Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Decana de América. Universidad del Perú

Facultad de Ingenierı́a Electrónica Eléctrica

CIRCUITOS ELECTRONICOS III

EXPERIENCIA N° 01:
RESPUESTA DE TRANSISTORES EN ALTA
FRECUENCIA

INFORME
PRESENTAN:
Tinoco Arellano Williams
Asto Cahuana Samuelson
Roy Huamani Auccasi
Sovero Acosta Erick Bonjovi
Yupanqui Tovar Antonella Yoryina

DOCENTE: MSc. RAUL HINOJOZA SANCHEZ

4 de junio de 2022
LAB. DE CIRCUÍTOS ELECTRÓNICOS III EXP. N°01

I. INTRODUCCIÓN
En el análisis a pequeña señal del transistor, no se tuvo en cuenta el efecto de la frecuencia.
Ocurre que el efecto de la frecuencia en los elementos capacitivos es notable a baja frecuencia
en los condensadores de acoplamiento y desvı́o ya que estos no pueden reemplazarse por su
equivalente de cortocircuito porque a menor frecuencia mayor es la reactancia capacitiva.
A alta frecuencia las capacitancias parásitas asociadas a los dispositivos amplificadores limitarán
la respuesta en alta frecuencia del mismo.

II. OBJETIVOS
Conocer los transistores en Alta Frecuencia y sus caracterı́sticas. Los transistores de alta
frecuencia son transistores que se utilizan para señales pequeñas que funcionan a altas
frecuencias para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Estos son transistores que se utilizan para las señales de alta frecuencia y debe ser capaz de
encender y apagar a muy altas velocidades. Los transistores de alta frecuencia se utilizan
en aplicaciones de alta frecuencia (HF), de frecuencia muy alta (VHF), de ultra alta
frecuencia (UHF), de televisión por cable (CATV) y de antena maestra (MATV). Tienen
una frecuencia de frecuencia máxima de unos 2000 MHz y una corriente de colector
máxima (Ic) de 10 a 600 mA. Están disponibles en ambos formatos NPN y PNP.

III. CUESTIONARIO
1. Hacer una tabla con sus caracterı́sticas generales de los transistores en alta frecuencia y
sus aplicaciones propuestos por el fabricante (data sheet).
2. Presentar al menos 10 tipos de transistores con esas caracterı́sticas.
3. Hacer la simulación de al menos 05 de los transistores propuestos.

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IV. PROCEDIMIENTO
1. TRANSISTOR MPSH 10 – MMBTH10

Este dispositivo está diseñado para usarse en amplificadores UHF/VHF de bajo ruido, con
colectores de corriente en el rango de 100 mA a 20 mA en común emisor o modo base común
de operaciones, y en baja frecuencia deriva, osciladores UHF de alto rendimiento.
DATASHEET
Sus caracterı́sticas térmicas son:

Las caracterı́sticas eléctricas que tenemos a tomar en cuenta:

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Sus caracterı́sticas en relación a la frecuencia:

SIMULACIÓN

Figura 1: Circuito implementado en el software Multisim.

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Figura 2: Transistor trabajando a f= 200 MHz.

Figura 3: Transistor trabajando a f= 6500 MHz.

Una comparación entre la Figura A y B, se da en que a mayor frecuencia, se aprecia

más el desfase que este tiene, además aumenta la ganancia de voltaje, pero a costo que
aumenta una mayor impedancia de salida.

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2. NPN SWITCHING 2N3019 TRANSISTOR

El 2N3019 es un NPN epitaxial planar de silicio transistores en caja metálica Jedec TO-39,
diseñados para amplificador de alta frecuencia y alta corriente solicitud. Cuenta con alta
ganancia y baja saturación voltaje.
DATASHEET
Sus caracterı́sticas térmicas son:

Sus caracterı́sticas en relación a la frecuencia:

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Las caracterı́sticas eléctricas que tenemos a tomar en cuenta:

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3. 2N2219, 2N2219A NPN SWITCHING TRANSISTORS

Son transistores de conmutación del tipo NPN producidos en masa por la empresa PHILIPS.
DATASHEET
En la segunda página del datasheet del producto muestra los valores de sus parámetros
con los que trabaja (VCBO, VCEO, IC, Ptot, hFE, etc.), indica qué terminal es base,
colector, emisor, y menciona algunas de sus aplicaciones como conmutador de alta
velocidad y amplificador en altas frecuencias.

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Luego, el datasheet muestra una tabla con sus valores lı́mites a considerar
como la corriente IC y el voltaje VCEO máximo

También, indica sus caracterı́sticas térmicas y los valores de sus parámetros

a temperatura de ambiente (25 °C).

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En su quinta página nos muestra un circuito de prueba para el transistor

2N2219 trabajando como switch a altas velocidades, donde se muestra una
tabla con los tiempos de encendido y apagado.

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Finalmente, se explica el esquema del paquete; es decir, las dimensiones del

transistor.

