Electrónica Digital-Tomás Pollán

Descargar como pdf o txt
Descargar como pdf o txt
Está en la página 1de 3

Libro de texto de ELECTRONICA DIGITAL

por Tomás Pollán Santamaría


Profesor de Tecnología Electrónica de la Universidad de Zaragoza

Prensas Universitarias de Zaragoza, 2007


Colección Textos Docentes

Volumen I I I. Microelectrónica
Índice:
21 MICROELECTRÓNICA:
CIRCUITOS INTEGRADOS ESPECIFICADOS POR EL USUARIO texto del capítulo 21
21.1. Circuitos integrados programados por el usuario: tipos
21.2. Circuitos integrados diseñados por el usuario: tipos
21.3. Herramientas de diseño
21.4. Validación de circuitos integrados: simulación, análisis de tiempos y test 25

22 CIRCUITOS INTEGRADOS PROGRAMABLES texto del capítulo


22
MATRICES DE CELDAS CONFIGURABLES
22.1. Resumen de la configuración y características de los CPLDs
22.2. Los biestables como componentes programables: SRAM
22.3. Matrices de celdas programables: FPGAs 43

23 LENGUAJE DE DESCRIPCIÓN CIRCUITAL: V H D L texto del capítulo


23
23.1. VHDL como lenguaje para describir, simular, validar y diseñar
23.2. VHDL básico para diseñar circuitos combinacionales
23.3. Descripción de circuitos secuenciales y de sistemas síncronos
23.4. Descripción de grafos de estado
23.5. Otros recursos de VHDL

24 APROXIMACIÓN ESTRUCTURAL AL DISEÑO texto del capítulo


24
DE SISTEMAS COMPLEJOS
24.1. Hacer manejable la complejidad
24.2. Sistemas con mucha transferencia de información
24.3. Sistemas con esquema de cálculo complejo
24.4. Máquinas algorítmicas: varios ejemplos
24.5. Dividir en partes los tiempos de retraso : segmentación
:
25 TEST DE CIRCUITOS INTEGRADOS texto del
capítulo 25
25.1. El test como última etapa del proceso de fabricación
25.2. Modelo de fallos para el test
25.3. Análisis de fallos y simulación de fallo
25.4. Test de circuitos secuenciales
25.5. Test de placas y de sistemas completos
25.6. Test interno

ASPECTOS TECNOLÓGICOS

T6 MODELO FUNCIONAL DEL TRANSISTOR MOS texto del capítulo


T6
T6.1. Funcionamiento del transistor NMOS
T6.2. Etapa en fuente común
T6.3. El transistor MOS real: efectos de segundo orden
T6.4. Modelos SPICE

T7 ESTUDIO EN DETALLE DEL INVERSOR CMOS texto del


capítulo T7
T7.1. El inversor CMOS
T7.2. Tiempo de propagación y mejora del mismo nueva versión
del texto del capítulo T7
T7.3. Disipación de potencia T7.4. Puertas CMOS

T8 PUERTAS SEUDONMOS
Y PUERTAS DE TRANSMISIÓN texto del
capítulo T8
T8.1. Puertas seudoNMOS
T8.2. Transistor de paso y puertas de transmisión nueva versión
del texto del capítulo T8
T8.3. Lógica dinámica

T9 EL CIRCUITO INTEGRADO COMPLETO: texto del


capítulo T9
CUESTIONES DIVERSAS
T9.1. Terminales del circuito integrado: entradas y salidas
T9.2. Densidad de integración
T9.3. Consideraciones respecto al diseño físico: reglas de diseño

Apéndices

A6 Apéndice al capítulo 23 texto del


apéndice 6
Ejemplos de diseño V H D L

A7 Apéndice al capítulo T9 texto del


apéndice 7
:
Circuitos integrados mixtos

A8 Apéndice a los capítulos T6, T7, T8 y T9 texto del


apéndice 8
Simuladores eléctricos: S P I C E
:

También podría gustarte