TP2 Electrónica. Semiconductores

Misión: Garantizar a todas las personas una educación de calidad como bien público y derecho humano a lo largo de la vida.
Trabajo Individual Electrónica
Curso: 1ro BATEL Fecha de entrega: 19/05/2021
Alumno/a:
Tema: Semiconductores
Capacidades:
➢ Reconocer, en el nivel atómico, las características de los buenos conductores y de los semiconductores.
➢ Describir la estructura de un cristal de silicio.
➢ Enumerar los dos tipos de portadores y nombrar el tipo de impureza que hace que sean portadores
mayoritarios.
Indicadores:
➢ Conocer las características generales de materiales semiconductores importantes: Si, Ge.
➢ Entender la conducción aplicando la teoría de los electrones y huecos.
➢ Ser capaz de describir la diferencia entre materiales tipo n y p.
INFORMACIÓN
I. Conductores
El cobre es un buen conductor. La razón es evidente si se tiene en cuenta su

estructura atómica, la cual se muestra en la Figura 2.1. El núcleo del átomo contiene
29 protones (cargas positivas). Cuando un átomo de cobre tiene una carga neutra,
quiere decir que hay 29 electrones (cargas negativas) dispuestos alrededor del
núcleo de forma similar a como están dispuestos los planetas alrededor de Sol. Los
electrones se mueven en distintos orbitales (también denominados capas). En el
primer orbital hay 2 electrones, en el segundo hay 8 electrones, en el tercero hay 18
electrones y 1 en el orbital más externo.
Orbitales estables
El núcleo positivo de la Figura 2.1 atrae a los electrones de los orbitales. La razón por la que estos electrones no
se caen hacia el núcleo es la fuerza centrífuga (hacia fuera) creada por su movimiento circular. Esta fuerza
centrífuga es exactamente igual a la atracción ejercida por el núcleo, por lo que el orbital es estable. La idea es
similar a un satélite en órbita alrededor de la Tierra, el cual a la altura y la velocidad adecuadas puede permanecer
en una órbita estable sobre la Tierra.
Cuanto más lejana es la órbita de un electrón, menor es la atracción del núcleo. En los orbitales más alejados, los
electrones se mueven más lentamente, lo que da lugar a una fuerza centrífuga menor. Los electrones de las capas
más externas mostrados en la Figura 2.1 se mueven muy lentamente y prácticamente no se sienten atraídos por el
núcleo.
La parte interna
En electrónica, lo único que importa es el orbital exterior, el cual se
denomina orbital de valencia. Este orbital controla las propiedades
eléctricas del átomo. Para destacar la importancia del orbital de valencia,
vamos a definir la parte interna de un átomo como el núcleo más todos
los orbitales internos. En un átomo de cobre, la parte interna es el núcleo
(_+29) y los tres primeros orbitales (_-28).
La parte interna de un átomo de cobre tiene una carga neta de +1, ya que
contiene 29 protones y 28 electrones internos. La Figura 2.2 puede
ayudarle a visualizar la parte interna y el orbital de valencia. El electrón
de valencia se encuentra en el orbital exterior alrededor de la parte
interna y tiene una carga neta de +1. A causa de ello, la atracción que
siente el electrón de valencia es muy pequeña.
Visión: Institución que brinda educación integral de calidad basada en valores éticos y democráticos, que promueve la participación, inclusión
e interculturalidad para el desarrollo de las personas y la sociedad.
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Electrón libre
Dado que la atracción entre la parte interna y el electrón de valencia es muy débil, una fuerza externa puede
fácilmente arrancar este electrón del átomo del cobre. Ésta es la razón por la que se suele denominar al electrón de
valencia electrón libre. Ésta es la razón también de que el cobre sea un buen conductor. Incluso la tensión más
pequeña puede hacer que los electrones libres se muevan de un átomo al siguiente. Los mejores conductores son
la plata, el cobre y el oro. Todos ellos tienen una parte interna como la representada en la Figura 2.2.
II. Semiconductores
Los mejores conductores (plata, cobre y oro) tienen un electrón de valencia, mientras que los mejores aislantes
tienen ocho electrones de valencia. Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de un
conductor y un aislante. Como es lógico, los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.
Germanio
El germanio es un ejemplo de semiconductor. Tiene cuatro electrones en su orbital de valencia. Hace años, el
germanio era el único material adecuado para la fabricación de dispositivos semiconductores. Sin embargo, estos
dispositivos de germanio presentaban una importante desventaja (su excesiva corriente inversa, como veremos en
detalle más adelante) a la que los ingenieros no pudieron dar solución. Más tarde, otro semiconductor, el silicio,
comenzó a utilizarse dejando obsoleto al germanio en la mayoría de las aplicaciones electrónicas.
Silicio
Después del oxígeno, el silicio es el elemento más abundante en la Tierra. Sin embargo, cuando se empezó a
trabajar con semiconductores existían ciertos problemas que impedían el uso del silicio. Una vez que dichos
problemas se resolvieron, las ventajas del silicio (que veremos más adelante) lo convirtieron inmediatamente en
el semiconductor a elegir. Sin él, la electrónica moderna, las comunicaciones y la informática serían imposibles.
Un átomo de silicio aislado tiene 14 protones y 14 electrones. Como se muestra en la Figura 2.3a, el primer orbital
contiene 2 electrones y el segundo 8 electrones. Los 4 electrones restantes se encuentran en el orbital de valencia.
En la Figura 2.3a, la parte interna tiene una carga resultante de +4, porque contiene 14 protones en el núcleo y 10
electrones en los dos primeros orbitales. La Figura 2.3b muestra el diagrama de la parte interna de un átomo de
silicio. Los 4 electrones de valencia nos indican que el silicio es un semiconductor.

