CENTRO DE INVESTIGACIN Y DE ESTUDIOS AVANZADOS DEL INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA REA BIOELECTRNICA

Sistema para la Caracterizacin Ultrasnica de Phantoms en Aplicaciones de Terapia

Tesis que presenta

Mnica Vzquez Hernndez

para obtener el Grado de

Doctora en Ciencias

en la Especialidad de

Ingeniera Elctrica

Directores de la Tesis: Dr. Antonio Ramos Fernndez (CSIC) (Programa Alfa) Dr. Lorenzo Leija Salas (CINVESTAV)

Mxico, D.F.

Agosto 2006

Dedicatorias
A Dios por estar presente en mi vida, porque su presencia me ilumina y me libera. Gracias Seor, por permitirme coincidir con gente tan extraordinaria, con la que me enriquezco como ser humano, desde perspectivas ms sabias. Dedico esta tesis a mi familia, por su comprensin, paciencia y el apoyo incondicional que me han brindado durante su realizacin y a lo largo de toda mi vida. A mi madre: Ciry Hernndez que es un ejemplo de vida y fortaleza. Mam t eres uno de los pilares en los que me sostengo. Te agradezco por ensearme que crecer es un proceso de dentro hacia fuera, gracias por confiar siempre en m y por respetar todas y cada una de mis decisiones. A mi padre: Mauro Vzquez, gracias por la educacin recibida tan atpica en este mundo machista, gracias por ensearme que mi condicin de mujer nunca deba ser un obstculo, ni un pretexto, en la consecucin de mis sueos, gracias por las interesantes charlas de sobremesa, gracias por tu profundo cario y tu apoyo a lo largo de toda mi vida. A mi abuelita Elena, la mujer ms cercana a la perfeccin, gracias por que tu testimonio de vida me permite edificarme, gracias por tu inmenso cario, tu apoyo incondicional y tus palabras de sabidura que me han sabido guiar. Por ensearme a dar con amor lo mejor de nosotros mismos. A Liliana, por ser mi amiga adems de mi hermana, por la alegra que contagias, por ser ejemplo de determinacin y pragmatismo, gracias por todo tu cario, comprensin y apoyo a lo largo de toda mi vida, gracias por ayudarme a mantener los pies en el suelo, gracias tambin por compartir tu entusiasmo por experimentar cosas nuevas en el cabello, la ropa, etc. Por que de ti, aprendo a enfrentarme a la vida con valenta, intentando enriquecerme de las nuevas experiencias que la vida me ofrece. A Claudia (Reinita), mi hermana, que me protegi y cuid durante la niez, fue mi lder y mi modelo a seguir y de la cual he aprendido que, an cuando no siempre gustemos a los dems, no siempre seamos aceptadas por otros y no siempre seamos las lderes del grupo, debemos ser siempre mujeres independientes, francas, abiertas y dispuestas a vivir autnticamente, de acuerdo a lo que pensamos y decidimos que ser mejor para nosotras mismas. Y finalmente le dedico este trabajo a Mxico, una nacin a la que me siento inmensamente orgullosa de pertenecer.

Agradecimientos
Deseo expresar mi ms profundo agradecimiento a todas aquellas personas que, de una forma u otra, contribuyeron a la realizacin del presente trabajo de Tesis. Un agradecimiento especial a mis Directores de Tesis: Dr. Lorenzo Leija Salas y Dr. Antonio Ramos Fernndez. Al Dr. Antonio Ramos, le agradezco sinceramente por compartir conmigo su profundo conocimiento en el campo del ultrasonido. Le agradezco adems el privilegio de enriquecerme de su visin de la vida a travs sus conversaciones. Gracias por su franqueza y sus aportes de fondo, que hicieron crecer y madurar a este texto. Gracias por su invaluable e imprescindible aportacin a este trabajo. Al Dr. Lorenzo Leija Salas, gracias por abrir espacios para el crecimiento de otros. Gracias por que aqu en el laboratorio 14, viv la experiencia de traspasar mis propios lmites y descubr que es posible girar en sentidos antes impensados. Le agradezco el tiempo dedicado a la estructuracin y revisin del presente trabajo de tesis. Al Dr. Gilberto Gonzlez Surez Mi Doctor, por dejarme la mesa puesta, por crearme la oportunidad de descubrir este camino tan interesante de la ultrasnica. Gracias por el trato siempre clido y amable. Gracias por colaborar en mi evolucin como persona. Al Dr. Eduardo Moreno Hernndez, por la disposicin y la calidez que siempre tuvo en brindarme ayuda. Al Dr. Arturo Vera Hernndez, un agradecimiento especial por su apoyo y gran colaboracin en la parte acadmica. Su presencia durante la estancia de investigacin fue muy importante para m, porque cataliz mi proceso de adaptacin y dio la oportunidad de conocerle desde la perspectiva humana. Deseo agradecer tambin al Proyecto (Amrica-Europa) PETRA-II (Piezoelectric Transducers and Applications, Fase II) del Programa ALFA de la Comunidad Europea la concesin de una beca por un ao, lo cual me permiti financiar la estancia de investigacin en el Instituto de Acstica del CSIC (Consejo Superior de Investigaciones Cientficas) en Madrid, Espaa, en la que se realiz parte del trabajo presentado en esta tesis, el cual tambin us parcialmente financiacin de proyectos DPI del Plan Nacional de I+D espaol (MEC). Al mismo tiempo deseo agradecer el financiamiento recibido por CONACyT (Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa), el cual fue determinante en la consecucin de los objetivos planteados en este trabajo de tesis. Hago extensivo tambin mi agradecimiento a los miembros del Grupo de Deteccin y Visualizacin Ultrasnicas (Dr. Jos Luis San Emeterio, Dr. Abdelhalim Azbaid, Ing. Miguel Angel Pinar e Ing. Emilia Pardo), del Departamento de Seales, Sistemas y Tecnologas Ultrasnicas del Instituto de Acstica del CSIC, con una mencin especial para el Ing. Pedro Toms Sanz, por su gran amabilidad, y disposicin en resolver mis dudas en la parte de la simulacin de circuitos. Gracias a

todos por la cordial y grata convivencia. Mi sincero agradecimiento por la disposicin y la colaboracin encontrada en los miembros de este grupo. Agradezco a los miembros del Jurado Dr. Fabin Garca Nocetti, Dr. Jos Antonio Moreno Cadenas, Dr. Pablo Rogelio Hernndez Rodrguez, Dr. Roberto Muoz Guerrero y Dr. Arturo Vera Hernndez, por el tiempo dedicado a la revisin del presente trabajo de tesis y por sus comentarios los cuales han sido importantes la culminacin exitosa de esta tesis. A los profesores de la seccin de bioelectrnica, Dr. Roberto Muoz Guerrero, Dr. Ernesto Suaste Gmez, Dr. Carlos Alvarado Serrano. Un agradecimiento especial a los doctores Pablo Rogelio Hernndez Rodrguez y David Elas Vias por su excelente calidad humana y por que siempre me recibieron como una ms de sus estudiantes en sus respectivos laboratorios. Y a la Dra. Gloria Eugenia Torres, una mujer extraordinaria. Deseo expresar con todo mi cario, mi profunda admiracin, respeto y mi gratitud al M. en C. Rubn Prez Valladares, por todo su apoyo (en la parte acadmica y su invaluable apoyo en la parte humana). Gracias por ayudarme a derrumbar algunas de mis barreras mentales a travs de las interesantes e inteligentes charlas en el caf, gracias por que a travs de tu visin sobre algunos temas, se amplia mi propia visin y se enriquece mi espritu. Pese a que tienes algunos puntos en contra como tu rechazo al chile, el ejercicio de la disciplina extrema e inquisidora y las diferencias en la percepcin de Dios, me parece que eres un hombre extraordinario y un extraordinario amigo. Y porque la alegra y el entusiasmo que contagias es parte importante del acontecer diario del laboratorio 14. Gracias a Miguel Alejandro Daz, Ricardo Antonio Salido y Jos Luis Reyna (mis pollos), por ser portadores de sueos y esperanza. Gracias por las lecciones de valenta y congruencia, gracias por las experiencias compartidas, pero sobre todo por su amistad. Infinitas gracias a mi mejor amigo, al M. en C. Patricio Reyes Rojas (t). Gracias Pato, por todo tu cario, por tu apoyo incondicional, por estar siempre a mi lado, animndome en todo, gracias por tus sabios consejos, por las pato-terapias, las pato-fiestas, las clases de baile, por todas las sonrisas, las salidas al cine, etc. Tus palabras y tu imagen han superado la muerte y se han instalado en m alma como semillas poderosas, que me hacen ser mejor persona. Mil gracias Pato por ser parte de mi vida. Un milln de gracias a Emilia Pardo Gmez, una mujer fuera de serie, por compartir conmigo una de tus pasiones (los comics), gracias por tu disposicin, tu entusiasmo y entrega. Gracias por todo tu cario, por el tiempo compartido durante el caf mientras desarrollbamos teoras de comportamiento humano, componamos el mundo y comamos madalenas, gracias por tu apoyo total durante toda la estancia, pero sobre todo gracias por el privilegio de tu amistad. David Anthony, te agradezco profundamente la acogida clida, agradezco y valoro infinitamente todo tu cario, tu generosidad, tu apoyo y el invaluable privilegio de tu amistad, por que ms de una vez, fuiste capaz de priorizar el compartir tiempo con Emilia y conmigo. Gracias porque de t aprend la pasin y la entrega por el trabajo.

A Marie Helene y Antonio Bazn, mi gratitud eterna por acogerme en tierra extranjera, por brindarme su amistad y cario. Berenice Galicia, gracias por tu cario, por tus palabras generosas que significan para m un enorme aliento. Rene Acevo, te agradezco infinitamente el privilegio de tu amistad, tu apoyo durante las etapas difciles en que la vida me ha puesto a prueba, por que gracias a t y al tigre es que sigo teniendo fe en que el milagro suceder de nuevo. A la Dra. Susana Snchez Urrieta, una mujer extraordinaria, un modelo de vida, una investigadora que transmite su pasin por el conocimiento, gracias por las horas y horas de interesantes conversaciones, pero sobre todo mi ms profundo agradecimiento por ser mi amiga. Al Dr. Alberto Martnez Trevio, por permitirme conocer al Beto noble, encantador y buen amigo que habita dentro de t. Gracias por compartir conmigo algunas de las grietas que has descubierto por las que se accesa a otras realidades (ttulos de libros, nombres de pintores y pinturas, ttulos de pelculas, etc). Heimdall, Susana y Andivi, Gracias por que a travs de las conversaciones durante las cenas, las comidas de los fines de semana, el tiempo compartido en el viaje DF- Xalapa- Puebla y mi training como niera, cambi mi perspectiva en algunos aspectos de la vida y evidentemente me permiti enriquecerme como ser humano. A Jaime Orlando Montiel, un ngel que me mando Dios, gracias por el privilegio de trabajar juntos, gracias por mostrarme que existen seres humanos maravillosos que van regalando su luz y obsequian lo mejor de ellos mismos. A Ivonne Bazn Trujillo, Alfredo Ramrez Garca, Gilberto Daz Ayil, Rebeca Romo (Rebe) y Hugo Velez (Hugito), gracias por su apoyo en la lucha contra las sombras que a veces me persiguen, por que sin ustedes no hubiese encontrado el coraje para girar y enfrentarlas cara a cara, darles la batalla y liberarme de todos esos grilletes en los tobillos. Gracias por los correos electrnicos, su cario, pero sobre todo por su amistad. Agradezco especialmente a Ivonne y a Rebe, el apoyo, el tiempo y el cario compartido, el cual valoro mucho. A Roberto Lpez (Robert), gracias por los debates y por reafirmarme como mujer feminista. A Felipe, por poner a prueba mi tolerancia y mi paciencia. Mil gracias al alma noble que vive en ti y a su vez en una realidad paralela. A el Ing. Eladio Cardiel Prez, M. en C. Ral Cartas Rosado y M. en C. Carlos Omar Gonzlez Morn, por compartir su conocimiento desinteresadamente y por todos los tips de supervivencia. Gracias a todos y cada uno de los nios: Misael Flores, Vctor Ayala Zavala, Mario de Gante, Jorge Snchez (Buitre), Javier Zurita (Javis), Edgar (Mocho), por estar siempre ah conmigo, padeciendo mis periodos de crisis-depresin-catarsis, gracias por estar a un correo, a una llamada o un mensaje de celular de distancia (ya son 10 aos!!!!). A David Arturo Gutirrez Begovich, Janet Argello Garca y Luz Mara Alonso Valerdi por aceptarme en el grupo de izquierda de la seccin de bioelectrnica.

A las diversas generaciones de compaeros y amigos que encontr en la seccin de bioelectrnica: Cuauhtmoc Valaguez (Temo), Yahir Hernndez, Alfredo Soto (el grande), Victor Castillo, Acsa, Gaby, Linda, Luis Armando Villamar (Michoacn), Nadia, Sandra Sanciprin, Geno, Gris, Will, etc. A las secretaras Patty, Gina , Lety y Roco por todo su apoyo en la parte administrativa y durante las actividades extra-escolares (Ofrenda de da de muertos, Navidad, etc). Al personal del taller George, Andrs y Silvino por su excelente y eficiente trabajo. Gracias finalmente a Christian, Claus, Martha y Moni, por el tiempo compartido despus de clases, por los interesantes debates y por su cario.

Resumen de la tesis
En tratamientos de hipertermia resulta importante asegurar distribuciones de temperatura adecuadas dentro del rea de tratamiento, pero an no existen herramientas adecuadas precisas para evaluar aquellas. El propsito de esta tesis se resume en desarrollar herramientas para la medicin ultrasnica integrada de propiedades acsticas y trmicas en phantoms de tejido blando y en tanque experimental, como apoyo al diseo y calibracin de futuros equipos de terapia. Este propsito supone I) Conseguir un gobierno coordinado de la medicin de campos acsticos y de la adquisicin y procesamiento eficaces de los datos, desarrollando el software necesario, y II) Desarrollar un sistema integrado para evaluar el efecto de aplicadores ultrasnicos de terapia mediante pulsos ultrasnicos de banda ancha. Ello implic: a) Implementar algoritmos para medir la distribucin espacial de parmetros acsticos en un volumen. b) Fabricar phantoms que permitan una caracterizacin realista del campo ultrasnico en 3D. c) Desarrollar un mtodo ultrasnico para estimacin precisa y no invasiva de temperatura interna en phantoms. d) Elaborar protocolos de medicin para cada uno de los parmetros a ser evaluados. Esto incluye el procesamiento de parmetros acsticos en phantoms de msculo liso como: velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin en un volumen, y su representacin en 3D, para lo que se desarroll un software especfico de control y procesado de los parmetros y del campo ultrasnico. Muchas de estas mediciones y caracterizaciones de los transductores de terapia y de sus efectos en el campo de la hipertermia requieren disponer de un sistema de generacin ultrasnica de banda ancha especfico; en la tesis se desarroll un sistema multicanal de alta tensin con esas caractersticas. Previamente a ello, se realiz el modelado Pspice de varias etapas del circuito generador de pulsos excitadores de alta tensin, de diseo especfico para mediciones en hipertermia, junto al modelado del transductor. As se evalu cuantitativamente la respuesta en alta tensin mediante simulacin en el dominio del tiempo de configuraciones pulso-eco, incluyendo la topologa real, las etapas no-lineales y los efectos no-ideales, usuales en estos generadores. Se aplicaron anlisis paramtricos en rgimen transitorio para determinar valores ptimos de diseo en algunos elementos discretos. Las respuestas resultantes de la simulacin se confirmaron posteriormente por las medidas experimentales obtenidas del prototipo desarrollado, lo que por otra parte confirma la validez de los modelos aqu propuestos. Finalmente se abord el desarrollo e integracin de instrumentacin para evaluacin experimental precisa de los efectos trmicos en hipertermia, y se presenta una propuesta alternativa para la medicin de temperatura en el interior de phantoms y tejidos, que emplea una va novedosa basada en estimar desplazamientos de fase en los ecos ultrasnicos, que es ms precisa que las reportadas previamente.

ABSTRACT In the work described in this thesis, is presented the modeling in Pspice of some spike generation electronic stages. The spike generator was designed for a specific task (hyperthermia applications) and for a specific transducer model. The transducer influence was considerate and included in the simulation, the analysis used was in the time domain (transient analysis). The experimental configuration included bandwidth transducer in pulse-echo mode, electrical excitation in high voltage (complete model with the low voltage stage). The most common non linear electronic schemes in the pulse generator were included. The transducer model uses the internal parameters in data sheets. For the determination of device values, was used the parametric analysis in transient regimen of time domain. For a quantitative evaluation of each electronic stages of pulse generator, realized an electric evaluation through the simulation electric pulses for bandwidth transducer with some no ideals effects with schemes real of pulses generators for therapy applications specifically for hyperthermia applications. The electrical response of simulated and experimental were compared, showed the model proposed is valid. An efficient tool was proposed for evaluate the ultrasonic radiation effect in hyperthermia applications, were calculated acoustic parameters as ultrasonic velocity, attenuation and dispersion. That calculate was realized on muscle phantom. For get the acoustic parameters distribution in 3D was necessary the developed of a software that could controlled the operation of acquisition data, controlled the 3D scan, signal processing and after that the results are displayed. It allowed an expert evaluated the sample. The fabrication and measure protocols and the algorithms used in the acoustic parameter determination were explained in detail. Finally proposed a new method for measure temperature in non invasive way, the method proposed is based on relation between time delay and phase lag, that produced a specimen which is radiated with ultrasonic energy, it suffer temperature changes, which are produced by the ultrasonic energy absorption, which alter the ultrasound velocity , that is related also with the temperature.

CONTENIDO

Captulo 1. Introduccin 1.1 Aspectos generales actuales de la temtica en la que se enmarca la tesis 1. 2 Motivacin de la tesis. 1.3 Planteamiento general, conveniencia y factibilidad de esta tesis 1.4 Objetivos de la Tesis 1.4.1 Objetivo Genera 1.4.2 Objetivos Especficos 1.4.2.1. Objetivo Especifico 1 1.4.2.2 Objetivo Especifico 2 1.4.2.3. Objetivo Especifico 3 1.4.2.4. Objetivo Especifico 4 1.4.2.5. Objetivo Especifico 5 1.4.2.6. Objetivo Especifico 6. 1.5. Organizacin de la Tesis 1 4 6 7 7 8 8 8 10 10 11 11 12

Captulo 2. Aspectos Bsicos en Ultrasonidos. Antecedentes sobre Medicin en Tejidos y Aplicaciones en Hipertermia Introduccin Seccin 1 2.1. Algunos principios bsicos de los ultrasonidos en tejidos 2.1.1 Propagacin ultrasnica en materiales viscoelsticos 2.1.2 Propiedades acsticas de los tejidos 2.1.2.1 Absorcin y Atenuacin Acstica en tejidos 2.1.2.2 Distintos conceptos de velocidad en la onda ultrasnica 2.1.3 Algunos tipos de ondas mecnicas y de medios de propagacin 2.1.3.1 Caso de un medio viscoelstico 2.1.3.2 Condiciones de frontera en la propagacin 2.1.4 Phantoms ultrasnicos como tejidos equivalentes 14 15 15 15 16 18 20 21 22 23 23

iii

Seccin 2 2.2. Generalidades sobre Hipertermia Ultrasnica y aspectos asociados 2.2.1 Efectos Biolgicos de los Ultrasonidos 2.2.1.1.Aplicaciones Teraputicas 2.2.2. Breve revisin acerca del estado del arte en hipertermia ultrasnica 2.2.2.1. Perspectiva general 2.2.2.2 Estado actual de la medicin no invasiva de temperatura en tejidos

25 25 26 27 28 28 30

2.2.2.2.1 Detalles sobre los mtodos de estimacin no invasiva de la 33 distribucin de temperaturas empleando ultrasonidos 2.2.2.2.2 Utilizacin de la TC ultrasnica para estimacin no invasiva de la 37 distribucin de temperatura 2.2.2.2.3 Avances Recientes en la estimacin de la distribucin de temperatura 38 empleando ultrasonidos 2.2.2.2.4 Avances en tratamiento quirrgico de tumores por ultrasonidos 2.2.3 Ubicacin de la Tesis en este contexto 40 40

Captulo

3.

