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    Semiconductores P y N

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    Victor Gomez Barreto
    En la polarización directa, el potencial positivo se aplica a la región p y el negativo a la n, reduciendo la anchura de la zona de transición y la barrera de potencial. En la polarización inversa, el potencial positivo se aplica a la región n y el negativo a la p, aumentando la anchura de la zona de transición y el campo eléctrico en la unión. La corriente resultante depende del movimiento de los portadores minoritarios inyectados a cada lado de la unión.

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    En la polarización directa, el potencial positivo se aplica a la región p y el negativo a la n, reduciendo la anchura de la zona de transición y la barrera de potencial. En la polarización inversa, el potencial positivo se aplica a la región n y el negativo a la p, aumentando la anchura de la zona de transición y el campo eléctrico en la unión. La corriente resultante depende del movimiento de los portadores minoritarios inyectados a cada lado de la unión.

    Descripción original:

    Semiconductores p y n

    Título original

    Semiconductores p y n

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    En la polarización directa, el potencial positivo se aplica a la región p y el negativo a la n, reduciendo la anchura de la zona de transición y la barrera de potencial. En la polarización inversa, el potencial positivo se aplica a la región n y el negativo a la p, aumentando la anchura de la zona de transición y el campo eléctrico en la unión. La corriente resultante depende del movimiento de los portadores minoritarios inyectados a cada lado de la unión.

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    En la polarización directa, el potencial positivo se aplica a la región p y el negativo a la n, reduciendo la anchura de la zona de transición y la barrera de potencial. En la polarización inversa, el potencial positivo se aplica a la región n y el negativo a la p, aumentando la anchura de la zona de transición y el campo eléctrico en la unión. La corriente resultante depende del movimiento de los portadores minoritarios inyectados a cada lado de la unión.

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    de 3

    3.

    Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones de
    polarización en directa y en inversa en un diodo de unión p-n y como se ve afectada la
    corriente resultante.

    En este caso, usaremos un ejemplo de una batería como referencia. La unión p-n está
    polarizada directamente cuando a la región p se le aplica un potencial mayor que a la región
    n. Para ello, tal y como se ve en la figura a continuación, se debe conectar el polo positivo de
    la batería al ánodo del diodo (zona p) y el polo negativo al cátodo (zona n).

    Figura 3. Unión p-n polarizada en directa.

    Hay que mencionar que en estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:
     Los huecos de la región p y los electrones de la región n son empujados hacia la unión
    por el campo eléctrico Epol a que da lugar la polarización. Por lo tanto, se reduce la
    anchura de la zona de transición.
     El campo eléctrico de la polarización Epol se opone al de la unión Eu. Así, se reduce
    el campo eléctrico de la unión y, consecuentemente, la barrera de potencial.
    Ahora es el turno de la polarización inversa. Una unión p-n está polarizada
    inversamente cuando a la región p se le aplica un potencial menor que al de la región n. Para
    ello, tal y como se muestra en la figura que se presentará a continuación, se conecta el polo
    negativo de la batería a la zona p y el polo positivo a la zona n.

    Figura 3.1. Unión p-n polarizada en inversa.

    Con la unión p-n polarizada en inversa se observa las siguientes condiciones


    establecidas:
     Los portadores mayoritarios (huecos de la zona p y electrones de la zona n) de ambas
    regiones tienden a separase de la unión, empujados por el campo eléctrico a que da
    lugar la polarización, aumentando la anchura de la zona de transición.
     El campo eléctrico en la unión aumenta reforzado por el de la polarización, ambos
    ahora del mismo sentido.

    En definitiva, la corriente que atraviesa la unión es debida al movimiento de electrones


    y huecos inyectados a cada lado de la unión donde son minoritarios. Los huecos que circulan
    de izquierda a derecha constituyen una corriente en el mismo sentido que los electrones que
    se mueven de derecha a izquierda, y, por lo tanto, la corriente resultante que atraviesa la
    unión es la suma de las corrientes de los huecos y de los electrones minoritarios, que puede
    llegar a ser importante. En una unión asimétrica, que corresponde a una unión con un lado
    más dopado que el otro, la corriente será fundamentalmente debida al tipo de portador más
    abundante.

    2. Describa como recordara los estados de polarización en directa y en inversa del diodo
    unión p-n. Es decir, ¿cómo recordara cual potencia (positivo o negativo) se aplica a cuál
    terminal?

    En la región tipo p (positivo) y en la región tipo n (negativo), para conectar de forma inversa
    se invierte la polaridad, entonces se puede saber cuál es el positivo y negativo basándonos en
    la banda de color que tienen los diodos.

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