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III. Cristales de silicio

Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido, lo hacen según un patrón ordenado denominado
cristal. Cada átomo de silicio comparte sus electrones con cuatro átomos vecinos, de tal forma que tiene ocho
electrones en su orbital de valencia. Por ejemplo, la Figura 2.4a muestra un átomo central con cuatro átomos
vecinos. Los círculos sombreados representan las partes internas del silicio. Aunque originalmente el átomo central
tenía cuatro electrones en su orbital de valencia, ahora tiene ocho.
Enlaces covalentes
Cada átomo vecino comparte un electrón con
el átomo central. De esta forma, el átomo
central tiene 4 electrones adicionales, lo que
da como resultado un total de ocho electrones
en el orbital de valencia. Los electrones dejan
de pertenecer a un único átomo. Cada átomo
central y sus vecinos comparten los
electrones. Esta misma idea también es válida
para los demás átomos de silicio. En otras
palabras, cada átomo de un cristal de silicio
tiene cuatro vecinos. En la Figura 2.4a, cada
parte interna tiene una carga de +4. Observe
la parte interna central y la que se encuentra
a su derecha. Estas dos partes internas atraen al par de electrones que hay entre ellas con fuerzas iguales y opuestas.
Estas fuerzas ejercidas en sentidos opuestos son las que hacen que los átomos de silicio se mantengan unidos. Esta
idea es similar a la del juego en que dos equipos tiran de los extremos de una cuerda. Mientras que ambos equipos
ejerzan fuerzas iguales y opuestas, se mantendrán en sus respectivas posiciones. Puesto que cada uno de los
electrones compartidos de la Figura 2.4a está siendo atraído por fuerzas con sentidos opuestos, el electrón se
convierte en un enlace entre las partes internas opuestas. Este tipo de enlace químico se denomina enlace
covalente. La Figura 2.4b es una forma simplificada de mostrar el concepto de enlace covalente. En un cristal de
silicio, existen miles de millones de átomos de silicio, cada uno de ellos con ocho electrones de valencia. Estos
electrones de valencia son los enlaces covalentes que mantienen unido el cristal, dándole solidez.
Saturación de valencia
Cada átomo de un cristal de silicio tiene ocho electrones en su orbital de valencia. Estos ocho electrones
proporcionan una estabilidad química que da como resultado un cuerpo compacto de material de silicio. Nadie
sabe exactamente por qué el orbital exterior de todos los elementos tiene una predisposición a tener ocho
electrones. Cuando de forma natural no existen ocho electrones en un elemento, la tendencia natural del mismo es
la de combinarse y compartir electrones con otros átomos para tener ocho electrones en su orbital de valencia.
Existen ecuaciones avanzadas de física que explican parcialmente por qué ocho electrones producen estabilidad
química en diferentes materiales, pero no se conoce la razón de por qué el número ocho es tan especial. Es una
ley, como pueda ser la ley de la gravedad, la ley de Coulomb y otras leyes que podemos observar, pero que sin
embargo no podemos explicar por completo. Cuando el orbital de valencia tiene ocho electrones, se satura porque
ya no puede entrar ningún electrón más en dicho orbital. Estableciendo esto como ley, tenemos
Saturación de valencia: n = 8
Dicho con palabras, el orbital de valencia no puede contener más de ocho electrones. Además, los ocho electrones
de valencia se denominan electrones ligados porque se mantienen fuertemente unidos por los átomos. A causa de
estos electrones ligados, un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente, es decir,
aproximadamente, 25°C.

