Electro
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INGENIERÍA ELECTRÓNICA.
Laboratorio de Transistores
Luis Duván Álvarez , Katlin Ramos, Christian Deluquez ,
Edwards Otalora.
Resumen— El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en
respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
«transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video,
relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi siempre dentro de los
llamados circuitos integrados.
I. INTRODUCCIÓN
En esta práctica el estudiante podrá comprobar como la corriente en el transistor varia al cambiar la cantidad de polarización en la unión emisor-
base gracias a los cambios aplicados en la corriente de base.
II. OBJETIVOS
CIRCUITO I
Construya el circuito y realice todos los cálculos de voltaje y corriente del circuito de prueba mostrado en la figura 1.
CIRCUTO II
Construya el circuito y realice todos los cálculos de voltaje y corriente del circuito de prueba mostrado en la figura 2, fijando como voltaje de
polarización 12Vdc.
3. Calcule el equivalente Thévenin según lo mostrado en la figura 3 y calcule los siguientes parámetros
4. Vuelva a armar el circuito de la figura 2 aplicando los valores calculados para el equivalente Thévenin, y mida nuevamente
las variables medidas en el punto 3.
5. Compare los datos obtenidos a partir del montaje del circuito de la figura 2 con el montaje equivalente realizado con los
valores obtenidos del Thévenin. ¿Qué diferencias surgen entre los dos montajes, justifique su análisis y respuestas?
CIRCUITO III
Construya el circuito y realice todos los cálculos de voltaje y corriente del circuito de prueba mostrado en la figura 4, fijando como voltaje de
polarización 12Vdc.
IV. RESULTUDADOS
CIRCUITO I
UNIVERSIDAD POPULAR DEL CESAR-FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLÓGICAS, PROGRAMA DE 3
INGENIERÍA ELECTRÓNICA.
R2
1KΩ
R1 Q1
2N2923 V2
36KΩ 15V
V1
5V R3
1KΩ
V BE =676.218 mV V CE =7.933 V
I C =3.523 mA I B=21.575 uA
I Ec =3.547 A I Em=3.544 A
β=3165.701
RB VBE IC
22KΩ 681,444mV 3,783mA
36KΩ 679,219mV 3,523mA
100KΩ 671,005mV 2,686mA
CIRCUITO II
R3
R1
1.2kΩ R7
12kΩ
1.2kΩ
Q2
V1 R6 Q1
2N2222* V2
12V 2N2222**
2204.08Ω 12V
R2 V3
2.7kΩ R4 2.2V R8
270Ω 270Ω
Cambiamos los β del transistor tanto del circuito original y del Thévenin
CIRCUITO III
R1 R3
1.2kΩ 3.3kΩ R7
1.2kΩ
β
V1 Q3
100 150 200 V3 Q4 R6
12V 12V
2481.2Ω
IE 8,146mA 8,136mA 8,131mA 2N3905*
2N3905**
VE 9,775V 9,763V 9,757V
R2 R4 R8 V2
VB 2.2kΩ
9,059V
10kΩ
9,047V 9,041V 2.2kΩ 9.02V
V. CONCLUSIONES
En este laboratorio pudimos analizar las propiedades del transistor, observando el si el voltaje de base incrementa la corriente del corto también
incrementa, en el segundo circuito podemos analizar la influencia del beta en los voltaje del transistor. La relación que podemos obtener es, si el
beta incrementa el voltaje de base, el voltaje de emisor y la corriente del emisor incrementa, pero el voltaje colector disminuye. Otra relación que
podemos ven en la misma es como ya vimos que le VB incrementa la IC también y se ve con el IE.
En el tercer circuito podemos ver la misma relación pero ya con un transistor pnp.
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Bibliografía
[1] H. A. R., Electronica, Prentice Hall, 2001.
[2] T. R. Vázquez, Análisis básico de circuitos eléctricos y electrónicos, Pearson, 2004.
[3] Albert Paul Malvino,David J. Bates, Principios de Electronica, Mcgraw-Hill, 2007.
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ANEXOS