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    Analisis Del Transistor en CA

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    Jez Hernandez
    Este documento describe los modelos de circuito equivalente en pequeña señal y en corriente alterna (CA) para un transistor bipolar. Presenta los parámetros clave como la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancias de entrada y salida, y describe cómo estos parámetros varían según la configuración y polarización del transistor. También explica los modelos equivalentes en R y Pi que se usan para el análisis en CA, asumiendo variaciones pequeñas en torno al punto de polarización.

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    Analisis Del Transistor en CA

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    Este documento describe los modelos de circuito equivalente en pequeña señal y en corriente alterna (CA) para un transistor bipolar. Presenta los parámetros clave como la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancias de entrada y salida, y describe cómo estos parámetros varían según la configuración y polarización del transistor. También explica los modelos equivalentes en R y Pi que se usan para el análisis en CA, asumiendo variaciones pequeñas en torno al punto de polarización.

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    Analisis del transistor en CA

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    Este documento describe los modelos de circuito equivalente en pequeña señal y en corriente alterna (CA) para un transistor bipolar. Presenta los parámetros clave como la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancias de entrada y salida, y describe cómo estos parámetros varían según la configuración y polarización del transistor. También explica los modelos equivalentes en R y Pi que se usan para el análisis en CA, asumiendo variaciones pequeñas en torno al punto de polarización.

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    Este documento describe los modelos de circuito equivalente en pequeña señal y en corriente alterna (CA) para un transistor bipolar. Presenta los parámetros clave como la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancias de entrada y salida, y describe cómo estos parámetros varían según la configuración y polarización del transistor. También explica los modelos equivalentes en R y Pi que se usan para el análisis en CA, asumiendo variaciones pequeñas en torno al punto de polarización.

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    Analisis del transistor en CA - io: Corriente de salida.

    En este modelo circuital: - Av: Ganancia de voltaje. 

    - hie: Resistencia de entrada =26mV/ib. - Ai: Ganancia de corriente. 

    - hre: Relación de voltaje de transferencia inverso. Estos parámetros varían de acuerdo a la configuración y a la
    polarización. También varían dependiendo de si existe RS:
    - hfe: Relación de corriente de transferencia directa.
    Resistencia de fuente o RL: Resistencia de carga. Se debe tener en
    - hoe: Conductancia de salida. cuenta que las impedancias de entrada y de salida son las que se
    hallan después y antes de los condensadores de acople
    En el análisis ac se cumplen también la condición de IE=IC+IB. En los respectivamente, es decir no toman en cuenta a RS y a RL, y sus
    siguientes análisis se asumirá el modelo aproximado en donde valores sirven para realizar la adaptación de impedancias y lograr la
    hoe=hre=0. máxima transferencia de potencia:

    Normalmente en el análisis ac se deben hallar los siguientes


    parámetros:

    - zi: Impedancia de entrada.  Para hallar los valores de zi y zo , se debe realizar el equivalente de
    Thevenin. En las configuraciones en ac muchas veces se elimina total
    - zo: Impedancia de salida.  o parcialmente la resistencia que es común, es decir en Emisor
    - vi: Voltaje de entrada.  común la resistencia de Emisor, en Base común la resistencia de
    Base, y en Colector la resistencia de colector. Esto se logra
    - vo: Voltaje de salida.  colocando un condensador en paralelo a las resistencias, que en ac
    - ii: Corriente de entrada.  es un corto circuito.
    Modelo equivalente en pequeña señal de un BJT

    Las variaciones en pequeña señal son despreciables respecto a las


    de polarización en c.c. No afectando a los puntos de polarización
    calculados. Estos modelos serán para aplicaciones de baja
    frecuencia, por lo tanto, no se tendrán en cuenta las capacidades
    parásitas asociadas al funcionamiento de los mismos.

    Si partimos del modelo de Ebers-Moll simplificado, podemos


    considerar lo siguiente
    Modelo equivalente en “R” del transistor bipolar en c.a.

    Al trabajar con variaciones muy pequeñas del punto de


    funcionamiento, podemos considerar lineal el tramo de respuesta
    del transistor y linealizar en torno a ese punto de trabajo las
    ecuaciones anteriores.

    Aplicando la Ley de Kirchoff de las tensiones y sustituyendo por las


    ecuaciones de Ebers-Moll simplificadas, nos queda

    Si los incrementos son las variaciones respecto del punto Q debido a


    la señal aplicada y escribimos con letras minúsculas sus valores para
    simbolizar funcionamiento en c.a., nos queda
    El modelo en “π” para c.a. que se rige por estas ecuaciones queda
    mostrado. Tanto en los modelos en “R” como en “π” se le puede
    añadir la resistencia ro o de salida para tener en cuenta el Efecto
    Early.

    Modelo equivalente en “π” del transistor bipolar en c.a.

    Operando de forma similar al modelo en “R”, pero con la rama de


    base, las ecuaciones nos quedan

    Trabajando con los incrementos, nos queda

    Utilizando letras minúsculas para corriente alterna, nos queda

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