Fundamentos

Modelos

Tericos

en

Transduccin

Piezoelctrica y en Generacin Ultrasnica de Banda Ancha Introduccin Seccin 1 3.1. Aspectos tericos bsicos en transduccin piezoelctrica 3.1.1. Introduccin 3.1.2. Transductores ultrasnicos de banda ancha. Generalidades 42 43 43 43 44

3.1.3 Ecuaciones bsicas representativas del funcionamiento de un transductor 46 piezoelctrico 3.1.3.1 El transductor piezoelctrico como un sistema electromecnico de tres 46 puertos 3.1.4 Circuitos equivalentes para un transductor piezoelctrico 3.1.4.1 Generalidades 3.1.4.2 Circuito Equivalente de Mason 3.1.4.3. Circuito Equivalente de Redwood 51 51 52 54

iv

3.1.4.4. Circuito Equivalente KLM 3.1.5. Transductores de Banda Ancha como redes de dos puertos 3.1.6. Esquema de clculo usando Matrices de Transferencia 3.1.6.1 Impedancia de Entrada y Funciones de Transferencia Seccin 2

55 57 59 61 65

3.2. Generacin de pulsos ultrasnicos de banda ancha. Requisitos y 65 esquemas electrnicos 3.2.1 Generacin Ultrasnica de Banda Ancha. Generalidades 64

3.2.1.1. Principales requerimientos de excitacin para nuestros ensayos 66 ultrasnicos ecogrficos en aplicaciones de terapia 3.2.1.1.1 Problemtica de la excitacin pulsada de transductores y arreglos 66 ultrasnicos en el rango de alta frecuencia 3.2.2 Circuitos clsicos para la generacin de pulsos de alto voltaje 3.2.3. Esquema de excitacin pulsada eficiente para transductores AF 3.2.3.1 Modelos analticos del esquema para excitacin pulsada eficiente 3.2.4 Algunas consideraciones sobre las seales ecogrficas en recepcin 68 70 73 80

Captulo 4. Propuesta de soluciones para los objetivos propuestos en la tesis y de los mtodos para su desarrollo Introduccin 83

Seccin 1. Propuestas en Modelado y Software para simular y analizar la 86 excitacin y recepcin ultrasnica con transductores de banda ancha 4.1.1. Modelado y Descripcin de una excitacin ultrasnica eficiente 4.1.1.1. Justificacin de la simulacin de algunas de las etapas del Pulser 86 87

4.1.1.2. Algunos Requisitos y Esquemas generales propuestos para nuestra 88 Etapa de Excitacin tipo Impulso de Alto Voltaje 4.1.1.2.1. Esquema preliminar para analizar el comportamiento del dispositivo 88 driver en baja tensin y bajo distintas impedancias de carga 4.1.1.2.2. Esquemas preliminares sobre el comportamiento de la etapa de 89 salida en alta tensin del sistema pulser para excitacin de transductores 4.1.1.3. Diagramas a bloques global del conjunto de las etapas del pulser en 96

las que se realiz la simulacin de respuestas 4.1.2. Macromodelado en un marco Pspice y algunas caractersticas de los 97 principales dispositivos electrnicos del Pulser 4.1.2.1. Modelo en Pspice del Driver IXDD415 99

4.1.2.2. Modelado en PSpice del transistor MOSFET de Potencia APT5024BLL 102 4.1.3. Modelado en Pspice del sistema de transduccin completo en E/R 106

4.1.3.1. Otros modelos circuitales necesarios para el anlisis del emisor- 107 receptor ultrasnico 4.1.3.1.1 Deduccin del circuito equivalente de Leach para el elemento piezoelctrico y su implementacin en Pspice 4.1.4. Modelo global del sistema ultrasnico propuesto para ensayos pulso 112 eco basados en excitaciones tipo impulso de alta tensin 4.1.5. Modelizacin de otros aspectos no ideales en algunas aplicaciones 115 ultrasnicas reales en modo pulso - eco 4.1.6. Estimacin de parmetros de funcionamiento para Transductores 119 Ultrasnicos de Banda Ancha 4.1.7. Anlisis paramtrico de algunos dispositivos pasivos 119 108

SECCION 2. Propuesta de Mtodos, Materiales y Algoritmos para la medicin 120 y estimacin ultrasnica de caractersticas internas en Phantoms 4.2.1. Procesamiento General utilizado en los algoritmos propuestos 4.2.2. Diagrama a bloques de la Configuracin Experimental desarrollada 120 121

4.2.3. Diagramas de Flujo del Programa general desarrollado para control, 122 barrido y adquisicin sincronizados 4.2.4. Desarrollo de Phantoms especficos simulando tejidos. Generalidades 4.2.5. Detalles de Construccin del Phantom 4.2.6. Protocolo para la construccin del phantom 125 128 129

4.2.7. Instrumentacin usada para medir propiedades acsticas en el phantom 130 4.2.7.1 Tarjeta excitadora de transductores y computadora asociada 4.2.8. Metodologa propuesta para modelar retardos de tiempo en los pulsos 4.2.9. Estimacin Ultrasnica de Cambios de Temperatura 4.2.10. Desplazamientos en tiempo y frecuencia de una seal 131 131 133 134

vi

4.2.11. Origen de algunas discontinuidades en el espectro de Fase 4.2.12. Protocolo propuesto para la medicin ultrasnica de temperatura 4.2.13. Uso de la Tcnica de Ping He para medicin de la dispersin acstica

136 138 139

4.2.14 Metodologa de adquisicin de seales para medicin de la velocidad 142 de propagacin acstica Conclusiones 149

Captulo 5. Pruebas Experimentales en Laboratorio y Resultados Obtenidos en Simulacin y Caracterizacin Ultrasnica Introduccin 151

5.1. Descripcin de las utilidades y experimentos desarrollados para las 152 pruebas de laboratorio y los ensayos realizados 5.1.1. Necesidades planteadas por la diversidad de la instrumentacin 152 involucrada en el laboratorio ultrasnico 5.1.2. Descripcin del Software desarrollado para el control de experimentos 5.1.2.1. Plataforma elegida. 5.1.2.2. Comunicaciones va GPIB 5.1.2.3. Lectura y Almacenamiento de Datos 5.1.2.4. Funcionamiento general de las utilidades software desarrolladas 5.1.3. Descripcin del hardware de la configuracin instrumental 5.1.4. Disposiciones experimentales para los distintos ensayos ultrasnicos 153 153 154 155 156 159 162

5.1.5. Ensayos preliminares de viabilidad para estimacin de temperaturas 165 internas de manera no invasiva 5.1.6. Caractersticas generales de los ensayos ultrasnicos realizados para la 168 medicin de parmetros acsticos 5.1.6.1 Propiedades acsticas de algunos materiales analizados 5.1.6.2. Algunos detalles de nuestras mediciones de parmetros acsticos 168 168

5.2. Resultados obtenidos mediante la simulacin circuital de las etapas 170 piezoelctricas y electrnicas del sistema ultrasnico en pulso-eco 5.2.1. Respuestas pulsadas en la etapa driver del Pulser en el emisor, 171 simuladas para distintas condiciones de carga

vii

5.2.2. Respuestas calculadas por simulacin para la etapa de conmutacin en 176 alta tensin bajo diversas variaciones paramtricas 5.2.2.1. Control de la anchura en los pulsos excitadores para banda ancha 182

5.2.2.2 Eliminacin de efectos oscilatorios perjudiciales para la excitacin bajo 186 acoplamientos inductivos. Damping selectivo con redes de diodos 5.2.3 . Resultados y esquemas de simulacin para el sistema ultrasnico 191 completo con un transductor de banda ancha 5.2.3.1. Implementacin equivalente concreta de etapas piezoelctricas 5.2.3.2. Implementacin del esquema equivalente para una etapa transmisora 5.2.3.3. Esquema equivalente completo para una configuracin pulso-eco 191 193 197

5.3. Discusin de algunos resultados obtenidos mediante simulacin de un 199 sistema ultrasnico y para estimacin de propiedades acsticas y trmicas 5.3.1. Comparacin de los resultados tericos y experimentales acerca de la 199 respuesta elctrica de un excitador en alta tensin (pulser) 5.3.2. Validacin de los sistemas de medicin desarrollados para determinar 206 propiedades acsticas en phantoms (tejidos equivalentes de msculo) 5.3.2.1. Determinacin de Velocidad de Propagacin en phantoms 5.3.2.2. Resultados obtenidos para la atenuacin acstica en phantoms 5.3.2.3. Resultados obtenidos en phantoms para la dispersin acstica 206 211 212

5.3.3. Resultados de estimacin ultrasnica de temperaturas en diferentes 214 medios y phantoms 5.4. Descripcin y discusin de los principales resultados Conclusiones 220 226

Captulo 6. Conclusiones y Principales Aportaciones de la Tesis 6.1. Resumen de las Principales Aportaciones de la tesis 6.2 Posibles vas de investigacin futura 228 230

Referencias

232

viii

Apndice A. Publicaciones generadas a partir del trabajo de esta tesis doctoral A.1. Revistas A.2. Congresos Internacionales A.3. Congresos Nacionales 245 245 247

Apndice B. Macromodelado de dispositivos con el Programa de Anlisis Circuital PSpice B.1. Terminologa sobre los modelos y sus parmetros B.2. Macromodelado con Pspice B.3. Modelos de Dispositivos en Pspice B.3.1 Dispositivos de Alta Velocidad B.3.2 Dispositivos de Potencia B.4. Dispositivos MOSFET. Caractersticas generales y modelacin B. 4.1 Modelos de MOSFET y Parmetros Crticos B. 5. Fenmenos de encendido y apagado en los Mosfet B. 5.1 Fenmeno de encendido B. 5.2 Fenmeno de apagado B.6. Prdida de potencia en Drivers y Mosfet B. 7. Drivers rpidos en circuito integrado B. 8. Modelo fsico del DMOS para su implementacin en Pspice B. 9. Macro modelo DMOS para Pspice 249 250 253 253 254 254 255 256 256 260 262 263 264 268

Apndice C. Operaciones bsicas en una interfase GPIB C.1.Tipos de Mensajes C.2. Talkers, Listeners y Controllers C.3. Lneas y Seales de la GPIB C. 4. Lneas de datos C. 5. Lneas de Contacto C. 6. Lneas del Manejo de la Interfase C. 7. Caractersticas Fsicas y Elctricas de la conexin 271 271 273 274 274 274 275

ix

C. 8. Protocolos y Normas C. 9. Requerimientos de la Configuracin

277 278

Apndice D. Transceptor comercial Matec y computadora asociada D.1. Posibles Configuraciones de Salida de la Tarjeta Matec D.2. Principales caractersticas en modo Receptor 279 281

LISTA DE FIGURAS

Figura.2.1. Representacin esquemtica del rastreador de desplazamiento propuesto por [41] Figura 3.1. Esquema de un transductor piezoelctrico de banda ancha.

34 45

(1).Capa de acoplamiento, (2).Elemento piezoelctrico activo, (3).Carcasa metlica de proteccin, (4). Backing o contramasa y (5).Cable coaxial Figura 3.2. Geometra de una placa de cermica cortada para vibrar en modo de espesor con electrodos en sus caras Figura 3.3. Representacin esquemtica de magnitudes mecnicas en un transductor piezoelctrico vibrando en modo de espesor, sin capas de adaptacin de impedancias Figura 3.4. Transductor piezoelctrico como un sistema electromecnico de 3 puertos. (V,I): puerto elctrico. ( FL ,U L ) : puerto frontal. mecnico trasero Figura 3.5. Circuito equivalente simplificado, vlido en el entorno de la resonancia del modo fundamental Figura 3.6. Circuito equivalente de Mason. Los puertos mecnicos del transductor estn localizados en los extremos de la red T Figura 3.7. Elemento piezoelctrico; geometra y sentidos adoptados para las variables Figura 3.8. Circuito equivalente de Redwood Figura 3.9. Circuito equivalente KLM Figura 3.10. Esquema simplificado de un transductor piezoelctrico de banda ancha Figura 3.11. Esquema de una lnea de transmisin descrita a travs de una matriz T Figura 3.12. Sentidos adaptados para intensidades y voltajes en una red con dos puertas (cuatro terminales) Figura 3.13. Esquema en cascada de las distintas etapas 60 59 58 55 56 57 54 53 51
( FB ,U B ) : puerto

48 49

50

xi

Figura 3.14. Representacin funcional del circuito de la Figura 3.13 Figura 3.15. Esquema que ayuda a visualizar las relaciones y definir funciones de transferencia Figura 3.16. Generador de pulsos elctricos, con la conexin en serie de dos SCRs para el caso de pulsos de voltaje alto Figura 3.17. Diagrama a bloques de un generador eficiente de spikes Figura 3.18. Driver rpido para el control del Mosfet Figura 3.19. Generador de rampas de alto voltaje que utiliza una descarga capacitiva Figura 3.20. Bloque de damping selectivo, formacin de pulso y acoplamiento con los transductores Figura 3.21. Esquema funcional del pulser para excitacin eficiente en alta tensin Figura 3.22. Circuito equivalente simplificado del pulser Mosfet, para el caso 1. (Carga resistiva) Figura 3.23. Circuito equivalente del generador pulser para las condiciones asumidas en el caso 2. (Carga resistiva en paralelo con CT ) Figura 3.24. Circuito equivalente del generador pulser para el supuesto 3 ( carga resistiva en paralelo con CT y L0 ) Figura 4.1. Etapa de salida en AT de un sistema generador de pulsos ultrasnicos (Pulser) Figura 4.2. (a ) Esquema simplificado del Driver y la compuerta vista como una carga puramente resistiva. (b) Configuracin electrnica de su modelo circuital Figura 4.3. (a) Diagrama a bloques de la etapa de salida en el pulser. (b) Configuracin circuital simplificada para analizar la seal de salida en el Drenador del MOSFET Figura 4.4. (a) Diagrama a bloques y (b) Configuracin simplificada del circuito electrnico para analizar la seal de salida de la red inductiva conformadora de pulsos Figura 4.5. Diagrama de bloques del Pulser modificado para el caso de existir una inductancia en paralelo con la salida

61 62 69 70 71 71 72 73 75 77

79

87 89 90

91

93

xii

Figura 4.6. Diagrama elctrico del Pulser con una inductancia conectada en paralelo con la salida al transductor Figura 4.7. Diagrama de bloques global del sistema pulser considerado Figura 4.8. Ilustracin de los parmetros temporales asociados a la fuente de tensin VPULSE Figura 4.9. Diagrama del Circuito equivalente del Driver IXDD415 Figura 4.10. Salida del driver simulada en Pspice para un Ancho de Pulso de 50ns y C L = 1000pF Figura 4.11. Salida de la simulacin en Pspice, con un Ancho de Pulso mnimo y C L = 1000pF Figura 4.12. Diagrama circuital del modelo Pspice para el MOSFET APT5024 BLL Figura 4.13. Esquema para la implementacin circuital del proceso completo de Pulso Eco Figura 4.14. Circuito equivalente de Leach. a) seccin acstica. b) seccin elctrica Figura 4.15. a) Primer subcircuito para la implementacin PSpice de un elemento piezoelctrico en modo espesor. b) Segunda implementacin opcional, utilizando la funcin de Laplace Figura 4.16. Modelo circuital simplificado propuesto para una simulacin bsica de respuestas temporales, en el marco Pspice, de un transmisor - receptor operado en modo Pulso Eco Figura 4.17. Circuito equivalente para un transmisor - receptor ultrasnico ecogrfico, en el que se incluyen efectos de elementos no lineales en la etapa de recepcin Figura 4.18. Esquema alternativo para pulso eco considerando el retardo del eco Figura 4.19. Diagrama a bloques de la configuracin experimental Figura 4.20. Diagrama de flujo de la Interfaz Grfica Interactiva desarrollada Figura 4.21. Pantalla principal del programa desarrollado Figura 4.22. (a) Pulso Gaussiano y su transformada de Fourier. (b) Pulso xiii

94 97 99 100 100

101

103 105 109 111

114

116

117 122 124 125 135

gaussiano con un retardo en el tiempo y sus correspondientes espectros de Fourier Figura 4.23. Funcin del impulso y sus espectros de Fourier Figura 4.24. Funcin impulso desplazada en el tiempo (retardo) y su transformada de Fourier Figura 4.25. Funcin impulso desplazada en el tiempo (adelantada) y su transformada de Fourier Figura 4.26. Filtro ideal con fase lineal Figura 4.27. Representaciones de magnitud y fase de un filtro de fase lineal Figura 4.28. Seal original Figura 4.29. Energa de la seal Figura 4.30. Pulso de la seal desplazado para iniciar en el punto de mayor energa de la seal (Centroide) Figura 4.31. Valor que asume la variable Bandera1 Figura 4.32. Seguimiento del comportamiento de los datos Figura 4.33. Identificacin de Crestas y Valles Figura 4.34. Identificacin de Cruces por Cero Figura 4.35. Lneas marcadas en amarillo, identificadas como ruido. Figura 4.36. Trenes de Ecos identificados dentro del cuadro punteado en color verde Figura 4.37. Primer valor mayor al umbral Tren de Ecos Vlido (lnea roja) Figura 5.1. Pantalla principal de adquisicin de datos Figura 5.2. Reporte de los datos adquiridos Figura 5.3. Diagrama a bloques de la configuracin experimental en pulso-eco Figura 5.4. Diagrama a bloques de la configuracin experimental en thoughtransmisin Figura 5.5. (a) Seal sinusoidal y (b) la seal sinusoidal demodulada en fase Figura 5.6. (a) Seal gausiana y. (b) seal demodulada en fase Figura 5.7. (a) Pulso gaussiano modulado por una seal sinusoidal y (b) Seal demodulada en fase Figura 5.8. Pulsos gausianos retardados en el tiempo y resultados de la 166 165 166 166 149 161 162 163 164 143 144 145 145 146 148 137 137 140 140 141 136 135 136

xiv

demodulacin en fase Figura 5.9. Corrimientos lineales en la curva de fase, obtenidos por zoom de la Figura 5.8. Figura 5.10. Grficas del pulso de salida del Driver IXDD415SI, simuladas para una carga resistiva pura de muy bajo valor, entre 0,1 y 1,7 ohmios, con pulsos de entrada de 50 ns tipo Fast-TTL Figura 5.11. Pulsos de salida calculados para cargas capacitivas relativamente altas (entre 1 nF y 17 nF) a la salida del Driver IXDD415SI, como equivalentes a la impedancia de compuertas Mosfet Figura 5.12. Pulsos de salida del Driver IXDD415SI para cargas inductivas puras, entre 0,5 y 6,5 nH Figura 5.13. Respuestas del mismo driver simuladas para una resistencia de carga de 0,5 ohmios en paralelo con capacidades entre 1 y 17 nF, como carga del mismo Figura 5.14. Pulsos para cargas formadas por resistencia en paralelo (0,5 3 ohmios) con un condensador de 1,87 nF (valor tpico en la compuerta de un transistor MosFet) ) Figura 5.15. Pulsos para cargas formadas por resistencia en serie (0,1 1,7 ohmios) con un condensador de 1,87 nF Figura 5.16. Pulsos de salida en alta tensin para un C de descarga de 0.22 nF y una resistencia cuyo valor vara en un rango de R=22 hasta R=297 , conectada como carga de salida Figura 5.17. Pulsos de salida en alta tensin para un C de descarga de 2,2 nF y resistencias en el mismo rango de Figura 5.16, como carga de salida Figura 5.18. Pulsos de excitacin para un C de descarga de 10 nF y resistencias de salida en el mismo rango de figuras anteriores Figura 5.19. Pulsos de excitacin para una R de salida de 10K correspondientes a un barrido en C desde 0,5 nF has ta 9,5 nF Figura 5.20. Pulsos de excitacin para una R de salida de 1 K correspondientes a un barrido en C desde 0,5 nF hasta 9,5 nF 181 181 180 179 178 175 175 174 174 173 172 167

xv

Figura 5.21. Spikes de salida para una R = 22 y capacidad de descarga variable en el rango entre 470pF y 2.99nF Figura 5.22. Formas del pulso de salida para el caso de una inductancia (L = 1

