Circuitos Amplificadores Lab Calificado 1

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UNIVERSIDAD

TECNOLOGICA
DEL PERU
LABORATORIO CALIFICADO 1
“SIMETRIA COMPLEMENTARIA”

CURSO : CIRCUITOS ELECTRÓNICOS AMPLIFICADORES


PRESENTADO POR : GRUPO 1
 ALEXANDER CABRERA HUARCAYA - U17206622
 NESTOR ALBAN QUEVEDO – U18308351
 DENIS BLANCO JULON – U17210142
 CHRISTIAN JESUS ALLCCA CASTILLO – 1111556

DOCENTE : ING. SAUL RUELAS ALVARADO


SECCION : 10577

2020
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS AMPLIFICADORES LABORATORIO CALIFICADO 1

AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA

1. OBJETIVO:
Estudio del funcionamiento del amplificador de simetría complementaria

2. EQUIPOS Y MATERIALES

a) Simulador Proteus
 (01) Voltímetro
 (01) Amperímetro
 (03) Resistencia de 220 Ω 1W, 1 KΩ y 10 KΩ
 (01) Transistor 2N2222
 (01) Transistor 2N3906
 (01) Opamp LM741
 (01) Generador de ondas.
 (02) Fuentes de alimentación
 (01) Osciloscopio.

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3. FUNDAMENTO TEÓRICO:

En el amplificador push-pull (en el cual se utilizan dos transistores del mismo tipo), se
requiere para su funcionamiento de dos excitaciones desfasadas 180º, una con respecto a
la otra, para aplicarlas a las bases de los transistores y así obtener una salida completa.
Este desfasaje se logra con un transformador cuyo secundario tenía dos salidas con
punto común. A continuación, se verá cómo se evita usar transformadores en la entrada
y en la salida, a requisito de que se usen dos transistores complementarios (uno NPN y
otro PNP). Tal amplificador es llamado AMPLIFICADOR DE SIMETRIA
COMPLEMENTARIA.
Se denominan transistores complementarios (o par machado o matched pair) a un par de
transistores tipo PNP y NPN cuyas características de ganancias, potencias, etc. son
iguales o muy similares.

La condición que deben cumplir V1 y V2 es que polaricen de tal modo a Q1 y Q2 que


estos trabajen simétricamente y en clase B (corrientes en reposo cero).
Se hace V2 = VCC/2 a fin de que VCEQ1 = VCEQ2 = VCC/2 y los dos transistores
estén al corte simultáneamente (clase B). De lo contrario, si V1<V2, entonces conducirá
Q1 y se cortará Q2 (ICQ1>0, ICQ2=0); y si V2<V1 entonces conducirá Q2 (ICQ2>0,
ICQ1=0), lo cual nos permite una operación simétrica de los transistores.
La tensión en la unión de los emisores será:
VCC
VE=
2
Se puede ver con las condiciones anteriores que:
VBE 1=VBE 2=0 e ICQ1=ICQ2=0
Podemos ver ahora qué ocurre cuando la tensión de señal Vin toma valores positivos y
negativos.

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En el semiciclo positivo de Vin la tensión en bases se hace más positiva que la tensión
en los emisores:
VB>VE
Lo cual hace que Q1 conduzca y Q2 permanezca en corte.
El sentido de las corrientes se indican en la fig. 2a y 2b, nótese que IL1 = Ie1
Para el semiciclo negativo VE>VB, lo cual abre a Q1 y hace conducir a Q2. La
corriente en la carga es: IL2 = Ie2
De este modo, la carga está alimentada medio ciclo de Vin por Q1 y el otro medio ciclo
por Q2

DISTORSION DE CRUCE
Debido a que las características de entrada base-emisor de los transistores reales es tal
que para tensiones pequeñas base-emisor, el transistor prácticamente no conduce.
Recién este comienza a hacerlo cuando se supera cierto valor (la tensión de codo o
tensión
Umbral, Vγ), que es aproximadamente 0.2V para transistores de Ge y de 0.6V para los
de Sí.

