 queda polarizado de
forma inversa, por lo que se comporta como circuito abierto.

• Por otra parte, el diodo D2 queda polarizado de forma directa, por lo que
se comporta como corto circuito

10-09-2018 43
 Rectificación de onda completa
• El voltaje de salida no es un valor constante, pero si tiene un valor medio
no nulo.
• El valor medio se calcula de la misma forma que para el caso anterior
• Dado que el voltaje de salida está construido a partir de los dos
semiciclos, su valor medio es el doble que el del rectificador de media
onda

1 


Vo  Vm sen(t )d (t )
0

2Vm
Vo   0.636Vm


10-09-2018 44
 Rectificación de onda completa
Rectificador de onda completa (tipo puente)
• En el semiciclo positivo (0 ≤ t < T/2) los diodos D2 y D3 quedan
polarizados de forma directa, por lo que se comportan como cortos
circuitos.
• Por otra parte, los diodos D1 y D4 quedan polarizados de forma inversa,
por lo que se comportan como circuitos abiertos.

10-09-2018 45
 Rectificación de onda completa
Rectificador de onda completa (tipo puente)
• En el semiciclo negativo (T/2 ≤ t < T) los diodos D2 y D3 quedan
polarizados de forma inversa, por lo que se comportan como circuitos
abiertos.
• Por otra parte, los diodos D1 y D4 quedan polarizados de forma directa,
por lo que se comportan como cortos circuitos.

10-09-2018 46
 Rectificación de onda completa
Efecto de la tensión umbral en el voltaje de salida
• Los diodos solo conducen una vez que la tensión de polarización es
mayor a la tensión umbral (0.7V para Si, 0.3 para Ge)
• Estas caídas de tensión reducen el voltaje de salida de ambos
rectificadores
• Dado que la configuración puente tiene 2 diodos, el efecto es mayor que
en la con transformador

1  1

 
Vo  (Vm  2VT ) sen(t )d (t ) Tipo puente
1

1   2
Vo   (Vm  VT ) sen(t )d (t ),  2  1 Con Transformador
 2
con tap central

10-09-2018 47
 Filtro de salida en rectificadores

• La tensión de salida del rectificador no es una tensión dc pura sino que es

una tensión pulsante
• Esta componente pulsante (rizo de salida) se puede reducir filtrando la
tensión de salida
• La solución más simple es usar un condensador en la salida

Valor medio (dc)

Entrada Salida

10-09-2018 48
 Filtro de salida en rectificadores

• Se conecta un condensador en la salida del rectificador en paralelo a la

carga.

10-09-2018 49
 Filtro de salida en rectificadores
Diseño del condensador C

 Vmín  T '
vo  Vmáx e  t / RL C
 Vmáx e T ' / RL C
 ln  
 Vmáx  RL C
• Si conociéramos T’ podríamos calcular el valor de C
10-09-2018 50
 Filtro de salida en rectificadores
Diseño del condensador C

Vmáx
m1  
RL C

Vmáx
m2 
T /2

V RL CV
t1   
m1 Vmáx

10-09-2018 51
 Filtro de salida en rectificadores
Diseño del condensador C
T T V T T Vmín T (2  V / Vmáx )
• Pero: t1   t 2   mín   
2 2 m2 2 2 Vmáx 2

• Igualando con la expresión anterior para t1 y definiendo el número de

pulsos por segundo fp como T = 1/fp:

RL CV 1 2Vmáx  V 
 (2  V / Vmáx )  2f p RL C  1  
Vmáx 2 fp V  2Vmáx 

• Dado que ΔV/(2Vmáx)  1:

2Vmáx 2Vmáx
2f p RL C   C  Solución
V V 2f p RL Conservadora

• Cómo regla práctica se sugiere:

5Vmáx
C Solución
V 2f p RL Práctica
10-09-2018 52
 Filtro de salida en rectificadores
• Podemos definir el rizado peak to peak como la diferencia entre el voltaje
máximo Vmáx y mínimo Vmín:

vr ( p  p )  Vmáx  Vmín

• Por otra parte, el tamaño del rizo suele ser caracterizado a través de su valor rms
(asumiendo que tiene una forma de diente de sierra):

Vmax  Vmin vr ( p  p )
Vr (rms )  
2 3 2 3
• El valor medio del voltaje de salida se puede obtener en forma aproximada
como:
vr ( p  p )
Vdc  Vmáx 
2

Vr (rms )
• El factor de rizo se define como: factor de rizo 
Vdc
10-09-2018 53
 Filtro de salida en rectificadores

Ejemplo: Suponga que la entrada de un rectificador de onda completa es una

sinusoidal de frecuencia 50[Hz] y de amplitud 200[V]. Diseñe el condensador de
filtro de salida considerando que el valor más bajo de tensión de salida es 190[V].
Considere una carga de 1[kΩ].

