Ejercicios

Ejercicio 1. CONSULTAR LAS HOJAS TÉCNICAS, PARA OBTENER LAS CARACTERÍSTICAS

GENERALES DEL DIODO RECTIFICADOR

De las hojas del fabricante consideramos:

IR=Is=5μA

T=TA=25oC

Como los materiales semiconductores (N y P) del diodo rectificador se construyen

tomando como base el silicio, por lo tanto m=2.

60Hz≤f≥1KHz Rango de frecuencia al que operan los diodos rectificadores

VD: de 0.6V a 0.7V En conducción

Vu: Voltaje de umbral (voltaje al que se rompe la barrera de potencial de la unión del
diodo); este voltaje es ligeramente menor a 0.6V.

rD: resistencia dinámica de diodo.

RD: resistencia estática

Considerando que el diodo en polarización directa se comporta idealmente como un

circuito corto, es decir, rD de 0Ω, pero realmente tiene un valor muy pequeño. Mientras
que al polarizar el diodo en inversa este se comporta como un circuito abierto, esto es, r D
presenta una resistencia interna de ꝏΩ, pero en realidad esta resistencia es muy grande.

Ejercicio 2. Partiendo de lo antes mencionado, representar el diodo se con un circuito

equivalente:

rAK=rD: muy pequeña idealmente 0Ω rKA=rD: muy grande idealmente infinitos Ohms
IAK=ID>0A IKA=ID=0A
VAK=VD=rDID+Vu VKA=VD≤0V
Polarización directa Polarización inversa
Tensión umbral. La tensión umbral o barrera de potencial de polarización directa coincide
en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Es la mínima
tensión que hay que aplicar al diodo para que el diodo empiece a dejar pasar corriente. Si
la tensión del diodo es mayor que esta tensión significa que el diodo permite el paso de la
corriente. Si la tensión del diodo es menor que dicha tensión significa que el diodo no deja
pasar corriente y que la corriente que pasa por él es nula.

Potencia de consumo del diodo:

𝑃𝐷 = 𝑉𝐷𝑚 á𝑥 𝐼𝐷𝑚 á𝑥

Sabiendo que:

𝑉𝐷 = 𝑉𝐴𝐾 = 𝑟𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝑈

Sustituyendo esta ecuación en la de potencia tenemos:

𝑃𝐷 = 𝑟𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝑈 𝐼𝐷

Ejercicio 3. Empleando la ecuación de Shockley, obtener la respuesta del diodo

considerando variaciones de VD desde -5V hasta 0.7V.
𝑒𝑉 𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑚𝐾𝑇 −1

Completar la Tabla, calculando ID, RD y PD, considerando los de datos de VD y los datos
anteriores.

VD [V] ID[mA] RD=VD/ID *Ω+ PD=VDID [W]

-5V -0.005 1M 25μ
-4V -0.005 800K 20μ
-3V -0.005 600K 15μ
-2V -0.005 400K 10μ
-1V -0.00499 200K 5μ
0V 0 ꝏ 0
0.1V 0.03 3.33K 3μ
0.2V 0.24 833.3 48μ
0.3V 1.7 176.47 510μ
0.4V 12.05 33.1950 4.82m
0.5V 84.51 5.9164 42.255m
0.6V 592.33 1.0129 355.39m
0.7V 4.07A 0.1719 2.84W
NOTA: No omitir unidades. 5CV4
Ejemplo de la ecuación Shockley con valores:

𝟏.𝟔𝒙𝟏𝟎−𝟏𝟗 𝑪𝒙−𝟓𝑽
(𝟐𝒙𝟏.𝟑𝟖𝟎𝟔𝟒𝟖𝟖𝑿𝟏𝟎−𝟐𝟑 𝑱/°𝑲)𝒙𝟐𝟗𝟖°𝑲
𝑰𝑫 = 𝟓𝝁𝑨 𝒆 −𝟏

𝑃𝐷 = 𝑟𝐷 𝐼𝐷𝑚 á𝑥 + 𝑉𝑈 𝐼𝐷𝑚 á𝑥 = [𝟎. 𝟎𝟗𝟖Ωx4.07A+0.3V](4.07A)= 2.84W

Vu=VDmín

NOTA: Considerar valor absoluto en el valor de la carga eléctrica del electrón

Ejercicio 4. Una vez concluida la tabla con todos los valores graficar en un plano cartesiano
los valores de VD en el eje X y los valores de ID en eje Y.

