3-Modelos de Transistores para Pequeña Señal

ELECTRONICA ANALOGICA I ING.
GABRIEL DUGA
ELETRONICA ANALOGICA I ING. GABRIEL DUGA
FUNCIONAMIENTO PARA PEQUEÑA SEÑAL

Estudiaremos modelos lineales para pequeña señal que representan el
trabajo del transistor en la región activa.
En un principio analizaremos los circuitos en baja frecuencia por lo que las

capacidades parasitas del transistor pueden despreciarse.
Si la señal de la base es grande, se observa

que la corriente de emisor se encuentra
distorsionada.
14/08/2017 2

Supongamos ahora que inyectamos en la
base una corriente senoidal con un pico de
200uA en torno al punto Q dado para
300uA.
14/08/2017 3

Observamos los extremos A y B para la
corriente de base y para la de colector en
la curva de salida y vemos que las formas
de onda no son las mismas.
Esto se debe a que las características del colector en la proximidad

de la recta de carga no son líneas paralelas igualmente espaciadas
14/08/2017 para iguales incrementos de la corriente de base. 4

Este cambio en la forma de onda se llama distorsión no lineal.
Sin embargo, para una pequeña señal, por ejemplo:
𝑖𝑒𝑝𝑝 < 0,1𝐼𝐸𝑄
se puede aproximar la curva el transistor en forma lineal.
14/08/2017 5
MODELO DEL DIODO EN PEQUEÑA SEÑAL
Si vamos a trabajar en un entorno

pequeño del punto Q podemos reemplazar
la curva del diodo por la recta tangente de
la curva en ese punto.
Para calcular la ecuación de esa recta necesitamos el punto de origen y la

pendiente de la misma o lo que es lo mismo (hacer un desarrollo en serie de
Taylor de los 2 primeros términos).
La serie de Taylor en un punto 𝑎 se escribe como:
14/08/2017 6
MODELO DEL DIODO EN PEQUEÑA SEÑAL
Tomando los dos primeros términos y aplicándola

a la ecuación de Shockley en el punto Q tenemos:
𝜕𝑖𝐷
𝑖𝐷 ≅ 𝑖𝐷 Q + 𝑄 ∗ (𝑣𝐷 − 𝑣𝐷 𝑄 )
𝜕𝑣𝐷
Luego la podemos reacomodar como:

𝜕𝑖𝐷
𝑖𝐷 − 𝑖𝐷 Q = 𝑄 ∗ (𝑣𝐷 − 𝑣𝐷 𝑄 )
𝜕𝑣𝐷
Calculamos la derivada en el punto Q
𝑣𝐷
𝜕𝑖𝐷 𝜕(𝐼𝑠 ∗ [𝑒 𝑛𝑉𝑇
− 1] 1 𝑉𝑛𝑉𝐷𝑄 1 𝑉𝐷𝑄
𝑛𝑉
𝐼𝐷𝑄
𝑄 = = 𝐼𝑠 𝑒 𝑇 ≅ 𝐼 [𝑒 𝑇 −1] =
𝜕𝑣𝐷 𝜕𝑣𝐷 𝑛𝑉𝑇 𝑛𝑉𝑇 𝑠 𝑛𝑉𝑇
Utilizando notación de señal para las variaciones desde Q
𝜕𝑖𝐷 𝐼𝐷𝑄
𝑖𝑑 = 𝑄 ∗ 𝑣𝑑 ⇒ 𝑖𝑑 = ∗ 𝑣𝑑 = 𝑔𝑚 ∗ 𝑣𝑑
𝜕𝑣𝐷 𝑛𝑉𝑇
14/08/2017 7
MODELO HIBRIDO
Consideremos el siguiente cuadripolo.
Podemos elegir 2 de las cuatro variables como independientes y expresar

las siguientes relaciones entre tensión y corriente para un cuadripolo lineal.
Los valores h se llaman parámetros híbridos porque no tienen dimensiones

homogéneas.
14/08/2017 8
MODELO HIBRIDO
Si no existen elementos reactivos en el cuadripolo podemos definir los
parámetros de la siguiente manera:
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MODELO HIBRIDO
14/08/2017 10
MODELO HIBRIDO
El circuito híbrido para cualquier sistema caracterizado por las ecuaciones
Es el siguiente:
14/08/2017 11
MODELO HIBRIDO DEL TRANSISTOR

