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    Practica Transistor BJT

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    Diana Carolina Velazco
    Este documento describe una práctica para caracterizar el comportamiento de un transistor bipolar mediante el análisis de sus curvas de entrada y salida usando una señal de corriente continua. Los estudiantes deben investigar las características de los transistores bipolares de silicio y germanio, simular sus circuitos, y construir un circuito para medir cómo varían la corriente de base, la corriente de colector y el voltaje colector-emisor con diferentes voltajes de entrada. Luego graficarán las curvas, trazarán

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    Practica Transistor BJT

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    Diana Carolina Velazco
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    Este documento describe una práctica para caracterizar el comportamiento de un transistor bipolar mediante el análisis de sus curvas de entrada y salida usando una señal de corriente continua. Los estudiantes deben investigar las características de los transistores bipolares de silicio y germanio, simular sus circuitos, y construir un circuito para medir cómo varían la corriente de base, la corriente de colector y el voltaje colector-emisor con diferentes voltajes de entrada. Luego graficarán las curvas, trazarán

    Descripción original:

    BJT Transistor

    Título original

    Practica Transistor bjt

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    Este documento describe una práctica para caracterizar el comportamiento de un transistor bipolar mediante el análisis de sus curvas de entrada y salida usando una señal de corriente continua. Los estudiantes deben investigar las características de los transistores bipolares de silicio y germanio, simular sus circuitos, y construir un circuito para medir cómo varían la corriente de base, la corriente de colector y el voltaje colector-emisor con diferentes voltajes de entrada. Luego graficarán las curvas, trazarán

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    PRÁCTICA 6:

    CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR


    CON SEÑAL DE C.D.

    OBJETIVO: Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes situaciones,


    mediante el análisis y la interpretación de las mediciones, para obtener las gráficas de
    entrada y de salida del transistor.

    TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA

     Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los transistores bipolares


    de silicio (Si) y germanio (Ge), con señal de C.D.
     Investigar las curvas características de entrada y salida, así como la recta de carga y los
    puntos de operación de entrada y salida, de los transistores bipolares de silicio (Si) y
    germanio (Ge), con señal de C.D.
     Realizar la simulación de los circuitos para obtener las curvas características eléctricas de
    los transistores bipolares de Silicio o bien de Germanio, con señal de C.D.
     Traer hojas de especificaciones de los transistores bipolares que se emplearán en la
    práctica ya sea de Silicio o bien de Germanio.
     Consultar las hojas de especificaciones del fabricante, para obtener las características de
    funcionamiento del transistor que se va a emplear en la práctica, con señal de C.D.
     Realizar una tabla que contenga los datos del fabricante más importantes, para el buen
    funcionamiento del transistor.
     Analizar el funcionamiento del circuito de la práctica, y reportar los cálculos realizados.
     Traer el circuito armado.

    MATERIAL: (anotar el material y equipo utilizado en la práctica)

    EAG-2019 1/3
    PRÁCTICA 6:
    CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
    CON SEÑAL DE C.D.

    DESARROLLO:

    I Caracterización de los transistores bipolares de silicio o bien de germanio, con señal


    de CD.

    1.1 Realizar una tabla que contenga las características eléctricas generales que proporciona
    el fabricante en las hojas técnicas; incluyendo la serie o número de parte del transistor.

    1.2 Mediante el uso del multímetro, identificar las terminales del transistor. Realizar un dibujo
    del símbolo del transistor y un dibujo del isométrico del transistor, indicando en cada caso
    el nombre de las terminales del dispositivo.

    1.3 Armar el circuito como se indica en la figura, y realizar las medidas en el circuito, que se
    indican en la tabla y registrarlas en dicha tabla, para distintos voltajes de la fuente de
    alimentación VI que debe variar entre 0V y 12V (utilizar el variac en CD). Con un VCC de
    15V. Considerando RB de 10KΩ±5% o mayor, RC de 1KΩ±5% y RE de 100Ω±5%; los tres
    resistores comprarlos a 1Watt.

    NOTA: Las mediciones de corriente se pueden realizar de manera indirecta, haciendo


    uso de la ley de Ohm.

    RC
    VCB A +
    +
    IC
    RB V +
    +
    A + T V VCE
    IB V Vcc
    VBE 15V
    +
    Vi
    A IE
    0V a 12V
    +
    RE V VRE

    VI VBE IB VCE IC VCB VRE=VE IE β


    (V) (µA) (V) (mA) (V) (V) (mA)
    0V
    1V
    2V
    3V
    4V
    5V
    6V
    7V
    8V
    9V
    10V
    11V
    12V

    1.3.1 Graficar en papel milimétrico la relación de IB vs VBE que corresponde a la señal de


    entrada del transistor bipolar, así como los diferentes valores de IC y de VCE que
    corresponde a la gráfica de salida (IC vs VCE) del transistor bipolar para diferentes
    valores de IB; para cada variación del voltaje de entrada, según los valores registrados

    EAG-2019 2/3
    PRÁCTICA 6:
    CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
    CON SEÑAL DE C.D.

    en la tabla anterior, para el transistores de Silicio o bien para el transistor de


    Germanio.
    1.3.2 Trazar la recta de carga en las gráficas de entrada y salida del transistor, y obtener el
    punto de operación en ambos casos.

    1.3.3 Reportar los comentarios y las conclusiones, a partir de las observaciones.

    1.4 Anotar las observaciones y conclusiones generales.

    EAG-2019 3/3

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