NOTA: NO OMITIR LAS UNIDADES EN LA GRÁFICA

Curva característica del diodo (modelo gráfico)

Curva característica del diodo (modelo gráfico), con variaciones de temperatura

∆𝑽𝑫 𝑽𝑫𝒎á𝒙 − 𝑽𝑫𝒎í𝒏

𝒓𝑫 = =
∆𝑰𝑫 𝑰𝑫𝒎á𝒙 − 𝑰𝑫𝒎í𝒏

Ejercicio 5. Elija dos coordenadas de la gráfica y calcule la resistencia dinámica.

p.e.

∆𝑽𝑫 𝟎. 𝟕𝑽 − 𝟎. 𝟑𝑽
𝒓𝑫 = = = 𝟎. 𝟎𝟗𝟖Ω
∆𝑰𝑫 𝟒. 𝟎𝟕𝑨 − 𝟏. 𝟕𝟎𝟐𝟒𝒎𝑨

Ejercicio 6. A partir de lo analizado definir que es un diodo rectificador

Concepto Diodo

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales ánodo (A) y cátodo (K),

construido por la unión de dos materiales semiconductores extrínsecos uno tipo P
(corresponde a la terminal ánodo) y otro tipo N (corresponde a la terminal cátodo), que al
polarizarlo generalmente en directa, permite la circulación de la corriente eléctrica a
través de él en un solo sentido; comportándose idealmente como un conductor y al
polarizarlo en inversa generalmente no permite la conducción de la corriente a través de
él, comportándose idealmente como un aislante. El diodo, es uno de los dispositivos
electrónicos más común entre los semiconductores.

El diodo rectificador

Un dispositivo diodo es una unión P-N. Es decir, una unión de un semiconductor

extrínseco de tipo P con un semiconductor extrínseco de tipo N. La unión P-N surge como
consecuencia del dopado de un cristal de silicio, de forma que una mitad del cristal resulte
en tipo P y la otra en tipo N.

Rectificador

Un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en

corriente continua.

Ejercicio 7. Dibujar la Estructura de un diodo rectificador.

c
Figura 1. Estructura interna del diodo.

Ejercicio 8. Explicar la construcción de un diodo.

El diodo consiste fundamentalmente en la unión de dos piezas de cristal semiconductor
compuestas por átomos de silicio puro, procesadas cada una de una forma diferente, de
forma que una sea de tipo P (con carga positiva mayoritarias) y otra tipo N (con carga
negativa mayoritarias). Para lograr esto, a las piezas se les añade algunas moléculas de
otro elemento semiconductor, denominadas impurezas. Este proceso se denomina
dopado. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con
faltante de electrones en su estructura atómica (lo que produce la aparición de “huecos”)
y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones.
Para finalizar el diodo, se añaden unos contactos a los extremos de la unión P-N que
facilitarán la conexión al circuito donde vaya a ser utilizado. Por último se les introduce en
un encapsulado de cristal o resina sintética para proteger la unión. Sin embargo, este
proceso de construcción del diodo es utilizado solo en la teoría, ya que industrialmente se
fabrican de una sola pieza formada por dos regiones con cargas opuestas. De esta forma
se evita tener que unirlos posteriormente.

Ejercicio 9. Explicar el Principio de funcionamiento de un diodo

Diodo de unión PN

Figura 2. Organización de la carga en el diodo.