183 183

H) en paralelo con una R de 100 , y con la capacidad de descarga C

variando desde 2.2 nF hasta 8.2 nF Figura 5.23. Pulsos de salida para una R de 270 ohmios en paralelo con una inductancia.que vara desde 500 nH hasta 5 H (y un valor tpico para C = 2.2 nF) Figura 5.24. Pulsos de salida para una R de 100 en paralelo con diferentes inductancias, desde 1H hasta 16 H. (C = 2.2 nF) Figura 5.25. Pulsos de salida para una R de 33 en paralelo con diferentes inductancias, desde 0,5H hasta 5 H. (C = 2.2 nF) Figura 5.26. Respuesta de salida del pulser, cuando se usa solo 1 diodo en la rama paralelo y para: C = 2.2 nF, R = 270 en paralelo con una inductancia que vara desde 500 nH hasta 5 H Figura 5.27. Respuesta de salida del pulser, cuando se usan 2 diodos en la rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en Figura 5.26 Figura 5.28. Respuesta de salida del pulser, cuando se usa solo 3 diodos en la rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en Figuras 5.26 y 5.27 Figura 5.29. Respuesta de salida del pulser, cuando se usan 4 diodos en la rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en las Figura 5.26, 5.27 y 5.28 Figura 5.30. Implementacin PSpice concreta del circuito equivalente para cada etapa piezoelctrica materializada con nuestro transductor Figura 5.31. Diagrama PSpice concreto para el circuito equivalente del transmisor ultrasnico Figura 5.32. Voltaje de excitacin calculado para el puerto elctrico del transductor Figura 5.33. Corriente de salida a travs del puerto elctrico del transductor 195 195 194 192 189 189 188 187 185 185 184

xvi

Figura 5.34. Seal de fuerza obtenida en el puerto frontal del transductor Figura 5.35.Seal de velocidad a travs del puerto frontal del transductor Figura 5.36. Seal de fuerza obtenida en el puerto trasero del transductor Figura 5.37. Seal de velocidad a travs del puerto trasero del transductor Figura 5.38. Pulsos de excitacin normalizados: simulado y experimental. Pulser en vaco Figura 5.39. Pulsos de excitacin simulado y medido para (R = 18 ohmios). Se muestran las magnitudes cuantitativas reales Figura 5.40. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 22 H (valores normalizados) Figura 5.41. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 56 H (valores normalizados) Figura 5.42. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 56 H en paralelo con una resistencia de 180 ohmios (en escala real) Figura 5.43. Pulso de salida simulado y medido experimentalmente en escala real Figura 5.44. Pulsos de salida simulado y medido experimentalmente. ( R = 180

196 196 197 197 200 200 201

202

202

203 203

y L = 56 H ).
Figura 5.45. Pulsos de salida simulado y medido experimentalmente. ( R = 180 204

y L = 22 H )
Figura 5.46. Pulsos de salida simulado y medido experimentalmente. ( R = 180 205

y L = 33 H )
Figura 5.47. Diversas mediciones de velocidad de propagacin en agua Figura 5.48. Velocidad de Propagacin en un Phantom con una concentracin de grafito de 30 g/l Figura 5.49. Velocidad de Propagacin en un Phantom con una concentracin de grafito de 90 g/l Figura 5.50. Velocidad de Propagacin en Phantom de msculo liso Figura 5.51. Grafica de la atenuacin en un phantom con 90 g/l de grafito Figura 5.52. Grafica de la dispersin en phantoms para diferentes 210 212 212 209 207 208

xvii

concentraciones de grafito: con 30g/l de grafito (rojo), con 60g/l de grafito (azul), con 90g/l de grafito (verde) Figura 5.53. Dispersin en un phantom con una esfera de cristal actuando como scattering Figura 5.54. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag en agua destilada Figura 5.55. Zoom del primer semiciclo de las formas de onda de los ecos, despus que la seal se propag en agua destilada Figura 5.56. Demodulacin en fase de los ecos de la figura 54 Figura 5.57. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag en un phantom con una concentracin de agar del 2.5% Figura 5.58. Demodulacin en fase de los ecos de la figura 57 Figura 5.59. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag en un phantom con una concentracin de 30 g/l de grafito Figura 5.60. Demodulacin en fase de los ecos de la figura 59 Figura 5.61. Ecos retardados obtenidos cuando se eleva la temperatura de un hgado de res Figura 5.62. Zoom de las seales obtenidas cuando se eleva la temperatura de un hgado de res Figura B.1. Circuitos esquemticos implementados en Pspice los cuales reproducen funciones matemticas. Los parmetros del diodo en el caso a) hacen las caractersticas del diodo cas lineales, I D VD . Las resistencias de 251 220 218 219 217 217 216 216 215 214 213

10 4 en los casos (b) y (c) facilitan la convergencia pero podra no ser

necesaria para todos los simuladores de circuitos. El error absoluto comparado con las funciones matemticas reales para todos los casos cuando se simula con Pspice es menor que 10 6 Figura B.2. Esta curva con algunas modificaciones, se utiliza para modelar las capacidades dependientes de voltaje en los DMOS (como en el caso del APT5024BLL) Figura B.3. Circuito que produce el efecto Miller, semejante al de la capacidad Figura B.4.Vista de la seccin transversal de un MOSFET canal N, en el que xviii 252 255 252

se muestran las capacidades de las diferentes uniones Figura B.5. Smbolo y circuito equivalente de un MOSFET Figura B.6a. Encendido de un MOSFET a travs de un Driver con una carga inductiva (Clamped) Figura B.6b. Apagado de un MOSFET a travs de un Driver sobre una carga inductiva (Clamped) Figura B.7. Secuencia de encendido del MOSFET Figura B.8. Secuencia de apagado del MOSFET Figura B.9. Diagrama Funcional del Driver IXDD415 Figura B.10. Esquema de la seccin transversal vertical de un transistor DMOS Figura B.11. Circuito equivalente del modelo del transistor DMOS fsico Figura B.12. Macro modelo compatible en Pspice para un transistor de potencia tipo n DMOS. Las inductancias LG , LD y LS son usadas para crear los lazos de los cables de las inductancias en dispositivos discretos Figura C.1. Asignaciones para el Conector GPIB de la seal Figura C.2. Configuracin lineal Figura C.3. Configuracin estrella 273 276 276 259 261 264 265 268 269 258 256 257

xix

LISTA DE TABLAS

Tabla 1. Propiedades Acsticas del Tejido para 37C y una Frecuencia de 1 MHz. [2] Tabla 2. Valores medidos de coeficientes de atenuacin en diferentes tejidos. Tabla 3. Composicin de algunos phantoms usados en Ultrasonido Tabla 4. Sistemas no invasivos para la determinacin de temperatura al interior de un material biolgico. Tabla 5. Parmetros asociados al transistor MOSFET Tabla 6. Parmetros de elementos discretos asociados al MOSFET Tabla 7. Parmetros del circuito equivalente del transductor Tabla 8. Parmetros de la lnea de transmisin con prdidas contenida en el circuito equivalente del transductor Tabla 9. Propiedades acsticas de algunos materiales Tabla.10. Parmetros del circuito equivalente del transductor Tabla 11. Velocidad de Propagacin en agua. Tabla 12. Velocidad de Propagacin en Phantom con 30 g/l de grafito Tabla 13. Velocidad de Propagacin en Phantom con 60 g/l de grafito Tabla 14. Velocidad de Propagacin en Phantom 90 g/l de grafito Tabla 15. Velocidad de Propagacin en Phantom de Msculo Liso

17

18

24 31

104 105 106 107

168 192 207 208 209 210 211

xxx

CAPTULO 1 INTRODUCCIN

1.1 Aspectos generales actuales de la temtica en la que se enmarca la tesis La hipertermia es usada en el tratamiento clnico del cncer y en casos de crecimientos benignos. Para lograr el efecto de hipertermia se requiere sostener la temperatura en el intervalo de (42 a 45) C, para el caso del tratamiento por este mtodo de un tumor slido canceroso. En este intervalo, el ndice de incremento de la temperatura en la clula excede la habilidad del sistema regulador para disipar el calor, dando como resultado la muerte de la clula. Tambin se ha reportado que la hipertermia permite reducir drsticamente las dosis administradas en quimioterapia. Una de las tcnicas que es posible aplicar para lograr el efecto de hipertermia es la tecnologa ultrasnica, la cual tiene importantes ventajas: un alto grado de control dinmico y espacial del calor, en comparacin con otras tcnicas de calentamiento comnmente usadas. Con los ultrasonidos es ms fcil focalizar la energa que con otras tcnicas que producen la hipertermia, como es el caso de las microondas. As, con el ultrasonido (US) es posible tratar tumores localizados en el interior del cuerpo, sin necesidad de una exposicin abierta. Esta facilidad de utilizacin est condicionada sin embargo por la disposicin de una modelacin apropiada de los fenmenos involucrados, que considere el efecto de las velocidades de propagacin, la frecuencia del transductor, la atenuacin y dispersin en el medio de propagacin, y otros parmetros biolgicos. El control de la elevacin de la temperatura, espacial y temporalmente, resulta difcil en la aplicacin de hipertermia, debido al efecto que tienen sobre el campo US las propiedades heterogneas y dinmicas de los tejidos, y la circulacin de la sangre y de otros lquidos presentes en el cuerpo. Esto es compensado de forma importante por las ventajas que presenta la hipertermia ultrasnica frente a otros mtodos de tratamiento; una de estas ventajas es la fcil penetracin de la

energa US en los tejidos blandos y la habilidad de conformar los patrones de deposicin de la energa. La regin focalizada del haz ultrasnico de un transductor enfocado puede ser muy pequea (1-3) mm de ancho total. En la prctica, para calentar un tumor grande debe realizarse un barrido tridimensional. [1,2] Para conseguir una distribucin conveniente de temperatura, en aplicaciones de hipertermia ultrasnica, necesitamos tener en cuenta varios factores en el diseo de los sistemas teraputicos. Las propiedades del transductor.[20,60,64-66,68,99] Los patrones de deposicin de potencia.[10] El patrn y la velocidad de la exploracin.[1] La potencia de salida. La medicin del incremento de temperatura.[30-54,129] Las propiedades trmicas del tejido tratado (el calor especfico, la conduccin trmica y la perfusin de la sangre y su flujo) [7,10]. Las propiedades trmicas son tanto heterogneas como dinmicas [7,10]. Las propiedades ultrasnicas del tejido (absorcin, densidad y velocidad del sonido, ciertos parmetros no lineales, y el umbral de cavitacin).[2,10] Las caractersticas geomtricas del propio tumor, frecuentemente de formas irregulares.[38] La estructura de los tejidos y las interfaces entre tejidos (gas, tejido blandohueso), y los fenmenos de reflexin y scattering que resultan tener un efecto importante en la cantidad de potencia absorbida y en su distribucin.[130,131] Una fuente ideal para hipertermia debiera ser capaz de ajustar la deposicin energtica a cada tumor individual. Por todo lo anterior, somos conscientes de que uno de los desafos pendientes, en el campo de la hipertermia, es el desarrollo de fuentes de energa capaces de producir distribuciones de temperatura adecuadas en el rea de tratamiento,

Otros factores que deben ser considerados son:

manteniendo a los tejidos sanos fuera de esta rea. Tambin debera disponerse de herramientas adecuadas para evaluar con precisin dichas distribuciones. Uno de los objetivos particulares de este trabajo de Tesis, es responder a la necesidad actual de desarrollar un sistema de generacin ultrasnica de banda ancha, para poder caracterizar debidamente los transductores de terapia y sus efectos en el campo de la hipertermia. Se contempla el desarrollo de instrumentacin virtual, como herramienta que permita la evaluacin experimental precisa de los sistemas de generacin y aplicacin ultrasnica en terapia, con el propsito de que se pueda optimizar su diseo a partir de la valoracin de sus efectos en phantoms (simuladores de tejido biolgico en cuanto a propiedades acsticas y trmicas) [31, 32]. Se trata de poder estudiar experimentalmente los efectos de la distribucin de la energa sobre los phantoms, y de esta manera evaluar la eficiencia de una determinada fuente de radiacin, adems de predecir sus efectos en las aplicaciones de hipertermia. El estudio de dichos efectos supone la caracterizacin acstica experimental previa de los phantoms elaborados, para as, asegurar que realmente funcionan como tejidos equivalentes. La caracterizacin de dichos phantoms implica el desarrollo de un sistema de medicin y procesamiento de parmetros acsticos tales como la velocidad de propagacin, la atenuacin y la dispersin en el volumen que se desea estudiar. Adicionalmente, para llevar a cabo el estudio de los efectos de hipertermia sobre los phantoms, se exige disponer de un sistema y de los procedimientos necesarios, para la determinacin de la distribucin de temperatura de manera no invasiva en el interior del tejido biolgico. En esta tesis, se presenta una propuesta alternativa para la medicin de la temperatura, en el interior de los tejidos, con un mtodo no invasivo. La propuesta es diferente de otros mtodos que han sido utilizados para estimar la temperatura de manera no invasiva (resonancia magntica nuclear y microondas). Esta propuesta se enfoca a la utilizacin del ultrasonido, basado en las ventajas que ste nos ofrece, y emplea una va novedosa, y ms precisa en principio, respecto a algunos reportes previos que tambin usan los ultrasonidos para ese fin. Se presentan en este documento las bases tericas de la tcnica propuesta, y la

configuracin experimental utilizada con el fin de establecer la factibilidad tcnica del mtodo, as como la infraestructura necesaria para estimar los cambios de temperatura. En el mercado mundial ms reciente, slo la empresa Beijing Yaund Bio-Medical Engineering Company. Ltd, de origen Chino, reporta el desarrollo de un sistema de terapia de alta intensidad focalizada para tumores (High Intensity Focused Ultrasound Tumor Therapy System), y lo propone para tratamientos de cncer de seno, tumor superficial, tumores en la parte izquierda del hgado, tumores slidos en el rin y cavidad plvica. Tambin propone la medicin de la temperatura de manera no invasiva, en tejidos de animales y humanos, empleando el mtodo de Inversin Acstica. En sntesis, una sonda transmite, en modo M, una onda ultrasnica hacia la muestra (tejido), pasando a travs del rea focalizada con ultrasonidos de alta intensidad, y llega al lmite de la superficie (el cual resulta fcil de ubicar en la clnica). La seal ultrasnica reflejada por dicha superficie se propaga por el rea focalizada nuevamente y finalmente regresa al origen donde se captura el eco. Todo ello, se repite antes y despus de que el tejido ha sido calentado. [98] Dicha empresa reporta, en su pgina de internet (http://www.yuande.com/), que dicho equipo tiene aplicacin clnica en el Peoples Hospital of Peking University, Shanghai Zhongshan Hospital y el Peoples Hospital of Jiangsu Province, en China, y que ha sido aplicado a ms de 20,000 pacientes. Ello confirma el gran inters clnico que estn despertando este tipo de tcnicas ultrasnicas para terapia de tumores.

1.2 Motivacin de la tesis De las consideraciones comentadas en el apartado anterior, se deduce que uno de los desafos cientfico-tecnolgicos pendientes en el campo de la hipertermia es el desarrollo de fuentes de energa ultrasnica adecuadas para conseguir la produccin de distribuciones de temperatura aceptables en el rea de tratamiento deseada, manteniendo a su vez fuera de ste rea a los tejidos sanos. Un

requisito previo para ello es poder contar con herramientas de hardware y software eficaces para efectuar una evaluacin precisa de la distribucin espacial y de los efectos en los tejidos de dicha energa trmica, y que adems puedan ser usadas desde el exterior de una forma no invasiva. Ello lleva aparejado el tener que acceder a un conocimiento muy preciso de ciertas propiedades del medio bajo tratamiento y de sus medios substitutos (en cuanto a su equivalencia sobre propiedades acsticas y trmicas para ensayos de laboratorio) denominados tejidos artificiales o phantoms. El propsito del presente trabajo de Tesis se enmarca en ese contexto, y trata de responder, por ejemplo, a la necesidad actual del desarrollo de un sistema de generacin ultrasnica de banda ancha especfico para aplicaciones de caracterizacin no invasiva en el campo de la hipertermia, as cmo tambin de un conjunto de herramientas que permita la evaluacin experimental precisa de los propios sistemas de generacin ultrasnica, ya con mayor potencia, que se pretenden emplear en hipertermia, durante su diseo y tambin a lo largo de su vida til. Una va adecuada para ello es mediante la estimacin de sus efectos en phantoms, ya que la evaluacin de la eficiencia de los sistemas de generacin y radiacin de ondas ultrasnicas, con propsitos de aplicacin en hipertermia, se puede efectuar mediante el estudio de los efectos de la distribucin espacial y temporal de la energa trmica en dichos medios equivalentes. Dicha energa de calentamiento puede ser generada tambin por una va acstica, mediante la aplicacin de ultrasonidos de potencia, a travs de transductores piezoelctricos de diseo especial, con una capa de adaptacin al medio de caractersticas distintas a las de lo transductores de inspeccin o imagen. El estudio de los efectos de la radiacin comentados supone una caracterizacin acstica experimental previa de los phantoms elaborados, especialmente de sus propiedades ultrasnicas, para as asegurar que realmente funcionan como tejidos equivalentes. Esta caracterizacin de los phantoms implica el desarrollo de un sistema integrado para la medicin y procesamiento de parmetros acsticos tales como la velocidad de propagacin y la atenuacin en el volumen que se desea estudiar. Esto implica obtener mejoras en las secuencias de

monitoreo y significa conseguir un mapa en tres dimensiones sobre las propiedades acsticas y de temperatura para as tener un control ms preciso en el volumen radiado. Adicionalmente, el poder disponer de medios para un clculo rpido del incremento de temperatura inducida en tejidos, durante los tratamientos de hipertermia, permitira un mejor control de la energa acstica entregada en cada pulso, optimizando la distribucin trmica, disminuyendo la exposicin a sonificaciones no necesarias y minimizando daos en tejidos sanos. Para llevar a cabo el estudio de los efectos de hipertermia sobre los phantoms, se exige disponer del sistema y los procedimientos necesarios para la determinacin de los cambios de temperatura y de otros parmetros asociados con la deposicin de energa ultrasnica en el medio y su distribucin volumtrica. Una forma no invasiva de conseguir esto es la utilizacin de inspecciones ultrasnicas mediante pulsos de corta duracin en el rango de los MHz, con un posterior anlisis y procesamiento de las seales de eco recolectadas.