Dado que la alimentación es de 200[V]: Vmáx  200

El rizado permitido es: V  Vmáx  Vmín  200  190  10V

La frecuencia de los pulsos es: f p  100 Hz

5Vmáx 5  200
El condensador a utilizar es: C    159.15F
V 2f p RL 10  200 1k

10-09-2018 54
 Diodos Zener
• Tipo de diodo especialmente diseñado para operar en la zona de ruptura
• Los diodos comunes no pueden operar en esta zona debido a que al llegar
a un determinado valor de corriente inversa corren el riesgo de dañarse
• Su aplicación más común es como reguladores de tensión y actúan
como un elemento de voltaje constante
• El análisis es similar al de los diodos comunes, existe un estado de
encendido y apagado pero se utilizan en polarización inversa

VZ > V > 0
10-09-2018 55
 Diodos Zener

10-09-2018 56
 Diodos Zener
• Los diodos zener se diseñan para tener un determinado valor de tensión
de ruptura VZ la que depende de las impurezas agregadas al
semiconductor
• Para que no se destruyan se debe tener en cuenta que la potencia
máxima que pueden disipar
• La potencia máxima depende de la corriente máxima IZ máx que
soporta, valor dado por el fabricante:
PZ máx  VZ I Z máx

• Por el dispositivo debe circular al menos una corriente mínima para

trabajar en la zona de ruptura. Esta corriente se denota como IZ mín. Para
diseño:
I Z mín  0.1I Z máx

10-09-2018 57
 Diodos Zener
Regulador de tensión con diodo Zener
• Una forma de usar el diodo Zener como regulador de tensión es con el
circuito:
iR Ri iL
iZ
+ +
vs RL VZ
- -

• Si el diodo Zener opera en su región de ruptura, entonces actuará en

forma similar a una fuente ideal de tensión
• La resistencia de carga RL puede variar en un determinado rango
• El voltaje de alimentación vs puede tener variaciones
• Se debe dimensionar Ri y la potencia máxima disipada por el Zener PZ máx

10-09-2018 58
 Diodos Zener
Regulador de tensión con diodo Zener
iR Ri iL
iZ
+ +
vs RL VZ
- -

• La resistencia Ri se puede determinar a partir de una LCK en el nodo

superior:
vs  VZ vs  VZ
i R  iZ  i L  0   iZ  iL  Ri 
Ri iZ  i L
• Debemos calcular el valor de Ri para que el diodo siempre esté en el
modo de tensión constante para todo el rango de las variables.

10-09-2018 59
 Diodos Zener
Regulador de tensión con diodo Zener
• La corriente iZ es mínima cuando iL es máxima y VS es mínimo:

VS mín  VZ
Ri 
I Z mín  I L máx

• La corriente iZ es máxima cuando iL es mínima y VS es máximo:

VS máx  VZ
Ri 
I Z máx  I L mín

• Igualando ambas expresiones:

(VS mín  VZ )( I Z máx  I L mín )  (VS máx  VZ )( I Z mín  I L máx )

10-09-2018 60
 Diodos Zener
Regulador de tensión con diodo Zener
• La corriente mínima por el Zener debe ser al menos 10% de la corriente
máxima:
(VS mín  VZ )( I Z máx  I L mín )  (VS máx  VZ )(0.1I Z máx  I L máx )

• Resolviendo la ecuación, la corriente máxima por el Zener es:

I L mín (VZ  VS mín )  I L máx (VS máx  VZ )
I Z máx 
VS mín  0.9VZ  0.1VS máx

• Reemplazando IZ máx en la ecuación para Ri se obtiene el valor buscado:

VS máx  VZ
Ri 
I Z máx  I L mín

10-09-2018 61
 Diodos Zener
Ejemplo: Diseñe un regulador Zener considerando que la corriente en la carga puede
variar de 100 mA a 200 mA y la fuente de alimentación puede varíar de 14 V a 20 V.
Utilice un diodo Zener de 10V.