Considerando que las variaciones alrededor del punto Q son pequeñas,
podemos considerar que los parámetros son constantes para cualquier valor
de la señal.
Veamos como puede obtenerse un modelo hibrido para el transistor y vamos

a considerar el transistor en emisor común que es el mas utilizado.
Donde las variables representan los

valores instantáneos totales de corrientes y
tensiones.
Haciendo un desarrollo en serie de Taylor de las funciones y tomando solo

los primeros términos tenemos:
14/08/2017 12

Los valores ∆𝑣𝐵 , ∆𝑣𝐶 , ∆𝑖𝐵 , ∆𝑖𝐶 representan los valores de pequeña señal
incremental y cambiando la notación podemos escribir:
Finalmente podemos definir los parámetros h para la conexión en emisor común
14/08/2017 13

Si tomamos en cuenta que las derivadas parciales
se tomaron considerando 𝑉𝐶 𝑜 𝐼𝐵 = 𝑐𝑡𝑒.
Tenemos que:
• 𝑉𝐶 = 𝑐𝑡𝑒 es lo mismo que 𝑣𝑐 = 0
• 𝐼𝐵 = 𝑐𝑡𝑒 es lo mismo que 𝑖𝑏 = 0
Luego de esta aclaración podemos llevar todas

las expresiones a la forma:
14/08/2017 14

Los parámetros h pueden determinarse gráficamente de las
curvas de entrada y salida del transistor.
hfe
El parámetro 𝒉𝒇𝒆 es el mas importante para el transistor en pequeñas

señales. Es la relación de transferencia de corriente en EC para un
determinado punto de polarización, denominado beta de pequeña señal.
14/08/2017 15

hoe
El parámetro 𝒉𝒐𝒆 es la conductancia de salida en EC para un

determinado punto de polarización.
14/08/2017 16
TENSION DE EARLY
Como sabemos si aumentamos la polarización inversa de la juntura de colector
el ancho efectivo de la base disminuye lo que produce un aumento de la
corriente de colector. Esto se observa en las curvas de salida del transistor.
Podemos observar que todas las

pendientes confluyen a un mismo
punto 𝑉𝐴 , llamado tensión de Early.
Por otro lado sabemos que la

pendiente de esas curvas nos
representan la resistencia de salida
en el modelo del transistor.
La siguiente ecuación aproxima las
curvas utilizando como parámetro a la
tensión de Early y por lo tanto a partir
de ella podemos obtener la
resistencia de salida.
𝜕𝑖𝐶 𝐼𝐶𝑄
𝒉𝒐𝒆 = ≅
𝜕𝑣𝐶𝐸 𝑉𝐴
14/08/2017 17

hre
El parámetro 𝒉𝒓𝒆 es la ganancia inversa de tensión en EC para un

14/08/2017 18

hie
El parámetro 𝒉𝒊𝒆 es la resistencia de entrada en EC para un

14/08/2017 19
VARIACION DE LOS PARAMETROS h

Podemos observar de las características de entrada y salida que variando el
punto de polarización, también varían los parámetros h. Por otro lado,
sabemos que las curvas varían con la temperatura por lo que los parámetros
h también lo harán.
14/08/2017 20
VARIACION DE LOS PARAMETROS h
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ANALISIS DE UN CTO AMPLIFICADOR

APLICANDO PARAMETROS h
14/08/2017 22
ANALISIS DE UN CTO AMPLIFICADOR

APLICANDO PARAMETROS h
Sustituyendo el cuadripolo por el circuito de parámetros híbridos genérico

utilizable para EC, BC, CC, tenemos:
14/08/2017 23
Suponiendo señales sinusoidales y aplicando notación de fasores para las

cantidades que varían de esta forma tenemos:
Ganancia de corriente:
Impedancia de entrada
14/08/2017 24
Ganancia de tensión o amplificación:
Si tenemos en cuenta la resistencia de la fuente
Considerando un circuito equivalente de entrada del transistor tenemos:
Entonces:
14/08/2017 25
Admitancia de salida
Obsérvese que la admitancia de salida es función

de la resistencia de fuente.
14/08/2017 26
14/08/2017 27
MODELO HIBRIDO SIMPLIFICADO
14/08/2017 28
MODELO HIBRIDO SIMPLIFICADO
14/08/2017 29
CALCULAR GANANCIAS E IMPEDANCIAS