Al unir estas dos piezas obtenemos el diodo de unión PN. La región cargada positivamente
y la cargada negativamente (figura 2) conforman la región de agotamiento de la unión PN,
en la que esencialmente no hay electrones o huecos en movimiento. De esta forma, se
obtiene un diodo semiconductor de silicio de unión PN, en el que la parte positiva (P)
constituye el ánodo (A) y la parte negativa (N) el cátodo (K).
Diodo polarizado en inversa
Se dice que el diodo está polarizado en inversa cuando se aplica un voltaje positivo a la
región N o cátodo (y por lo tanto un voltaje negativo a la región P o ánodo). Esto provoca
la aparición de un campo eléctrico que detiene a los huecos de la región P y a los
electrones de la región N, por lo que no existe ninguna corriente que cruce la unión PN. A
medida que aumenta este campo eléctrico, el número de cargas positivas y negativas
aumenta, lo que provoca un ensanchamiento de la región de agotamiento. Valores muy
elevados del campo eléctrico pueden dar lugar al efecto avalancha, que se produce
cuando se llega a la tensión de ruptura.
Diodo polarizado en directa
Se dice que el diodo está polarizado en directa cuando se aplica una tensión positiva en el
ánodo, se generando un campo eléctrico que desplazará la carga positiva hacia la unión de
las piezas, provocando un estrechamiento de la región de agotamiento. Esta zona
impedirá la conducción hasta que no se supere la tensión de barrera o de codo. Una vez
superada esta tensión, desaparece la región de agotamiento y el dispositivo conduce.
Cuando esto ocurre se dice que el diodo esta en polarización directa.
Ejercicio 10. Explicar los modelos de aproximación de la respuesta de un diodo
Aproximaciones del diodo
Tomando en cuenta la característica corriente-voltaje del diodo de unión PN, se pueden
distinguir tres aproximaciones del diodo:
Primera aproximación: el diodo ideal
Es la aproximación más simple. Cuando el diodo se encuentra polarizado en directa, este
se comporta como un conductor perfecto, lo que supondría sustituir el diodo por un
interruptor cerrado. Cuando el diodo se encuentra polarizado en inversa, este se
comporta como un aislante perfecto, lo que supondría sustituir el diodo por un
interruptor abierto.

Figura 3. Característica v-i del diodo ideal.

Figura 4. Comportamiento del diodo ideal polarizado en directa

 Figura 5. Comportamiento del diodo ideal polarizado en inversa
Segunda aproximación
En esta aproximación se tiene en cuenta la tensión de codo, por lo que tenemos una
característica tensión-corriente como la de la figura 6. Por lo tanto, tendremos un circuito
similar al anterior, pero con una pila (de valor 0.7 V aproximadamente para el diodo de
silicio). Para que el diodo esté en polarización directa (figura 7), el valor de la tensión
ánodo cátodo debe superar el valor de la pila. En polarización inversa (figura 8) no se
diferencia del diodo ideal.

Figura 6. Característica v-i del diodo. Segunda aproximación.

Figura 7. Comportamiento del diodo segunda aproximación polarizado en directa.

 Figura 8. Comportamiento del diodo segunda aproximación polarizado en inversa.
Tercera aproximación
Esta aproximación es la más exacta de las tres, ya que se tiene en cuenta la resistencia
interna y la tensión de codo del diodo (Figura 9). La curva del diodo se aproxima a una
recta que pasa por 0.7 V y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia
interna, como se muestra en la figura 10.

Figura 9. Circuito equivalente del diodo en la tercera aproximación.

Figura 10. Característica v-i del diodo. Tercera aproximación.

Ejercicio 11. Haciendo uso de la Segunda aproximación, obtener la curva característica
del diodo considerando la variación del voltaje de la fuente de alimentación como se
muestra en las siguientes tablas, y realizando el análisis del circuito que se muestra en
la figura.
Polarización directa
Vs VD VR IR=ID=IVs
0V 0V 0V 0A
+ D _
0.5V 0.5V 0V 0A
1V 0.7V 0.3V 3mA +
1.5V 0.7V 0.8V 8mA IS Vs R
_
2V 0.7V 1.3V 13mA _
3V 0.7V 2.3V 23mA
4V 0.7V 3.3V 33mA
5V 0.7V 4.3V 43mA El diodo se encuentra polarizado en
5V 50mA directa, presentando las siguientes
LKV: Vs-VD-VR=0V características:

LKI: IR=ID=IVs VD: pequeño (aproximadamente 0.7V)