Las corrientes máximas y mínimas en la

carga son:
I Lmáx  200mA I Lmín  100mA

Los voltajes mínimos y máximos son: VSmáx  20V VSmín  14V

100m(10  14)  200m(20  10)
Luego: I Z máx   0.53[ A]
14  0.9 10  0.1 20

VS máx  VZ 20  10
La resistencia a utilizar es: Ri    15.87[]
I Z máx  I L mín 0.53  100m
10-09-2018 62
 Diodos Zener
Ejemplo: Diseñe un regulador Zener considerando que la corriente en la carga puede
variar de 100 mA a 200 mA y la fuente de alimentación puede varíar de 14 V a 20 V.
Utilice un diodo Zener de 10V.

La potencia máxima disipada en Ri es:

PRi máx  I Rmáx (VSmáx  VZ )

VSmáx  VZ
PRi máx  (VSmáx  VZ )  0.63(20  10)  6.3[W ]
Ri
La potencia máxima disipada en el Zener es:

PZmáx  VZ I Zmáx  10  0.53  5.3[W ]

10-09-2018 63
 Diodos Zener
Rectificador de onda completa con regulador Zener

• Se agrega una resistencia RF para considerar el caso cuando se desconecta

la carga (RF >> Ri)
• El valor del condensador se debe calcular considerando que existe el
diodo Zener:
5(VS máx  VZ )
CF 
V 2f p Ri

10-09-2018 64
 Diodos Zener
Regulación
• El diodo Zener se consideró como una fuente de voltaje ideal
• La pendiente en la zona de ruptura no es infinita
• Para modelar este efecto se agrega una resistencia en serie RZ

10-09-2018 65
 Diodos Zener
Regulación

• Para el ejemplo anterior: I Z máx  0.53[ A] I Z mín  0.1 0.53[ A]  0.053[ A]

• Luego, considerando que RZ = 2[Ω] el voltaje de salida vo varía entre:
Vomáx  VZ  RZ I Zmáx  10  2  0.53  11.1[V ]
Vomín  VZ  RZ I Zmín  10  2  0.053  10.11[V ]

10-09-2018 66
 Diodos Zener
Regulación
• Se define el porcentaje de regulación como la excursión de tensión
dividida por la tensión nominal:
Vo máx  Vo mín
porcentaje de reg. 
Vo nominal

• A menor porcentaje de regulación, mejor regulador

• Para el ejemplo:
Vo máx  Vo mín 11.1  10.1
porcentaje de reg.    0.1  10%
Vo nominal 10

10-09-2018 67
 Reguladores tipo CI
• Existen dispositivos empaquetados como circuito integrado que realizan
la función de regulación en una forma precisa
• Un ejemplo son los CI 78XX (Regulador de Voltaje Positivo) y los CI
79XX (Regulador de Voltaje Negativo)
• Todo lo necesario para diseñar un regulador es seleccionar el
transformador, los diodos y el filtro

10-09-2018 68
 Reguladores tipo CI
• La tensión de entrada al CI regulador en general debe ser entre 2 a 4[V]
mayor que su tensión de salida nominal

10-09-2018 69
 Reguladores tipo CI
• Una fuente de poder basada en regulador puede ser de la forma:

• Co es un pequeño condensador para filtrar ruido de alta frecuencia

• CF es el filtro para suavizar la salida rectificada

5(VS máx  VL )
CF 
V 2f pVS mín / I L máx

10-09-2018 70
 Reguladores tipo CI
Ejemplo: Se desea diseñar una fuente de poder regulada con CI para generar 12 V de
salida a una carga que varía entre 5 a 800 mA.

