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    T 4 Electronic A

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    Ventura Dionisio Romeo
    El documento habla sobre la fabricación de transistores FET. Se pide identificar las partes de un transistor MOSFET tipo P en una imagen y calcular valores en un circuito de polarización fija. También se pide explicar la diferencia principal entre un transistor MOSFET de empobrecimiento y uno de enriquecimiento considerando el tipo de sustrato.

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    Ventura Dionisio Romeo
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    El documento habla sobre la fabricación de transistores FET. Se pide identificar las partes de un transistor MOSFET tipo P en una imagen y calcular valores en un circuito de polarización fija. También se pide explicar la diferencia principal entre un transistor MOSFET de empobrecimiento y uno de enriquecimiento considerando el tipo de sustrato.

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    tarea s4 electrónica 1

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    t 4 Electronic A

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    El documento habla sobre la fabricación de transistores FET. Se pide identificar las partes de un transistor MOSFET tipo P en una imagen y calcular valores en un circuito de polarización fija. También se pide explicar la diferencia principal entre un transistor MOSFET de empobrecimiento y uno de enriquecimiento considerando el tipo de sustrato.

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    ELECTRÓNICA I

    SEMANA 4

    Ramon parra
    16/07/23
    Automatización industrial
    DESARROLLO

    Has sido contratado en una empresa que se dedica a fabricar transistores FET de diferentes tipos, por lo
    cual tu jefe te ha pedido que puedas identificar algunos elementos característicos, detalles constructivos y
    otros elementos asociados, a fin de que en un futuro cercano puedas formar parte del equipo de diseño
    de circuitos que utilizan este tipo de transistor. Para ello, tu jefe te ha pedido explicar un conjunto de
    puntos que permitirán al personal ejercitar sus conocimientos al respecto, previo al diseño final del que se
    harán cargo.

    1. En primer lugar, durante el proceso de fabricación de los transistores en una oblea de silicio hubo un
    problema de identificación, por lo cual se ha tomado una muestra de la sección transversal de un
    transistor, para lo cual se te pide puedas identificar el tipo de transistor construido y sus diferentes
    partes, como se muestra en la figura 1.

    DRENAJE

    FUENTE
    COMPUERTA

    TIPO DE TRANSISTOR

    MOSFET TIPO P
    2. A fin de probar la calidad de los transistores fabricados, se te pide puedas calcular los valores de ID,
    VGS, VDS, VS, VG y VD de un circuito de polarización fija para transistor FET. ¿Cuál dirías que es la
    principal diferencia operativa en este tipo de polarización, respecto a la polarización por división de
    tensión?

    Respuesta:
    3. Finalmente, se te consulta cuál es la principal diferencia entre un transistor MOSFET de
    empobrecimiento respecto a uno de enriquecimiento, considerando lo relativo al tipo de sustrato sobre el
    que se fabrica (tipo N o P).

    Respuesta:
    REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
    texto de lectura de IACC:

    IACC. (2023). Electrónica. Semana 4

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