Proponiendo un valor a la ID de 50mA; ID>0A

de tal forma que: rD: pequeña (idealmente 0Ω)
Vs-VD =VR
5V-0.7V=VR
4.3V=VR
LEY DE OHM: VR=RIR
R=VR/IR
R=4.3V/50mA=86Ω Valor comercial
82Ω y 100Ω
Vs-VD-RIR=0V
IR=ID=IVs=(Vs-VD)/R
IR=ID=IVs=(1V-0.7V)/100Ω=3mA
Polarización inversa
Vs VD VR IR=ID=IVs
0V 0V 0V 0A _
+ D
0.5V -0.5V 0V 0A
1V -1V 0V 0A +
1.5V -1.5V 0V 0A
Vs R
2V -2V 0V 0A _
_
3V -3V 0V 0A
4V -4V 0V 0A
5V -5V 0V 0A
Diodo polarizado en inversa; con las
_ D +
siguientes características eléctricas.
rD: muy grande, idealmente infinita (cto. _ _
abierto). Vs R
VD≤0V +

ID=0A
VR=RIR=0V
Vs-VD-RIR=0V
Vs-VD-0V=0V
Vs=VD pero con signo contrario
Ejercicio 12. Investigar los parámetros más importantes de un diodo.
Ejercicio 13. Explicar ¿Qué es Un Diodo Ideal?

Un diodo ideal es un diodo que actúa como un conductor perfecto cuando el voltaje se
aplica en polarización directa y como un aislante perfecto cuando el voltaje se aplica en
polarización inversa.

Así que cuando el voltaje positivo se aplica a través del ánodo al cátodo, el diodo conduce
la corriente delantera inmediatamente. Cuando se aplica voltaje a la inversa, el diodo no
conduce ninguna corriente.

A continuación se muestra un gráfico de la curva de características I-V de un diodo ideal:

Curva de Características del Diodo Ideal

Puede ver que cuando el diodo recibe el voltaje directo, conduce inmediatamente una
cantidad infinita de corriente que puede suministrar a un circuito. Cuando el voltaje
inverso se alimenta al diodo, no conduce ninguna corriente en absoluto, no importa cuán
grande es este voltaje inverso.

Éstos, otra vez, son circunstancias ideales. Los diodos realmente no actúan así.
Un diodo ideal es imposible de producir. Los diodos tienen una barrera de unión que
deben superar, por lo que necesitan un voltaje de umbral. Los diodos no pueden conducir
una corriente infinita porque siempre tendrán alguna resistencia interna. Y los diodos no
pueden ser aisladores perfectos cuando están invertidos, por lo que realizarán alguna
corriente de fuga al revés.

El elemento real más cercano que un diodo ideal puede ser comparado o explicado en
términos de es un simple interruptor SPST.

Cuando se polariza hacia delante, el diodo ideal actúa como un interruptor cerrado:

Cuando la polarización inversa, el diodo ideal actúa como un interruptor abierto.

El diodo ideal, por lo tanto, es un dispositivo semiconductor que no es un interruptor, sino

que funciona como un conmutador perfecto e inteligente que sabe cuándo apagar y
encender basado en el voltaje aplicado a sus uniones.
Ejercicio 14. Investigar como es la curva de características I-V de un diodo convencional.

Curva de las Características de los Diodos Convencionales

Ejercicio 15. Realizar una tabla que muestre las diferencias entre diodos ideales y diodos
convencionales.

A continuación se muestra una tabla:

