Practica 4 Mosfet
Practica 4 Mosfet
Practica 4 Mosfet
Práctica 5
Funcionamiento del transistor
MOSFET:
3
1 Objetivo
En esta práctica se pretende analizar el comportamiento de un transistor MOSFET tipo n
(nMOS). En un primer paso, se estudian las características I-V de un dispositivo real para
posteriormente realizar un modelado teó rico ajustando los valores de los pará metros con
datos experimentales, pudiendo implementar una simulació n del modelo.
2 Introducción teórica
La mayoría de la informació n de esta secció n ha sido obtenida en
G B
S
(a) Estructura (b) Esquemá tico
El tipo de dopado de sus terminales determinará el tipo de carga que fluye a través
del transistor, que pueden ser electrones o huecos, dando lugar a transistores de canal n
(nMOS) o de canal p (pMOS), respectivamente. En la prá ctica, emplearemos un transistor
nMOS, lo que nos lleva a poner énfasis en la descripció n de dicho tipo de transistor.
Los terminales que constituyen un tansitor nMOS son:
• B-Substrato("Bulk " o "Body"): formado por silicio cristalino poco dopado con iones
aceptores (p−).
• Banda plana: a medida que aumentamos VGB < 0, el potencial superficial es cada vez
menos atractivo para los huecos, de forma que estos comienzan a distribuirse de
uniformemente por le substrato, viendo disminuida la capacidad del MOS. La tensió n a la
cual se produce este efecto se denomina tensió n de banda plana y se denota V FB .
2.3 Inversión
Vamos a discutir el comportamiento del transistor en esta regió n en funció n de los
potenciales VGS y VDS. La característica de entrada del transistor se corresponde con la
Figura 3.
• Saturació n (VDS ≥VGS V−T 0):≥si aumentamos el valor de VGS el comporta- miento
de la intensidad para a ser cuá dratico en su dependencia respecto de VGS y
prá cticamente constante respecto de VDS:
β
ID ≈ (VGS — )2 (1 + ) (2.2)
2 VT λVDS
2 INTRODUCCIÓN TEÓRICA 6
Figura 4: Característica de entrada del transistor nMOS para diferentes valores de VGS.
2.5 Movilidad
En las ecuaciones 2.2 y 2.3, podemos observar como en ambos casos la intensidad que
fluye a través del drenador es directamente proporcional a un término denominado movi- lidad
de los portadores, el cuá l se denota como. En el caso de un nMOS, los portadores a los que
hace referencia dicha movilidad son los electrones.
Si bien este término se puede aproximar como una constante 0 para valores de un campo
eléctrico bajo entre la puerta y el substrato, a medida que este aumenta, los electrones que
circulan por el drenador se comprimen contra la superficie del substrato. La mayor presencia de
defectos en la red cristalina en su entrefase con el ó xido, produce un mayor nú mero de
colisiones de los electrones con la red y la consecuente disminució n de la movilidad. Podemos
modelar este efecto de segundo orden incluyendo una dependencia de la movilidad en el
canal con las tensiones VGS y VSB aplicadas, las cuales contribuyen al aumento del campo
eléctrico entre la puerta y el substrato:
µ0
µ=
1 + θ (VGS − VT ) + θ2 VSB (2.4)
• Resistores.
Rsen
VD
ID 15 V
−
AO1 V0
+
AI1+
-15
AO0 V
AGND, AI1-
Analicemos los principales componentes del circuito. Tenemos un transistor MOS in-
tegrado en el chip 4007 cuyo patillaje está indicado en la Figura 7(a) (3: G, 4: S, 5: D, 7:
B). Por otro lado, el patillaje del amplificador operacional (AO741) se encuentra en la Figura
7(b), que está polarizado entre +15V y 15V. −La resistencia conectada al AO es una
resistencia de sensado, es decir, a lo largo de la prá ctica iremos cambiando su valor con el
objetivo de cubrir siempre un rango apropiado del potencial v0, que debe ser de varias
voltios sin llegar a la saturació n de la tarjeta de instrumentació n (≈ 10.5 V).
Figura 7: Patillajes.
4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 9
A lo largo de práctica nos interesará obtener las características de salida (ID frente a
VDS) y la de entrada (ID frente a VGS). La medida de ID se realizará de manera indirecta a
través de V0 (AI1+), ya que aplicando el principio de tierra virtual al AO se tiene que
V0 − VD
ID ≈ Rsen (3.1)
4 Realización experimental
En los siguientes apartados se procederá a obtener diferentes características y pará me- tros
del circuito de la Figura 6 mediante el software LABVIEW, que nos permite modificar el
potencial en la puerta (AO1) y en el drenador(AO0) del nMOS. Ademá s en algunos casos
emplearemos un transistor nMOS diferente al integrado en el 4007 con el objetivo de establecer
comparativas.
