0% encontró este documento útil (0 votos)
62 vistas

Tarea2 Elo A

1) El documento analiza un circuito amplificador mediante análisis de punto de operación y pequeña señal. Se calcula analíticamente la ganancia de voltaje y la impedancia de entrada. 2) Las simulaciones muestran que los resultados analíticos concuerdan con las gráficas de corriente y voltaje. 3) Al aumentar la señal de entrada, se observa distorsión debido a saturación y corte del transistor.
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd
0% encontró este documento útil (0 votos)
62 vistas

Tarea2 Elo A

1) El documento analiza un circuito amplificador mediante análisis de punto de operación y pequeña señal. Se calcula analíticamente la ganancia de voltaje y la impedancia de entrada. 2) Las simulaciones muestran que los resultados analíticos concuerdan con las gráficas de corriente y voltaje. 3) Al aumentar la señal de entrada, se observa distorsión debido a saturación y corte del transistor.
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd
Está en la página 1/ 8

Tarea 2

Análisis de circuito amplificador


Nombre: Jonathan Porta Andrade
Rol: 201321054-6
Asignatura/fecha: Elo 106/12-01-15
Profesor: Cesar Silva

Se analizará el circuito amplificador de la figura 1.1

Figura 1.1 Circuito amplificador propuesto.

1. Para comenzar, se buscará analíticamente el punto de operación de transistor Q1.

Se aísla la red de los niveles de ac, reemplazando los capacitores con un equivalente de circuito abierto, ya que la
1 1
reactancia de un capacitor en cd es 𝑋𝑐 = = = ∞[Ω]. Además para propósitos de análisis se divide la fuente
2𝜋𝑓𝐶 2𝜋0𝐶
V1, con lo cual es posible determinar el equivalente de Thévenin visto desde la base del transistor Q1.

Redibujando se obtiene el circuito de la figura 1.2.

Figura 1.2 Figura 1.2 Circuito equivalente análisis cd.

1
Los datos mostrados para 𝑅𝑡 y 𝑉𝑡 mostrados en la figura 1. Se obtuvieron con las siguientes ecuaciones:
𝑉1 ∙ 𝑅2
𝑉𝑡 = (1)
𝑅2 + 𝑅10
𝑅1 ∙ 𝑅2
𝑅𝑡 = (2)
𝑅1 + 𝑅2
Mediante técnicas de análisis de redes (𝐿𝑉𝐾) se obtienen las expresiones para el punto de operación:
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝑏𝑒
𝑖𝑐𝑄 = ℎ𝐹𝐸 ∙ 𝑖𝑏𝑄 = ℎ𝐹𝐸 ∙ (3)
𝑅𝑡 + 𝑅6 ∙ (ℎ𝐹𝐸 + 1)
𝑉𝑐𝑒𝑄 = 𝑉1 − 𝑅4 ∙ ℎ𝐹𝐸 ∙ 𝑖𝑏𝑄 − (𝑅3 + 𝑅6) ∙ (ℎ𝐹𝐸 + 1)𝑖𝑏𝑄 (4)

Considerando ℎ𝐹𝐸 = 100, 𝑉𝑏𝑒 = 0.7[𝑉] y reemplazando los datos presentados en la figura 1.1 en las
ecuaciones (1), (2), (3) y (4) se obtiene que:

𝑉𝑡 = 2.44[𝑉]

𝑅𝑡 = 9.56[𝑉]
𝑖𝑐𝑄 = 1.39[𝑚𝐴]

𝑉𝑐𝑒𝑄 = 7.08[𝑉]

2. Mediante la simulación de la figura 1.1 y la figura 1.2 se obtiene las gráficas para 𝑖𝑐 (𝑡) y 𝑉𝑐𝑒 (𝑡) y se compara el
punto de operación obtenido analíticamente en el punto 1 con el que se observa en las imágenes
correspondientes.

Figura 1.3 Gráfica de 𝑖𝑐 (𝑡) a pequeña señal

Figura 1.4 Gráfica de 𝑖𝑐 (𝑡) a señal continua.

2
Figura 1.5. Gráfica de 𝑉𝑐𝑒 (𝑡) a pequeña señal.

Figura 1.6. Gráfica de 𝑉𝑐𝑒 (𝑡) a señal continua.

Observaciones:

 Haciendo uso de los cursores tal y como se posicionaron en las figuras 1.3, 1.4, 1.5 y 1.6 se obtiene que el valor
de 𝑖𝑐(𝑡) y 𝑉𝑐𝑒(𝑡) a señal continua se corresponden aproximadamente al valor medio de 𝑖𝑐(𝑡) y 𝑉𝑐𝑒(𝑡) a
pequeña señal y estos a la vez se deben ser iguales a los valores del punto de operación encontrado
analíticamente, sin embargo debido a que se consideró un ℎ𝐹𝐸 = 100 los resultados no fueron exactos. Para
ℎ𝐹𝐸 ≅ 200 el software entrega una excelente aproximación.

3. Luego de obtener el punto de operación se procede a realizar el análisis a pequeña señal para obtener la
ganancia de voltaje (𝑎) y la impedancia de entrada (𝑏).