1.3 Planteamiento general, conveniencia y factibilidad de esta tesis A partir del examen de la literatura que hemos efectuado y del desarrollo de diferentes proyectos anteriores y actuales, del laboratorio Laremus de la Seccin de Bioelectrnica, en aplicaciones de terapia por ultrasonidos, se concluy la necesidad de disponer de un conjunto de tcnicas de medicin, adaptadas especficamente para su empleo en la caracterizacin del medio de propagacin sometido a irradiacin ultrasnica, lo cual constituye una meta muy actual de esta disciplina y adems con gran inters prctico en entornos clnicos. La conveniencia y factibilidad de acometer esta tarea de caracterizacin ultrasnica de medios biolgicos, mediante el desarrollo y puesta a punto de una instalacin compleja que permita el uso de modernas facilidades de adquisicin, procesamiento y desplegado de resultados, con condiciones experimentales controladas para cada uno de los parmetros a investigar y evaluar, reside en su

importancia para el laboratorio por la gran utilidad que reportara en su lnea de hipertermia, y porque adicionalmente representa una nueva solucin a un problema comn en desarrollo e investigacin sobre aplicaciones ultrasnicas de terapia. Logradas estas condiciones bsicas, tendremos la posibilidad de generar respuestas novedosas a problemas an no resueltos en el campo de las aplicaciones ultrasnicas para terapias mdicas. Los objetivos de esta tesis se han planteado partiendo de tres importantes bases: a) Las instalaciones y recursos de medicin con los que ya cuenta el Laboratorio 14 de la Seccin de Bioelectrnica. b) La posibilidad de acceder a una amplia experiencia iberoamericana, que representa el marco de cooperacin existente a travs de diferentes proyectos con el programa CYTED (red Ritul, proyecto PULSETs), programas ALFA de la Comunidad Europea para el establecimiento de programas de doctorado multidisciplinares y para la realizacin de tesis conjuntas codirigidas entre grupos expertos en dicha temtica de Europa y de Amrica (proyectos PETRA Piezoelectric Transducers and Applications, y BioSenIntg). Este conjunto de experiencias y de cooperaciones nos permite afrontar el desarrollo de una instalacin experimental del tipo aqu planteado. c) La oportunidad de compartir y ampliar una variedad de instrumentacin especfica y muy complementaria, no slo de nuestro propio laboratorio, sino tambin de otros laboratorios ultrasnicos de los equipos participantes en los mencionados proyectos multinacionales. Bajo estos slidos puntos de partida organizativos, cientficos e instrumentales, la tarea de acometer el desarrollo de los ambiciosos objetivos de esta tesis, incluyendo el conseguir hacer realidad una instalacin de las caractersticas requeridas, resulta factible y conveniente, adems de muy interesante desde los puntos de vista cientfico-tcnico y de incidencia socio-econmica.

1.4 Objetivos de la Tesis 1.4.1 Objetivo General El propsito general del presente trabajo de Tesis, se puede resumir en: Responder a la necesidad de una medicin ultrasnica integrada de diversas propiedades acsticas en tejido in vitro, phantoms de tejido blando y en tanque experimental, como apoyo al diseo y calibracin de futuros equipos de terapia.

1.4.2 Objetivos Especficos Para lograr este objetivo general, se requiri desglosar las tareas involucradas en varios objetivos especficos, que se detallan a continuacin:

1.4.2.1. Objetivo Especfico 1 Conseguir el gobierno coordinado de la instalacin de medicin de campo acstico y una adquisicin y procesamiento eficaces de los datos de medida, de una forma ajustada a las necesidades del laboratorio, desarrollando el software necesario. El software debe incorporar la capacidad de: Gobernar el desplazamiento de los hidrfonos y de los transductores en 3D mediante el control de tres motores paso a paso a travs del puerto RS232 Capacidad de seleccin de la seal de respuesta: total o en segmentos. Agregar la posibilidad de adquisicin de las respuestas ultrasnicas a travs del puerto GPIB. Sumar la posibilidad de procesar por software la seal mediante diversos mtodos conocidos, con la posibilidad del despliegue de las seales (vectores de datos) y los resultados. Almacenamiento de datos en disco duro Generacin de reportes de la configuracin experimental 8

1.4.2.2 Objetivo Especfico 2 Desarrollo de un sistema integrado para la caracterizacin y evaluacin de transductores y aplicadores ultrasnicos mediante un sistema de medida ultrasnica de banda ancha. Ello implica: Disear, simular y fabricar un sistema electrnico de generacin eficaz de pulsos de alta tensin para mejorar la excitacin de los transductores de banda ancha frente a los equipos comerciales. -Implementando un modelo elctrico equivalente del transductor y un modelado preciso de las etapas electrnicas que conforman un generador de pulsos tipo spike -Evaluando las respuestas elctricas mediante simulacin en entorno Pspice y un anlisis paramtrico en rgimen transitorio de la influencia de dispositivos crticos en cada etapa electrnica sobre las respuestas ultrasnicas del transductor de banda ancha configurado en pulso-eco. La evaluacin de aspectos relacionados con la deposicin de energa ultrasnica de alta frecuencia (profundidad de penetracin y rea de campo efectivo) de diferentes configuraciones de transductores diseados para aplicaciones de hipertermia, a travs de la medicin de los cambios fsicos que sufre el phantom durante la deposicin de energa del campo ultrasnico. Disear celdas de medicin que garanticen la perpendicularidad entre la cara radiante del transductor y la superficie reflectante. Garantizar que las mediciones de dispersin y atenuacin se realicen en campo lejano, para evitar incorporar algoritmos de compensacin geomtrica. Disear y fabricar, con materiales de alta conductividad trmica, una celda de medicin con dimensiones que permitan sumergirla en el bao trmico para un adecuado control de temperatura dentro de la muestra.

1.4.2.3. Objetivo Especfico 3 Implementar los algoritmos necesarios para medir eficazmente los parmetros acsticos de inters en un volumen. Estos parmetros estn relacionados con: Velocidad de propagacin: Se pondr a punto un algoritmo de desarrollo propio, para identificar los trenes de pulsos, determinar el inicio de cada tren, comparar el inicio de dos trenes y, a partir de una medicin precisa de tiempos y distancias, calcular la velocidad. Absorcin / Atenuacin: En nuestra implementacin se emplear el algoritmo de Ping He, que incluye en su frmula el coeficiente de transmisin (prdidas por cambio de impedancia acstica). Dispersin : Est previsto implementar el algoritmo propuesto por Ping He. Scattering : Se piensa aplicar el algoritmo de Ping He, para estimar el efecto de incorporar centros dispersores (pequeas esferas) al phantom.

1.4.2.4. Objetivo Especfico 4 Fabricacin de diversos phantoms adecuados a nuestra necesidad y que permitan disponer de un volumen adecuado para la caracterizacin del campo ultrasnico. Para ello se deber: Garantizar las condiciones de laboratorio que nos permitan evitar o reducir las perturbaciones debidas a condiciones ambientales que pudiesen entorpecer la experimentacin. Disear herramientas y accesorios que optimicen la fabricacin de phantoms, a fin de reducir efectos no deseados como la formacin de burbujas, falta de uniformidad en la distribucin de grafito y scatterings, etc. Determinar e incorporar productos antibacterianos y antimicticos al phantom, para as prolongar la vida til de los mismos. Controlar la temperatura en un recipiente de 20C a 490C para realizar la caracterizacin de los phantoms.

10

1.4.2.5. Objetivo Especfico 5 Desarrollar un mtodo ultrasnico para la estimacin precisa de la temperatura interna de manera no invasiva en un volumen de phantom o tejido in vitro. Ello implica: Medir alternativamente la temperatura dentro del phantom, como una referencia durante la caracterizacin, empleando un equipo de fibra ptica que tenga una exactitud mejor que 0.5 C y considerarlo como el referente con el cual evaluar el nuevo mtodo propuesto para la medicin de temperatura. Evaluar el mtodo propuesto en diferentes medios para validar su eficacia. Optimizar la configuracin experimental, la adquisicin y el procesamiento para depurar la seal eliminando factores tales como: ruido, efectos de banda ancha, problemas de acoplamiento acstico, impedancia elctrica de salida tarjeta Matec-Osciloscopio a 50 , discretizacin de muestreo, efecto de la ventana elegida sobre la seal, etc. En suma, se trata de aislar y detectar nicamente el efecto de la temperatura sobre las sucesivas seales de eco.

1.4.2.6. Objetivo Especfico 6 Elaboracin y validacin de protocolos de medicin para cada uno de los parmetros seleccionados. El propsito de este objetivo es el de disponer: - La forma metdica de introducir las condiciones de operacin, y de ejecutar automticamente todos los pasos necesarios en la medida o estimacin de cada parmetro acstico de inters en hipertermia. - Generar toda la documentacin necesaria para que la instalacin en su conjunto, opere como un laboratorio de medida e investigacin de sistemas de transductores para terapia generados en otras reas de los proyectos multinacionales de mbito iberoamericano PULSET y PETRA.

11

1.5. Organizacin de la Tesis A lo largo de esta memoria se describen todos lo recursos (tericos y tcnicos), que fueron necesarios para el desarrollo de este trabajo de tesis. - En el primer captulo se ha presentado una breve introduccin en la que se describe la complejidad del problema planteado y la conveniencia del planteamiento de esta tesis, y se han concretado el objetivo general de la tesis y los objetivos especficos. - En los captulos dos y tres se presentan los antecedentes y el estado del arte acerca de una recopilacin de los temas ms relevantes relacionados con la temtica de la tesis, haciendo un estudio crtico de las limitaciones y las ventajas de los trabajos realizados hasta la fecha en este campo de investigacin en relacin con la hipertermia. Se describen tambin los modelos tericos bsicos de los transductores piezoelctricos y la configuracin electrnica de los sistemas de excitacin en alta tensin, cuyo conocimiento resulta necesario para poder realizar la simulacin en entorno Pspice del comportamiento de un sistema ultrasnico de banda ancha. A partir de ello, se seleccionarn las vas ms prometedoras y menos invasivas. - En el captulo cuatro se detalla la propuesta de solucin para cada uno de los objetivos especficos del presente trabajo de tesis. Se describen las soluciones propuestas, los mtodos implementados para las simulaciones tericas y para las mediciones experimentales, la metodologa para la adquisicin y procesamiento de las seales, y los materiales y los equipamientos que sern usados en la tesis. Tambin se explican los distintos protocolos que fueron empleados para cada mtodo y proceso desarrollado. - En el captulo cinco, se presentan los distintos experimentos y pruebas de laboratorio y los anlisis por simulacin realizados, con una breve descripcin de los resultados obtenidos, incluyendo diversas mediciones de los parmetros acsticos de mayor inters, y ciertos anlisis paramtricos cuyos resultados se utilizaron para orientar el diseo del sistema pulser desarrollado. Se evala la eficiencia de la propuesta realizada en esta tesis para la medicin no invasiva de

12

temperaturas usando las respuestas ecogrficas en ensayo con pulsos ultrasnicos. Finalmente se presenta una breve discusin de los resultados obtenidos. - En el captulo seis se detallan las conclusiones de la tesis de acuerdo al objetivo planteado y a los resultados obtenidos. Adems, se comentan las perspectivas de posibles trabajos de investigacin, que pudieran ser planteados en el futuro a partir de las conclusiones aqu expuestas. Finalmente se resumen las principales aportaciones obtenidas en esta tesis.

13

CAPTULO 2 ASPECTOS BSICOS EN ULTRASONIDOS. ANTECEDENTES SOBRE MEDICIN EN TEJIDOS Y APLICACIONES EN HIPERTERMIA

Introduccin El principal objetivo de la presente tesis es el desarrollo de sistemas ultrasnicos que permitan medir con precisin distribuciones de los principales parmetros acsticos y trmicos que caracterizan el comportamiento de los Tejidos Equivalentes (Phantoms), empleados en laboratorio para investigar en Terapia por Ultrasonido. Ello resulta tambin de utilidad para evaluar los Sistemas de Transduccin en Hipertermia desarrollados en el marco del proyecto multilateral PULSETS, que se est desarrollando bajo financiacin CYTED por grupos de investigacin iberoamericanos de 6 pases; entre ellos se encuentra el laboratorio de Bioelectrnica del Dpto. de Ingeniera Elctrica del CINVESTAV. El conseguir resultados tendentes hacia dicho objetivo general, ha requerido abordar una investigacin de tipo multidisciplinar, por lo que en los captulos 2 y 3 analizaremos el estado actual y los logros previos en una serie de temticas cientficas complementarias y que estn involucradas en nuestro propsito. En este captulo nos centraremos concretamente en los aspectos ms bsicos del ultrasonido y su aplicacin en tratamientos de hipertermia. Cualquier intento de analizar los efectos teraputicos provocados mediante ultrasonidos requiere conocer los antecedentes y fundamentos de la generacin y propagacin de los mismos en un medio ( sus caractersticas fsicas, principalmente elsticas); en nuestro caso particular, los medios de propagacin sern tejidos biolgicos equivalentes. Dichos antecedentes sern revisados en la seccin 1 del capitulo. Para lograr las metas planteadas en esta tesis, requerimos adems obtener Phantoms que emulen lo mejor posible las propiedades del medio biolgico, en cuanto a la distribucin del campo acstico que se propaga en ellos, y que

14

tambin se comporte de forma similar en cuanto a los efectos trmicos que el campo generado por los transductores tenga sobre el mismo. La preparacin y evaluacin de phantoms adecuados supone disponer de ciertas tcnicas muy precisas para su caracterizacin acstica, esto es, poder medir al menos distribuciones de velocidad y absorcin ultrasnicas. Finalmente, en la seccin 2 del captulo se realiza una breve revisin de estado actual de las investigaciones relativas a aplicaciones ultrasnicas en hipertermia, con especial atencin a los efectos biolgicos de los ultrasonidos sobre los tejidos, y tambin resumiendo las principales caractersticas y limitaciones de los mtodos previamente reportados para la estimacin no invasiva de temperaturas en el interior de tejidos biolgicos y phantoms.

Seccin 1:

2.1. Algunos principios bsicos de los ultrasonidos en tejidos En esta seccin se presenta una descripcin acerca de fundamentos de los ultrasonidos, resaltando aquellos aspectos que se encuentran ms vinculados a la problemtica de la Tesis, a fin de ofrecer una panormica de las magnitudes que son necesarias conocer previamente, para comprender el significado de la distribucin espacial de ciertos parmetros acsticos en los tejidos equivalentes, lo que ayudar a elegir las fuentes ultrasnicas y condiciones de control ms efectivas a emplear en aplicaciones de terapia ultrasnica.

2.1.1 Propagacin ultrasnica en materiales viscoelsticos En principio, los medios donde se pueden propagar ondas mecnicas debern ser capaces de soportar deformaciones en su interior. Estas pueden ser del tipo de compresin o dilatacin en la direccin de propagacin y se observan en los tres estados bsicos de la materia, es decir, en slidos, lquidos y gases. Existen, en el caso de los slidos, otras deformaciones que son del tipo cizalladura y cuyas direcciones de vibracin y propagacin son perpendiculares. Esto aumenta las diferentes formas en que podemos observar el fenmeno de la propagacin de

15

ondas mecnicas. En todas estas deformaciones se puede asumir primeramente que cada punto del medio material se asemeja a un resorte, lo cual no es ms que plantearse la hiptesis de un modelo de elasticidad ideal, donde no existira el fenmeno de amortiguacin. En la prctica no existe un medio perfectamente elstico (o simplemente elstico). Ello nos indica que lo elstico no es ms que una idealizacin para una primera aproximacin al fenmeno fsico de propagacin de ondas. Muchos materiales, como el agua o los metales, pueden ser considerados de esta forma en determinados rangos de frecuencias. Matemticamente, la elasticidad se establece a travs de constantes elsticas para cada materia que permiten la caracterizacin de fenmenos estticos que se dan en diversas estructuras. La elasticidad determina cmo un medio permite la propagacin de ondas mecnicas en su interior. Incorporando la variable de viscoelasticidad al modelo de elasticidad, lo que es determinante en materiales como los plsticos y lquidos viscosos, se caracterizan en parte los fenmenos de disipacin. Es, por tanto, objetivo de este capitulo dar una panormica general del fenmeno de propagacin de ondas en estos medios y de los fenmenos de atenuacin y dispersin asociados a la misma. [1] 2.1.2 Propiedades acsticas de los tejidos Caracterizar con precisin las propiedades acsticas de los tejidos es crucial para la eleccin de las fuentes ultrasnicas ms efectivas para la hipertermia. Existen tres propiedades del ultrasonido que deben ser consideradas antes de especificar una fuente ultrasnica: 1. La atenuacin ultrasnica y la absorcin del haz ultrasnico 2. La velocidad de propagacin ultrasnica 3. La dispersin en velocidad de fase La atenuacin y la absorcin del haz a travs del tejido determinan la penetracin y el calentamiento local respectivamente. Las diferentes velocidades que se registran a travs de las distintas interfases de tejido, en la direccin en que el haz se propaga, se deben a la falta de acoplamiento en impedancias, lo cual puede producir serias reflexiones cercanas a las interfases. Entre una gran cantidad de informes publicados sobre los resultados de medicin de las propiedades

16

acsticas (ultrasnicas) de los tejidos, hemos seleccionado los datos de la Tabla 1 de valores. Un valor promedio para la velocidad ultrasnica en la mayora de los tejidos es 1540m/s; con valores para grasa (1480 m/s) y pulmn (600 1000 m/s. La velocidad en pulmn cambia notablemente con el grado de inflacin. La velocidad en hueso es considerablemente ms alta (1800 m/s - 3700 m/s, para ondas longitudinales, y 1940 m/s para las transversales de cizalladura) [2].
Tabla 1. Propiedades Acsticas del Tejido para 37 C y una Frecuencia de 1 MHz. [2] Impedancia Velocidad Acstica

Densidad Tejido

Absorcin

[kg / m 3 ]
1380 1810 1030 921 1040 1060 400 1070-1270 1200
b c

[m / s ]
1500 3700 1516- 1575 1400-1490 1564-1640 1540-1640 470-658 1508-1630 1498
a

[kg / m 2 / s ]
3.75 7.38*106 1.56 1.62*106 1.29 1.37*106 1.62 1.71*106 1.70 1.74*10 0.19 0.26*10 1.61 2.07*10 1.80*10
6 6 6 6

[neper / m] Kg /(m 2 s )

Hueso Cerebro Grasa Rin Hgado Pulmn Msculo Piel

a

1.2d-6.4e 3.3 2.3 3.2 7 2-11

para 23C, para 40C, temperatura no reportada, d de materia gris, e materia blanca.