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El hueco
La temperatura ambiente es la temperatura del aire circundante. Cuando la temperatura ambiente se encuentra
por encima del cero absoluto (-273°C), la energía térmica del aire circundante hace que los átomos de un cristal
de silicio vibren. Cuanto mayor sea la temperatura ambiente, más fuertes serán las vibraciones mecánicas. Cuando
se toca un objeto caliente, el calor que se siente es el resultado de la vibración de los átomos. En un cristal de
silicio, las vibraciones de los átomos ocasionalmente pueden hacer que se desligue un electrón del orbital de
valencia. Cuando este ocurre, el electrón liberado gana la energía suficiente como para pasar a un orbital de mayor
nivel energético, como se muestra en la Figura 2.5a. En dicho orbital, el electrón es un electrón libre. Pero esto no
es todo. La salida del electrón deja un vacío en el orbital de valencia que se denomina hueco (véase la Figura
2.5a). Este hueco se comporta como una carga positiva porque la pérdida del electrón da lugar a un ión positivo.
El hueco atraerá y capturará cualquier electrón que se encuentre en la vecindad inmediata. Los huecos permiten a
los semiconductores hacer toda clase de cosas que son imposibles en los conductores. A temperatura ambiente, la
energía térmica sólo da lugar a que se creen unos pocos huecos y electrones libres. Para aumentar el número de
huecos y de electrones libres, es necesario dopar el cristal. En una sección posterior se abordará este tema más en
detalle.
Recombinación y tiempo de vida

En un cristal de silicio puro, la energía térmica (calor) crea el mismo número de electrones libres y huecos. Los
electrones libres se mueven aleatoriamente a través del cristal. Ocasionalmente, un electrón libre se aproximará a
un hueco, será atraído por éste y caerá en él. La recombinación es la unión de un electrón libre y un hueco (véase
la Figura 2.5b). El intervalo de tiempo entre la creación y la desaparición de un electrón libre se denomina tiempo
de vida. Varía desde unos pocos nanosegundos hasta varios microsegundos, dependiendo de la perfección del
cristal y de otros factores.
IV. Semiconductores intrínsecos
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrínseco si

cada átomo del cristal es un átomo de silicio. A temperatura ambiente, un cristal de silicio actúa como un aislante
porque sólo tiene unos pocos electrones libres y huecos producidos por el efecto de la energía térmica.
Flujo de electrones libres

La Figura 2.6 muestra parte de un cristal de silicio situado entre dos placas metálicas cargadas. Supongamos que
la energía térmica ha dado lugar a la creación de un electrón libre y de un hueco. El electrón libre se encuentra en
un orbital de mayor energía en el extremo derecho del cristal. Puesto que la placa está cargada negativamente, los

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electrones libres son repelidos hacia la izquierda. Estos electrones libres pueden pasar de un orbital al siguiente de
mayor nivel hasta llegar a la placa positiva.
Flujo de huecos
Observe el hueco situado en la parte izquierda de la Figura 2.6. Este
hueco atrae al electrón de valencia en el punto A, lo que provoca que
el electrón de valencia caiga en el hueco. Cuando el electrón de
valencia situado en el punto A se desplaza hacia la izquierda, crea un
hueco en dicho punto A. El efecto es el mismo que cuando se mueve
el hueco original hacia la derecha. El nuevo hueco situado en el
punto A puede entonces atraer y capturar a otro electrón de valencia.
De esta forma, los electrones de valencia pueden seguir el camino
indicado por las flechas. Esto significa que el hueco puede
desplazarse en el sentido opuesto, siguiendo el camino A-B-C-D-E-
F, actuando de la misma manera que una carga positiva.
V. Dos tipos de flujos