DEL CIRCUITO EN EMISOR COMUN
14/08/2017 30
MODELO CON 𝑟𝜋
Considerando la juntura BE podemos expresar con la ecuación de Shockley la
relación entre la corriente de base y la tensión BE.
Para la mayoría de los transistores en zona activa podemos tomar n=1, entonces:
𝑣𝐵𝐸
𝑖𝐵 = 𝐼𝑠 ∗ [𝑒 𝑉𝑇 − 1]
14/08/2017 31
MODELO CON 𝑟𝜋
Luego recordando el desarrollo para la aproximación de la ecuación del diodo
en un entorno de pequeña señal alrededor del punto Q
Tomando los dos primeros términos y aplicándola

a la ecuación de Shockley en el punto Q tenemos:
𝜕𝑖𝐵
𝑖𝐵 ≅ 𝑖𝐵 Q + 𝑄 ∗ (𝑣𝐵𝐸 − 𝑣𝐵𝐸 𝑄 )
𝜕𝑣𝐵𝐸
Luego la podemos reacomodar como:
𝜕𝑖𝐵
𝑖𝐵 − 𝑖𝐵 Q = 𝑄 ∗ (𝑣𝐵𝐸 − 𝑣𝐵𝐸 𝑄 )
𝜕𝑣𝐵𝐸
𝑣𝐵𝐸
𝑖𝐵 = 𝐼𝑠 ∗ [𝑒 𝑉𝑇 − 1] Calculamos la derivada en el punto Q
𝑣𝐵𝐸
𝜕𝑖𝐵 𝜕(𝐼𝑠 ∗ [𝑒 𝑉𝑇
− 1] 1 𝑉𝑉𝐵𝐸𝑄 1 𝑉𝐵𝐸𝑄
𝑉
𝐼𝐵𝑄
𝑄 = = 𝐼𝑠 𝑒 𝑇 ≅ 𝐼𝑠 [𝑒 𝑇 −1] =
𝜕𝑣𝐵𝐸 𝜕𝑣𝐵𝐸 𝑉𝑇 𝑉𝑇 𝑉𝑇
𝜕𝑖𝐵 𝐼𝐵𝑄 1 𝑉𝑇 𝛽𝑉𝑇

𝑖𝑏 = 𝑄 ∗ 𝑣𝑏𝑒 ⇒ 𝑖𝑏 = ∗ 𝑣𝑏𝑒 = ∗ 𝑣𝑏𝑒 𝑟𝜋 = 𝑟𝜋𝐼𝐶𝑄 =
𝜕𝑣𝐵𝐸 𝑉𝑇 𝑟𝜋 𝐼𝐵𝑄 𝐼𝐶𝑄
14/08/2017
32
MODELO CON 𝑟𝜋
A temperatura ambiente 𝑉𝑇 ≅ 26𝑚𝑉 y luego con el 𝛽 e 𝐼𝐶𝑄 podemos obtener
esta resistencia para luego armar el modelo con 𝑟𝜋
Que puede transformarse fácilmente en:
14/08/2017 33
MODELO CON 𝑟𝜋
Circuito equivalente de alterna
14/08/2017 34
Obtener ganancias e impedancias
14/08/2017 35
Obtener ganancias e impedancias
14/08/2017 36
Calculo de un circuito
14/08/2017 37
MODELO DEL MOSFET DE PEQUEÑA SEÑAL

De la misma forma que obtuvimos el modelo para el BJT podemos obtener el
modelo del JFET y MOSFET.
Sabemos que la corriente de drenaje se puede expresar como función de:
Luego desarrollando en serie de Taylor y quedándonos con los 2 primeros

términos tenemos:
Podemos expresar la ecuación en términos de pequeña señal como:
14/08/2017 38
PARAMETROS DEL MODELO

Donde:
Es la conductancia mutua o trans-conductancia. Que también se puede

designar de acuerdo a la norma de los parámetros hibridos 𝑦𝑓𝑠 o 𝑔𝑓𝑠
transmitancia directa en fuente común.
Por otro lado:
La inversa de 𝑟𝑑 es la conductancia de drenaje 𝑔𝑑 que en parámetros

hibridos es 𝑦𝑜𝑠 o 𝑔𝑜𝑠
14/08/2017 39

Finalmente el modelo para baja frecuencia es:
14/08/2017 40
VARIACION DE LOS PARAMETROS

La dependencia de estos parámetros con respecto a la temperatura es:
14/08/2017 41

Consideremos al MOSFET polarizado en un punto Q de la zona de saturación.
Si realizamos una pequeña variación con respecto a este punto podemos
expresar esta variación de la siguiente forma:
14/08/2017 42

Como estableceremos el punto de polarización en la zona de saturación para
poder utilizar al MOSFET como amplificador, la ecuación para la corriente de
drenador es:
Considerando la pequeña variación tenemos:
y luego de expandir el binomio:
Sabiendo que para el punto Q se cumple:
14/08/2017 43