Procedimiento:

Se aísla la red de los niveles de dc apagando la fuente V1, además se reemplazan los capacitores C1, C2 y C3
por cortos circuitos equivalentes. En La figura 1.7 se presentan los cambios realizados.

3
Figura 1.7.Representación equivalente a pequeña señal.

Ahora se procede reemplazando el transistor por su representación equivalente híbrido aproximado,


considerando ℎ𝑜𝑒 lo suficientemente grande para reemplazarlo por un equivalente de circuito abierto se obtiene la
imagen de la figura 1.8.

Figura 1.8.Representación equivalente modelo híbrido aproximado.

Ahora es posible obtener la ganancia de voltaje como:


𝑉𝑜
𝐴𝑣 = (5)
𝑉2
Mediante sucesivo uso de la ley de ohm:
𝑉2
𝑉𝑜 = −ℎ𝑓𝑒∙ (𝑅4 ∥ 𝑅5) ∙ (6)
𝑍𝑏
Por ley de ohm es posible obtener 𝑍𝑏 𝑐𝑜𝑚𝑜:

𝑍𝑏 = ℎ𝑖𝑒 + 𝑅3 ∙ (ℎ𝑓𝑒 + 1) (7)

4
Luego reemplazando (6) y (7) en (5) se obtiene que la ganancia de voltaje corresponde a:
ℎ𝑓𝑒 ∙ (𝑅4 ∥ 𝑅5)
𝐴𝑣 = − (8)
ℎ𝑖𝑒 + 𝑅3 ∙ (ℎ𝑓𝑒 + 1)

Observación:

 El signo menos indica que la señal de salida está desfasada 180 grados con respecto a la señal de entrada.

Por otra parte se puede calcular la impedancia de entrada como:

𝑍𝑖 = (𝑅1 ∥ 𝑅2) ∥ 𝑍𝑏 (9)

Reemplazando los datos presentados en la figura 1.8 y considerando ℎ𝑓𝑒 = 100, se obtiene de las ecuaciones
(8) y (9) que:

(𝑎) 𝐴𝑣 = −13.1
(𝑏) 𝑍𝑖 = 7.48 [𝑘Ω]

4. Mediante simulación se obtendrán las gráficas para 𝑉2(𝑡) y 𝑉𝑜 = 𝑉(𝑅5) luego se obtendrá la ganancia de
voltaje mediante (5). También será de interés calcular la impedancia de entrada para ello se graficará 𝑉2 y 𝐼𝑖 .

Figura 1.9: 𝑉𝑜 en rojo y 𝑉2 en azul.

Figura 1.10. V2 en rojo y I(V2) (corriente de entrada ) en azul.

5
Haciendo uso de los cursores, se obtiene que la ganancia de voltaje y la impedancia de entrada corresponden a:

𝑉𝑜
𝐴𝑣 = = 12.7
𝑉2
𝑉2
𝑍𝑖 = = 7.49[𝑘Ω]
𝐼(𝑉2)

Valor muy cercanos a los calculado analíticamente.

5. Se aumenta progresivamente la seña de entrada hasta observar una distorsión en la señal de salida.

Figura 1.11 señal de salida en azul con 𝑉2 = 100[𝑚𝑉]

Figura 1.12 señal de salida en azul con 𝑉2 = 400[𝑚𝑉]

Observaciones:

 Se observa que en el pico negativo el transistor está saturado, en el punto 6 se explicará este fenómeno.

6
6. Aumentando aún más la señal de entrada, se observa una nueva distorsión en la salida.

Figura 1.13 señal de salida en azul con 𝑉2 = 600[𝑚𝑉]

Observaciones:

 En la gráficas se observa que la señal comienza a distorsionarse al aumentar la amplitud de la entrada, esto se
debe a que a que el nivel de dc sumado al de la señal de entrada provoca que el transistor pase a zona de
saturación y corte, esto se puede visualizar mejor si se grafica 𝑉𝑏𝑒 y 𝑉𝑐𝑒 junto a la señal de salida:

Figura 1.14 𝑉𝑏𝑒 en azul, 𝑉𝑐𝑒 en rojo y 𝑉𝑜 en verde


En los picos positivos el transistor está cortado ( 𝑉𝑏𝑒 < 0.7[𝑉]), mientras que en los picos negativos se
encuentra saturado (𝑉𝑐𝑒 < 0.3[𝑉]).

 Se observa que la distorsión comienza en el pico negativo del a salida, esto se debe a que punto de operación
establecido no está bien centrado en la recta de carga. Si se quiere hacer que la señal se distorsione
simétricamente se tiene que hacer:

1 𝑉1 1
𝐼𝑐𝑄 = , 𝑉𝑐𝑒𝑄 = ∙ 𝑉1
2 ∙ 𝑅4 + 𝑅3 2

7
Conclusiones:
 El modelo hibrido aproximado del transistor permite obtener buenos resultados a la hora de calcular la ganancia
de voltaje e impedancia de entrada.
 A la hora de comparar el punto de operación en LTspice hay que tener en cuenta que el ℎ𝑓𝑒 será distinto y por
tanto también variará un poco el punto de operación.
 La simetría de la señal de salida de un amplificador depende de que tan pequeña sea la señal de entrada y que
tan centrado este el punto de operación sobre la recta de carga dc.

También podría gustarte