Laboratorio5 - Citroii - Jose Valdivia Guillen
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CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
TEMA: LABORATORIO N° 05
AMPLIFICADOR OPERACIONAL BJT-MOSFET
GRUPO “B”
AREQUIPA-PERÚ 2020
UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN
FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y SERVICIOS
DEPARTAMENTO ACADEMCO DE INGENIERIA ELECTRICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
LABORATORIO DE SIMULACION 5
CIRCUITOS ELECTRONICOS 2
AMPLIFICADOR OPERACIONAL BJT-MOSFET
Para el siguiente circuito asumir: 𝛽 = 100, 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛) = 0.7𝑉 𝑦 𝑉𝐴 = ∞.
PROCEDIMIENTO.-
Realizar el análisis en DC y calcular el voltaje en la salida.
𝐼𝑄 1𝑚𝐴
𝐼𝐸1 = 𝐼𝐸2 = = = 0.5𝑚𝐴
2 2
𝐼𝐶1 = 𝐼𝐶2 ≈ 𝐼𝐸1 = 0.5𝑚𝐴
𝑉𝑜2 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶2 (𝑅𝐶 ) = 12 − 0.5(22.6) = 0.7𝑉
𝑉𝑜 = 𝑉𝑜2 − 𝑉𝐵𝐸3 = 0.7 − 0.7 = 0𝑉
NOTA: Asumir que los MOSFET tienen los siguientes parámetros: VTN=1V,
Kn=1mA/V2, y λ=0.
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LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
5. CUADRO COMPARATIVO
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FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y SERVICIOS
DEPARTAMENTO ACADEMCO DE INGENIERIA ELECTRICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
Teórico Simulado
IC1 0.5mA 0.5227mA
IC2 0.5mA 0.4877mA
VO2 0.7V 0.9775V
VO 0V 0.185V
Avf(BJT) 5.68 5.65
Avf(MOSFET) 3.56 3.5087
6. CONCLUSIONES
8. REFERNCIAS:
- Spice for power electronic end elctric power tercera edición
muhammad rashid.microelectronic circuits
- adel s. sedra, kenneth c. smith - 7th edition
- Microelectronics. circuit analysis and desing - donald
a. neamen - 4th edition
- circuitos-electronicos-norbert-r-malik