Podemos simplificar la corriente 𝐼𝐷𝑄 en ambos lados del igual. 0
Además, como trabajamos en pequeña señal los valores de 𝑣𝐺𝑆 (𝑡) son
pequeños y por lo tanto 𝑣𝐺𝑆 (𝑡)2 es despreciable con respecto a 𝑣𝐺𝑆 (𝑡)
quedando finalmente:
Entonces la trans-conductancia es:
Luego si despejamos 𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑡0 de la ecuación y

reemplazamos en la anterior:
14/08/2017 44

Luego si reemplazamos K tenemos:
Y reemplazando KP
14/08/2017 45
MODELO DEL FET DE PEQUEÑA SEÑAL

En el caso del FET y sabiendo que 𝑉𝑡0 = 𝑉𝑝 y que la corriente para 𝑉𝐺𝑆 = 0 es
𝐼𝐷𝑆𝑆 podemos utilizar la expresión:
2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VP 
Obteniendo 𝑔𝑚 como:
14/08/2017 46
14/08/2017 47
MODELO DEL FET DE PEQUEÑA SEÑAL

Al igual que para los BJT podemos obtener estos parámetros de las curvas
14/08/2017 48
AMPLIFICADOR MOSFET EN FUENTE

COMUN
14/08/2017 49

COMUN
14/08/2017 50

COMUN
∆𝑣 =?
𝑅𝑖𝑛 =?
𝑅𝑜𝑢𝑡 =?
14/08/2017 51
AMPLIFICADOR MOSFET SEGUIDOR DE

FUENTE
14/08/2017 52
SEGUIDOR DE FUENTE
14/08/2017 53
SEGUIDOR DE FUENTE
Para la resistencia de salida puede ser útil agregar una fuente 𝑣𝑥 a la salida y
calcular la corriente 𝑖𝑥
14/08/2017 54
SEGUIDOR DE FUENTE
Hallar 𝑅𝑠 para 𝐼𝐷𝑄 = 10𝑚𝐴, luego calcular resistencias de entrada y salida y

ganancia de tensión.
14/08/2017 55

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En un principio analizaremos los circuitos en baja frecuencia por lo que las

Si la señal de la base es grande, se observa

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Esto se debe a que las características del colector en la proximidad

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Sin embargo, para una pequeña señal, por ejemplo:

𝑖𝑒𝑝𝑝 < 0,1𝐼𝐸𝑄

se puede aproximar la curva el transistor en forma lineal.

MODELO DEL DIODO EN PEQUEÑA SEÑAL

Si vamos a trabajar en un entorno

Para calcular la ecuación de esa recta necesitamos el punto de origen y la

La serie de Taylor en un punto 𝑎 se escribe como:

MODELO DEL DIODO EN PEQUEÑA SEÑAL

Tomando los dos primeros términos y aplicándola

Luego la podemos reacomodar como:

Podemos elegir 2 de las cuatro variables como independientes y expresar

Los valores h se llaman parámetros híbridos porque no tienen dimensiones

MODELO HIBRIDO DEL TRANSISTOR

Veamos como puede obtenerse un modelo hibrido para el transistor y vamos

Donde las variables representan los

Haciendo un desarrollo en serie de Taylor de las funciones y tomando solo

MODELO HIBRIDO DEL TRANSISTOR

Finalmente podemos definir los parámetros h para la conexión en emisor común

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Luego de esta aclaración podemos llevar todas

MODELO HIBRIDO DEL TRANSISTOR

El parámetro 𝒉𝒇𝒆 es el mas importante para el transistor en pequeñas

MODELO HIBRIDO DEL TRANSISTOR

El parámetro 𝒉𝒐𝒆 es la conductancia de salida en EC para un

Podemos observar que todas las

Por otro lado sabemos que la

MODELO HIBRIDO DEL TRANSISTOR

El parámetro 𝒉𝒓𝒆 es la ganancia inversa de tensión en EC para un

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VARIACION DE LOS PARAMETROS h

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Sustituyendo el cuadripolo por el circuito de parámetros híbridos genérico

Suponiendo señales sinusoidales y aplicando notación de fasores para las

Ganancia de tensión o amplificación:

Si tenemos en cuenta la resistencia de la fuente

Considerando un circuito equivalente de entrada del transistor tenemos:

Obsérvese que la admitancia de salida es función

MODELO HIBRIDO SIMPLIFICADO

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Tomando los dos primeros términos y aplicándola

𝜕𝑖𝐵 𝐼𝐵𝑄 1 𝑉𝑇 𝛽𝑉𝑇

Que puede transformarse fácilmente en:

Circuito equivalente de alterna

Obtener ganancias e impedancias

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