En la mayora de los tejidos, la velocidad parece ser independiente de la frecuencia (a pesar de que exista una alta dispersin en el pulmn inflado), pero sta aumenta con los incrementos de temperatura (hasta alrededor de 50 C), con un coeficiente en el rango de 0.04 % 0.08 % por C [3-5]. En el caso de la grasa, la velocidad decrece con los incrementos de temperatura ( -0.2% hasta 0.5% por C). Por su parte, los coeficientes de temperatura para ondas longitudinales y transversales en hueso son negativos [6].

17

2.1.2.1 Absorcin y Atenuacin Acstica en tejidos La atenuacin se define como la cada en la amplitud de la seal y se expresa mediante un coeficiente cuyo valor depende de la amplitud, la distancia y el material. Este parmetro puede estar afectado experimentalmente por el patrn de radiacin de los transductores ultrasnicos, que corresponde a una atenuacin geomtrica que no deber confundirse con la resultante de los procesos viscoelsticos disipadores de energa en un cuerpo. La propagacin de la onda en los tejidos muestra una atenuacin de la energa ultrasnica conforme a una ley exponencial. La atenuacin del tejido blando est generalmente comprendida en el intervalo que va desde 0.5 dB/cm-MHz hasta 1 dB/cm-MHz [1]. Para un medio puramente elstico, la energa del campo ultrasnico es cintica o potencial, con la onda de presin en fase con la velocidad particular. Las fuerzas viscosas entre las partculas en movimiento en el medio real tienen un papel muy importante. Ellas resultan en un retardo entre la presin y la velocidad de la partcula, y consecuentemente en una prdida de energa durante cada ciclo. Los tejidos blandos tienen un coeficiente exponencial de atenuacin que es proporcional a la frecuencia. La absorcin en un medio visco-elstico dependera del cuadrado de la frecuencia [7].
Tabla 2. Valores medidos de coeficientes de atenuacin en diferentes tejidos. Valores tpicos para coeficientes de atenuacin ultrasnica Medio de Propagacin Aire Agua Grasa Sangre Hgado Rin Hueso Atenuacin [dB/cm] 12 f
2

0.0022 f 0.63 0.18 1.0 0.94 15

18

En el caso del coeficiente de absorcin en los tejidos, ha sido demostrado que se incrementa casi linealmente como funcin de la frecuencia, c = c1 ( f ) n , donde

c1 es el coeficiente de absorcin a 1 MHz y f es la frecuencia en MHz, los valores

de c1 y n dependen del tipo de tejido y n = (1 - 1.2) para tejidos blandos [9,10]. La absorcin y la atenuacin son aspectos de gran inters de cara al desarrollo de generadores ultrasnicos eficientes para el calentamiento de tejidos y a la modelacin de su comportamiento. La divergencia entre los valores medidos del coeficiente de absorcin, y los estimados por la teora clsica de la absorcin, muestra que existen mecanismos adicionales de absorcin. La absorcin clsica es el efecto principal en el proceso de calentamiento en terapia, pero otras fuentes de absorcin son tambin importantes por su influencia en la energa ultrasnica til sobre el blanco seleccionado. La atenuacin ultrasnica en tejidos corresponde a la suma de las perdidas debidas a la absorcin y al scattering. En el proceso de scattering, las discontinuidades elsticas dentro del tejido absorben la energa y entonces son reemitidas en una direccin de propagacin diferente. Cuando consideramos una onda plana de presin propagndose a travs de un medio atenuante, la amplitud de la presin est de acuerdo a la ecuacin:

p A ( x2 ) = p A ( x1 )e a ( x2 x1 )

( x2 x1 )

(2.1)

donde pA(x1) y pA(x2) son las amplitudes de la presin de la onda para la superficie (x1) y para la distancia x 2 dentro del medio; y a es el coeficiente de atenuacin. La amplitud de la onda ultrasnica cuando se propaga a travs del tejido decrece exponencialmente con la distancia recorrida. Es importante sealar cual es el mecanismo de atenuacin en un material. Si asumimos que excitamos un medio con un transductor de ondas planas dentro del material, entonces el coeficiente depender de los mecanismos de prdida acstica que existan en el mismo y que pueden tener un gran nmero de orgenes. En la prctica, los transductores presentan un patrn geomtrico de radiacin tal, que es una aproximacin burda considerarlos como productores de ondas planas. Por tanto el mecanismo de

19

atenuacin geomtrico no depender del material y podemos afirmar que se cumple la siguiente relacin

total = geometrico + material

(2.2)

El valor del coeficiente de atenuacin del material a (neper/m) rene contribuciones de los dos coeficientes de absorcin y de los centros dispersores(scattering).

a = abs + scat
La absorcin se produce por

(2.3)

la conversin de la energa acstica a energa

mecnica: esto es, un tipo de friccin, en la cual el movimiento de las partculas sufre un retardo por las fuerzas de la viscosidad en el medio. El calentamiento en el tejido est por consiguiente directamente relacionado con el coeficiente de absorcin abs. De acuerdo a [8], el coeficiente dominante es la absorcin ultrasnica para el caso de la propagacin a travs de tejido. El valor de este coeficiente de absorcin para tejido es tpicamente 3 neper/m/MHz. El coeficiente de absorcin se incrementa con la frecuencia de acuerdo a: =0fm , donde 0es el coeficiente de absorcin por MHz y f es la frecuencia en MHz. El valor de m es dependiente del tipo de tejido [8], pero es tpicamente de 1.0 1.3 para tejidos normales, pero para otros casos, como el hueso, m 2. Como valores indicativos en tejidos, la atenuacin en hueso (150-350 neper/m para onda longitudinal, 1 MHz) es bastante ms alta para ondas de cizalladura (104 5x105) neper/m a 1 MHz; y para pulmn es (430 480 neper/m a 1 MHz). Se ha encontrado que la atenuacin en algunos tejidos tumorales es ms alta que en el tejido normal [2]. En general, la atenuacin es dependiente de la temperatura, pero en muchos tejidos tiene aparentemente un cambio muy pequeo (para f 1MHz) en el rango de temperaturas relativo a la hipertermia.

2.1.2.2 Distintos conceptos de velocidad en la onda ultrasnica La velocidad con que se desplaza un punto de fase constante se define como velocidad de fase y viene dado por la conocida expresin [12,13]:

20

C=

= f

(2.4)

Es de destacar que C a su vez puede variar segn cambien los valores de y k, lo que se conoce como el fenmeno de dispersin, el cual detallaremos ms adelante. Existe otro tipo de velocidad asociada al movimiento ondulatorio y es la velocidad de grupo la cual se define de la siguiente forma [11,12]:

Cg =

(2.5)

Es evidente que si C es constante con la frecuencia (caso no dispersivo), ambas velocidades sern iguales entre s. Una tercera velocidad, vinculada a la propagacin de ondas, se nos presenta para el caso particular de los pulsos y corresponde a la rapidez con que se desplaza el comienzo de un pulso y se conoce como velocidad de la seal, aunque se presenta tambin con otras denominaciones [13]. Los materiales viscoelsticos, que son dispersivos intrnsecamente, presentarn valores de velocidades diferentes entre s, segn sea el caso.

2.1.3 Algunos tipos de ondas mecnicas y de medios de propagacin Para estudiar las ondas mecnicas se puede realizar una clasificacin que va de lo simple a lo complejo, atendiendo a la forma que tiene el medio de propagacin. Existen tres grupos de formas generales de estos medios para el caso general de un slido, que son [11]: 1. Medio infinito 2. Semiespacio 3. Guas de ondas Para estos medios se suele plantear inicialmente un estudio de propagacin armnica, es decir, aquella que, aparte de ser caracterizada por una funcin del tipo seno y de tener una sola frecuencia (banda estrecha), presenta la propiedad de no tener principio ni fin. Esto es un detalle muy importante ya que en la prctica, por ejemplo para deteccin y caracterizacin ultrasnica, se usan con mucha frecuencia pulsos de seal con duracin finita, que agregan caractersticas 21

cualitativas importantes al fenmeno de propagacin. Estudiar la propagacin de esta forma implica la resolucin de una ecuacin de onda que se obtiene de conjugar la segunda ley de Newton de la mecnica y la denominada ley de Hooke, que no es ms que una relacin lineal entre el esfuerzo y la deformacin, que se puede expresar matemticamente a travs de matrices formadas por constantes elsticas [12]. La principal caracterstica fsica es que los distintos tipos de ondas se propagan, a determinadas velocidades de fase y a partir de estas constantes elsticas que se presentan, por ejemplo, en dos formas simtrica y antisimtrica, para el caso de placas (tambin conocidas como ondas de Lamb [11,12]). Por su parte, el caso de las barras es similar al modo simtrico.

2.1.3.1 Caso de un medio viscoelstico. A partir de la medicin de velocidad en un medio real, se pueden determinar algunas de sus propiedades, a travs de los coeficientes elsticos de ese medio material, y de esa forma analizar cualquier posible cambio que pueda darse por agentes externos, como por ejemplo la temperatura, etc. Sin embargo, para poder entrar en estos detalles de anlisis es necesario primero estudiar el medio con un modelo ms complejo que el que corresponde al caso elstico, como es el modelo viscoelstico. Formalmente, la elasticidad asume que no existe flujo del material, lo cual si est presente en los fluidos. Las propiedades mecnicas de un cuerpo pueden explicarse por una combinacin de propiedades puramente elsticas y otras propiedades de fluidos viscosos. Durante varios aos, los modelos de viscoelasticidad han combinado estos efectos de diferentes formas y se destacan los modelos de Maxwell, Voigt y Slido Elstico Lineal [14]. Cada uno de ellos, con su rango de aplicacin segn el material y forma de propagacin, representa una combinacin de muelles y amortiguadores en forma serie o paralelo. Los modelos estudiados en la literatura nos conducen a una Ley de Hooke algo diferente, donde el esfuerzo y la deformacin no estn acoplados por un simple modelo lineal, sino que dependern de variaciones respecto a tiempo de los mismos. De esta forma,

22

existir un fenmeno de relajacin en el cual un material, despus de soportar una deformacin instantnea, se acomoda mediante mecanismos de flujo a una nueva situacin de equilibrio mecnico. Matemticamente hay varias formas de estudiar la viscoelasticidad y su efecto en la propagacin de ondas. Puede trabajarse en el dominio del tiempo o en el de la frecuencia, en este ltimo caso usando constantes viscoelsticas que dependern de la frecuencia y la temperatura y que son magnitudes complejas donde la parte real est asociada a la velocidad de propagacin y la parte imaginaria depende de la atenuacin. Como este fenmeno es funcin de la frecuencia, tanto la velocidad como la atenuacin tambin lo harn, lo cual se conoce como dispersin viscoelstica, para diferenciarla de la dispersin geomtrica antes mencionada. Durante los ltimos aos se han desarrollado teoras que relacionan la dispersin de velocidad con la atenuacin a partir de considerar solamente propiedades de sistemas lineales, as como el principio de causalidad. De esta forma una determina a la otra [15,16].

2.1.3.2 Condiciones de frontera en la propagacin Como sucede con otros tipos de ondas, cuando una onda acstica encuentra una interfase entre dos medios distintos, cierta parte de la energa es reflejada en el sentido opuesto al que se propagaba. Tambin, s el haz pasa de un medio a otro cuya velocidad acstica es diferente, el haz puede ser refractado en otra direccin. Ambos conceptos son similares e importantes para entender la complejidad (fortaleza y debilidad) del fenmeno de calentamiento por va ultrasnica. La amplitud de estas reflexiones en la interfase entre dos medios puede ser calculada a partir de las caractersticas de impedancia acstica.

2.1.4 Phantoms ultrasnicos como tejidos equivalentes Existen muchos factores no ideales que pueden influenciar una evaluacin terica precisa del campo ultrasnico realmente producido por un transductor o aplicador ultrasnico (un montaje no uniforme de la serie, la sujecin y adhesin del elemento piezoelctrico, las conexiones de los electrodos, etc.). Esto supone

23

ciertas dificultades en los clculos para predecir las caractersticas de los haces radiados en la prctica. Por ello resulta necesaria, casi siempre, una medicin experimental precisa del campo acstico, para su correcta evaluacin.
Tabla 3. Composicin de algunos phantoms usados en Ultrasonido Velocidad [m/s] 1520 1650 / n propanol Agar/ n propanol / agua/ grafito Gelatina + Tejido del Pechoc 34% (vol/vol) aceite de oliva+ 3% (vol/vol) n propanol + 0.11 mg/cm3 scattererers Gelatina + 25% (vol/vol) aceite de oliva+ Grasa
c

Atenuacin [dB/cm/MHzn] 0.2 1.5 N

Tejido Equivalente

Ingredientes Gelatina / grafito en polvo

Varios tejidos blandosa Varios tejidos blandos

b

1489 - >1600

0.04 - 1.4

1519

0.8

1.01

25% (vol/vol) queroseno + 2.2% (vol/vol) n- propanol + 0.065 mg/cm3 scatterers Gelatina+ 13.6%(vol/vol)

1459

0.42

1.02

Hgadoc

aceite de castor + 20.4%(vol/vol) aceite de oliva + 8.8%(vol/vol)n propanol Gelatina gel alginato + scatterers

1539

0.51

1.03

Varios Tejidosd
a

1519

0.12 0.5

Madsen et al(1978)(para 22 - 25C), b Burlew et al (1980)(para 22C), c Madsen et al (1982) (para 22C) y d Bus y Hill (1983) (para 20 22C)

En general, entindase como phantoms para ultrasonido, los cuerpos de prueba utilizados para imitar el tejido humano, posibilitando as el estudio de la interaccin del tejido con el haz de ultrasonido. En los phantoms encontrados comercialmente, 24

la velocidad de propagacin de la onda (VPO) es considerada constante, alrededor de 1,540 m/s. En el cuerpo humano, la VPO vara segn el tipo de tejido, dentro del intrvalo entre 1,450 m/s y 1,650 m/s. Phantoms con diferentes VPO proporcionaran informaciones adicionales, sobre el comportamiento del ultrasonido, a aquellas proporcionadas por los phantoms convencionales. La intensidad local se puede hallar a travs de la presin acstica en el medio, que puede ser medida utilizando un hidrfono de banda ancha, o bien puede medirse directamente utilizando un mtodo de transitorios trmicos (termistor recubierto con material absorbente de ultrasonido)[17]. El agua sin gas puede ser utilizada generalmente como un phantom (c=1480 m/s, abs=0.0025 f neper/m para T=20C, con f en MHz). A travs de la medicin de perfiles, y algunos ajustes matemticos, se puede estimar la atenuacin presente en el tejido. Alternativamente, las distribuciones del SAR (tasa de absorcin especifica ) pueden ser determinadas en materiales con absorcin similar a la de los tejidos [2,10].
2

Seccin 2:

2. 2. Generalidades sobre Hipertermia Ultrasnica y aspectos asociados. El uso de los ultrasonidos en el campo de la medicina estuvo en sus inicios grandemente confinado a sus aplicaciones en terapia ms que en el diagnstico, utilizando sus efectos de calentamiento y de disrupcin en tejidos animales. La capacidad de los ultrasonidos de alta intensidad fue reconocida ya durante la dcada de los aos 1920-30, en los tiempos de Langevin, cuando se detect la destruccin de bancos de peces en el mar y la induccin de dolor en la mano cuando se situaba en un tanque de agua irradiado con ultrasonido de alta intensidad; adems de los trabajos de Robert Wood y Alfred Loomis en Nueva York a finales de la misma dcada. En los aos 40, los ultrasonidos fueron evolucionando hacia una herramienta neuro-quirrgica. Willian Fry en la Universidad de Illinois y Russell Meyers en la Universidad de Iowa efectuaron craneotomas y usaron ultrasonidos para destruir

25

parcialmente los ganglios basales en pacientes con Parkinson. El ultrasonido fue tambin usado extensamente en terapia fsica y de rehabilitacin. As, Jerome Gersten, en la Universidad de Colorado, reporta en 1953 el uso de ultrasonidos en el tratamiento de pacientes con artritis reumatoide. Esto es, en sus comienzos en el campo de la medicina, la ultrasnica estuvo orientada a las aplicaciones en terapia mas que en diagnstico, usando sus efectos de calentamiento y disociacin en los tejidos biolgicos.

2.2.1 Efectos Biolgicos de los Ultrasonidos Los ultrasonidos son capaces de producir al menos tres efectos biolgicos bsicos: Efecto trmico: Resulta de la deposicin de la energa de la onda ultrasnica al medio de propagacin, como resultado de la absorcin caracterstica del tejido donde se transforma en energa trmica (calor). La mayora de las aplicaciones teraputicas utilizadas descansan en este efecto. Ejemplos de ellas son la ultrasonoterapia (diatermia), la hipertermia y la ciruga ultrasnica (HIFU).

Efectos mecnicos: Es producido por las variaciones de la presin causadas por la transmisin de las ondas ultrasnicas al interior del medio de propagacin. La cavitacin es un fenmeno por efecto del cual, durante el tratamiento con ultrasonidos, se pueden llegar a formar burbujas de gas en los tejidos. La cavitacin no resulta peligrosa para los tejidos si las burbujas oscilan establemente. Si estas oscilaciones de las burbujas tienen carcter transitorio, la cavitacin resulta perjudicial para los tejidos, por cuanto las burbujas crecen y colapsan rpidamente causando un aumento sensible de la temperatura. Generalmente se menciona este fenmeno como el ms significativo, aunque debe sealarse que, aun por debajo del umbral de cavitacin, aparecen fenmenos de microflujos del medio provocados por las diferencias de presiones

26

durante la propagacin de la onda. Este efecto es frecuentemente llamado micromasaje". El efecto de micromasaje debido al ultrasonido se produce a nivel celular, comprimiendo y volviendo a separar las clulas sucesivamente. Parece influir sobre los fluidos intercelulares, reduciendo tantos los edemas simples como los edemas crnicos endurecidos.

Efectos qumicos: El efecto producido por la onda ultrasnica de favorecer el flujo unidireccional de los componentes celulares, especialmente a nivel de las membranas celulares, produce modificaciones en la velocidad de la sntesis proteica y podra desempear un papel importante como estimulador en la reparacin de tejidos. Se ha podido conseguir en el laboratorio [7], con altas intensidades de ultrasonido, la des-polimerizacin de protenas y polisacridos, e incluso la fragmentacin del cido desoxirribonuclico (DNA). Los ultrasonidos producen un efecto antilgico. Aunque este puede atribuirse al efecto trmico conseguido con una onda continua, la eliminacin del dolor puede lograrse tambin con una emisin pulsada de bajo efecto trmico. El mecanismo analgsico podra ser un efecto de la estimulacin de los mecano-receptores tisulares, los cuales actuaran modulando las aferencias dolorosas.

2.2.1.1 Aplicaciones Teraputicas. Sobre la base de los efectos que el ultrasonido provoca en el medio biolgico, han sido utilizados ampliamente, a lo largo de la historia de la medicina, con propsitos teraputicos. Pueden distinguirse dos categoras importantes:

Terapia constructiva Terapia destructiva.

