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    Polarización Del Transistor Bipolar de Juntura

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    Josue Rua
    El documento describe una experiencia de laboratorio para caracterizar y medir los parámetros de transistores bipolares de unión (BJT) operando en las regiones de corte, saturación y amplificación. Se presentan circuitos y tablas de valores medidos y calculados para dos transistores, uno NPN y uno PNP, con el objetivo de que los estudiantes aprendan a reconocer los parámetros y el estado de los transistores.

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    Polarización Del Transistor Bipolar de Juntura

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    Josue Rua
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    El documento describe una experiencia de laboratorio para caracterizar y medir los parámetros de transistores bipolares de unión (BJT) operando en las regiones de corte, saturación y amplificación. Se presentan circuitos y tablas de valores medidos y calculados para dos transistores, uno NPN y uno PNP, con el objetivo de que los estudiantes aprendan a reconocer los parámetros y el estado de los transistores.

    Descripción original:

    Título original

    Polarización del transistor bipolar de juntura

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    El documento describe una experiencia de laboratorio para caracterizar y medir los parámetros de transistores bipolares de unión (BJT) operando en las regiones de corte, saturación y amplificación. Se presentan circuitos y tablas de valores medidos y calculados para dos transistores, uno NPN y uno PNP, con el objetivo de que los estudiantes aprendan a reconocer los parámetros y el estado de los transistores.

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    Polarización Del Transistor Bipolar de Juntura

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    El documento describe una experiencia de laboratorio para caracterizar y medir los parámetros de transistores bipolares de unión (BJT) operando en las regiones de corte, saturación y amplificación. Se presentan circuitos y tablas de valores medidos y calculados para dos transistores, uno NPN y uno PNP, con el objetivo de que los estudiantes aprendan a reconocer los parámetros y el estado de los transistores.

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    de 8

    Polarización del transistor bipolar de juntura (TBJ)

    10) Objetivo de la experiencia

    ➢ El alumno aprenderá a reconocer un transistor en buen estado de uno en mal estado, así como
    a reconocer si se trata de un transistor NPN o un PNP.

    ➢ Medir los parámetros TBJ operando en las regiones de corte, saturación y amplificación.

    ➢ Medir la potencia disipada por el transistor trabajando en cada una de las tres regiones.

    11) Use el simulador para llenar la Tabla 6.1 Muestre los instrumentos virtuales y el circuito
    usado.

    Sabemos:

    Entonces para los siguientes Transistores BJT:

    Transistor BC547A BC557A


    Tipo NPN PNP
    Reb 497.794 M 493.656 M
    Rcb 31.455 M 499.166 M
    Rce 497.181 M 33.777 M
    Rbe 32.825 M 33.777 M
    Rbc 497.144 M 25.3 M
    Rec 497.796 M 120.195 M

    12) a) Calcule teóricamente los valores de la tabla 6.2, para el circuito de la figura 6.1
    Sea el circuito 6.1

    b) Simule el circuito de la figura 6.1 y obtenga los valores de la Tabla 6.2. Copie y pegue el
    circuito de la ventana del simulador.

    Vbb (V) Vbe (V) Vce (V) Ib (uA) Ic (mA) Región


    0 (Tierra) 1.5 u 10 0 0 Corte

    13) a) Calcule teóricamente los valores de la tabla 6.3, para el circuito de la figura 6.2

    b) Simule el circuito de la figura 6.2 y obtenga los valores de la Tabla 6.3 . Copie y pegue el
    circuito de la ventana del simulador.
    Vb (V) Vbe (V) Vce (V) Ib (uA) Ic (mA) Región
    1.45 0.662 4.79 34.5 6.5 Activa Directa

    14) a) Calcule teóricamente los valores de la tabla 6.4, para el circuito de la figura 6.3

    b) Simule el circuito de la figura 6.3 y obtenga los valores de la Tabla 6.4 . Copie y pegue el
    circuito de la ventana del simulador.
    Vb (V) Vbe (V) Vce (V) Ib (uA) Ic (mA) Región
    2.48 0.716 27.6 m 2.62 m 12.1 Activa Directa

    15) a) Calcule teóricamente los valores de la tabla 6.5, para el circuito de la figura 6.4

    b) Simule el circuito de la figura 6.4 y obtenga los valores de la Tabla 6.5 . Copie y pegue el
    circuito de la ventana del simulador.

    Cuando Rp=0 kΩ
    Cuando Rp=2.5 kΩ
    Cuando Rp=5 kΩ
    Rp Vb (V) Vbe (V) Vce (V) Ib (uA) Ic (mA) Región
    0 (Tierra) 2.1 0.696 0.72 107 11.6 Activa Directa
    2.5 1.36 0.657 5.31 30 5.86 Activa Directa
    5 0 0 10 0 0 Corte

    16) Responda las 8 preguntas del cuestionario de la experiencia. (16, 17,…..23)

    CUESTIONARIO

    16) En base a los datos obtenidos en la tabla 6.1. a) ¿Cómo determinaría si el transistor se
    encuentra en buen estado? b) Si se le diera un transistor bipolar de juntura ¿Qué mediciones
    haría para saber la distribución de sus terminales y si el transistor en cuestión es un NPN o un
    PNP?

    a) Midiendo con un ohmímetro las resistencias entre las terminales del transistor, si en algún caso
    no existe continuidad, esto significaría que el transistor se encuentra en mal estado.
    b) Terminales C y B

    18) ¿Cuál circuito hace que el transistor disipe mayor potencia y en qué región de operación se
    encuentra el transistor en ese circuito?

    En el circuito 6.2, la resistencia disipada es Pdc= Vce*Ic, que en este caso vendría a ser 31.135,
    este circuito se encuentra en Polarización Activa Directa.

    20) Explique detalladamente la diferencia si existe entre la figura 6.2 y la figura 6.3. ¿Cómo son
    estos valores, con los teóricos? Explique su respuesta.

    Son distintos ya que, como se pudo apreciar en la tabla 6.1, los transistores tienen una resistencia
    interna, es por ello que los valores difieren.

    21) Con los datos de las tablas 6.2, 6.3, 6.4 y 6.5 llene la tabla 6.6 considerando que la potencia
    disipada por el transistor está dada por la fórmula Pdc= VCE IC y 𝛽 es la ganancia de CD.

    Tabla Ib (uA) Ic (mA) Vb Vce Pdc


    6.2 0 0 0 10 0
    6.3 34.5 6.5 1.45 4.79 31.135
    6.4 2620 12.1 2.48 0.0276 0.33396
    107 11.6 2.1 0.72 8.352
    6.5 30 5.86 1.36 5.31 31.1166
    0 0 0 10 0

    22) Llene la columna de la tabla para el voltaje colector-base de operación. ¿Cómo es este
    voltaje cuando el transistor está: a) cortado, b) amplificando, c) saturado?

    a) Región de corte: Vbe<Vy

    b) Región activa directa (amplificador): Vbe>Vy

    c) Región de saturación: Vbe>Vy

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