Una vez comprobado que el rango de V0 es apropiado, nos centramos en la grá fica ID
frente a VGS. De forma cualitativa podemos diferenciar 3 regiones de operació n del
transistor. Vemos que la inversió n fuerte, donde la relació n entre ID y VGS es lineal, empieza
aproximadamente en torno a 3V. Mediante el uso de cursores seleccionamos dos puntos en esta
zona con el objetivo de obtener VT de forma precisa. Tomamos los pares (VGS = 3.2V, ID =
3.18 10−5A)· y (VGS = 4.65V, ID = 7.97 10−5A) construimos
· una recta cuya intersecció n
con el ID = 0 nos dará
VT = 2.24V (4.1)
Cambiamos el transistor por el fabricado por Texas Instrument [1] y gracias a los botones
"Keep" y "Recall" realizamos otro barrido y comparamos con el que habíamos obtenido
(Figura 9):
Con la ayuda de los cursores podemos precisar los límites de esta regió n:
Límite superior: 1.4V, 1.14 · 10−6A Límite inferior: 0.9V, 3.30 · 10−8A
Figura 12: Pantalla LABVIEW. Rsen = 1kΩ. A la izquierda, ID frente a VDS y a la derecha,
V0 frente e VDS para diferentes VGS. Philips.
Dado que estamos en valores VGS < VT , es decir, en zona de inversió n débil, las curvas tienden
rápidamente a un valor constante dependiente de VGS como se deduce de 2.1. Dado que la
dependencia de log ID con VGS en esta zona es lineal y estamos tomando valores de
4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 13
Rsen
VD
ID
15
V
AO1 − V0
AI1+
+
-15 V
AO0
100k
1k
AGND, AI1-
Figura 14: Transistor MOS conectado a una sonda de intensidad con efecto substrato.
Figura 15: Pantalla LABVIEW. Rsen = 10kΩ. ID frente a VGS para VDS = 100mV y
VSB = 0mV (blanco) y VSB = 200mV (rojo).
1.67V
∆VT = 0.27V
∆VT = 0.29V
Observamos en ambos casos un desplazamiento hacia la derecha debido a que el efecto
sustrato se contrapone al aumento de la tensió n VGS, ya que la zona de operació n depende
de VGB = VGS−VSB.
A continuació n, estudiemos con má s detalle la regió n subumbral. Realizamos un barrido de
1V hasta 3.5V cambiando el eje de las intensidades a escala logarítmica (Figura 16)
Figura 16: Pantalla LABVIEW. Rsen = 10kΩ. ID frente a VGS para VDS = 100mV y
VSB = 0mV (blanco) y VSB = 200mV (rojo).
5 OBTENCIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL MODELO 15
Podemos estimar el límite superior de la zona de inversió n débil como la zona de la grá fica
donde se pierde la dependencia lineal. Dado que la tensió n umbral produce, en primera
aproximació n, un desplazamiento de las zonas de operació n, esta diferencia también se
corresponde con el desplazamiento de la tensió n umbral ya indicado en 4.3. En efecto, si
usamos los cursores para medir obtenemos:
VGS en [2.5V, 5V] con pasos de 50mV; VDS = 10mV; Rsen = 100kΩ.
empleamos la herramienta de Matlab CFTOOL [5] y ajustamos los datos mediante la ex-
presió n
1 % UO/(1+THETA∗ ( vgs−VT) ) ∗ 3 . 4530 e −8∗100∗( vgs−VT) ∗10 e−3
que no es má s que una simplificació n de la expresió n 2.3 asumiendo que
εox
CoJ x = = 3.4530 · 10−8 F cm−2 y que = 100
W
tox L
ajustamos los parámetros de tolerancia "TolFun" y "TolX" a 10−12 y obtenemos las grá ficas de
la Figura 17 y parámetros de ajuste:
µ0(UO) 722.7cm2 V−1 s−1 [713.7cm2 V−1 s−1, 731.7cm2 V−1 s−1]
VT0 (VT0) 2.149V [2.140V, 2.158V]
(a) Philips
(b) TI
Emplearemos la funció n LSQNONLIN (ver [5] y [2]) de MATLAB que aperece en el script
que adjuntado en el Anexo A. Los valores obtenidos han sido
En la Figura 18 representamos los datos experimentales obtenidos en la secció n 4.3 junto con
la curva proporcionada gracias al modelo de nivel 3.
(a) Philips
(b) TI
Figura 18: ID frente a VDS con VGS = 4V y VSB = 200mV. Datos experimentales y curva de
mejor ajuste segú n el modelo de nivel 3.
6 PRUEBA DEL MODELO DE SIMULACIÓN 18
Debemos ahora configurar el circuito introduciendo los valores de los pará metros obte-
nidos en la secció n 5 en un archivo de texto y ejecutar el aná lisis en DC. Podemos encontrar una
descripció n má s detallada de este proceso en [6]. Tras ejecutar este análisis obtenemos los
siguientes resultados, expuestos en las Figuras 20(a) y 20(b) .
(a) Philips
(b) TI
Figura 20: ID frente a VGS con VDS = 100mV. Curva superior: VSB = 0V. Curva inferior:
VSB = 0V (Efecto substrato).