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Se puede notar en la fig.5 que existe cierta zona alrededor de los puntos Vb = 0, para los
cuales ninguno de los transistores conduce, lo que acarrea una distorsión en la forma de
onda en la salida (proporcional a la señal iB1 – iB2), llamada distorsión por cruce (o de
cross over). Esta distorsión se evita polarizando directamente las junturas base-emisor
de Q1 y Q2 de modo que exista entre ellas una tensión igual a la tensión de codo.
Una forma simple de lograr esto es, colocando una resistencia (de pequeño valor) entre
las bases de Q1 y Q2 de modo que se ocasiona una caída de tensión en ella suficiente
para tener polarizados ligeramente a los transistores

RD se escoge de modo que cumpla con la anterior ecuación con: VBE1 = VBE2 = 0.2
(Ge) ó 0.7 (Si)
La elección de RD para polarizar adecuadamente la juntura base-emisor de Q1 y Q2, es
un poco delicada, debido a que una pequeña variación de la tensión VBE provoca
grandes cambios de corriente de colector, por lo cual, con un valor demasiado pequeño
de VRD no se eliminará satisfactoriamente la distorsión de cruce. En cambio, si la
tensión es demasiado grande, trae como consecuencia distorsión para niveles grandes de
señal, ya que cada transistor conducirá más de medio ciclo, lo cual hará que las
corrientes de conducción se traslapen con las corrientes que deja conducir el otro
transistor.
Prácticamente entonces, el amplificador debe trabajar en clase AB. Pero la corriente de
colector, para evitar la distorsión de cruce, es tan pequeña que se puede decir que su
forma de trabajo es clase B. La polarización de las junturas base-emisor se hace para
que cumpla dos funciones:
 Evitar la distorsión de cruce o “cross-over”
 Estabilizar la polarización de Q1 y Q2 contra variaciones de temperatura.

La forma más simple de polarizar en clase AB es mediante una red resistiva. Este
esquema no es satisfactorio debido a que, si la polarización es poca, la distorsión de
cruce sigue siendo severa y, si es mucha, la corriente de colector será alta, los
transistores disiparán más potencia pudiendo destruirse o acortar drásticamente su
tiempo de vida y la eficiencia disminuirá. Este tipo de polarización es más efectivo
cuando la fuente de alimentación es regulada pero no permite la compensación por
variación de temperatura en las junturas base-emisor.

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4. PROCEDIMIENTO
4.1 Ensamble el siguiente circuito:

4.2 Mediciones en DC.

LECTURA
(V)
VG
VE
VB
V2
V3

4.3 Aplique la señal de entrada Vg con frecuencia de 1 KHz, Aumente Vg hasta


que se obtenga máxima excursión simétrica en la salida. Anote los valores
pico.

LECTURA
(V)
VG
Vsalida

4.4 Con el nivel de Vg del paso 3 mida la respuesta en frecuencia del circuito.

F
100 500 1K 2K 5K 10K 20K 30K 50K 70K 100K
(Hz)
Vsalida
(Vpico)

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4.5 Desconecte el resistor R4, de 10 KΩ, del punto E y conéctelo al punto B


Reduzca Vg para obtener en la salida 3 Voltios pico

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5. INFORME FINAL

5.1 1.- Haga una tabla comparando los valores teóricos con los valores
experimentales.

5.2 2.- ¿Por qué la tensión pico de salida no llega a ser igual a la tensión de la
fuente?

5.3 3.- ¿Por qué las tensiones en los pines 2 y 3 del operacional tienden a ser
iguales?

5.4 4.- ¿Por qué la tensión de señal de salida está en fase con la entrada?

5.5 5.- Haga el gráfico de la respuesta en frecuencia de la ganancia y explique


por qué tiene la forma medida?

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6. OBSERVACIONES
 A
 A
 A
 A

7. CONCLUSIONES
 A
 A
 A
 A
 a

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