Reporte 4

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Asignatura:

Lab. de Electrónica I

Instructor:

Ing. Ricardo Téllez

Estudiantes:

Javier Rodríguez – 11641387

Genesis Flores – 11751108

Trabajo:

Introducción al transistor bipolar BJT

Jueves 15 de agosto del 2019


Resumen ejecutivo

Para la primera parte montamos un circuito en la NI-Elvis utilizando dos resistencias de


45kΩ y 220 Ω, un diodo LED un potenciómetro de 50 kΩ y un transistor 2N904 (NPN),
induciendo un voltaje de 5V, conectamos un voltímetro a la base de dicho transistor y a GND
para medir los valores del voltaje de base, regulamos el potenciómetro hasta llegar al voltaje
de la base indicado, seguidamente con ayuda del voltímetro medimos el voltaje del diodo
LED y el voltaje entre el colector y el emisor del transistor. Para la segunda parte
mantenemos el mismo circuito, pero cambiamos el transistor por un transistor 2N3906 (PNP)
y le inducimos un voltaje de -5V, conectamos un voltímetro a la base del transistor y en GND
y regulamos el potenciómetro hasta un valor de voltaje de base determinado, con ayuda de un
voltímetro medimos el voltaje en el diodo LED y el voltaje entre el colector y el emisor.

Para la tercera parte montamos un circuito en la NI-Elvis utilizando dos resistencias de 45kΩ
y 220 Ω, un diodo LED, un fotorresistor y un transistor 2N904 (NPN), induciendo un voltaje
de 5V, con ayuda de un voltímetro medimos el voltaje de base del transistor, el voltaje del
diodo LED y el voltaje entre el colector y el emisor para el fotorresistor cubierto y sin cubrir.
Seguidamente con ayuda de un amperímetro medimos la corriente de base y la corriente en el
colector cuando el fotorresistor esta cubierto y cuando no esté cubierto. Para la cuarta y
ultima parte mantenemos el mismo circuito, pero cambiamos el transistor por un transistor
2N3906 (PNP) y le inducimos un voltaje de -5V, con ayuda de un voltímetro medimos el
voltaje de base del transistor, el voltaje del diodo LED y el voltaje entre el colector y el
emisor para el fotorresistor cubierto y sin cubrir. Seguidamente con ayuda de un amperímetro
medimos la corriente de base y la corriente en el colector cuando el fotorresistor está cubierto
y cuando no esté cubierto.

Objetivos

 Aprender cómo usar el transistor bipolar como interruptor.

 Observar cómo el voltaje en la base del transistor afecta el comportamiento del resto
del transistor.

 Construir un sencillo sensor de luz utilizando un fotorresistor.

 Observar las diferencias entre transistor NPN y PNP.


Marco teórico

Es importante comprender cual es el concepto y funcionamiento de un transistor. Un


transistor es un elemento electrónico que está compuesto de materiales semiconductores.
Un transistor BJT es un transistor de unión bipolar que está compuesto por 3 capas, este
puede configurarse como NPN o PNP dependiendo del orden de dichas capas.

Ilustración 1. Transistor PNP.


Ilustración 2. Transistor NPN

Podemos explicar mejor el funcionamiento de un transistor sí lo observamos como la unión


de dos diodos. El transistor consta de 3 partes principales que son:

 Emisor: este proporciona las cargas eléctricas, en el caso de un transistor NPN los
electrones libres y de un PNP los huecos.
 Base: controla el flujo de la corriente
 Colector: almacena o recoge las cargas que proporciona el emisor y se acumulan en la
base.

En los transistores BJT existe un termino conocido como β, que representa la ganancia de
corriente de dicho transistor.

Ic
β=
IB

Donde, Ic es la corriente en el colector e IB la corriente de base.


El transistor puede funcionar en tres regiones diferentes como, y cada una tiene una función
diferente.

 Región de corte: esta se da cuando el voltaje de la base es menor a 0.7 lo que hace que
no se polarice y no pase corriente del colector al emisor, este se comporta como un
interruptor abierto.

Ilustración 3. Transistor funcionando en la región de corte.

 Región de saturación: esta se da cuando el voltaje de la base es mayor a 0.7 y hace


que este se polarice y pase corriente entre el colector y el emisor

Ilustración 4. Transistor funcionando en la región de saturación.

 Región activa: esta se encuentra en medio de la región de corte y la región de


saturación, en esta zona el transistor funciona como un amplificador de señal.

Ilustración 5. Transistor funcionando en la región activa.


