T. 3.4. Memorias
T. 3.4. Memorias
T. 3.4. Memorias
ALUMNO
NAVA HERNÁNDEZ JOSÉ ANTONIO
T 3.4. Memorias
Objetivo:
Investigar toda la teoría referente a las memorias: tipos, principio de funcionamiento,
capacidades, velocidades de acceso, etc.
Nociones teóricas
RAM:
Los chips de RAM contienen millones de capacitores, cada uno de ellos en combinación
con un transistor. Cada capacitor almacena un bit de información, según esté cargado
eléctricamente o no. El transistor opera como un interruptor que cambia el estado del
capacitor que tiene asignado, de manera dinámica, de acuerdo con las instrucciones que
reciba del microprocesador.
Estas memorias tienen unos tiempos de acceso y un ancho de banda mucho más
rápido que el disco duro, por lo que se han convertido en un factor determinante
para la velocidad de un ordenador. Esto quiere decir que, dentro de unos límites, un
ordenador irá más rápido cuanta mayor sea la cantidad de memoria RAM que tenga
instalada, expresada en MegaBytes o GigaBytes.
ROM:
De un modo similar a la memoria RAM, los chips ROM contienen una hilera de filas
y columnas, aunque la manera en que interactúan es bastante diferente. Mientras
que RAM usualmente utiliza transistores para dar paso a un capacitador en cada
intersección, ROM usa un diodo para conectar las líneas si el valor es igual a 1. Por
el contrario, si el valor es 0, las líneas no se conectan en absoluto.
Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de
un fusible (o anti fusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria
puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un
dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para
grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos
deben cambiar en muchos o todos los casos.
EPROM
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la
diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta
flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible.
La programación de estas memorias es similar a la programación de la EPROM, la
cual se realiza por aplicación de una tensión de 21 Voltios a la compuerta
aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga eléctrica, que
es suficiente para encender los transistores y almacenar la información. Por otro
lado, el borrado de la memoria se efectúa aplicando tensiones negativas sobre las
compuertas para liberar la carga eléctrica almacenada en ellas.
Esta memoria tiene algunas ventajas con respecto a la Memoria EPROM, de las
cuales se pueden enumerar las siguientes:
Bibliografía
https://doncellblog.wordpress.com/2019/04/07/memoria-ram-rom-prom-eprom-
eeprom-y-y-dispositivos-de-almacenamiento/
http://galia.fc.uaslp.mx/~cantocar/microprocesadores/EL_Z80_PDF_S/13_TIPOS_
DE_MEMORIA.PDF
https://doncellblog.wordpress.com/2019/04/07/memoria-ram-rom-prom-eprom-
eeprom-y-y-dispositivos-de-almacenamiento/