La Figura 2.7 muestra un semiconductor intrínseco.
Tiene el mismo número de electrones libres que de
huecos. Esto se debe a que la energía térmica crea
los electrones libres y los huecos por pares. La
tensión aplicada forzará a los electrones libres a
moverse hacia la izquierda y a los huecos hacia la
derecha. Cuando los electrones libres llegan al
extremo izquierdo del cristal, entran en el cable
externo y fluyen hacia el terminal positivo de la
batería. Por otro lado, los electrones libres que se
encuentren en el terminal negativo de la batería se desplazarán hacia el extremo derecho del cristal. En este punto,
entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al extremo derecho del cristal. De esta forma, se
produce un flujo constante de electrones libres y huecos dentro del semiconductor. Observe que no existe un flujo
de huecos fuera del semiconductor. En la Figura 2.7, los electrones libres y los huecos se mueven en direcciones
opuestas. A partir de ahora, concebiremos la corriente en un semiconductor como el efecto combinado de los dos
tipos de flujos: el flujo de electrones libres en una dirección y el flujo de huecos en la dirección opuesta. A menudo
tanto los electrones huecos como los huecos se denominan portadores, ya que transportan la carga de un lugar a
otro.
VI. Dopaje de un semiconductor

Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopaje. El dopaje consiste en
añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco con el fin de alterar su conductividad eléctrica. Un
semiconductor dopado se denomina semiconductor extrínseco.
Aumento del número de electrones libres

¿Cómo dopan los fabricantes los cristales de silicio? El primer paso consiste en fundir el cristal de silicio puro. De
este modo se rompen los enlaces covalentes y el estado del silicio pasa de sólido a líquido. Para incrementar el
número de electrones libres, se añaden los átomos pentavalentes al silicio fundido. Los átomos pentavalentes
tienen cinco electrones en el orbital de valencia. Algunos ejemplos de átomos pentavalentes son el arsénico, el
antimonio y el fósforo. Puesto que estos materiales donarán un electrón adicional al cristal de silicio, a menudo
se les denomina impurezas donadoras.
La Figura 2.8a muestra cómo queda el cristal de silicio después de enfriarse y volver a formar su estructura de
cristal sólido. En el centro hay un átomo pentavalente rodeado por cuatro átomos de silicio. Como antes, los átomos
vecinos comparten un electrón con el átomo central, pero ahora, hay un electrón extra. Recuerde que los átomos
pentavalentes tienen cinco electrones de valencia. Dado que como máximo sólo puede haber ocho electrones en
el orbital de valencia, el electrón extra permanece en un orbital de mayor nivel. En otras palabras, es un electrón
libre.
Cada átomo pentavalente o átomo donante de un cristal de silicio produce un electrón libre. De este modo, los
fabricantes controlan la conductividad de un semiconductor dopado. Cuantas más impurezas se añaden, mayor es
la conductividad. De este modo, un semiconductor puede estar fuerte o débilmente dopado. Un semiconductor
débilmente dopado presenta una resistencia alta, mientras que un semiconductor fuertemente dopado presenta una
resistencia baja.

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Aumento del número de huecos

¿Cómo se puede dopar un cristal de
silicio puro para obtener un exceso de
huecos? Utilizando una impureza
trivalente, es decir, una impureza cuyos
átomos tengan sólo tres electrones de
valencia. Algunos ejemplos son el
aluminio, el boro y el galio.
La Figura 2.8b muestra un átomo
trivalente en el centro. Está rodeado por
cuatro átomos de silicio, cada uno
compartiendo uno de sus átomos de
valencia. Puesto que originalmente el
átomo trivalente sólo tenía tres
electrones de valencia y comparte un
electrón con cada uno de los vecinos, sólo habrá siete electrones en el orbital de valencia. Esto significa que aparece
un hueco en el orbital de valencia de cada átomo trivalente. Un átomo trivalente se denomina también átomo
aceptor, porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrón libre durante la
recombinación.
VII. Dos tipos de semiconductores extrínsecos

