T. 3.4. Memorias

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INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

UNIDAD PROFESIONAL ADOLFO LOPEZ MATEOS

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECANICA


Y ELECTRICA

INGENIERIA EN COMUANICACIONES Y ELECTRONICA

CIRCUITOS DIGITALES 5CM5

ALUMNO
NAVA HERNÁNDEZ JOSÉ ANTONIO

T 3.4. Memorias
Objetivo:
Investigar toda la teoría referente a las memorias: tipos, principio de funcionamiento,
capacidades, velocidades de acceso, etc.

Nociones teóricas
RAM:

Los chips de RAM contienen millones de capacitores, cada uno de ellos en combinación
con un transistor. Cada capacitor almacena un bit de información, según esté cargado
eléctricamente o no. El transistor opera como un interruptor que cambia el estado del
capacitor que tiene asignado, de manera dinámica, de acuerdo con las instrucciones que
reciba del microprocesador.

De esta manera, cada segundo se produce millones de operaciones de cambio de estado


en la memoria que permiten almacenar los datos procesados en la CPU. Pero este proceso
no es instantáneo. Los capacitores de la memoria RAM son como diminutos recipientes que
almacenan electrones. Para almacenar un 1 en una de estas celdas de memoria, el
transistor lo carga con electrones; para almacenar un 0, lo vacía.

Estas memorias tienen unos tiempos de acceso y un ancho de banda mucho más
rápido que el disco duro, por lo que se han convertido en un factor determinante
para la velocidad de un ordenador. Esto quiere decir que, dentro de unos límites, un
ordenador irá más rápido cuanta mayor sea la cantidad de memoria RAM que tenga
instalada, expresada en MegaBytes o GigaBytes.
ROM:

De un modo similar a la memoria RAM, los chips ROM contienen una hilera de filas
y columnas, aunque la manera en que interactúan es bastante diferente. Mientras
que RAM usualmente utiliza transistores para dar paso a un capacitador en cada
intersección, ROM usa un diodo para conectar las líneas si el valor es igual a 1. Por
el contrario, si el valor es 0, las líneas no se conectan en absoluto.

Es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos


electrónicos, que permite sólo la lectura de la información y no su borrado,
independientemente de la presencia o no de una fuente de energía.

Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de


manera rápida o fácil. Se utiliza principalmente para contener el firmware u otro
contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como los programas que
ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnósticos.
PROM

Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de
un fusible (o anti fusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria
puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un
dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para
grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos
deben cambiar en muchos o todos los casos.

EPROM

Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la información se


puede borrar y volver a grabar varias veces. Su nombre proviene de la sigla en
inglés Erasable Read Only Memory.
La programación se efectúa aplicando en un pin especial de la memoria una tensión
entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, según el dispositivo, al
mismo tiempo se direcciona la posición de memoria y se pone la información a las
entradas de datos.
Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide
Semiconductor) o «transistores de puerta flotante», cada uno de los cuales viene de
fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se
lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo
electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los
circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.

EEPROM :(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

Es programable y borrable eléctricamente y su nombre proviene de la sigla en


inglés Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas
memorias se construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice)
y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).

Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la
diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta
flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible.
La programación de estas memorias es similar a la programación de la EPROM, la
cual se realiza por aplicación de una tensión de 21 Voltios a la compuerta
aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga eléctrica, que
es suficiente para encender los transistores y almacenar la información. Por otro
lado, el borrado de la memoria se efectúa aplicando tensiones negativas sobre las
compuertas para liberar la carga eléctrica almacenada en ellas.
Esta memoria tiene algunas ventajas con respecto a la Memoria EPROM, de las
cuales se pueden enumerar las siguientes:

• Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma


individual.
• Para borra la información no se requiere luz ultravioleta.
• Las memorias EEPROM no requieren programador.
• Para reescribir no se necesita se necesita hacer un borrado previo.
• Se pueden reescribir aproximadamente 1000 veces sin que se observen
problemas para almacenar la información.

El tiempo de almacenamiento de la información es similar al de las EPROM, es decir


aproximadamente 10 años.

Bibliografía

https://doncellblog.wordpress.com/2019/04/07/memoria-ram-rom-prom-eprom-
eeprom-y-y-dispositivos-de-almacenamiento/
http://galia.fc.uaslp.mx/~cantocar/microprocesadores/EL_Z80_PDF_S/13_TIPOS_
DE_MEMORIA.PDF
https://doncellblog.wordpress.com/2019/04/07/memoria-ram-rom-prom-eprom-
eeprom-y-y-dispositivos-de-almacenamiento/

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