Resultados Experimentales

Comportamiento transistor NPN


VB (V) VLED (V) VCE (V)
0.40 0.363 3.68
0.45 1.184 3.66
0.50 1.365 3.612
0.55 1.646 3.520
0.60 1.549 3.422
0.65 1.652 3.195
0.70 1.865 2.270
0.75 2.142 0.246
Comportamiento transistor PNP
VB (V) VLED (V) VCE (V)
-0.40 -1.045 -3.73
-0.45 -1.295 -3.70
-0.50 -1.408 -3.61
-0.55 -1.490 -3.547
-0.60 -1.574 -3.398
-0.65 -1.708 -3.039
-0.70 -1.970 -1.623
Sensor de Luz con Transistor NPN
Estado de fotoresistor VB (V) VLED (V) VCE (V)
Sin cubrir 0.317 0.262 3.69
Cubierto 0.734 1.999 0.580

Estado de fotoresistor IB (mA) IC (mA) β


Sin cubrir 0 0 0
Cubierto 0.04 9.71 242

Sensor de Luz con Transistor PNP


Estado de fotoresistor VB (V) VLED (V) VCE (
V)
Sin cubrir -0.316 -0.240 -3.768
Cubierto -0.722 -2.114 -0.294

Estado de fotoresistor IB (mA) IC (mA) Β


Sin cubrir 0 0 0
Cubierto -0.04 -10.98 275
Ilustración 6. Comportamiento del circuito con el fotorresistor cubierto

VB (V) VLED (V) VCE (V)


Resultados Simulados
0.40 1.087 3.913
0.45 1.215 3.785
0.50 1.345 3.655
0.55 1.597 3.399
0.60 1.709 3.271
0.65 1.866 2.986
0.70 2.002 2.152
0.75 2.09 0.280
VB (V) VLED (V) VCE (V)
-0.40 -0.997 -4.003
-0.45 -1.107 -3.893
-0.50 -1.234 -3.766
-0.55 -1.487 -3.512
-0.60 -1.608 -3.387
-0.65 -1.716 -3.262
-0.70 -1.887 -2.912
Cuestionario
 ¿Por qué hay una repentina caída en el voltaje entre colector y emisor cuando el
voltaje de la base es mayor a 0.7 V?

Ilustración 7. Curva característica del BJT

Sabemos que la región de corte es aquella donde el voltaje de la base es menor a 0.7 V,
puesto que este no se polariza y no permite el paso de corriente, cuando el voltaje de base es
mayor a 0.7 V este hace que el transistor entre en su región de saturación permitiendo que
haya paso de corriente pero disminuyendo el voltaje entre el colector y el emisor.

 ¿Por qué el voltaje en la base del transistor aumenta cuando el fotorresistor está
cubierto?
El fotorresistor es un elemento en el cual su resistencia aumenta cuando disminuye la
intensidad de la luz que incide sobre él. Tenemos un circuito de doble polarización del
transistor, que por su naturaleza se vuelve más estable cuando el valor de la resistencia del
fotorresistor aumenta.

 ¿Cuál es la diferencia entre el funcionamiento a nivel de circuito del transistor NPN


y el PNP?
En el transistor NPN se induce un voltaje en el colector la base actúa como un interruptor y la
corriente sale del emisor, en el caso de un transistor PNP el voltaje se induce en el emisor y
por ahí entra la corriente, la base actúa siempre como interruptor y el colector se conecta a
tierra.

 ¿Por qué es necesario conectar el diodo LED al revés al utilizar el transistor PNP?

Puesto que un transistor PNP se polariza al contrario, y la corriente sale por el colector
entonces para que el diodo LED conduzca y encienda, es necesario conectarlo al revés.
Conclusiones
1. Los transistores BJT pueden venir de dos formas, estas siendo NPN y PNP.
2. Mediante se incrementaba la resistencia del potenciómetro, logramos observar un
cambio en el voltaje de base. Cuando el voltaje de base cambiaba, el voltaje colector
emisor disminuía.
3. Cuando el fotoresistor se cubre podemos observar que este completa el circuito y por
tanto permite el funcionamiento del sensor de luz. Lo que significa que en lugares
totalmente oscuros este funciona.
Bibliografía

Díaz Moreno, J. (28 de enero de 2013). BJT Transistor. Obtenido de


https://www.youtube.com/watch?v=l_EG544soDg&t=10s
M, F. (8 de agosto de 2019). Ingenieria Mecafenix. Obtenido de
https://www.ingmecafenix.com/electronica/el-transistor/
Torres, H. (18 de octubre de 2017). HETPRO. Obtenido de https://hetpro-
store.com/TUTORIALES/transistor-bjt/

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