Usaremos un 7812. El voltaje mínimo en la entrada es 12+4 = 16 V

Disponemos de 220 Vrms de red, por lo que calcularemos un transformador para
tener al menos 20 V de amplitud:
220 2
a 7
20  2
Así se obtiene: 220 2 220 2
VS    22[V ]
2a 2 7
10-09-2018 71
 Reguladores tipo CI
Ejemplo: Se desea diseñar una fuente de poder regulada con CI para generar 12 V de
salida a una carga que varía entre 5 a 800 mA.

Calcularemos CF para tener un rizado de 4 V:

5(22  12)
CF   884[ F ]
4  200  (22  4) / 800m

10-09-2018 72
 Recortadores
• Circuitos utilizados para eliminar parte de una forma de onda que se
encuentre por encima o debajo de cierto nivel

10-09-2018 73
 Recortadores
• Circuitos utilizados para eliminar parte de una forma de onda que se
encuentre por encima o debajo de cierto nivel

10-09-2018 74
 Recortadores
Recortador polarizado en paralelo
• Es posible recortar las partes positiva y negativa mediante un mismo
circuito conectando los recortadores en una especie de cascada

10-09-2018 75
 Recortadores
Recortador polarizado en serie
• Se conecta una fuente de tensión en serie con la entrada

10-09-2018 76
 Recortadores
Recortador polarizado en serie
• Se conecta una fuente de tensión en serie con la entrada

10-09-2018 77
 Fijadores
• Permiten desplazar el nivel de continua de una señal
• Se componen por una fuente dc, un diodo, un condensador y una
resistencia.

10-09-2018 78
 Fijadores
• La constante de tiempo RC debe ser al menos 5 veces la duración del
semiperiodo.

10-09-2018 79
 Tipos alternativos de diodos
Diodo Schottky
• Diodo conformado por la unión de un ánodo de aluminio y un cátodo
semiconductor tipo n.
• Tiene una curva v-i parecida a la unión p-n de Si
• Corriente de saturación inversa mayor (2  10-11 [A] vs 1  10-14 [A])
• Baja caída de tensión directa (0.4 [V] vs 0.7 [V])
• Rápida conmutación (Ej.: en fuentes de poder dc-dc conmutadas)

10-09-2018 80
 Tipos alternativos de diodos
LEDs
• Convierten la corriente eléctrica en luz
• Diodos convencionales: el paso de un electrón de la banda de conducción
a la de valencia genera calor
• En un cristal de GaAs el electrón produce un fotón en este caso
• Los LEDs emiten luz cuando se polarizan en forma directa

10-09-2018 81
 Tipos alternativos de diodos
LEDs
• La caída de tensión en directa depende del color

Color Caída de tensión VF típica [V]

Rojo, naranja 2.0
Amarillo 2.1
Verde (amarillo verdoso) 2.2
Azul, blanco, UV, Verde 3.3

• La intensidad de luz generada depende de la corriente

• Generalmente la corriente para máxima intensidad es 20 [mA], pero

debemos dejar un margen de seguridad (~10%)

10-09-2018 82
 Tipos alternativos de diodos
Fotodiodos
• Realizan la operación inversa al LED, es decir convierten luz en corriente
• Se utiliza en polarización inversa
• La corriente de saturación inversa es proporcional a la luz incidente (en
fotones/s)

10-09-2018 83
 Tipos alternativos de diodos
Fotodiodos
• Una aplicación importante de los fotodiodos son los optoacopladores

10-09-2018 84
 Tipos alternativos de diodos
Diodo varactor (o varicap)
• Los diodos convencionales exhiben capacitancia cuando se usan en
polarización inversa
• El diodo varactor está diseñado para operar de esta forma
• La capacitancia es inversamente proporcional a la tensión
• Usado en osciladores controlados por tensión (sintonizadores en sistemas
de comunicaciones)
MV104

10-09-2018 85
 Tipos alternativos de diodos
Diodo túnel
• Posee una región de resistencia negativa en su curva característica
• Se utiliza en circuitos osciladores de alta frecuencia

10-09-2018 86
 Tipos alternativos de diodos
Diodo PIN
• Es un diodo de que tiene una capa intermedia de semiconductor
intrínseco
• Tiene baja capacitancia por lo que tiene aplicación en altas frecuencias
(radio frecuencias y microondas)
• También tiene aplicaciones como fotodiodo en sistemas de
comunicaciones de fibra óptica

10-09-2018 87