Un semiconductor se puede dopar para tener un exceso de electrones libres o un exceso de huecos; por tanto,
existen dos tipos de semiconductores dopados.
Semiconductor tipo n
El silicio que ha sido dopado con una impureza
pentavalente se denomina semiconductor tipo n, donde n
hace referencia a negativo. La Figura 2.9 muestra un
semiconductor tipo n. Dado que la cantidad de electrones
libres supera al de huecos en un semiconductor de tipo n,
los electrones libres son los portadores mayoritarios y los
huecos son los portadores minoritarios.
A causa de la tensión aplicada, los electrones libres se

desplazan hacia la izquierda y los huecos hacia la derecha.
Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno
de los electrones libres del circuito externo entra en el semiconductor y se recombina con el hueco.
Los electrones libres mostrados en la Figura 2.9 fluyen hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran por el
cable y fluyen hasta el terminal positivo de la batería.

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Semiconductor tipo p
El silicio que ha sido dopado con un átomo trivalente se
denomina semiconductor de tipo p, donde p hace
referencia a positivo, La Figura 2.10 muestra un
semiconductor de tipo p. Puesto que la cantidad de huecos
supera a la de electrones libres, los huecos serán los
portadores mayoritarios y los electrones libres serán, en
este caso, los portadores minoritarios.
A causa de la tensión aplicada, los electrones libres se

desplazan hacia la izquierda y los huecos hacia la derecha.
En la Figura 2.10, los huecos que llegan al extremo derecho
del cristal se recombinan con los electrones libres procedentes del circuito externo.
En la Figura 2.10 también se muestra el flujo de los portadores minoritarios. Los electrones libres que hay dentro
del semiconductor fluyen de derecha a izquierda. Puesto que hay tan pocos portadores minoritarios, apenas tienen
efecto en este circuito.
RESUMEN
CONDUCTORES: Un átomo de cobre neutro sólo tiene un electrón en su orbital más externo. Puesto que
tiene un único electrón puede separarse fácilmente del átomo, y se le denomina electrón libre. El cobre es
buen conductor porque incluso la tensión más pequeña hace que los electrones libres fluyan de un átomo al
siguiente.
SEMICONDUCTORES: El silicio es el material semiconductor más ampliamente utilizado. Un átomo

aislado de silicio tiene cuatro electrones en su orbital de valencia, el más externo. El número de electrones en
el orbital de valencia es la clave de la conductividad. Los conductores tienen un electrón de valencia, los
semiconductores tienen cuatro electrones de valencia y los aislantes tienen ocho electrones de valencia.
CRISTALES DE SILICIO: Cada átomo de silicio de un cristal tiene sus cuatro electrones de valencia más
otros cuatro electrones que comparte con los átomos vecinos. A temperatura ambiente, un cristal de silicio
puro sólo tiene unos pocos electrones libres y huecos generados por la energía térmica. La cantidad de tiempo
transcurrida entre la creación y la recombinación de un electrón libre y un hueco se denomina tiempo de vida.
SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS: Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, cuando

se le aplica una tensión externa, los electrones libres fluyen hacia el terminal positivo de la batería y los huecos
hacia el terminal negativo de la batería.
DOS TIPOS DE FLUJO: En un semiconductor intrínseco existen dos tipos de flujo de portadores: el flujo
de los electrones libres a través de los orbitales más grandes (banda de conducción) y el flujo de los huecos a
través de los orbitales más pequeños (la banda de valencia).
DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR: Con el dopaje se aumenta la conductividad de un semiconductor.

Un semiconductor dopado se denomina semiconductor extrínseco. Cuando un semiconductor intrínseco se
dopa con átomos pentavalentes (donantes), tiene más electrones libres que huecos. Cuando un semiconductor
intrínseco se dopa con átomos trivalentes (aceptores), tiene más huecos que electrones.
DOS TIPOS DE SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS: En un semiconductor de tipo n, los electrones

libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. En un semiconductor de
tipo p, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los portadores minoritarios.