Características Diodo Ideal Diodo Convencional

Los diodos convencionales tienen una
tensión umbral. Éste es el voltaje que
se debe suministrar al diodo para que
conduzca cualquier avance
considerable corriente. Para los diodos
de silicio, el voltaje de umbral es
aproximadamente 0.7V. Para diodos
de germanio, es de aproximadamente
0.3V. Esta tensión es necesaria para
que los electrones de la unión n
Los diodos ideales no tienen un
puedan tener suficiente empuje para
voltaje de umbral. Una vez que
romper la barrera entre ellos y cruzar
Voltaje de se aplica una tensión directa a
en la unión p. Así es como la corriente
Umbral través del diodo, conducirá la
fluye en un diodo. Cualquier voltaje
corriente instantáneamente a
por debajo del voltaje de umbral no
través de sus cruces.
será suficiente para empujar los
electrones a través de una barrera a la
siguiente. Usted puede ver esto
marcado en la curva de características
de diodo. Antes del punto de umbral,
muy poca corriente fluye a través del
diodo. Sin embargo, después de que el
diodo recibe un voltaje por encima de
este, produce flujo de corriente
considerable.
Los diodos ideales tienen una Los diodos convencionales conducen
corriente directa infinita una corriente grande cuando el voltaje
cuando se aplica una tensión directo sobre su voltaje de umbral se
directa a través de sus suministra al diodo, pero sigue siendo
terminales. Esto se debe a que una cantidad finita de corriente. Los
Corriente en la condición ideal, la diodos convencionales, aunque
directa resistencia interna del diodo pequeños, todavía tienen resistencia
sería 0. El diodo no tendría interna. Es imposible crear cualquier
ninguna resistencia interna en componente físico que no tenga
absoluto. Por lo tanto, habría alguna resistencia interna. La
una cantidad infinita de resistencia asegura que la corriente
corriente conducida y será finita en naturaleza y no puede
 suministrada a un circuito con ser infinita.
un diodo ideal.
Los diodos convencionales tienen una
tensión de ruptura. Este es el voltaje
Los diodos ideales no tienen un
inverso que cuando se aplica al diodo
voltaje de ruptura. Esto se
hará que las uniones de diodos se
debe a que los diodos ideales
rompan y conduzca una gran cantidad
tienen una resistencia infinita
Voltaje de de corriente, aunque el voltaje se
al voltaje invertido. No
Ruptura aplica con una polaridad incorrecta.
conducirá ninguna corriente en
Un diodo no debe conducir corriente
absoluto cuando el voltaje se
cuando el voltaje se aplica de manera
aplique al revés, no importa
incorrecta. Sin embargo, después de
cuán grande sea el voltaje.
cierto punto, llamado el punto de
ruptura, dará paso y conducta.
Un diodo convencional conducirá
alguna corriente de fuga aun cuando
se aplique voltaje inverso, incluso
Dado que un diodo ideal no
cuando la tensión inversa no haya
tiene un punto de ruptura;
alcanzado el punto de ruptura.
Nunca produce ninguna
Después de alcanzar el voltaje de
Corriente corriente inversa, llamada
ruptura, conducirá una gran cantidad
inversa (fuga) corriente de fuga. Es un
de corriente, llamada corriente de
aislador perfecto cuando se
avalancha, a la inversa. Esto es porque
aplica voltaje en sentido
un diodo convencional nunca puede
inverso.
ser un aislante perfecto y dará paso si
se le suministra suficiente voltaje
inverso.

Ejercicio 16. Explicar ¿por qué estudiar diodos ideales o componentes ideales, ya que no
existen? La respuesta es que nos ayuda a aprender más sobre cómo funcionan los diodos
si tenían condiciones perfectas. Por lo tanto, nos ayuda a comprender mejor las
características de un diodo en el enfoque más simple. ¿Cómo actuaría un diodo si no
tuviera ninguna resistencia interna? Por lo tanto, cuando sabemos añadir estos
elementos, mejor entendemos la curva de diodo real. Así que de alguna manera,
proporciona un excelente punto de partida para entender los diodos en su estado más
simple (ideal). Entonces podemos pasar a las características reales de la vida real con una
mejor comprensión.
Ejercicio 17. Explicar cómo se obtiene la RECTA DE CARGA
En el circuito de la Figura consideremos que VCC es un voltaje suficientemente grande
para producir la polarización del diodo:

De acuerdo con la Ley de Kirchhoff de Voltajes tenemos:

Despejando la corriente ánodo – cátodo:

Esta ecuación es conocida como la recta de carga del diodo.

IAK es una función de VAK, con la que se determina el lugar geométrico de todos los valores
posibles de voltaje y corriente en el diodo (desde el circuito abierto hasta el corto
circuito), considerando los parámetros dados de la red: RS y VCC.
Por otro lado, también se dispone de la característica del diodo real, que al ser graficada
en conjunto con la recta de carga, nos permite encontrar el punto exacto de operación del
diodo (gráfica). A este punto se lo denomina con la letra Q y es llamado punto en reposo.
Ejercicio 18. Analizar el siguiente circuir para obtener la recta de carga y el punto de
operación.