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SIMULACIÓN
Ahora, implementaremos el circuito de prueba visto en el datasheet del transistor
2N2219, donde utilizaremos un frecuencia de 2MHz para ver su funcionamiento.

Figura 4: Circuito implementado en el software Multisim.

Figura 5: Gráfica obtenida por el osciloscopio.

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4. NE02100 (NEC’s NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR)

DATASHEET

En el datasheet presentado, se pueden apreciar las caracterı́sticas eléctricas, y para ello

se realizaron test a condiciones especificadas; cabe resaltar también que estas pruebas
están dados a una temperatura dada (25°C), ası́ como a intensidades de corriente y
voltaje en los terminales que se especifican en la tabla. Como se puede encontrar en
la mayorı́a de hoja de datos de los componentes electrónicos, aquı́ nos brindan las
caracterı́sticas eléctricas según el estado del transistor que puede ser activo, inactivo
o excitado con señales bajas. Sin embargo, para tener mejor entendimiento de las
caracterı́sticas del componente, el fabricante nos brinda gráficas, de modo que se puede
hallar los valores deseados según las condiciones con las que vamos a trabajar.

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En la parte superior de esta página se podrá observar la tabla donde estarán los ı́ndices
absolutos máximos, a su vez nos muestran las curvas de rendimiento tı́picas de este
transistor a temperatura ambiente; este estando en Curvas de reducción de potencia
en DC, Caracterı́sticas de corriente de voltaje y capacitancia del dispositivo.

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5. TRANSISTOR BFQ31
DATASHEET
Se cuenta solo con una sola hoja de especificaciones por parte de Korea Electronics
CO, LTD.

En el primer recuadro se encuentran las especificaciones máximas, en el recuadro supe-

rior derecho se especifican las dimensiones del transistor; por otro lado en el recuadro
inferior se brindan los datos del transistor, para ası́ evaluar su funcionamiento en altas
frecuencias.

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SIMULACIÓN
En el datasheet no se encuentra el circuito de prueba; no obstante, el software MUL-
TISIM brinda un circuito de prueba por parte de la empresa National Instrument, y
ası́ probar el funcionamiento de los transistores RF.

Figura 6: Circuito implementado en el software Multisim.

La señal de salida que se observa gracias al osciloscopio Tektronik, será la siguiente:

Figura 7: Forma de onda obtenida con f= 100 MHz.

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Con una frecuencia de 200MHz, la señal supera ligeramente a la señal de entrada,

concluyendo ası́ que esa es la máxima frecuencia que puede resistir, puesto que si se
sube dicho valor, la salida será menor que la entrada, observándose cierto desfasaje.
Los datos brindados por el fabricante indican que el valor de la frecuencia ‘m’ es
aproximadamente 100 MHz.
Tomando ası́ estos datos, se puede observar el siguiente gráfico en el osciloscopio:

Figura 8: Forma de onda obtenida con f= 200 MHz.

Observándose que la amplificación realizada a los 100 MHz no se encuentra tan ate-
nuada como la realizada a 200 MHz.

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6. BF415 NPN SILICON TRANSISTOR

DATASHEET
Se cuenta con 3 hojas de especı́ficaciones respecto al BF415, transistor que trabaja a
altas frecuencias.

Se observa en la primera hoja que el transistor trabaja a una frecuencia de 70 MHz;

asimismo se describe sus valores máximos de trabajo, como es el voltaje de colector
emisor (250 V), Colector Base (250 V), Emisor Base (5V), entre otros datos del BF517.

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En la segunda hoja de especificaciones se tiene lo siguiente:

Se describen las caracterı́sticas estáticas del transistor, con una temperatura de 25°C,
de igual forma se puede visualizar otras caracterı́sticas, como son la corriente de circuito
abierto de colector base, la cual es 50nA.

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Por otro lado, en la tercera hoja:

Se observa una tabla, la cual nos brinda los valores dinámicos del transistor; asimismo
se muestra un gráfico que indica el comportamiento del BF415.

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7. BFS17P (NPN SILICON RF TRANSISTOR)

DATASHEET

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Caracterı́sticas eléctricas
En condiciones especificadas, estas pruebas están dados a una temperatura dada (25°C),
ası́ como a intensidades de corriente y voltaje en los terminales que se especifican en la
tabla.
En DC:

En AC:

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Estructura del componente

SIMULACIÓN
En la hoja de datos del transistor, no presentan un circuito de prueba. Sin embargo,
se encontró un circuito que se publicó en un documento con tı́tulo “Design of Power
Amplifier for High Intensity Focused Ultrasound Using State-of-Art Technology” donde
podemos desarrollar la comprobación de este componente.

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Figura 9: Circuito implementado en el software Multisim.

Figura 10: Forma de onda con f= 200 MHz.

En la gráfica la amplificación en una frecuencia de 200MHz es más óptima para la

visualización, pero también se puede ver que la señal empieza un poco más abajo de la
lı́nea de referencia pero se acentúa en el eje en un corto plazo.