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ACTIVIDADES
I. Encierra en círculo la letra que corresponde a las siguientes afirmaciones

1) ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un 10) Cuando un electrón se mueve a un orbital de
átomo de cobre? nivel mayor, su nivel de energía con respecto al
a. 1 núcleo
b. 4 a. aumenta
c. 18 b. disminuye
d. 29 c. permanece igual
2) La carga neta de un átomo de cobre neutro es d. depende del tipo de átomo
a. 0 11) La unión de un electrón libre y de un hueco se
b. +1 denomina
c. -1 a. enlace covalente
d. +4 b. tiempo de vida
3) Suponiendo que se elimina el electrón de c. recombinación
valencia de un átomo de cobre. La carga neta del d. energía térmica
átomo será 12) A temperatura ambiente, un cristal de silicio
a. 0 intrínseco se comporta de manera similar a
b. +1 a. una batería
c. -1 b. un conductor
d. +4 c. un aislante
4) ¿Qué tipo de atracción experimenta el electrón d. un fragmento de cable de cobre
de valencia de un átomo de cobre hacia el 13) El tiempo transcurrido entre la creación de un
núcleo? hueco y su desaparición se denomina
a. ninguna a. dopaje
b. débil b. tiempo de vida
c. fuerte c. recombinación
d. imposible saberlo d. valencia
5) ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo 14) El electrón de valencia de un conductor también
de silicio? se puede llamar
a. 0 a. electrón de enlace
b. 1 b. electrón libre
c. 2 c. núcleo
d. 4 d. protón
6) ¿Cuál es el semiconductor cuyo uso está más 15) ¿Cuántos tipos de flujo tiene un conductor?
extendido? a. 1
a. Cobre b. 2
b. Germanio c. 3
c. Silicio d. 4
d. Ninguno de los anteriores 16) ¿Cuántos tipos de flujo tiene un semiconductor?
7) ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un a. 1
átomo de silicio? b. 2
a. 4 c. 3
b. 14 d. 4
c. 29 17) Cuando se aplica una tensión a un semiconductor,
d. 32 los huecos fluyen
8) Los átomos de silicio se combinan formando un a. alejándose del potencial negativo
patrón ordenado denominado b. hacia el potencial positivo
a. enlace covalente c. en el circuito externo
b. cristal d. Ninguna de las anteriores
c. semiconductor 18) En un material semiconductor, el orbital de
d. orbital de valencia valencia se satura cuando contiene
9) Un semiconductor intrínseco tiene algunos a. 1 electrón
huecos a temperatura ambiente. ¿Qué causa b. Los mismos iones (+) y (-)
estos huecos? c. 4 electrones
a. dopaje d. 8 electrones
b. electrones libres 19) En un semiconductor intrínseco, el número de
c. energía térmica huecos es
d. electrones de valencia a. igual al número de electrones libres
b. mayor que el número de electrones libres
c. menor que el número de electrones libres

