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    Diodo Ideal VS Diodo Práctico

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    El documento describe el comportamiento ideal vs real de los diodos semiconductores. Idealmente, un diodo actuaría como un interruptor cerrado con resistencia 0 ohmios cuando está polarizado directamente, y como un interruptor abierto con resistencia infinita cuando está polarizado inversamente. Sin embargo, los diodos reales tienen una resistencia mayor a 0 ohmios cuando están polarizados directamente debido a su punto de trabajo de 0.7 voltios en lugar de 0 voltios. Aún así, los diodos reales se aproximan al comportamiento ideal y funcionan de manera efectiva como disposit

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    El documento describe el comportamiento ideal vs real de los diodos semiconductores. Idealmente, un diodo actuaría como un interruptor cerrado con resistencia 0 ohmios cuando está polarizado directamente, y como un interruptor abierto con resistencia infinita cuando está polarizado inversamente. Sin embargo, los diodos reales tienen una resistencia mayor a 0 ohmios cuando están polarizados directamente debido a su punto de trabajo de 0.7 voltios en lugar de 0 voltios. Aún así, los diodos reales se aproximan al comportamiento ideal y funcionan de manera efectiva como disposit

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    Diodo ideal VS Diodo Práctico

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    El documento describe el comportamiento ideal vs real de los diodos semiconductores. Idealmente, un diodo actuaría como un interruptor cerrado con resistencia 0 ohmios cuando está polarizado directamente, y como un interruptor abierto con resistencia infinita cuando está polarizado inversamente. Sin embargo, los diodos reales tienen una resistencia mayor a 0 ohmios cuando están polarizados directamente debido a su punto de trabajo de 0.7 voltios en lugar de 0 voltios. Aún así, los diodos reales se aproximan al comportamiento ideal y funcionan de manera efectiva como disposit

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    20 DIODOS 1.7 LO IDEAL VS.

    LO PRÁCTICO
    SEMICONDUCTORES ●
    En la sección anterior vimos que la unión p-n permite un flujo abundante de carga cuando da
    una polarización en directa, y un nivel muy pequeño de corriente cuando la polarización es en
    inversa. Ambas condiciones se resumen en la figura 1.21 con el vector de corriente grueso en la
    figura 1.21 en correspondencia con la dirección de la flecha del símbolo de diodo y el vector sig-
    nificativamente menor en la dirección opuesta de la figura 1.21b, que representa la corriente de
    saturación en inversa.
    Una analogía utilizada con frecuencia para describir el comportamiento de un diodo semi-
    conductor es un interruptor mecánico. En la figura 1.21a el diodo está actuando como un inte-
    rruptor cerrado que permite un flujo abundante de carga en la dirección indicada. En la figura
    1.21b el nivel de corriente es tan pequeño en la mayoría de los casos que puede ser aproximado
    como 0 A y representado por un interruptor abierto.

    VD VD
    + – – +

    ID Is

    (a) (b)

    FIG. 1.21
    Diodo semiconductor ideal: (a) polarizado
    en directa; (b) polarizado en inversa.

    En otras palabras:
    El diodo semiconductor se comporta como un interruptor mecánico en el sentido de que
    puede controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales.
    Sin embargo, también es importante tener en cuenta que:
    El diodo semiconductor es diferente del interruptor mecánico en el sentido de que cuando
    éste se cierra sólo permite que la corriente fluya en una dirección.
    Idealmente, para que el diodo semiconductor se comporte como un cortocircuito en la región
    de polarización en directa, su resistencia deberá ser de 0 V. En la región de polarización en in-
    versa su resistencia deberá ser de `V para representar el equivalente a un circuito abierto. Tales
    niveles de resistencia en las regiones de polarización en directa y en inversa producen las carac-
    terísticas de la figura 1.22.
    Las características se han sobrepuesto para comparar el diodo Si ideal con un diodo de Si
    real. Las primeras impresiones podrían indicar que la unidad comercial es una deficiente impre-
    sión del interruptor ideal. Sin embargo, cuando se considera que la única diferencia importante
    es que el diodo comercial se eleva a un nivel de 0.7 V en lugar de 0 V, se dan varias similitudes
    entre las dos gráficas.
    Cuando un interruptor se cierra se supone que la resistencia entre las terminales es de 0 V.
    En el punto de la gráfica seleccionado, la corriente en el diodo es de 5 mA y el voltaje a través
    de él es de 0 V. Sustituyendo en la ley de Ohm se obtiene
    VD 0V
    RF = = = 0æ (equivalente a un cortocircuito)
    ID 5 mA
    De hecho:
    A cualquier nivel de corriente sobre la línea vertical, el voltaje a través del diodo ideal es de
    0 V y la resistencia es de 0 V.
    Para la sección horizontal, si aplicamos de nuevo la ley de Ohm, vemos que
    VD 20 V
    RR = = qÆ (equivalente a un circuito abierto)
    ID 0 mA
    ID NIVELES DE RESISTENCIA 21

    Características ideales

    10 mA

    ID

    220 V

    0.7 V VD

    Características reales
    Is 0 mA

    FIG. 1.22
    Características de semiconductor ideales contra reales.

    De nueva cuenta:
    Como la corriente es de 0 mA en cualquier parte de la línea horizontal, la resistencia es de
    `V en cualquier punto del eje.
    Por la forma y ubicación de la curva para la unidad comercial en la región de polarización en
    directa, habrá una resistencia asociada con el diodo de más de 0 V. Sin embargo, si la resisten-
    cia es lo bastante pequeña comparada con los otros resistores de la red conectados en serie con el
    diodo, a menudo es una buena aproximación suponer que la resistencia de la unidad comercial
    es de 0 V. En la región de polarización en inversa, si suponemos que la corriente de saturación
    en inversa es tan pequeña que puede ser aproximada a 0 mA, tenemos la misma equivalencia de
    circuito abierto provista por el interruptor abierto.
    El resultado es, por consiguiente, que existen suficientes similitudes entre el interruptor ideal
    y el diodo semiconductor que lo hacen ser un dispositivo electrónico eficaz. En la siguiente sec-
    ción se determinan los diversos niveles de resistencia de importancia para usarlos en el siguien-
    te capítulo, donde se examina la respuesta de diodos en una red real.

    1.8 NIVELES DE RESISTENCIA


    ●
    A medida que el punto de operación de un diodo se mueve de una región a otra, su resistencia
    también cambia debido a la forma no lineal de la curva de características. En los párrafos si-
    guientes se demostrará que el tipo de voltaje o señal aplicada definirá el nivel de resistencia de
    interés. En esta sección se presentarán tres niveles diferentes, los cuales volverán a aparecer
    cuando examinemos otros dispositivos. Es de suma importacia, por consiguiente, que su deter-
    minación se entienda con toda claridad.

    Resistencia de CD o estática
    La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor produce un
    punto de operación en la curva de características que no cambia con el tiempo. La resistencia del
    diodo en el punto de operación se halla determinando los niveles correspondientes de VD e ID co-
    mo se muestra en la figura 1.23 y aplicando la siguiente ecuación:

    VD
    RD = (1.3)
    ID

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