LKV
Vs-VD-RIR=0V
LKI
IR=ID=IVs=(Vs-VD)/R
Condiciones para trazar la recta de carga
1. Si ID=0A para la coordenada X1, Y1
Vs-VD-RIR=0V
IR=ID=IVS
Vs-VD-R(0A)=0V
Vs-VD=0V
VD=VS=5V (5V, 0A)

2. Si VD=0V para la coordenada X2, Y2

Vs-VD-RIR=0V
IR=ID=IVS
Vs-0V-RIR=0V
VS=RID
ID=VS/R=5V/100Ω=50mA (0V, 50mA)
IDQ=43mA Q
VDQ=0.7V
Ejercicio 19. Analizar el circuito para obtener la curva del diodo con señal alterna (señal
sinusoidal), así como la recta de carga y el punto de operación.

Análisis semiciclo positivo.

Análisis del circuito en semiciclo

positivo:

+
+ LKV
+

Vs D VSP-VDP-VRP=0V
CH1
semiciclo pos itivo _ LKI
_ + ISP-IDP=0
_
ISP=IDP
R
IDP-IRP=0
+ _
CH2 inv IDP=IRP
Diodo polarizado en directa IRP-ISP=0
IRP=ISP
rD: pequeña ISP=IDP=IRP
ID>0A LEY OHM
VD≈0.7V VRP=RIRP
DATOS VSP-VDP=VRP
Vs= 10Vp sent 10VP-0.7VDP=VRP
f=300Hz 9.3VP=VRP
R=100Ω IRP=VRP/R
IN4001 IRP=9.3VP/100Ω=93mA
Análisis semiciclo negativo

Análisis del circuito en el semiciclo

+
negativo
_ CH1 LKV
+

Vs D VSP-VDP-VRP=0V
semiciclo negativo + VSP-VDP-0V=0V
+ _
VSP=VDP=-10VP
_
VRP=0V
R inv
CH2
+ _
LKI
ISP=IDP=IRP=0A
Diodo polarizado en inversa

rD: muy grande idealmente infinitos Ohms

ID=0A
VD≤0V

Gráfica del diodo Gráfica del resistor

Valor promedio:
𝑻 𝑽𝑹𝒑
𝟏
𝑽𝑷𝑹𝑶𝑴 = 𝑽𝑹𝑪𝑫 = 𝑽𝑹𝒑 𝒔𝒆𝒏𝒕 𝒅𝒕 =
𝑻 𝟎 𝝅

Donde el periodo es: T=2π

𝑻 𝑰𝑹𝒑
𝟏
𝑰𝑷𝑹𝑶𝑴 = 𝑰𝑹𝑪𝑫 = 𝑰𝑹𝒑 𝒔𝒆𝒏𝒕 𝒅𝒕 =
𝑻 𝟎 𝝅
Valor eficaz:

𝑻 𝑽𝑹𝒑
𝟐 𝟏 𝟐
𝑽𝑬𝑭𝑰𝑪𝑨𝒁 = 𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑹𝑪𝑨 = 𝑽𝑹𝒑 𝒔𝒆𝒏𝒕 𝒅𝒕 =
𝑻 𝟎 𝟐

𝝅
𝟐 𝑽𝑹𝑷 𝟐 𝟏 𝑽𝑹𝒑
𝑽𝑬𝑭𝑰𝑪𝑨𝒁 = 𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑹𝑪𝑨 = 𝒔𝒆𝒏𝒕 𝟐 𝒅𝒕 =
𝟐𝝅 𝟎 𝟐