7 Conclusión
A lo largo de la prá ctica hemos manifestado todos los objetivos y conceptos teó ricos que se
trataban de alcanzar en un inicio.
20
Anexos
A Código Matlab
Script:
1 %% Ajuste segun e l modelo de n i v e l 3 ( Seccio n 9 . 2 )
2
6 %% Importacion de l o s datos c o r r e s p o n d i e n te s a l a s e c c i o n 8 . 2 .
7
15 % Valores i n i c i a l e s con e r r o r e s
16 p0 =[ 1 . 5 0 . 7 7 ] ;
17 pmax=[10 10 1 0 ] ;
18 pmin=[0 0 . 0 0.2];
19
20
21 % Realizamos e l a j u s t e
22 p = l s q n o n l i n (@( p ) fopt 92 ( p , vds , idexp ) , p0 , pmin , pmax , opts ) ;
23
24 id=fun 92 ( p , vds ) ;
25
26
27 %% Gr a f i c a s
28 figure (1)
29 hold on ;
30 p l o t ( vds , idexp , ’ ∗ ’ ) ;
31 p l o t ( vds , id , ’ r ’ ) ;
32 l egend ( ’ Datos e xp e r i m e n ta l e s ’ , ’ Modelo de n i v e l 3 ’ , ’ Locat ion ’ , ’ best ’
);
33 % Et i q u e t as de e j e s
34 x l a b e l ( ’V_{DS} (V) ’ , ’ f on tw e i gh t ’ , ’ bold ’ , ’ f o n t s i z e ’ , 10 ) ;
35 y l a b e l ( ’I_D (A) ’ , ’ f on tw e i gh t ’ , ’ bold ’ , ’ f o n t s i z e ’ , 10 ) ;
36 g r i d on ;
37 hold o f f ;
38
39 %% Re su ltados
40 f p r i n t f ( 1 , ’ \n−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− \n ’ ) ;
41 f p r i n t f ( 1 , ’ Re sult ados : \ n ’ ) ;
42 f p r i n t f ( 1 , ’gamma : %4.8 f \n ’ , p ( 1 ) ) ;
43 f p r i n t f ( 1 , ’ phi : %4.8 f \n ’ , p ( 2 ) ) ;
REFERENCIAS 21
44 f p r i n t f ( 1 , ’ kappa : %4.8 f \n ’ , p ( 3 ) ) ;
45 f p r i n t f ( 1 , ’ \n−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−\n\n\n ’ ) ; Funciones
auxiliares:
1 f u n c t i o n [ id ] = fun 92 ( p , vds )
2 %% Partros de a j u s t e
3 GAMMA=p ( 1 ) ;
4 PHI=p ( 2 ) ;
5 KAPPA=p ( 3 ) ;
6
7 %% Parametros c on oc i d os
8 vgs =4; vto = 2 . 149 ; vsb=200e − 3;
9 uo = 722 . 7 ; thet a =3.777 e − 3;
10 W=500e —4; L e f f=5e − 4;w_l=W/ L e f f ;
12 tox=1e −5;
13 eox =3.453 e −13; e s i =1.03592 e −12;
14 q=1.602 e −19;
15
16 %% Calculamos l a i n te n s i d a d s e g e l modelo a n a l i t i c o de n i v e l 3
17 fb= GAMMA/ ( 4 ∗ s q r t ( PHI+vsb ) ) ; % Parametro ~ a l e f e c t o s u b s tr a to
18 vt=vto+GAMMA (∗s q r t ( vsb+PHI) s−q r t ( PHI) ) ; % VT con e f e c t o s u b s tr a to
19 u e f f=uo/(1+ theta ∗ ( vgs −vt ) ) ; % Movilidad e f e c t i v a
20 beta=u e f f ∗ eox / tox w_l ; % Beta = u Cox ’ W/L
21 vdsat=(vgs −vt ) /(1+ fb ) ; % VDS’
22 vde=min ( vds , vdsat ) ;
23 id=beta ∗( vgs −vt −(1+fb ) /2 vde ∗ ) . vde ; % Calc ulo de ID
24 s a t=f i n d ( vds>vdsat
∗ );
25 % Encontramos e l i n d i c e de l o s v a l o r e s de VDS>VDS’
26 delta L=s q r t ( 2 ∗ e s i /( q∗ nsub ) )∗ s q r t (KAPPA∗ ( vds ( s a t −) vdsat ) ) ;
27 % C alculo de l a modulacide l a l o n g i tu d d e l canal
28 id ( s a t )=id ( s a t ) ./(1 − delta L / L e f f ) ;
29 % Ef ect o de l a modulacion en l a i n te n s i d a d en s a tu r a c i o n
1 f u n c t i o n f = fopt 92 ( p , t , y )
2 % Funcion a a j u s t a r
3 y_ fi t = fun 92 ( p , t ) ;
4 % Error
5 f =(y−y_fit ) ;