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d. Ninguna de las anteriores c. Sólo los producidos por la energía térmica
20) La temperatura de cero absoluto es igual a d. Los mismos que huecos
a. -273°C 31) La plata es el mejor conductor. ¿Cuántos
b. 0°C electrones de valencia cree que tiene?
c. 25°C a. 1
d. 50°C b. 4
21) A la temperatura de cero absoluto, un c. 18
semiconductor intrínseco tiene d. 29
a. pocos electrones libres 32) Suponiendo que un semiconductor intrínseco
b. muchos huecos tiene 1000 de millones de electrones libres a
c. muchos electrones libres temperatura ambiente, si la temperatura
d. ni huecos ni electrones libres disminuye a 0°C, ¿cuántos huecos tendrá?
22) A temperatura ambiente, un semiconductor a. Menos de 1000 millones
intrínseco tiene b. 1000 millones
a. unos pocos electrones libres y huecos c. Más de 1000 millones
b. muchos huecos d. Imposible decirlo
c. muchos electrones libres 33) Se aplica una fuente de tensión externa a un
d. ningún hueco semiconductor de tipo p. Si el extermo izquierdo
23) El número de electrones libres y huecos en un del cristal es positivo, ¿cómo fluyen los
semiconductor intrínseco disminuye cuando la portadores mayoritarios?
temperatura a. Hacia la izquierda
a. disminuye b. Hacia la derecha
b. aumenta c. No fluyen
c. no varía d. Imposible decirlo
d. Ninguna de las anteriores 34) ¿Cuál de las siguientes respuestas no se ajusta al
24) El flujo de los electrones de valencia hacia la grupo?
derecha indica que los huecos se mueven hacia a. Conductor
a. la izquierda b. Semiconductor
b. la derecha c. Cuatro electrones de valencia
c. cualquier lado d. Estructura de cristal
d. Ninguna de las anteriores 35) ¿Cuál de las temperaturas siguientes es
25) Los huecos son como aproximadamente igual a la temperatura
a. átomos ambiente?
b. cristales a. 0°C
c. cargas negativas b. 25°C
d. cargas positivas c. 50°C
26) ¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos d. 75°C
trivalentes? 36) ¿Cuántos electrones hay en el orbital de valencia
a. 1 de un átomo de silicio que está dentro de un
b. 3 cristal?
c. 4 a. 1
d. 5 b. 4
27) ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo c. 8
aceptor? d. 14
a. 1 37) Los iones negativos son átomos que han
b. 3 a. ganado un protón
c. 4 b. perdido un protón
d. 5 c. ganado un electrón
28) Para producir un semiconductor de tipo n, ¿qué d. perdido un electrón
utilizaría? 38) ¿Cuál de los siguientes términos describe a un
a. Átomos aceptores semiconductor de tipo n?
b. Átomos donantes a. Neutro
c. Impurezas pentavalentes b. Positivamente cargado
d. Silicio c. Negativamente cargado
29) ¿En qué tipo de semiconductor los portadores d. Tiene muchos huecos
minoritarios son electrones? 39) Un semiconductor de tipo p contiene huecos y
a. extrínseco a. iones positivos
b. intrínseco b. iones negativos
c. tipo n c. átomos pentavalentes
d. tipo p d. átomos donantes
30) ¿Cuántos electrones libres contiene un
semiconductor de tipo p?
a. Muchos
b. Ninguno

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40) ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor de tipo p?
a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos electrones libres
II. Responder
1) ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana dos electrones?
2) ¿Cuál es la carga neta de un átomo de silicio si gana dos electrones de valencia?
3) Clasificar cada uno de los siguientes elementos como conductor o semiconductor:

a. Germanio b. Plata c. Silicio d. Oro
4) Si un cristal de silicio puro tiene en su interior 500.000 huecos, ¿Cuántos electrones libres tendrá?
5) Clasifique cada uno de los siguientes elementos como semiconductor de tipo n o de tipo p:
a. Dopado con átomos aceptores
b. Cristal con impurezas pentavalentes
c. Portadores mayoritarios y huecos
d. Átomos donantes añadidos a un cristal
e. Portadores minoritarios y electrones libres
Elaborado por: Prof. Ing. José Daniel Vera Gómez. Catedrático de Electrónica
Bibliografía: “Principios de Electrónica”. Albert Malvino y David Bates. 7ma Edición. Mc Graw Hill. 2007
“LEER CON ATENCION”
Forma de entrega: Copiar los problemas en el cuaderno de taller y resolverlos. Remitir las evidencias
fotográficas al correo [email protected] de 7:00 a 17:00 hs.

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III. Cristales de silicio

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Recombinación y tiempo de vida

IV. Semiconductores intrínsecos

Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrínseco si

Flujo de electrones libres

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V. Dos tipos de flujos

VI. Dopaje de un semiconductor

Aumento del número de electrones libres

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Aumento del número de huecos

VII. Dos tipos de semiconductores extrínsecos

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DOS TIPOS DE SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS: En un semiconductor de tipo n, los electrones

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I. Encierra en círculo la letra que corresponde a las siguientes afirmaciones

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2) ¿Cuál es la carga neta de un átomo de silicio si gana dos electrones de valencia?

3) Clasificar cada uno de los siguientes elementos como conductor o semiconductor:

“LEER CON ATENCION”

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