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    Clase # 2 El Fet

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    Este documento describe el transistor de efecto de campo (FET), incluyendo sus características principales, estructura interna y funcionamiento. Un FET tiene tres terminales (puerta, drenador y fuente) y controla el flujo de corriente en un canal semiconductor mediante la aplicación de un campo eléctrico. La corriente fluye de drenador a fuente a través del canal, y la tensión aplicada a la puerta permite controlar la conducción. Su estructura interna consiste en una región de silicio tipo N con dos regiones tipo P unidas que

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    Clase # 2 El Fet

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    Este documento describe el transistor de efecto de campo (FET), incluyendo sus características principales, estructura interna y funcionamiento. Un FET tiene tres terminales (puerta, drenador y fuente) y controla el flujo de corriente en un canal semiconductor mediante la aplicación de un campo eléctrico. La corriente fluye de drenador a fuente a través del canal, y la tensión aplicada a la puerta permite controlar la conducción. Su estructura interna consiste en una región de silicio tipo N con dos regiones tipo P unidas que

    Descripción original:

    dispositivos activos electronica

    Título original

    CLASE # 2 EL FET

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    Este documento describe el transistor de efecto de campo (FET), incluyendo sus características principales, estructura interna y funcionamiento. Un FET tiene tres terminales (puerta, drenador y fuente) y controla el flujo de corriente en un canal semiconductor mediante la aplicación de un campo eléctrico. La corriente fluye de drenador a fuente a través del canal, y la tensión aplicada a la puerta permite controlar la conducción. Su estructura interna consiste en una región de silicio tipo N con dos regiones tipo P unidas que

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    Clase # 2 El Fet

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    Este documento describe el transistor de efecto de campo (FET), incluyendo sus características principales, estructura interna y funcionamiento. Un FET tiene tres terminales (puerta, drenador y fuente) y controla el flujo de corriente en un canal semiconductor mediante la aplicación de un campo eléctrico. La corriente fluye de drenador a fuente a través del canal, y la tensión aplicada a la puerta permite controlar la conducción. Su estructura interna consiste en una región de silicio tipo N con dos regiones tipo P unidas que

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    TRANSISTORES ESPECIALES

    JFET
    TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
    CARACTERISTICAS
    • EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FIELD-EFFECT TRANSISTOR O FET,
    EN INGLÉS) ES EN REALIDAD UNA FAMILIA DE TRANSISTORES QUE SE
    BASAN EN EL CAMPO ELÉCTRICO PARA CONTROLAR LA CONDUCTIVIDAD
    DE UN "CANAL" EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR.

    Campo Eléctrico
    • ES UN TRANSISTOR QUE CONTROLA LA
    CORRIENTE POR MEDIO DE UNA TENSIÓN
    APLICADA A SUS TERMINALES.
    • TIENEN TRES TERMINALES, DENOMINADAS PUERTA (GATE), DRENADOR (DRAIN) Y
    FUENTE (SOURCE).
    • LA PUERTA ES LA TERMINAL EQUIVALENTE A LA BASE DEL BJT (BIPOLAR
    JUNCTION TRANSISTOR).
    • EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR
    CONTROLADO POR TENSIÓN, DONDE EL VOLTAJE APLICADO A LA PUERTA
    PERMITE HACER QUE FLUYA O NO CORRIENTE ENTRE DRENADOR Y FUENTE.
    • TIENE UNA RESISTENCIA DE ENTRADA EXTREMADAMENTE ALTA (CASI 100MΩ).
    • NO TIENE UN VOLTAJE DE UNIÓN CUANDO SE UTILIZA COMO CONMUTADOR
    (INTERRUPTOR).
    • HASTA CIERTO PUNTO ES INMUNE A LA RADIACIÓN.
    • ES MENOS RUIDOSO.
    • PUEDE OPERARSE PARA PROPORCIONAR UNA MAYOR ESTABILIDAD TÉRMICA.
    SIMBOLO DE LOS FET

    Los FET son también de dos tipos: canal n y canal


    p, dependiendo de si la aplicación de una tensión
    positiva en la puerta pone al transistor en estado
    de conducción o no conducción, respectivamente.

    G=Puerta (Gate), Canal P


    Canal N D=Drenador (Drain)
    S=Fuente (Source).
    ESTRUCTURA INTERNA
    ESTRUCTURA INTERNA
    El transistor FET es un dispositivo
    semiconductor que controla un flujo de
    corriente por un canal semiconductor,
    aplicando un campo eléctrico
    perpendicular a la trayectoria de la
    corriente

    El FET está compuesto de una parte de


    silicio tipo N, a la cual se le adicionan
    dos regiones con impurezas tipo P
    llamadas compuerta (gate) y que están
    unidas entre si

    La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el


    camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente
    circula de Drenaje (D) a Fuente (S).
    PARAMETROS DEL FET
    • COMPUTER (G) GATE VG = TENSION DE COMPUERTA
    IG = INTENSIDAD DE COMPUERTA

    • DRENADOR (D) DRAIN VD= TENSION DE DRENADOR


    VDS = TENSION ENTRE DRENADOR Y FUENTE
    IDSS = INTENSIDAD ENTRE DRENAJE Y FUENTE
    DE SATURACION

    • FUENTE (S) SOURCE


    • VP = TENSION DE ESTRANGULAMIENTO, ES LA TENSION QUE ALCANZA UN FET EN ESTE
    MOMENTO EL TRANSISTOR YA NO SUBE LA CRRIENTE EN EL CANAL, TENSION MAXIMA
    POLARIZACION DEL TRANSISTOR
    Este tipo de transistor se polariza de manera
    diferente al transistor bipolar.

    El terminal de drenaje se polariza


    Positivamente con respecto al terminal de
    fuente (Vdd) y
    La compuerta o gate se polariza
    negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).

    A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la


    corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o
    source.
    FUNCIONAMIENTO

    Este grafico muestra que al aumentar la tension VdS (tension


    drenador –fuente), para un VGS (tension de Compuerta) fijo, la
    corriente aumenta rapidamente (se comporta como una Resistencia)
    hasta llegar a un punto A (VP tension de estrangulamiento) en este
    punto la intensidad se mantiene casi constante (IDSS intensidad
    entre drenador y fuente saturada) Hasta llegar a un punto B (entra a
    la region de rupture), donde la intensidad Aumenta rapidamente
    hasta que el transistor se destruye.

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