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8. TRANSISTOR BC546
DATASHEET

A continuación, explicaremos las caracterı́sticas del transistor:

ˆ Disipación total del dispositivo (Pc): Es la potencia que se pierde al pasar el dis-
positivo, generalmente por medio de la generación de calor en el componente.
ˆ Tensión colector-base (Ucb): Voltaje que circula entre las dos puertas del transistor
(Colector - Base)
ˆ Tensión colector-emisor (Uce): Voltaje que circula entre las dos puertas del tran-
sistor (Colector - Emisor)
ˆ Tensión emisor-base (Ueb): Voltaje que circula entre las dos puertas del transistor
(Emisor - Base)
ˆ Corriente del colector DC máxima (Ic): Intensidad máxima que circula por el
colector.
ˆ Corriente colector-base (Icb): Intensidad que circula entre las dos puertas del tran-
sistor (Colector - Base)
ˆ Corriente colector-emisor (Ice): Intensidad que circula entre las dos puertas del
transistor (Colector - Emisor)
ˆ Corriente emisor-base (Ieb): Intensidad que circula entre las dos puertas del tran-
sistor (Emisor - Base)
ˆ Temperatura operativa máxima (Tj), °C: Temperatura lı́mite de uso del transistor.

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Puntos máximos:

Caracterı́sticas térmicas:

Caracterı́sticas eléctricas

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9. BF517 NPN RF TRANSISTOR

Datasheet

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Simulación
En la hoja de datos del transistor, no presentan un circuito de prueba. Sin embargo,
el mismo software MULTISIM presenta un circuito de prueba que la empresa National
Instrument público para que el público en general pruebe el funcionamiento de los
transistores RF.

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Figura 11: Circuito implementado en el software Multisim.

Figura 12: Forma de onda obtenida a f= 400 MHz

En este transistor se puede ver que su tope de amplificación es aproximadamente por los
400 MHz, puesto que después de ese valor, la salida es menor que la entrada. También
se puede ver que la señal de salida tiende a no desfasarse con respecto a la señal de
entrada.

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Cómo pudimos observar en la tabla “AC Characteristics of any single transistor”, los
valores van desde 1 MHz hasta 200 MHz. Entonces podemos concluir que la hoja
de datos da las caracterı́sticas correctas sobre el transistor, ya que trabaja por esas
frecuencias incluso un poco más arriba. También se debe resaltar que el voltaje DC
tiene que ser aproximadamente 150 V, ya que, en valores menores, la salida tiende a
ser menor que la entrada.
Funcionamiento del transistor BF 517 a la frecuencia recomendada por el fabricante:

Figura 13: Forma de onda obtenida a f= 200 MHz

Como podemos ver, la amplificación realizada a los 200 MHz es mucho más notoria, sin
embargo, también se puede ver un pequeño desfase que no presentaba a los 400MHz

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10. TRANSISTOR 2SC2166

Datasheet

La primera página del datasheet define al 2SC2166 como a un transistor NPN de silicio,
diseñado para ser un amplificador de potencia RF. El transistor es capaz de trabajar
a una frecuencia de 27Mhz. Su principal aplicación es en la radio móvil en la banda
de alta frecuencia, como un amplificador de potencia de 3 a 4 watts. En las tablas de
la parte inferior nos muestran sus condiciones máximas a las que trabaja, ası́ como las
caracterı́sticas eléctricas con las que cuenta.

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En la segunda página del datasheet del 2SC2166 nos presentan el circuito de prueba,
con el que se comprobará la acción del transistor, nos brinda los datos a usar, ası́ como
las dimensiones de las bobinas para calcular su valor de inductancia. Por otro lado, nos
muestran las gráficas, tituladas como DATOS SOBRE EL RENDIMIENTO TÍPICO,
donde observamos cómo se comporta el transistor ante ciertas situaciones. La primera
gráfica es acerca de la disipación de calor en el colector versus la temperatura ambien-
te, te muestra la gráfica en tres situaciones diferentes. La segunda gráfica muestra la
corriente de colector vs el voltaje colector – emisor. La tercera va acerca de la ganancia
en corriente directa vs corriente en el colector. La cuarta y última página es acerca del
voltaje colector emisor de ruptura vs la resistencia base emisor.

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Finalmente, en la última página nos muestra 3 gráficas más que nos ayudan a entender
cómo funciona el transistor ante ciertas condiciones de trabajo.

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V. CONCLUSIONES
Con las hojas de datos brindada por los fabricantes y el software de simulación Multisim, se
puede apreciar el comportamiento que tienen los transistores cuando trabajar a altas frecuen-
cias.

VI. REFERENCIA BIBLIOGRÁFICA

Referencias
[1] Thomas L. Floyd, Fundamento de sistemas digitales, Novena edicion, Prentice Hall,
España, 2006.

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