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    Este documento describe dos experimentos para determinar el funcionamiento de un transistor de efecto de campo (FET). En el primer experimento, se mide la corriente de drenaje (IDSS) del FET a diferentes valores de voltaje de drenaje (VDD) para trazar la curva de transferencia y determinar el voltaje de estrechamiento (VP). En el segundo experimento, se mide la corriente de drenaje (ID) del FET a diferentes valores de voltaje de drenaje (VDS) y voltaje de puerta-surco (VGS) para trazar la

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    INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO

    "DE TECNOLOGIAS APROPIADAS"- INSTA


    ELECTRÓNICA ANALÓGICA – UNIDAD 2
    ACTIVIDAD WIKI 6

    Ejercicio 1 – Práctica Transistor Efecto de Campo

    Objetivo: Determinar el funcionamiento de un transistor de efecto de campo

    Materiales

    • 1 Fuente de voltaje variable.

    • 6 Transistores 2N5459.

    • Resistencias de 10 KΩ, 33 ΚΩ 1/2watt.

    • Tablilla de experimentación (Protoboard).

    • Multímetro Digital.

    Procedimiento:

    Experimento 1

    1. Construya el circuito que se muestra en la Figura 1


    2. Conecte la terminal G a tierra.
    3. Ajustar la fuente de alimentación a su valor mínimo, incremente el voltaje de entrada en
    intervalos de 0.5 Volts, hasta alcanzar 5 Volts, posteriormente, varié el incremento a
    intervalos de 2 Volts hasta alcanzar 15 Volts.
    4. Con el Multímetro mida el valor de lDSS, para cada uno de los incrementos.
    5. Trazar la curva experimental de transferencia del FET con estos valores.
    6. Determine el voltaje de estrechamiento VP utilizando la curva de transferencia del FET.

    Experimento 2

    1. Construya el circuito que se muestra en la Figura 2


    2. Ajuste las fuentes VDD y VGG a 0 volts.
    3. Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.25 volts en las
    terminales G y S (VGS = - 0.25 volts).
    4. Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VDD hasta obtener valores de VDS de 0 a 15 Volts
    en intervalos de tres volts cada uno.
    5. Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.5 volts en las
    terminales G y S (VGS = - 0.5 volts).
    6. Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VDD hasta obtener valores de VDS de 0 a 15 Volts
    en intervalos de tres volts cada uno.
    7. Medir la corriente lD para cada incremento de VDS.
    8. Trazar la curva experimental de corriente ID vs VDS.
    INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO
    "DE TECNOLOGIAS APROPIADAS"- INSTA
    ELECTRÓNICA ANALÓGICA – UNIDAD 2
    ACTIVIDAD WIKI 6

    Esquemático

    Figura 1

    Figura 2
    INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO
    "DE TECNOLOGIAS APROPIADAS"- INSTA
    ELECTRÓNICA ANALÓGICA – UNIDAD 2
    ACTIVIDAD WIKI 6

    Resultados

    Experimento 1

    VDD IDSS
    0,5
    1
    1,5
    2
    2,5
    3
    3,5
    4
    4,5
    5
    7
    9
    11
    13
    15

    Experimento 2

    Vin VDD VGS Vo ID


    0 0 0
    -0,25 3
    -0,25 6
    -0,25 9
    -0,25 12
    -0,25 15
    0 0 0
    -0,5 3
    -0,5 6
    -0,5 9
    -0,5 12
    -0,5 15
    INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO
    "DE TECNOLOGIAS APROPIADAS"- INSTA
    ELECTRÓNICA ANALÓGICA – UNIDAD 2
    ACTIVIDAD WIKI 6

    Cuestionario

    1. Explique la diferencia entre un transistor BJT y un transistor FET.


    2. Indique los elementos que determinan el punto de trabajo en un transistor FET.
    3. Enuncie tres ejemplos de aplicación para transistores FET.
    4. Explique la operación del FET en las zonas de corte y saturación en las curvas de
    características.
    5. Explique porqué un FET tiene alta impedancia de entrada.
    6. Enuncie los tipos de FET que conoce.
    7. Cuáles son las ventajas que presenta el FET con respecto a un BJT.
    8. Explique cuál es el efecto que tiene la carga estática en el FET.
    9. Explique cómo opera el FET en la región de agotamiento.

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