Universidad Nacional Autonoma De México

Facultad de Estudios Superiores Aragon

Alumno:

Jimenez Ramos Jaime

Profesor:
Noe Gonzalez Mondragon

Practica 8

Laboratorio dispositivos electrónicos

 Práctica 8
OBJETIVOS
Analizar la configuración del transistor JFET de tipo (N y P), usando circuitos electrónicos, fuente de poder y multímetro para aprender su
funcionamiento en sus diferentes formas de operación.

Objetivos específicos

Conceptuales

 Identificar el funcionamiento del transistor de efecto de campo JFET (N y P)

 Identificar el tipo del transistor de efecto de campo JFET (N y P)
 Identificar las terminales del transistor de efecto de campo JFET (Drain, Source y Gate)
 Identificar las configuraciones del transistor de efecto de campo JFET (N y P).
 Identificar las regiones de operación del transistor de efecto de campo JFET (N y P).

Procedimentales

 Usar el multímetro para identificar las terminales del JFET (compuerta, drenador y surtidor).
 Armar circuitos electrónicos para identificar las configuraciones de operación del transistor JFET usando fuentes de poder y multímetro.

Actitudinales

 Desarrollar habilidades de investigación, resolución de problemas, búsqueda información confiable, trabajo en equipo, respeto y tolerancia al medio
ambiente y las personas que lo rodean, compromiso ético

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 INTRODUCCIÓN

Un JFET es un transistor con tres terminales denominadas compuerta (G), drenador (D) y fuente o surtidor (S). La corriente fluye por su canal el cual se
encuentra entre los terminales de drenador y surtidor, y está controlada por la tensión aplicada entre el terminal de puerta y el de surtidor. Hay dos tipos de FET:
el de canal N y el de canal P (figura1).

Estructura física y símbolo del FET. a) De canal N. b) De canal P

Figura1

En la figura 2 se representan las curvas características del JFET de canal N donde sé que existe una región próxima al origen denominada región óhmica, y otra
región más alejada, en la que las curvas son rectas casi horizontales, que se denomina región de saturación.yttty

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 Curvas características del canal N
Figura 2

Los transistores del tipo FET se han convertido en la herramienta más dúctil en el diseño tanto de circuitos analógicos como digitales debido a sus notables
características eléctricas que le permiten un bajo consumo de potencia y altos niveles de integración.

En la figura 3 se observa la apariencia física y la representación simbólica 2N5457.

Apariencia física y la representación simbólica 2N5457

Figura 3
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 LISTA DE MATERIALES
 2 Cables Caimán – Caimán
 2 Cables BNC – Caimán
 1 Transistor 2N5462, o equivalentes
 1Transistor 2N5457, o equivalentes
 4 Resistores 10KΩ a ½ W
 5 Resistores 1kΩ a ½ W
 Tarjeta de pruebas (protoboard)
 Fuente DC y puntas para fuente
 Multímetro y puntas para multímetro

TRABAJO DE CASA
1. Investigar los valores de IDS y Vp que tiene los transistores de la práctica.

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 2. Investigar el nombre de las regiones de de operación del JFET.

El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están
unidas entre sí. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya
se conoce.

JFET En Región De Corte.

En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensión entre Puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de
inversión bloquean y estrangulan el Canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta Tensión como de
estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp.

JFET En Región Óhmica.

Esta zona también se denomina región controlada por voltaje. Cuando un JFET opera en la zona óhmica actúa como una resistencia la cual puede ser
controlada con el voltaje de compuerta- fuente VGS. Un valor aproximado de esta resistencia se puede evaluar como RDS=Vp/IDSS.

3. Investigar el valor de ID y VDS para cada región de operación.

JFET en región de corte En esta

región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión
bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas técnicas se
denomina a esta tensión como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS (off) = -2V.

JFET en región lineal

En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que
es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia
variable controlada por tensión. El fabricante
proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para
diferentes valores de VGS .

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 JFET en región de saturación
En esta región, de similares características que un BJT en la región
lineal, el JFET tiene unas características lineales que son utilizadas en
amplificación. Se comporta
como una fuente de intensidad controlado por la tensión VGS cuya ID
es prácticamente independiente de la tensión VDS. La ecuación que
relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuación
cuadrática o ecuación de Schockley que viene dada por donde Vp es
la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación.
Esta corriente se define como el valor de ID cuando VGS=0, y esta
característica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de
corriente de valor

JFET en región de ruptura

Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por
avalancha a través de la unión de puerta. Las especificaciones de los
fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y fuente con la
puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa por
BVDSS y su valor está comprendido entra 20 y 50 V.
Las tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para
evitar que el dispositivo se deteriore. Por último, comentar las
diferencias existentes entre un NJFET y PJFET.

4. Investigar el nombre de algunas formas de alimentar el JFET.

Auto polarización, polarización fija, polarización de divisor de voltaje.

5. Arme los circuitos 4, 5, 6 en su tableta de pruebas usando el transistor 2N5457.

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 Práctica 8
TRABAJO DE LABORATORIO

1. Para cada transistor realice las mediciones de resistencia (multímetro en su función de óhmetro). Reporte las mediciones realizadas entre terminales en las
siguientes tablas.

132

Tabla 1

Tabla 2

Identifique el renglón de las tablas en donde se encuentran dos valores de resistencia menores a infinito. El renglón que haya registrado lecturas menores a
infinito nos indica la terminal que es la compuerta del JFET. Posteriormente identifique la lectura más baja de las tablas, el transistor JFET marca una sola
lectura baja de surtidor a drenador colocando la punta roja en el drenaje y la negra en el surtidor.

*Nota: Ver el video de Teoría para apoyo a la práctica.

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Polarización del transistor JFET canal N

1. Arme el circuito de la figura 4, ajuste y conecte el multímetro y las 2 fuentes.

2. En la tabla 3 anote las dos mediciones del multímetro.

3. Según los valores medidos anote en que regiones se encuentra trabajando el JFET 2N5457.

254.713
254.713 mV
mV

-974.529
-974.529 uA
uA

Tabla 3
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Nota: Ver el video JFET en Polarización Fija para apoyo en la práctica.

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 5. En la tabla 4 anote las dos mediciones del multímetro.

6. Según los valores medidos anote en que regiones se encuentra trabajando el JFET 2N5457.

-928.042 uA

8.144 V

Tabla 4
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Nota: Ver el video JFET en Autopolarización para apoyo en la práctica.

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 Arme el circuito de la figura 7, ajuste y conecte el multímetro y la fuente.

2. En la tabla 5 anote las dos mediciones de los multímetros.

3. Según los valores medidos anote en que regiones se encuentra trabajando el JFET 2N5457.

16.946
66.946 V

1.527 mA
11.527 mA
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 Tabla 5

Nota: Ver el video JFET en Polarización por Divisor de Voltaje para apoyo en la práctica.

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REFERENCIAS

 Boylestad, Robert L, Nashelsky, Louis, Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, 10ma Edición, Editorial Pearson, México 2010.
 Burciaga de Cepeda Margarita. Dispositivos electrónicos, Tomo I y II. Ed. IPN. México 2001.
 Carlson A. Bruce. Circuitos, Ingeniería, conceptos y análisis de circuitos eléctricos lineales, Ed. Thomson Learning. México 2001.
 Comer David. Diseño de circuitos electrónicos, Ed. Limusa Wiley. México 2005.
 Manual de Prácticas de Dispositivos Electrónicos de la FES Aragón.
 Serrano Fibela, José Rodolfo. Propuesta De Prácticas De Dispositivos Electrónicos UNAM Facultad de Estudios Superiores Aragón, México
2008.

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