POLARIZACIÓN CON TBJ

Escuela Politécnica Nacional

Facultad de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
CP - Dispositivos Eléctricos
TRABAJO PREPARATORIO
Briones, Francesca1
[email protected]

Resumen—El presente documento es el Trabajo Preparatorio

para la práctica N◦ 5: POLARIZACIÓN CON TBJ.Se presentan
los análisis correspondiente a las diferentes polarizaciones con
TBJ.

I. OBJETIVOS
Analizar del comportamiento de un TBJ.
. Identificar los parámetros de operación de circuitos con
transistores TBJ en base a los resultados obtenidos en la
medición de voltajes y corrientes.
Comparar los tipos de polarización para transistores TBJ.

II. TRABAJO PREPARATORIO

II-A. Dibujar la curva de trabajo del transistor en papel
milimetrado.
ANEXO 1. Figura 2. Caracterı́sticas del transistor 2N3904.

II-B. En papel milimetrado dibujar e identificar las regio-

nes de funcionamiento en las curvas caracterı́sticas.
ANEXO 1. 2N3906:

II-C. Consultar las caracterı́sticas más importantes en el

datasheet de los transistores 2N3904 y 2N3906.
Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)
2N3904: Corriente de colector constante 200m A (Ic)
Potencia total disipada 625mW (Pd)
Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo) Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
Corriente de colector constante 200m A (Ic) Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
Potencia total disipada 625mW (Pd) Encapsulado TO-92
Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe) Estructura NPN
Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft) Su complementario NPN es el Transistor 2N3904
Encapsulado TO-92Estructura NPN
Su complementario PNP es el Transistor 2N3906

Figura 1. Conexión del transistor 2N3904. Figura 3. Conexión del transistor 2N3906.
 VBE = 0,7[v]

β = 100
VBB − VBE
IB =
RB + (β + 1)RE
5 − 0,7
IB =
68k + (101)1k
IB = 25,44[µA]

Figura 4. Caracterı́sticas del transistor 2N3906. IC = 2,54[mA]

II-D. Para los circuitos de las Figuras 1, 2, 3, 4 y 5 obtener IE = 2,57[mA]

voltajes y corrientes de polarización.
VE = RE IE

VE = (1k)(2,57 × 10−3 )

VE = 2,57[V ]

VCE = VCC − IC (RC + RE )

VCE = 6,92[V ]

VC = VCE + VE

VC = 9, 49[V ]
VBE = 0,7[v]
VB = VBE + VE
VB = 0,7[V ]
VB = 3,27[V ]
β = 100
VE = 0[V ]
VBB − VBE
IB =
RB
5 − 0,7
IB = = 63,25[µA]
68k
IC = βIB
IC = (100)(63,25 × 10−6 = 6,33[mA]
IE = IB + IC = 6,39[mA]
VC = V CE = VCC − IC RC VBE = 0,7[v]
VC = V CE = 12 − (6,33 × 10−3 )(1k)
β = 100
VC = V CE = 5,67[V ]
VB = 0,7[V ]
12 − 0,7
IB = = 2,02[mA]
5,6k
IC = 201,8[mA]

IE = 203,8[mA]

VE = 0[V ]

VC = V CE = 0,2[V ] porsaturación
 Vth = 4,75[V ]

Rth = R1||R2

Rth = 4,27[kΩ]

Vth − VBE
IB =
Rth + (β + 1)RE

VBE = 0,7[v] IB = 8,46[µA]

β = 100
IC = 0,85[mA]
VCC − VBE
IB =
RB + (β + 1)RE
IE = 0,86[mA]
12 − 0,7
IB =
5,6k + (101)1k
VE = 4,04[V ]
IB = 106[µA]
IC = 10,6[mA] VCE = VCC − IC (RC + RE )
IE = 10,71[mA]
VE = RE IE VCE = 13,40[V ]

VE = (1k)(10,71 × 10−3 )
VB = VBE + VE
VE = 10,71[V ]
VCE = VCC − IC (RC + RE ) VB = 4,74[V ]

VCE = −27,22[V ]
VC = VCE + VE
VC = VCE + VE
VC = −16,51[V ] VC = 17,44[V ]
VB = VBE + VE
II-E. Simular en Proteus los circuitos del literal 3.5 (tomar
VB = 11,41[V ] la captura de pantalla de la entrada y salida del circuito).

2,2k
Vth = 20 · ( ) Figura 5. Simulación Circuito Figura 1.
18k + 5,6k
Figura 6. Simulación Circuito Figura 2.

Figura 9. Simulación Circuito Figura 5.

R EFERENCIAS
[1] Curva Caracterı́stica de entrada. En lı́nea. Disponible en:
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[2] Castro, S. Curva Caracterı́stica del transistos. Noviembre 4, 2015. En
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pdf/view/564911/KODENSHI/2N3904.html
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Figura 7. Simulación Circuito Figura 3. lı́nea. Disponible en: https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/550336/WINNERJOIN/2N3906.html
[9] ALLDATASHEET.COM. 2N3906 Datasheet (PDF) -
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. En lı́nea.
Disponible en: https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/459131/NJSEMI/2N3906.html

Figura 8. Simulación Circuito Figura 4.