La terapia constructiva es usada para diferentes lesiones y dolencias sin destruir el medio biolgico involucrado. El ejemplo ms significativo es el de la diatermia (tambin llamada ultrasonoterapia),

27

La terapia destructiva tiene el propsito de destruir ciertos blancos concretos dentro de tejidos biolgicos. En este tipo se incluyen la litotripsia ultrasnica (destruccin de clculos), la hipertermia y la ciruga ultrasnica.

2.2.2 Breve revisin acerca del estado del arte en hipertermia ultrasnica

2.2.2.1. Perspectiva general. Como consideracin general, se ha prestado una escasa atencin al anlisis riguroso de las condiciones reales de radiacin en aplicaciones ultrasnicas de terapia. Por ejemplo, en lo que atae a los transductores convencionales de banda estrecha utilizados actualmente para aplicaciones de diatermia e hipertermia, se puede decir que presentan ciertas limitaciones para la deposicin precisa y uniforme de energa en el objetivo o blanco designado. Adems, estos aplicadores teraputicos pueden radiar energa ultrasnica fuera de la zona de tratamiento prevista, sobre tejidos sanos, como hemos constatado en algunas de nuestras mediciones [20] Las tendencias actuales en la investigacin sobre la aplicacin de ultrasonidos en terapia (diatermia, hipertermia y ciruga ultrasnica) plantean la necesidad de desarrollar nuevos procedimientos y tecnologas, por ejemplo: nuevos aplicadores ultrasnicos especficos; mtodos electrnicos mejorados para excitacin piezoelctrica eficiente con controles a travs de PC; procedimientos para analizar en detalle la evolucin temporal de los patrones acsticos de radiacin; desarrollo de mtodos y herramientas para deteccin y anlisis experimental riguroso de efectos termomecnicos en los tejidos artificiales equivalentes. Estos planteamientos suponen la necesidad de adecuar nuevas tcnicas a fin de analizar con precisin la propagacin ultrasnica en medios no homogneos y atenuantes, as como para identificacin y optimizacin de sistemas ultrasnicos, para el procesamiento digital de seales pulsadas inmersas en ruido, etc. Las evidencias acumuladas hasta ahora demuestran un bajo riesgo para el paciente con las tcnicas de ultrasonido empleadas para calentamiento localizado. Sin embargo, los tratamientos de hipertermia por ultrasonido requeriran, para

28

garantizar su eficacia, de nuevas herramientas precisas de control de la elevacin de la temperatura en cada punto espacial irradiado. Resultados preliminares recientes de varios grupos de investigacin, encaminados a estimar distribuciones de temperatura en tejidos equivalentes a travs de mtodos no invasivos, sugieren el uso de Resonancia Magntica, o bien de Tomografa por impedancia, o de Radiometra por microondas, o finalmente por anlisis de efectos de dispersin espacial (scattering) de pulsos de banda ancha mediante tcnicas de inspeccin ultrasnica. Cada una de estas tcnicas tiene sus ventajas particulares y sus limitaciones, pero los mtodos basados en inspecciones ultrasnicas de banda ancha parecen ser los ms prometedores para estimar temperatura en el interior de los tejidos, aunque an estn en fase preliminar de experimentacin en laboratorio y adems suelen consistir generalmente en esquemas de tipo monocanal. Las mayores ventajas comparativas del uso del ultrasonido, adems de su carcter no invasivo, son: -Su relativo bajo costo. -La adquisicin y procesamiento de datos en tiempo real. -La alta profundidad de penetracin dentro del cuerpo -La buena resolucin potencial, espacial y temporal, del anlisis. -Compatibilidad con la tecnologa ultrasnica empleada para la terapia. Medir as la temperatura durante el calentamiento ultrasnico de una muestra (empleando tambin ultrasonidos), requiere adems de nuevos desarrollos en los aplicadores, particularmente cuando se necesiten transductores focalizados. Una medicin ultrasnica dinmica y precisa de los cambios de temperatura dentro de los tejidos, de manera no invasiva, sera un logro muy necesario y de gran importancia en la evaluacin de los dispositivos y mtodos que generan el efecto de hipertermia empleando ultrasonido, y tambin con otros orgenes. De entre las diferentes tcnicas de ultrasonido, que sugieren distintos mtodos de tipo monocanal para estimar los cambios de temperatura, se encuentran:

29

- El anlisis en frecuencia, de la cul dependen la atenuacin, la potencia dispersada que regresa al transductor (ecos) y la velocidad del sonido. Aqu tambin influye la expansin trmica [8]. - Ebbini y otros autores propusieron el uso de un sistema de adquisicin de imgenes ecogrficas B-Scan, para realizar mediciones de temperatura, debido a que la velocidad del sonido en un material es funcin de la temperatura. - Autores como Ralf Seip, Emad S Ebbini [30] proponen la necesidad de determinar los efectos de atenuacin del medio y los efectos de difraccin ocasionados por el transductor de diagnstico, en la estimacin de cambios de temperatura y desplazamientos de frecuencia, debido a que estos efectos eran ignorados durante los anlisis publicados. - En lo relativo a nuevos tejidos equivalentes, autores como P.J. Benkeser, [31] mencionan la necesidad de crear un phantom con efecto de perfusin, debido a que ello juega un papel importante en la distribucin de temperatura en el tejido calentado. En cuanto a los transductores ultrasnicos empleados en hipertermia, se requieren anlisis ms precisos respecto a su capacidad real de calentamiento y a la presin radiada.

2.2.2.2 Estado actual de la medicin no invasiva de temperatura en tejidos Han sido empleados diferentes mtodos para determinar la distribucin de temperatura al interior de un material biolgico. La tabla 4 resume estas tcnicas. La mayor parte de ellas son activas, es decir, el medio es excitado y de la informacin recibida se obtiene algunos parmetros que varan con la temperatura. Entre las formas de excitar al sistema tenemos las microondas, el ultrasonido, la RMN (Resonancia Magntica Nuclear), la TC (Tomografa Computerizada) y la impedanciometra. La utilizacin del ultrasonido para realizar una estimacin no invasiva de temperatura, es uno de los mtodos ms prometedores hoy da y que se encuentra en fase de investigacin, por lo que uno de los principales objetivos de esta tesis lo habamos focalizado en la obtencin de alguna aportacin en ese

30

terreno. Algunas de las ventajas de utilizar ultrasonidos en termometra son: procesamiento y registro de las seales en tiempo real, alta penetracin en el tejido, buena localizacin espacial y temporal, existencia de contacto entre el mdico y el paciente (lo cual le ayuda psicolgicamente), inexistencia de interacciones no deseadas entre la parte de diagnstico y la parte de terapia, compatibilidad con todos los sistemas actuales de terapia, y finalmente, costo relativamente bajo con respecto a otras tcnicas como la RMN y la TC.
Tabla 4. Sistemas no invasivos para la determinacin de temperatura al interior de un material biolgico. Principio de operacin Microondas Activo TC de Transmisin Tomografa de difraccin Ultrasonido TC de Transmisin Distancia entre scatters Velocidad y expansin trmica Atenuacin de la onda Resonancia Magntica Nuclear Magnetizacin Spin -Tiempos de relajacin Difusin Desplazamiento qumico TC-X Propiedades dielctricas
i

Pasivo Radiometra Radiometra

Absorcin Impedancia elctrica

Los primeros reportes que tenemos de intentos por estimar temperaturas de forma no invasiva empleando ultrasonidos en materiales biolgicos, datan de 1988 cuando Singh [32] plantea la posibilidad de medir la temperatura de un material biolgico utilizando los cambios de velocidad del ultrasonido con respecto a la temperatura. Posteriormente, en 1989, Yaoussef y su equipo [33], presentan un mtodo no invasivo para medir temperatura mediante lo que llaman parmetros de textura del ultrasonido. Los parmetros utilizados en su estudio fueron: nivel de grises, Runlength, Suma sectorial, Correlacin de la matriz de concurrencia. Yaousser emple un termistor para la medida de temperatura en la regin de inters en cerdos recin nacidos. La resolucin obtenida fue de 2.5 C. Para 1990,

31

Singh [34], estudi el cambio de las propiedades ultrasnicas en un volumen de distintos tejidos y materiales biolgicos en funcin de la temperatura, en especial la velocidad del ultrasonido. Entre los materiales estudiados por Singh se encontraban: agua destilada, solucin salina al 10%, solucin de formaldehdo, castor oil, glicerina, y gel para ultrasonido (todos estos materiales son utilizados como medio de acoplamiento en ultrasonido para tejido blando). En cuanto a tejidos, Singh presenta los resultados obtenidos con hgado, sangre, crnea, etc. La calibracin se realiz con materiales estndar, como el aluminio, acero, latn, agua destilada, etc. Singh presenta los cambios de velocidad ultrasnica al variar la temperatura en diferentes medios incluyendo algunos tejidos, sin embargo, al igual que otros autores, mide la temperatura en un volumen y no se obtiene una distribucin de temperatura, y no es sino hasta 1994 que surgen nuevos mtodos para estimar la distribucin de temperaturas al interior de materiales biolgicos, y que sern presentados ms adelante en este capitulo. Entre las aproximaciones que se han propuesto para la estimacin de la distribucin de temperatura, utilizando ultrasonidos, se tienen: el anlisis de: la atenuacin dependiente de la frecuencia [35], la potencia de backscattering [36], y finalmente, la estimacin del espaciamiento promedio de scatters, y cambios en la velocidad del sonido y expansin trmica. Algunos de los mtodos propuestos se basan en el tiempo de vuelo y son conocidos como mtodos velocimtricos. Esos mtodos basados en el tiempo de vuelo resultan poco prcticos por las siguientes razones: - Dependen de la presencia de dos o ms reflectores estacionarios en el tejido lo cual no es fcil de encontrar en la prctica clnica. - La resolucin de estos mtodos es baja ya que, aunque dos reflectores estacionarios estuvieran presentes en el tejido, la temperatura estimada sera el promedio de la temperatura real y de la variacin en la velocidad del sonido entre los reflectores. - Los mtodos de tiempo de vuelo son ms fcilmente implementados en modo de transmisin, lo cual no es siempre posible en la prctica clnica.

32

Los mtodos de estimacin del espaciamiento promedio de los scatters utilizan ultrasonido pulso-eco y son fcilmente implementados, pero difciles de calibrar.

2.2.2.2.1 Detalles sobre los mtodos de estimacin no invasiva de la distribucin de temperaturas empleando ultrasonidos. En 1993, Seip propone la utilizacin de un sistema no invasivo de medida para el monitoreo de temperatura y de formacin de lesiones (tamao y localizacin), que puede servir en los sistemas de potencia HIFU para ciruga [38]. Otro mtodo propuesto por Seip [37] es el que utiliza la Entropa de Shannon, el cual sigue los cambios de temperatura siempre y cuando los cambios en el medio sean reversibles. La tcnica de la Entropa de Shannon asume que el eco de una lnea A-Scan es un mensaje que puede ser cuantificado en n bits. En 1994, Seip [39] menciona por primera vez la utilizacin de la informacin contenida en las seales ultrasnicas de diagnstico, en especial la distancia promedio entre scatters; sin embargo esta tcnica no la explica en detalle hasta 1995[40]. Esta aproximacin se basa en el modelo de scattering discreto utilizado en la literatura para caracterizacin de tejidos, y en la observacin de que la mayora de los tejidos son redes de scattters cuasi-regulares. Se ha demostrado que el espectro de seal RF bakcscattered recibida por un transductor ultrasnico de diagnstico, desde una muestra de tejido cuasi-regular, exhibe resonancias a frecuencias determinadas por el espaciamiento promedio entre scatters en un segmento de lnea A-Scan. Ha sido mostrado tericamente y demostrado experimentalmente que estas resonancias cambian con las variaciones de la temperatura tisular. De hecho, los cambios en la resonancia son proporcionalmente lineales a los cambios de temperatura. La constante de proporcionalidad puede determinarse por los cambios en la velocidad del sonido debidos a la temperatura y al coeficiente lineal de expansin trmica del tejido. Los mtodos autorregresivos pueden ayudar a la estimacin de estos cambios de frecuencia. El mtodo se basa en la medicin de los desplazamientos locales de frecuencias concretas en el espectro de los datos de la lnea A-Scan reflejada (pulso-eco).

33

El mismo autor, Seip, propone en [41] otro mtodo que mide cambios de temperatura espacio-temporales en tiempo real, evaluados no invasivamente, utilizando ultrasonido de diagnstico. El mtodo se basa en la relacin lineal entre los desplazamientos aparentes de los patrones de los ecos del tejido y la temperatura. La constante de proporcionalidad entre el desplazamiento del eco y la temperatura es determinado por el cambio local en la velocidad del sonido debido a la temperatura y el coeficiente lineal de expansin trmico del material. Una estimacin exacta de los desplazamientos y la constante de proporcionalidad lleva a mediciones de alta resolucin (espacialmente de 1 mm y del orden de sub C, trmicamente). Como medida patrn debe encontrarse una segunda va de estimacin de temperatura que debe ser cuantitativa y poco invasiva, lo que es difcil de lograr en clnica, por lo que Seip et al. [41] proponen el uso de unos cuantos termopares para propsitos de calibracin. En este mtodo, el trmino de proporcionalidad Kmaterial depende del material y es estimado, ya sea mediante mtodos de caracterizacin de tejidos, o bien es calculado de las medidas de los termopares posicionados dentro de la muestra durante el tratamiento. Para el buen funcionamiento del sistema es necesario un algoritmo de seguimiento del desplazamiento, capaz de estimar desplazamientos de los ecos del orden unas cuantas micras. Este punto es crtico ya que, para medir la temperatura, el proceso es acumulativo y por lo tanto lo es tambin el error. El algoritmo empleado por Seip [41] se basa en un mtodo de correlacin cruzada descrito por Hein en 1988 [97]

Figura.2.1. Representacin esquemtica del rastreador de desplazamiento propuesto por [41].

El mtodo Seip [41] tiene una limitacin, que fue reportada por primera vez por Le

34

Floch en [43]. Se trata del efecto de lente trmica, producido en los casos reales de calentamiento de tejidos, y que puede alterar las mediciones ultrasnicas para la estimacin de temperatura. Los resultados presentados por Le Floch [43] muestran que detrs de la regin calentada existe una zona con alteraciones. Esos efectos parecen estar relacionados con distorsiones en el haz ultrasnico de medida, debidos a la temperatura. Los resultados muestran que la seal no slo se retrasa (cambio de velocidad del sonido en el medio) sino que adems sufre grandes distorsiones. Por esto, es necesario corregir este error para una mejor estimacin de la temperatura del medio. En 1997, Simon et al. [44], presentan un anlisis de un algoritmo cuantitativo, bidimensional, no invasivo y en tiempo real, para estimacin de temperatura, basado en ultrasonido RF de diagnstico y usando el mtodo presentado por Seip [41], y muestra adems los resultados obtenidos de la utilizacin de filtros para disminuir el efecto de la lente trmica. Simon vuelve a presentar un estudio, mas a fondo, sobre este efecto en 1998 [8]. En este estudio emplea las tcnicas de Seip [40,41] para la estimacin de temperatura, y realiza filtrados bidimensionales FIR que obtienen una diferencia espacial en banda limitada a lo largo de la direccin axial y un filtrado pasa-bajas a lo largo de la direccin lateral. Estos filtros controlan la compensacin entre la resolucin espacial y el nivel de rizado en los datos estimados de temperatura. Utilizan la transformada Hilbert FIR (FIR, Impulse Response Filter) y el algoritmo Remez para el diseo de sus filtros. Wang [45], basndose en la teora de descomposicin de un grupo de ondas [46], utiliza un mtodo de segmentacin del diagrama tiempo frecuencia de la Funcin de Distribucin de Wigner (WDF, por sus siglas: Wigner Distribution Function), para extraer los componentes espectrales de los pulsos reflejados en el medio de inters, los cuales estn relacionados a las diferencias de velocidad del sonido entre capas adyacentes que dependen de la distribucin de temperatura del medio a medir. Los errores obtenidos son menores a 0.5 C. Los ecos provenientes del tumor, los cuales han sido radiados por pulsos ultrasnicos de ensayo siempre regresan informacin relacionada con la distribucin de la velocidad del sonido en el medio. En circunstancias reales, los

35

ecos no vienen slo del tumor sino tambin de otras interfaces como la piel y la superficie del hueso; estas seales se suman y se presentan como un todo. Para extraer los componentes tiles se utiliza la tcnica de descomposicin de un grupo de ondas. Posteriormente, se adopta la WDF para una seal de energa finita X(t). Se obtiene de la transformada de Fourier de la funcin de correlacin, y puede expresarse en trminos del diagrama de tiempo frecuencia. Entonces, las caractersticas de distribucin de energa de la seal pueden desplegarse y la descomposicin puede realizarse con el diagrama tiempo frecuencia. La representacin tiempo frecuencia de la WDF en un sistema de coordenadas rectangulares es una grfica slida. El volumen bajo la distribucin Wigner es igual a la energa de la seal. La proyeccin de WDF en un plano inferior forma un mapa de contorno; ste es el diagrama de la WDF. Si la seal est compuesta de muchos componentes de carcter fsico diferente, entonces, en el diagrama tiempo-frecuencia de la WDF, el grupo de curvas correspondientes a un cierto grupo de ondas siempre se concentra en una posicin especial. Es conveniente entonces tomar slo los componentes tiles de la seal. Para utilizar esta tcnica es necesario que se cumpla lo siguiente: La WDF de la seal debe poder reconstruirse sin distorsin, para que as los componentes descompuestos puedan recuperarse a su forma original. Los efectos de los trminos cruzados no relacionados (uncorrelated cross terms) de la transformada bilineal del algoritmo WDF pueden suprimirse. As, los efectos del rizado, de trazos falsos y de ruido pueden suprimirse. Maass-Moreno [47] propone una estimacin no invasiva de la temperatura mediante la medicin de los desplazamientos temporales de los ecos. Los desplazamientos en el tiempo, o retardos de los ecos provenientes de un volumen calentado de tejido, se correlacionan bien con los cambios de temperatura. Los cambios en el tiempo de trnsito entre ecos registrado a diferentes temperaturas fueron estimados, utilizando tcnicas de correlacin cruzada. La relacin del retardo versus la temperatura se ajust a una ecuacin lineal con coeficientes altamente reproducibles. Los resultados confirman que para incrementos de temperatura espacial pico de 10 C, los cambios de velocidad dependientes de la

36

temperatura son el factor ms importante que determina el retardo observado, y una aproximacin lineal puede llevar a una estimacin precisa de la temperatura. Los fenmenos no lineales que ocurren durante la radiacin de alta intensidad no tienen efecto significativo en el retardo medido. Sin embargo, para intensidades muy altas, en las que se produce necrosis del tejido, esta relacin deja de ser lineal, por lo que el autor propone que este mtodo adems de medir la temperatura de manera no invasiva, puede servir para determinar si existe necrosis del tejido. Las simulaciones hechas por Maass-Moreno sugeran que los cambios debidos a la expansin trmica lineal son considerablemente menores que aquellos debidos a los cambios en velocidad; sin embargo, experimentalmente, su efecto en el retardo mostr ser una funcin creciente de la distancia con respecto al centro geomtrico de la expansin. Esto puede producir errores en la medida. Adems de este problema, se presenta el problema del movimiento como fuente de ruido en las mediciones in vivo. El mismo autor, en [47], reporta resultados obtenidos in vivo, donde el movimiento y la perfusin tienen un efecto adicional en los retardos medidos. Utiliz la misma tcnica de 1996.