𝟐 𝝅 𝟐 𝝅
𝟐 𝑽𝑹𝑷 𝒕 𝒔𝒆𝒏𝟐𝒕 𝟐 𝑽𝑹𝑷 𝑽𝑹𝒑
𝑽𝑹𝑪𝑨 = − = 𝒔𝒆𝒏𝒕 𝟐 𝒅𝒕 =
𝟐𝝅 𝟐 𝟒 𝟎 𝟐𝝅 𝟎 𝟐

𝟐 𝝅 𝟐
𝟐 𝑽𝑹𝑷 𝒕 𝒔𝒆𝒏𝟐𝒕 𝟐 𝑽𝑹𝑷 𝝅 𝑽𝑹𝒑
𝑽𝑹𝑪𝑨 = − = =
𝟐𝝅 𝟐 𝟒 𝟎 𝟐𝝅 𝟐 𝟐

Donde el período es: T=2π

𝑻 𝑰𝑹𝒑
𝟐 𝟏 𝟐
𝑰𝑬𝑭𝑰𝑪𝑨𝒁 = 𝑰𝑹𝑴𝑺 = 𝑰𝑹𝑪𝑨 = 𝑰𝑹𝒑 𝒔𝒆𝒏𝒕 𝒅𝒕 =
𝑻 𝟎 𝟐

Cálculos:
𝑽𝑹𝒑 𝟗. 𝟑𝑽𝑷
𝑽𝑷𝑹𝑶𝑴 = 𝑽𝑹𝑪𝑫 = = = 𝟐. 𝟗𝟔𝑽𝑪𝑫
𝝅 𝝅
𝑽𝑹𝑪𝑫 𝟐. 𝟗𝟔𝑽𝑪𝑫
𝑰𝑹𝑪𝑫 = = = 𝟐𝟗. 𝟔𝒎𝑨
𝑹 𝟏𝟎𝟎Ω
PR=VRCDIRCD= (2.96VCD)(29.6mA)=87.62mW
PD≈VDCDIDCD= (0.7V)(29.6mA)=20.72mW
𝑽𝑹𝒑 𝟗. 𝟑𝑽𝑷
𝑽𝑬𝑭𝑰𝑪𝑨𝒁 = 𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑹𝑪𝑨 = = = 𝟒. 𝟔𝟓𝐕𝐂𝐀
𝟐 𝟐
𝑽𝑹𝑪𝑨 𝟒. 𝟔𝟓𝑽𝑪𝑨
𝑰𝑹𝑪𝑨 = = = 𝟒𝟔. 𝟓𝒎𝑨
𝑹 𝟏𝟎𝟎Ω
𝟐𝝅 𝟐𝝅
𝟐 𝑽𝑺 𝟐 𝟐 𝒅𝒕
𝟐 𝑽𝑺 𝟐 𝒕 𝒔𝒆𝒏 𝟐𝒕
𝑽𝑬𝑭𝑰𝑪𝑨𝒁 = 𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑹𝑪𝑨 = 𝒔𝒆𝒏𝒕 = − 𝒅𝒕
𝟐𝝅 𝟎 𝟐𝝅 𝟐 𝟒 𝟎

𝟐 𝟐𝝅 𝟐
𝟐 𝑽𝑺𝑷 𝟐 𝒅𝒕
𝟐 𝑽𝑺𝑷 𝟐𝝅 𝑽𝑺𝑷
𝑽𝑬𝑭𝑰𝑪𝑨𝒁 = 𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑹𝑪𝑨 = 𝒔𝒆𝒏𝒕 = = 𝟐
𝟐𝝅 𝟎 𝟐𝝅 𝟐 𝟐

𝑽𝑺𝒑 𝟏𝟎𝑽𝑷
𝑽𝑬𝑭𝑰𝑪𝑨𝒁 = 𝑽𝑺𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑺𝑪𝑨 = 𝟐
= 𝟐
= 𝟕. 𝟎𝟕𝟏𝐕𝐂𝐀
𝟐 𝟐
PSCA=VSCAISCA= (7.071VCA)(46.5mA)=328.805mVA

Condiciones para trazar la recta de carga

1. Si IDP=0A para la coordenada X1, Y1
VSP-VDP-RIRP=0V
IRP=IDP=IVSP
VSP-VDP-R(0A)=0V
VSP-VDP=0V
VDP=VSP=10VP (10VP, 0A)

2. Si VDP=0V para la coordenada X2, Y2

VSP-VDP-RIRP=0V
IRP=IDP=IVSP
VSP-0V-RIRP=0V
VSP=RIDP
IDP=VSP/R=10VP/100Ω=100mA (0V, 100mA)
IDQ=93mA Q
VDQ=0.8V