Semiconductores
Semiconductores
Semiconductores
+ -
+ -
+ -
+ -
¾ Por sí mismo un semiconductor tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia de
carbón.
¾ Pero ocurre algo distingo cuando se dopa un cristal mitad n y mitad p
¾ Representación:
Signo + con círculo: átomo pentavalente
Signo - electrón con el que contribuye
¾ Polarización directa
Flujo de electrones libres
¾ Polarización inversa
Ensanchamiento de la zona de deplexión
Corriente de portadores minoritarios. La producción térmica de electrones libres y
huecos en la zona de deplexión produce una corriente inversa de saturación minoritaria
Corriente superficial de fugas. Producida por impurezas en la superficie del cristal e
imperfecciones en su estructura interna
¾ Ruptura
Si se aumenta la tensión inversa se producirá la ruptura del diodo (aprox. 50 V)
Efecto avalancha. Los minoritarios chocan y hacen saltar electrones de valencia
¾ Tensión Umbral Vk
¾ Resistencia interna. Función del nivel de dopado y del tamaño de las zonas p y n.
Suele ser menor de 1 Ω
¾ Máxima corriente continua. Según fabricante (unos 135 mA)
¾ Disipación de potencia. PD = VDID
¾ Ejemplos sencillos
¾ Detección de averías
¾ Cálculo mediante recta de carga
Diodo Zener
Rizado = 0
Fuente
Fuente de
de tensión
tensión continua
continua regulada
regulada con
con Zener
Zener
Pero menor rendimiento
Tensión zener e
impedancia zener.
Impedancia zener y
corriente zener en la zona del codo.
Tensión y corriente
zener en la zona inversa.
Electrónica - Francisco J. Ortiz 25
Sobrecorriente máxima.
Unidad 3. Semiconductores y teoría de diodos DTE - UPCT
¾ Diodos optoelectrónicos
¾ Diodos Schottky
¾ Varicap
¾ Dispositivos optoelectrónicos
LEDs
Fotodiodos
Optoacopladores
Diodos láser ( reproductores CD e
impresoras láser)