2.2.2.2.2 Utilizacin de la TC ultrasnica para estimacin no invasiva de la distribucin de temperatura Wang et al. [45], proponen utilizar la Tomografa Ultrasnica Computerizada (TUC) para obtener la temperatura al interior de un volumen. El mtodo se basa en la medicin de la velocidad del ultrasonido mediante el uso de transductores emisores y receptores alrededor del objeto a medir. Posteriormente, mediante tcnicas de reconstruccin de imagen, como la difraccin de ultrasonidos y los algoritmos de retroproyeccin y convolucin, obtienen imgenes relacionadas con la temperatura. Los errores que mencionan estos autores son de 0.25 C, y el tiempo de reconstruccin de la imagen es menor a 2 segundos. Nawata [49] realiz mediciones de temperatura no invasiva utilizando TUC. El mtodo se basa en obtener la distribucin de la velocidad del sonido dentro del objeto de estudio, midiendo el tiempo de llegada de una onda ultrasnica. Se hace

37

esta medicin antes y despus del calentamiento sabiendo que esta caracterstica vara segn la temperatura. Nawata presenta tres algoritmos para la reconstruccin de la imagen: el mtodo de retroproyeccin de la imagen, el mtodo de la transformada de Fourier y el mtodo iterativo. Las ecuaciones para calcular la temperatura, en base a los cambios de velocidad, lo toma de Greenspan y Tschieg [50]. El prototipo presentado por Nawata est limitado a medir en estructuras de tejido blando (como por ejemplo mama), ya que al introducir elementos densos en la muestra, como podra ser el hueso, se producen partes faltantes (vacos) en la imagen.

2.2.2.2.3 Avances Recientes en la estimacin de la distribucin de temperatura empleando ultrasonidos -Utilizacin de imagen compuesta para reduccin del efecto de la lente trmica. Pernot [51], propone una estimacin de temperatura usando imagen espacial compuesta, mtodo que haba sido desarrollado para reducir el speckle de textura en imgenes ecogrficas y que ha sido implementado comercialmente (Philips, ATL HDI 5000). Este mtodo est basado en las mediciones de las modificaciones inducidas trmicamente en los ecos RF backscattered, debidos a la expansin trmica y los cambios locales en la velocidad del sonido. Como se mencion anteriormente, se ha visto que existe rizado (ruido) debido al efecto de lentes termoacsticas que corrompen de forma severa las estimaciones de temperatura detrs de la regin calentada. Pernot propone una nueva tcnica de imagen que mejora la estimacin de la temperatura detrs de la regin calentada y reduce las variaciones de la estimacin de temperatura en toda la imagen. Pernot reemplaz la formacin convencional del haz en la transmisin con insonificaciones de onda plana multidirigidas. La estimacin es mejorada mediante el promediado de varias imgenes. El principio bsico de medida utilizado por Pernot es el mismo utilizado por Seip [52], basado en la modificacin de la velocidad del sonido y la expansin trmica del tejido. Los desplazamientos entre dos imgenes RF sucesivas fueron estimados empleando una tcnica clsica de seguimiento del speckle: correlacin cruzada unidimensional a lo largo del eje del haz de ultrasonido. Se utilizan en el

38

algoritmo ventanas de datos de 8 de longitud (= longitud de onda) con pequeos traslapes. Este mtodo es sencillo de implementar, computacionalmente eficiente y proporciona una estimacin de desplazamientos pequeos en el tiempo (~10 ns). Una vez que se tienen los mapas 2D de desplazamiento en el tiempo, el mapa de temperaturas es calculado diferenciando dichas estimaciones de desplazamiento a lo largo de la direccin axial. Sin embargo la medida de tiempos en este rango del nanosegundo se muestra difcil, y aqu radica uno de los lmites de la tcnica temporal de estimacin. Debido al fuerte efecto de las lentes termoacsticas, los sistemas de diagnstico de imgenes no pueden ver con exactitud detrs de la regin calentada, por lo que en este ltimo trabajo el medio es insonificado sucesivamente con varias ondas planas de ultrasonido dirigidas con diferentes ngulos. Cada onda plana es transmitida por subaperturas sobrepuestas con el fin de reducir el tamao de la regin que puede contribuir en la recepcin del eco ultrasnico. Se emplean 64 elementos (de un total de 128) en el algoritmo de formacin del haz, y el foco es dirigido con el mismo ngulo que la onda plana transmitida, por lo que existe enfoque slo en la recepcin. Sin embargo, explica el autor, sera posible focalizar tanto en transmisin como en recepcin para estimar temperatura. Pernot presenta los resultados obtenidos por la tcnica de imagen convencional, la imagen convencional con filtro 2D pasa-bajos, e imagen compuesta, obteniendo mejores resultados (menor cantidad de artefactos en la imagen) utilizando la imagen compuesta. Por otro lado, realiza una prueba mediante la utilizacin de un doble transductor coaxial (transductor de calentamiento afuera y transductor medidor de temperatura en el interior) para disminuir an ms los efectos de la lente trmica. Uno de los problemas que puede encontrarse en esta tcnica es el efecto negativo del movimiento, que dificulta la correlacin de los datos, sin embargo, Simon [54] propuso un algoritmo para la compensacin de este error. -Utilizacin de medios de contraste Guiot [53] emplea Agentes Gaseosos de Contraste (AGC) para mejorar la calidad de la imagen ultrasnica, los cuales son sensibles a los cambios de temperatura.

39

Los AGCs son fluidos que contienen microburbujas de gas encapsuladas. Estas burbujas aumentan el scattering ultrasnico y pueden por tanto mejorar la estimacin de distribucin de temperatura. Los AGC tienen una estabilidad de 6 horas a temperatura ambiente; esto ltimo es importante ya que los tratamientos de hipertermia tienen una duracin aproximada de 1 hora.

2.2.2.2.4. Avances en tratamiento quirrgico de tumores por ultrasonidos Finalmente, y en lo relativo a la aplicacin de elevaciones trmicas de mayor intensidad para el tratamiento quirrgico de tumores, debe destacarse que estas tcnicas se empiezan a utilizar repetidamente en entorno hospitalario. Empresas como China Medical Technologies ofrecen un sistema de terapia de alta intensidad focalizada (High Intensity Focused Ultrasound Tumor Therapy System) para tratamientos de cncer de seno, tumor superficial, tumores en la parte izquierda del hgado, tumores slidos en el rin y cavidad plvica [98]. Se ha reportado aplicaciones clnicas en: Peoples Hospital of Peking University, Shanghai Zhongshan Hospital y el Peoples Hospital of Jiangsu Province, en China, habindose aplicado tratamiento a ms de 20,000 pacientes.

2.2.3 Ubicacin de la Tesis en este contexto. Nosotros nos hemos planteado en la tesis crear en nuestro laboratorio las bases instrumentales de partida que permitan obtener: - Herramientas para medicin eficaz en laboratorio de propiedades acsticas en phantoms y tejidos. Uno de los objetivos de la presente Tesis es el desarrollo de un sistema que permita medir con precisin los parmetros acsticos que caracterizan el comportamiento de los Tejidos Equivalentes empleados en laboratorio para investigar en Terapia por Ultrasonido. - Un procedimiento basado, bien en el principio de que la velocidad de propagacin del ultrasonido cambia con la temperatura (induciendo retardos de tiempo en los ecos ultrasnicos), o bien en el anlisis frecuencial de los ecos obtenidos a distintas temperaturas. - En ese contexto, un sistema de barrido y adquisicin de seales ecogrficas,

40

especialmente diseado para estimacin trmica, podra permitir la investigacin y desarrollo de nuevos mtodos que superen los aspectos an no resueltos en el campo de la medicin ultrasnica de temperatura. - Este sistema resultara muy importante tambin para caracterizar los Sistemas de Transductores para Hipertermia desarrollados en el marco del proyecto iberoamericano PULSET (Formacin de Patrones Ultrasnicos Eficaces para Terapia Segura mediante control de radiacin pulsada distribuida y deteccin precisa de sus efectos), que se est desarrollando actualmente por 10 grupos iberoamericanos de 6 pases, bajo financiamiento de la CYTED. Entre estos grupos figura nuestro laboratorio de Bioelectrnica del Departamento de Ingeniera Elctrica del CINVESTAV. - Para lograr las metas planteadas en esta tesis, obtendremos tambin phantoms calibrados que emulen lo mejor posible las propiedades del medio biolgico, en cuanto a la distribucin del campo acstico que se propaga en l, y a los efectos trmicos en los mismos. Ello supone disponer de tcnicas muy precisas para su caracterizacin acstica, esto es, medir al menos distribuciones de presin acstica y de velocidad de propagacin y absorcin ultrasnicas.

41

CAPTULO 3 FUNDAMENTOS Y MODELOS TERICOS EN TRANSDUCCIN PIEZOELCTRICA Y EN GENERACIN ULTRASNICA DE BANDA ANCHA

Introduccin En este capitulo se describen algunos aspectos bsicos sobre los transductores piezoelctricos de banda ancha, ya que sern necesarios en este trabajo de tesis para medir con precisin los parmetros acsticos y trmicos en los phantoms, usando para ello pulsos ultrasnicos cortos. As, la seccin 1 del captulo se inicia con una descripcin de un transductor ultrasnico genrico de ese tipo. Posteriormente, y a partir del sistema matricial de las ecuaciones que caracterizan un transductor piezoelctrico, se modela ste como una red de tres puertos (dos acsticos y uno elctrico). A partir de la interpretacin de este sistema de ecuaciones, se describen brevemente sus tres circuitos equivalentes ms estudiados. Finalmente, y a partir de los circuitos equivalentes de un elemento piezoelctrico plano, se presenta la modelacin elctrica en forma matricial de un sistema ultrasnico emisor-receptor. En la seccin 2 del capitulo se van a analizar aspectos especficos sobre la estructura y funcionamiento de los excitadores impulsionales de transductores ultrasnicos ms usuales en las aplicaciones de visualizacin y deteccin ultrasnica. Se detallan los usos, limitaciones, y algunos esquemas de los sistemas de excitacin tipo impulso ms relevantes que han sido propuestos en la bibliografa. Despus se analiza en detalle un esquema de generacin de impulsos de alta tensin y breve tiempo de conmutacin, eficaz con cargas piezoelctricas, y que ha sido utilizado como sistema excitador en la mayora de las configuraciones correspondientes a las simulaciones de respuestas efectuadas para los propsitos de esta tesis. Adems se muestran algunos modelos simplificados previamente propuestos 42 para analizar tericamente su

funcionamiento y sus respuestas en el dominio del tiempo y de la frecuencia, as como sus expresiones matemticas en ambos dominios.

Seccin 1: 3.1. Aspectos tericos bsicos en transduccin piezoelctrica.

3.1.1. Introduccin En los aos ms recientes, las tcnicas ultrasnicas de tipo piezoelctrico con aplicaciones teraputicas, ampliamente utilizadas durante dcadas en tratamientos sencillos de diatermia, han despertado un creciente y renovado inters de cara a su extensin al campo de la hipertermia y de otras nuevas aplicaciones en el mbito quirrgico. El futuro de estos nuevos perfeccionamientos en dichas tcnicas depende notablemente del desarrollo de nuevos transductores especficos y tambin del diseo de sistemas para su control electrnico eficaz y para su evaluacin, con altos desempeos. Todo ello debe satisfacer un conjunto de requerimientos, algunos de los cuales son comunes para los equipos de diagnstico mdico, y otros estn relacionados con necesidades especficas en terapia. Por ejemplo, en algunos casos de radiadores para terapia, se precisan transductores emisores capaces de producir alta potencia, a una sola frecuencia (onda continua), y por largo tiempo. El titanato-zirconato de plomo (PZT) es el material piezoelctrico ms ampliamente usado para ello. Adicionalmente, la estructura mecnica constructiva y el aislamiento acstico del transductor resultan importantes. Las propiedades elctricas y acsticas de estos transductores son bien conocidas y existen fuentes de estudio para los problemas bsicos de comportamiento, [18-19]. Los transductores radiantes en hipertermia se mueven bsicamente en el intervalo de 3 cm a 10 cm. de dimetro con frecuencias de 0.5 MHz a 5 MHz. Consecuentemente la regin tratada pertenece en general al campo cercano. Ciertos lbulos laterales anmalos y campos ultrasnicos con picos locales en su radiacin como pistn plano en donde se expresan las ecuaciones que describen su

43

patrn de distribucin han sido encontrados en puntos dentro y lejos de la zona tratada con aplicadores de diatermia de apertura nica. El origen de estos comportamientos est relacionado con la radiacin de banda quasi estrecha asociada a onda continua y a modos pulsados de largas rfagas usualmente adoptados en la prctica de la diatermia [20]. Esta circunstancia podra influir fuertemente en el tratamiento. Sin embargo, es generalmente aceptado que la proximidad de los mximos y mnimos resultan en una homogenizacin de la distribucin de temperatura a causa de la conduccin trmica. La focalizacin de los transductores es un factor importante en algunas aplicaciones de terapia ultrasnica. Su objetivo es obtener transductores altamente enfocados que tengan un nmero f (distancia focal / dimetro activo) del orden de f 1. La focalizacin cambia la forma del haz ultrasnico bsico emitido. Esta finalidad puede lograrse mediante radiadores auto-enfocados (transductores curvados esfricamente), y tambin con lentes o focalizaciones electrnicas (esto es, arreglos de transductores gobernados por seales con diferentes fases, adecuadas para obtener un punto focal comn). La longitud y la forma de onda condicionan el tamao de la regin focal por su relacin con la apertura del arreglo. 3.1.2. Transductores ultrasnicos de banda ancha. Generalidades Para una caracterizacin ultrasnica precisa de ciertas propiedades internas en phantoms y tejidos y de los efectos de la aplicacin de hipertermia mediante transductores ultrasnicos de mediana potencia y banda relativamente estrecha, resulta necesario el uso de otro tipo de sistemas ultrasnicos ms amortiguados. Nos referimos a los sistemas de banda ancha para la generacin y recepcin de pulsos de corta duracin (menor que 1 microsegundo). El transductor piezoelctrico es un elemento vital de estos sistemas ultrasnicos de banda ancha. La figura 3.1. muestra esquemticamente los elementos que constituyen un transductor ultrasnico con estas caractersticas [27], el cual est formado por cinco elementos principales, que se describen a continuacin:

44

Capa/s (una o varias) de adaptacin de impedancias. Son capas para adaptar impedancias acsticas, que se adhieren a la cara frontal para optimizar la transferencia de energa mecnica entre el transductor y el medio explorado, el cual puede ser desde una pieza de metal hasta el propio cuerpo humano. Elemento piezoelctrico. Es la parte activa del transductor, estando constituido normalmente por discos delgados de cermicas ferroelctricas. Est conectado elctricamente al exterior a travs de terminales soldadas a las caras metlicas que cubren al elemento piezoelctrico. La placa piezoelctrica vibra en el llamado modo espesor, como un resorte, emitiendo energa mecnica en ambos sentidos, pero en las aplicaciones prcticas solo se utiliza la emisin en una sola de las caras. Con este fin, se coloca una contramasa en la cara posterior que tiene como objetivo absorber la energa mecnica en esa direccin, ensanchando as la banda. Material de amortiguamiento acstico (Backing o contramasa). Se adhiere a la cara trasera del elemento piezoelctrico para ensanchar su banda de frecuencias y por tanto acortar su respuesta al impulso. Carcasa metlica de proteccin. Protege y apantalla elctricamente el conjunto de loe elementos internos. Cable coaxial de conexin. Para interconectar el transductor con las etapas electrnicas de excitacin y recepcin-acondicionamiento de seales.

Figura 3.1. Esquema de un transductor piezoelctrico de banda ancha. (1).Capa de acoplamiento, (2).Elemento piezoelctrico activo, (3).Carcasa metlica de proteccin, (4).Backing o contramasa y (5).Cable coaxial.

45

Para estudiar ms fcilmente las caractersticas temporales de emisin y recepcin de este tipo de transductor electromecnico, se recomienda convertir sus ecuaciones representativas en un circuito elctrico equivalente. En este circuito, los elementos que lo forman estn dados por diversos elementos pasivos elctricos como son: resistencias, capacidades e inductancias, estas ltimas solas o en forma de transformadores. Esta descripcin elctrica fue lo que condujo al concepto de circuito equivalente. El objetivo bsico es obtener una relacin causaefecto entre la forma de excitacin elctrica y la forma temporal en la que finalmente vibran los elementos de la carga. Para fines de esta tesis, se considera la carga como un elemento adicional necesario en el circuito. La concepcin de un circuito equivalente de un transductor ultrasnico, comienza primero con el anlisis de las vibraciones del elemento piezoelctrico que lo forma. Existen varios modelos de circuitos equivalentes, cuyas diferencias radican en considerar que los componentes elctricos que lo forman se interpretan de dos formas distintas, ya sea como elementos discretos con parmetros concentrados (condensadores, bobinas etc.), o bien como componentes de parmetros distribuidos en forma de lneas de transmisin. 3.1.3 Ecuaciones bsicas representativas del funcionamiento de un transductor piezoelctrico La concepcin de un circuito equivalente para un transductor ultrasnico, comienza con el anlisis de las vibraciones de su elemento piezoelctrico. El funcionamiento de un transductor piezoelctrico es usualmente analizado utilizando, un circuito equivalente simple. Existen varios modelos de circuitos equivalentes ms complejos, de los cuales expondremos los ms importantes.

3.1.3.1 El transductor piezoelctrico como un sistema electromecnico de tres puertos Las ecuaciones piezoelctricas ms genricas, definen las interrelaciones entre el desplazamiento elctrico D, el campo elctrico E, la deformacin elstica unitaria S y la tensin mecnica T. Existen cuatro parejas equivalentes de ecuaciones

46

piezoelctricas

lineales,

dependiendo

de

la

eleccin

de

las

variables

independientes. Eligiendo D y S como variables independientes y utilizando notacin tensorial, se obtiene la formulacin siguiente:
D Ti = cij S j hin Dn

m, n = 1,...3 i, j = 1,...6

(3.1) (3.2)

S E m = hmj S j + Dn mn

donde: las c D representan las constantes elsticas de rigidez del material bajo la condicin de desplazamiento elctrico nulo. las S se refieren a las constantes dielctricas bajo la condicin de deformacin mecnica nula. Las h son las constantes piezoelctricas [V/m N/C] Los coeficientes elsticos, dielctricos y piezoelctricos se ordenan normalmente en una matriz simtrica (9X9), (cij = c ji : mn = nm ) , agrupando los componentes de T y E por un lado y los de S y D por otro, como vectores de 9 elementos. En el caso ms general (mnima simetra), se presentan 45 coeficientes distintos (21 constantes elsticas, 6 constantes dielctricas y 18 constantes piezoelctricas). La reduccin del nmero de coeficientes distintos con la simetra creciente es bien conocida.[27]. El transductor piezoelctrico comnmente usado en aplicaciones de banda ancha es el que utiliza una placa de cermica piezoelctrica la cual ha sido cortada para vibrar en modo espesor (thickness extensional), como se muestra en la Figura 3.2. Esto implica que su espesor d debe ser muy pequeo comparado con las dimensiones laterales l, w

(lw >> d ) , que el material est polarizado

elctricamente en la direccin de su espesor ( eje 3 = z ), que los electrodos coincidan con las caras de mayor superficie ( A = lw ) y que las deformaciones elsticas nicamente tengan lugar en la direccin del campo elctrico aplicado.

