Guia de Laboratorio Sem 12 PDF

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Gestión Curricular

Tercera Unidad

Guía de práctica N° 12
Análisis del comportamiento del transistor FET

Apellidos : ………………………..……………….. Docente: Ing. Jhon Sosa Hinostroza

Fecha : .…../……/2020 Duración: 180 minutos

Instrucciones: Lea detenidamente cada una de las instrucciones y enunciados, aplique el criterio
personal para la realización de los experimentos.

Tome en cuenta las normas de seguridad del laboratorio y las reglas de usuario, utilice los instrumentos de
forma adecuada evitando el deterioro o avería de los instrumentos.

1. Propósito /Objetivo (de la práctica):


Conocer las diferentes configuraciones de polarización para un transistor de efecto de campo.
2. Fundamento Teórico
Curva característica del transistor FET

Punto de operación y recta d carga estática

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3. Equipos, Materiales y Reactivos


3.1. Equipos

Ítem Equipo Característica Cantidad

1 Protoboard Estándar 1

2 Multímetro Estándar 3

3 Alicate de corte 1

4 Alicate de pinza 1

3.2. Materiales

Ítem Material Característica Cantidad

1 Transistor FET K373 1

3 Pila 9 voltios con conector 1

4 Pila 1.5 voltios con 1 2


portapilas
5 TRIMPOT MULTIVUELTA 10K 2

6 Alambre para protoboard 2 metros 1

4. Indicaciones/instrucciones:
4.1 El alumno debe traer los materiales, pudiendo hacerlo en grupos de máximo 3 integrantes.
4.2 Un representante de grupo solicitará al encargado de laboratorio los equipos necesarios para realizar
la práctica.
4.3 Ejecutar el procedimiento según la secuencia establecida, cada alumno debe tomar una actividad,
mientras otro los graba en video.

5. Procedimientos:

Un JFET K373 •

Un LED de color (verde, rojo o amarillo) •

Resistores ½ W: de 270Ω , 470Ω, 33KΩ, 4.7KΩ, 100KΩ, 1.8KΩ, 2KΩ, 1MΩ. •

Potenciómetro de 10KΩ.

5.1. Arme el circuito mostrado en la Figura, coloque un amperímetro entre el circuito y la fuente de voltaje,
encienda esta y observe tanto el amperímetro como el LED. Registre los resultados.

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5.2. Arme y conecte el divisor de voltaje de la Figura gire el potenciómetro y observe la corriente, con el
voltímetro mida la tensión VGS en el momento en que:

a) El diodo led se apaga

b) El diodo led alcanza su máxima intensidad Registre sus resultados.

5.3. Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID así como las tensiones en los diferentes nudos y
puntos del circuito.

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CUESTIONARIO

1. Consulte la hoja de características del transistor JFET e indique sus parámetros más importantes

2. Para cada una de las configuraciones implementadas realice los cálculos correspondientes y
compárelas con los resultados obtenidos en la practica

3. Indique cual es el método para comprobación de transistores JFET usando un multímetro

6. Resultados
6.1 ………………………………………………………………………………………………………………..
6.2 ………………………………………………………………………………………………………………..
6.3 ………………………………………………………………………………………………………………..
6.4 ………………………………………………………………………………………………………………..
7. Conclusiones
7.1.………………………………………………………………………………………………………………………………
7.2………………………………………………………………………………………………………………………………
7.3………………………………………………………………………………………………………………………………
8. Sugerencias y /o recomendaciones
………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………

Referencias bibliográficas consultadas y/o enlaces recomendados

Malvino, A., & Bates. (2006). Principios de electrónica. Mc Graw - Hill.

Pallas, R. (2006). Instrumentos electrónicos básicos. Marcombo.

Ruiz Robredo, G. A. (2009). Electrónica básica para ingenieros. Cantabria.

Ryder, J. (1962). Electrónica. Madrid.

https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-4.-transistores-
de-efecto-campo.p
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