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    Informe2 Lab EDP

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    Este documento presenta un análisis de los comportamientos de diodos de propósito general y diodos de conmutación rápida en un circuito de conmutación al variar la frecuencia de entrada. Se encontró que los diodos de propósito general muestran distorsión a frecuencias superiores a los KHz, mientras que los diodos de conmutación mantienen una forma de onda uniforme hasta los KHz. También se demostró que una red Snubber puede mejorar el comportamiento de los diodos de propósito general a altas f

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    Este documento presenta un análisis de los comportamientos de diodos de propósito general y diodos de conmutación rápida en un circuito de conmutación al variar la frecuencia de entrada. Se encontró que los diodos de propósito general muestran distorsión a frecuencias superiores a los KHz, mientras que los diodos de conmutación mantienen una forma de onda uniforme hasta los KHz. También se demostró que una red Snubber puede mejorar el comportamiento de los diodos de propósito general a altas f

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    Laboratorio de Electrónica de Potencia; Grupo 3; Subgrupo 3; Abril de 2019. Universidad Tecnológica de Pereira.

    Dispositivos en conmutación
    Switching devices

    Autor 1: Christian Giraldo Ospina, Autor 2: Nelson Ossa Giraldo, Autor 3: Miguel Ángel López
    Universidad Tecnológica de Pereira, Pereira, Risaralda, Colombia.

    Correo-e: [email protected], [email protected], [email protected]

    Resumen— En esta práctica se llevará a cabo un análisis de II. CONTENIDO


    las diferentes características y comportamientos de los
    dispositivos semiconductores en modo de conmutación, de 1. Para la primera parte de esta práctica se realizó el
    este modo podrán ser conocidas las diferencias que existen montaje del circuito presentado en la figura 1.
    entre un elemento de propósito general y uno de propósito
    específico.

    Palabras clave— Diodo, Conmutación, Transistor, Red


    Snubber

    Abstract— In this practice an analysis of the differents


    features and behaviors of the semiconductor devices in
    switching mode will be carried out, so the differences that
    exist between a general purpose device and a specific
    purpose device could be known.

    Key Word —Diode, Conmutation, Snubber grid, Transistor.


    Figura 1. Circuito de conmutación Diodo.

    I. INTRODUCCIÓN
    Al circuito de la Figura 1 se le aplica una tensión de entrada de
    5V con diferentes rangos de frecuencia; los comportamientos
    En el campo de la electrónica existen elementos conocidos de Vo son los siguientes:
    como dispositivos semiconductores, un ejemplo de estos
    pueden ser los diodos o transistores. Siendo la electrónica de A. Para un Diodo de propósito general se obtuvieron los
    potencia un campo muy importante en la actualidad, es de siguientes resultados
    suma importancia para quien se mueva en este campo, conocer
    los diferentes modos de operación, características y
    comportamientos de estos dispositivos ante diferentes
    situaciones. B. Para un Diodo rápido los resultados fueron los
    presentados a continuación

    III. CONCLUSIONES

    ● Los dispositivos de propósito general mostraron una


    alteración en la señal de salida al operar bajo
    frecuencias del orden de los KHz
    ● Los diodos de conmutación (rápidos) durante la
    variación de frecuencia mostraron una forma de onda
    uniforme en la salida, operan bien en el orden de los
    Laboratorio de Electrónica de Potencia; Grupo 3; Subgrupo 3; Abril de 2019. Universidad Tecnológica de Pereira.

    Khz y además se pudo notar que en la mayoría de los


    casos t r ≅ t f .
    ● Se demostró que la red Snubber es un circuito que
    ayuda a los dispositivos de propósito general a que se
    comporten de manera aproximada a los dispositivos
    de conmutación rápida.
    ● La red Snubber mejora la visualización de la señal
    (más suave) de salida a altas frecuencias.
    ● Para altas frecuencias (mayores a 30KHz) el
    transistor TIP31 presenta saturación y por ende se
    distorsiona la forma de onda de la salida.

    VI REFERENCIAS

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