47

En forma rigurosa, las condiciones de contorno del modo de vibracin thickness extensional, implican:

S1 = S 2 = S 4 = S 5 = S 6 = 0 ; D1 = D2 = 0;

D3 =0 z

(3.3)

A = l.w d V

Figura 3.2. Geometra de una placa de cermica cortada para vibrar en modo de espesor con electrodos en sus caras.

A partir del sistema de ecuaciones (3.1) y (3.2), las constantes del material y las condiciones de contorno (3.3), obtenemos:
D T3 = c33 S 3 h33 D3

(3.4) (3.5)

S E3 = h33 S 3 + D3 33

Estas expresiones (3.3) y (3.5) constituyen las ecuaciones piezoelctricas lineales para cermicas ferroelctricas vibrando en modo espesor. Las condiciones de contorno mecnicas y elctricas impuestas a este modo de vibracin suponen la propagacin de una nica onda plana, la longitudinal. El anlisis y los modelos que de ello se derivan son por lo tanto unidimensionales. Un transductor piezoelctrico vibrando en modo de espesor, sin capas de adaptacin de impedancias, se puede representar como se muestra en la figura 3.3. Se incluyen tambin los sentidos asignados a las distintas variables que intervienen, siendo FB y FL las fuerzas que actan sobre las caras de la cermica. U B y U L son las velocidades de

48

desplazamiento de las mismas. Z L y Z B representan la impedancia acstica especifica del medio irradiado y del material backing, respectivamente. A es el rea y d es el espesor del disco cermico (dimetro >> d). V es la tensin elctrica aplicada e I la corriente elctrica resultante.

Fuerza que actan sobre la cara trasera de la cermica

FB

E l e m e n t o P i e z o e l c t r i c o

Impedancia acstica del medio radiado

ZL

Impedancia del Backing

Fuerza desde el medio

ZB
Velocidad de desplazamiento de la cara trasera

FL

UB

Velocidad en el medio

UL

Figura 3.3. Representacin esquemtica de magnitudes mecnicas en un transductor piezoelctrico vibrando en modo de espesor, sin capas de adaptacin de impedancias.

La cermica vibrando debe cumplir con las ecuaciones piezoelctricas, la Ley de Newton y la Ley de Maxwell (referente a que no existen cargas libres en el material piezoelctrico). El sistema de ecuaciones en forma matricial que relaciona, en el dominio de la frecuencia, las fuerzas y velocidades en las caras de la cermica, con la tensin y corriente elctrica en los terminales elctricos de entrada, es el siguiente [23,26,27;99]:
FL Z 0 A / jtg F = Z A / jsen B 0 V h / jw Z 0 A / jsen Z 0 A / jtg h / jw h / jw U L h / jw U B 1 / jwC 0s I

(3.6)

donde:

49

C 0S = A s / d ; es la capacidad elctrica del disco cermico para S=0. Z 0 = .vtD ; es la impedancia acstica especfica del material piezoelctrico.

= d / vtD ;

( vtD es la velocidad de propagacin en el piezoelctrico).

La impedancia acstica especfica del material de contramasa Z B , y la del medio radiado Z L , se definen a travs de las siguientes relaciones:
ZB = FB UB A

; ZL =

FL ULA

(3.7)

Estas relaciones, junto con las anteriores, permiten determinar las distintas magnitudes fsicas de inters para una excitacin elctrica dada V aplicada en los electrodos del transductor. A partir de (3.7), puede esquematizarse el comportamiento del transductor piezoelctrico en el dominio de la frecuencia, como un sistema electromecnico que se relaciona con su entorno a travs de tres puertas: una elctrica y dos mecnicas. De acuerdo al modo de funcionamiento elegido, el transductor, a travs de estas puertas, puede interaccionar con el mundo exterior comunicndole o recibiendo fuerzas o corrientes elctricas, tal como se muestra en la Figura 3.4. V

I
UB FB

Puerto elctrico

UL

Puerto mecnico trasero

Puerto mecnico

FL

Figura 3.4. Transductor piezoelctrico como un sistema electromecnico de 3 puertos. (V,I): puerto elctrico. ( FL ,U L ) : puerto frontal. ( FB ,U B ) : puerto mecnico trasero.

50

3.1.4 Circuitos equivalentes para un transductor piezoelctrico

3.1.4.1 Generalidades El funcionamiento de los transductores piezoelctricos es usualmente analizado mediante circuitos equivalentes elctricos simples y a menudo ideales, basados en las analogas clsicas de que la fuerza mecnica puede ser considerada anloga al voltaje elctrico y la velocidad de la partcula como anloga de la corriente elctrica. Algunos modelos como el de Mason y el KLM son circuitos tericos que no son realizables fsicamente, pero que reproducen bastante fielmente el comportamiento del transductor, ya que se corresponden rigurosamente con la ecuacin matricial (3.6).

Figura 3.5. circuito equivalente simplificado, vlido en el entorno de la resonancia del modo fundamental

Tambin resultan tiles algunos de los modelos aproximados, por ejemplo: el circuito que se muestra en la figura 3.5, el cual es un circuito equivalente muy simple (derivado del de Mason). Es una aproximacin, que es vlida nicamente para frecuencias cercanas a la resonancia mecnica del transductor, y que debe ser aplicado solamente a problemas que involucran ondas continuas o que estn muy limitadas en la banda de frecuencia. Pero adems, cuando se requiere evaluar la respuesta del transductor en rgimen transitorio, resulta necesario el uso de un circuito equivalente exacto, como los antes mencionados. El anlisis de las respuestas mecnicas y elctricas del transductor, en el dominio de la frecuencia, se realiza normalmente utilizando estos circuitos elctricos equivalentes, tambin denominados modelos circuitales. Por ejemplo, una lnea de transmisin representa bastante bien las propiedades mecnicas del transductor y es una parte esencial de algunos circuitos 51

equivalentes. Las ondas mecnicas se propagan en slidos con una velocidad de varios miles de m/s, y los retardos en tiempo de propagacin interna suelen ser de varios s en la prctica, por lo que la opcin de la lnea de transmisin es bastante realista. Un transformador ideal suele representar la conversin de cantidades elctricas a cantidades mecnicas y viceversa. Tambin suele aparecer un condensador que tiene un valor negativo, el cual no es un elemento real. Su magnitud es igual a la capacidad esttica del transductor, y sin embargo no tiene conexiones reales hacia los terminales del transductor. El transductor se comporta frente a las ondas mecnicas como determina la longitud de la lnea de transmisin equivalente. Una caracterstica importante de estas representaciones, es que el flujo de corriente a travs del transformador ideal es proporcional a la diferencia de velocidades en las dos caras del transductor.

3.1.4.2 Circuito Equivalente de Mason Este circuito equivalente representa al transductor vibrando en modo de espesor (thickness extensional), en el cual el puerto elctrico est acoplado a travs de un transformador ideal. A partir de analogas entre magnitudes elctricas y mecnicas, se ha establecido el sistema de ecuaciones matricial de (3.6). Las primeras dos ecuaciones de dicha matriz representan la propagacin acstica en el material piezoelctrico, es decir, la primera sub-matriz de 2X2 se puede escribir de la siguiente forma:

FL' = FB' cos jU B Z 0 Asen U L = ( jFB' sen / Z 0 A) U B cos

donde:

(3.8) (3.9)

FB' = FB + jhI / w FL' = FL + jhI / w

(3.10) (3.11)

52

Este sistema de ecuaciones es anlogo al que relaciona las tensiones y corrientes en una lnea de transmisin sin prdidas; de esta forma se establece la correspondencia de F ' a la tensin y de U a la intensidad. La tercera ecuacin de la matriz (3.6) puede expresarse como:

jhI / w = VC 0S h (U B + U L )h 2 C 0S / jw
ecuacin del sistema, es decir:

(3.12)

Continuando con este razonamiento, el valor de V esta dado por esta tercera

V =

h I (U B + U L ) + jw jwC 0S

(3.13)

El ltimo trmino de esta ecuacin es el voltaje establecido a travs del condensador C 0S . El primer trmino es un voltaje proporcional a la corriente

equivalente U B + U L que fluye dentro del transformador. De este trmino, podemos estimar la relacin de vueltas N del transformador ideal mencionado [99] y que viene dada por:

N = C 0S h33 = Ae33 / d

(3.14)

Este transformador del circuito equivalente introducira una corriente de valor: ID = (UB+UL)N I, dando una corriente total IT=ID+I dada por: IT= I+( UB+UL)h33CoS (3.16) (3.15) Esta corriente se une en el nodo superior de Co junto con la intensidad de entrada

Figura 3.6. Circuito equivalente de Mason. Los puertos mecnicos del transductor estn localizados en los extremos de la red T.

53

La corriente total dada por la expresin anterior producir una cada de voltaje, al ser multiplicada por la reactancia capacitiva 1/(jCo). Ello explica la presencia de un transformador y de una capacidad Co en este circuito equivalente. Si observamos el esquema del circuito equivalente resultante en la figura 6, aparece una capacidad negativa - C 0S , cuya existencia es necesaria como consecuencia de FL y FB. Con este fin hay que introducir un componente que produzca un voltaje contrario a V. De ah surge la necesidad de colocar una capacidad negativa e igual en mdulo a C 0S . Esta capacidad no tiene el sentido fsico convencional. Ella y el transformador ideal intervienen en el acoplamiento mecnico. En dicha figura 3.6:
S C0 = A 33 / d

Z 0 = AVt D

(3.17)

= /d
y las fuerzas, velocidades, voltaje y corrientes se detallan en la figura 3.7.

FB , U B

FL , U L

Figura 3.7. Elemento piezoelctrico; geometra y sentidos adoptados para las variables.

54

3.1.4.3. Circuito Equivalente de Redwood En el modelo de Redwood, la red T del circuito equivalente de Mason (figura 6), queda representada por una lnea de transmisin de impedancia AZ 0 y longitud d. La lnea de transmisin puede ser considerada como una lnea o cable coaxial cuya malla o pantalla de recubrimiento est conectada al transformador, como se detalla en la figura 3.8.

Figura 3.8. Circuito equivalente de Redwood

Este modelo es particularmente til cuando se trabaja con pulsos de excitacin cortos, sobre todo si la longitud del pulso es menor que el tiempo que demora la onda acstica entre las dos caras dentro del transductor. En este caso resulta fcil determinar la respuesta impulsiva del sistema. Colocando en este circuito las cargas externas, o las modificaciones necesarias para convertirlo en representativo de un transductor real, se pueden calcular los diferentes parmetros equivalentes del transductor. Se han reportado programas de clculo en computadora para entorno PSpice [63, 58,100-103] que permite simular las caractersticas circuitales de un transductor, a partir de variantes de este modelo Redwood.

3.1.4.4 Circuito Equivalente KLM Para el estudio, simulacin y diseo de transductores piezoelctricos de banda ancha, el modelo denominado KLM (Krimholtz, Leedmon, Matthaei) es una herramienta muy til, puesto que propone una red elctrica de componentes dependientes de la frecuencia y conectada al centro de una lnea de transmisin 55

acstica. Las ecuaciones y expresiones (vase la Figura 3.9) que se derivan del modelo, aunque relativamente complejas, pueden ser calculadas fcilmente mediante computacin.

Figura 3.9. Circuito equivalente KLM

En este modelo KLM, el elemento piezoelctrico est representado por una lnea de transmisin acstica sin prdidas, acoplada en su punto medio por un transformador a una red de elementos discretos. La utilizacin de este tipo de lnea de transmisin en la representacin del transductor da una visin ms prxima a la realidad fsica que una representacin por ejemplo con elementos elctricos discretos. El efecto de las capas de adaptacin de impedancias queda tambin ms claro y puede ser directamente representado. Este modelo circuital KLM, para transductores piezoelctricos vibrando en modo espesor, representado en la Figura 3.9, incluye un transformador ideal, con relacin de transformacin dependiente de la frecuencia, el cual proporciona el nexo de unin entre las partes mecnicas y elctricas del transductor. El mtodo de las matrices de transferencia para anlisis de redes es un formalismo muy til para la implementacin de este modelo KLM; tiene adems la ventaja de poder incluir posteriormente, y en forma modular, el tratamiento de factores adicionales ( no contemplados en el modelo bsico ), que influyen notablemente sobre el comportamiento del transductor, tales como: prdidas mecnicas, adhesin entre capas, amortiguamiento y sintonizacin elctricos, y atenuacin en el medio [22]. Este mtodo ser descrito en el apartado 3.1.6.

56

3.1.5. Transductores de Banda Ancha como redes de dos puertos Aunque un transductor piezoelctrico se relaciona con su entorno a travs de tres puertos, en sus aplicaciones de banda ancha, los puertos de inters para el usuario realmente se reducen a dos: el puerto elctrico para su excitacin impulsiva y el puerto mecnico en contacto con el medio irradiado bajo ensayo. Para centrar el anlisis del transductor como una red de dos puertos, recordemos la estructura de un transductor ultrasnico (tal como se muestra en la Figura 3.10), formado por un elemento piezoelctrico, una contramasa, una o varias capas de acoplamiento y una carga frontal. Este tipo de estructura es la que se suele encontrar en las aplicaciones prcticas de pulso-eco para la medicina y la industria, para cada una de las etapas de emisin y recepcin.

ZB

Puerto acstico trasero

Elemento piezoelctrico activo

Capas de Acoplamiento acstico

Puerto acstico frontal

ZL

Ze
Puerto elctrico Figura 3.10. Esquema simplificado de un transductor piezoelctrico de banda ancha.

En la figura 3.10:
Z B : Impedancia del backing o contramasa.

Z e : Impedancia de entrada al puerto elctrico

Independientemente de que el transductor es un sistema de tres puertos, en la prctica se puede considerar como una red de dos puertos, debido a que solamente se emplea el puerto elctrico y uno de los dos puertos mecnicos, a travs del cual el transductor interacciona con el medio sobre el cual se quiere emitir o del que se quieren detectar informacin mediante ondas ultrasnicas. Por lo tanto, una vez que el puerto mecnico ha sido cerrado con la impedancia de la

57

contramasa (que se supone como un material absorbente ideal), se le considera ya como un circuito cerrado que no recibe reflexiones de seal. En base a lo anterior podemos afirmar que el transductor puede ser representado en estos casos por una red de dos puertos. El elemento piezoelctrico puede aproximarse para un primer anlisis por una lnea de transmisin acstica sin prdidas; se utiliza esta lnea de transmisin (Figura 3.11) por analoga con la realidad fsica. En los captulos 4 y 5 aadiremos a este planteamiento bsico la consideracin de prdidas elctricas en la lnea de transmisin equivalente, asociadas a las perdidas mecnicas para la parte piezoelctrica, teniendo una dependencia cuadrtica con la frecuencia, como se propone, y se justifica como ms cercano a la realidad, en [63]
I1 I2

Fincidente Freflejada
Zi
V1

Matriz T

Zt
V2

Ftransmitida

Longitud de la lnea de transmisin d

Figura 3.11. Esquema de una lnea de transmisin descrita a travs de una matriz T.

En el esquema planteado en la Figura 3.11, se considera una propagacin ondulatoria en forma de lnea de transmisin, a ambos de lados de la red de dos puertos, con una relacin causa efecto de izquierda a derecha. A ambos lados se pueden identificar un puerto elctrico o mecnico, segn el tipo de transductor o modo de excitacin. Es decir, si el transductor que estamos analizando es un transductor emisor, entonces se asume que el puerto de la izquierda es elctrico (causa). Para el caso de un transductor emisor el puerto de la derecha representa al medio mecnico con su respectiva carga. Pero para el caso de emplear al transductor como un receptor, la parte izquierda representa la parte mecnica, donde el puerto del lado derecho representara la parte elctrica receptora. Para el

58

caso de un sistema de pulso-eco (bi-direccional), se debern considerar 2 redes de este tipo conectadas en cascada. El sistema de la figura 3.11 se puede describir mediante una matriz T.

3.1.6. Esquema de clculo usando Matrices de Transferencia El mtodo de las matrices de transferencia es muy adecuado para el anlisis de redes en cascada, ya que tiene la ventaja de permitir agregar factores adicionales (prdidas mecnicas, dielctricas, capas de pegamento, circuitos elctricos de amortiguamiento y sintonizacin, tipo de excitacin elctrica, atenuacin del medio, etc.), para su anlisis y tratamiento. Este enfoque ha sido ya utilizado y reportado por otros autores [22] para analizar este tipo de transductores. A continuacin describimos los fundamentos de este anlisis, basado en [22].

I1 V1

I2

A B T = C D

V2

Figura 3.12. Sentidos adaptados para intensidades y voltajes en una red con dos puertas (cuatro terminales).

En una red lineal de cuatro terminales (dos puertos) se puede definir una matriz de transferencia (tambin denominada matriz T o matriz ABCD) que relaciona los voltajes e intensidades en las puertas. La matriz T describe la red completa como producto de las matrices individuales de etapas en cascada (Figura 3.12). De acuerdo a los sentidos adoptados en la figura 3.12, tenemos que:
V1 A B V2 I = C D I 2 1

(3.18)

donde, resolviendo el sistema de ecuaciones, tenemos que:

A = V1 ; B = V1 ; C = I 1 ; D = I 1 V I V I 2 I 2 =0 2 V2 = 0 2 I 2 =0 2 V2 = 0

(3.19)

59

Partiendo de la representacin equivalente KLM, se puede descomponer la misma en una serie de redes en cascada, como se detalla en la Figura 3.13.

Figura 3.13. Esquema en cascada de las distintas etapas

La matriz de transferencia del circuito completo, T, ser

T = T1 *T 2 *T 3 *T 4

(3.20)

Es sencillo determinar las matrices de transferencia de cada una de estas cuatro redes elementales (cuadripolos) conectadas en cascada, y que se ilustran en la figura 14. La primera, T 1 , corresponde al caso de una impedancia en serie, resultando la siguiente matriz:

1 T1 = 0

j ( X 1 / C0 ) 1

(3.21)

Al transformador ideal, de relacin transformadora , le corresponde la matriz:

0 T2 = 0 1 /

(3.22)

En una lnea de transmisin sin prdidas, de longitud d/2, la impedancia caracterstica Z 0 , y velocidad de propagacin Vt d , la relacin entre los voltajes e intensidades de sus terminales, con los convenios adoptados en la figura 3.12, resulta de la forma: 60

V1 = V2 cos + jsen

(3.23) (3.24)

I1 = I 2 cos + j (V2 sen ) / Z 0

Si la lnea se cierra con una impedancia Z B , donde (Z B = V2 / I 2 ) , su impedancia de entrada Z in , ser:

3 Z in = V1

I1

= Z 0 ( Z B + jZ 0tg ) /( Z 0 + jZ Btg )

(3.25)

La matriz de transferencia del tercer cuadripolo ser la correspondiente a una

3 impedancia Z in conectada en paralelo:

1 T3 = 3 1 / Z in

0 1

(3.26)

Por ltimo, es fcil deducir con las condiciones I 2 = 0 , (circuito abierto) y V2 = 0 (corto circuito), la expresin:
cos T4 = j ( sen ) / Z 0 jZ 0 sen cos

(3.27)

Puerto elctrico

Impedancia en serie

Transformador ideal
Puerto acstico trasero

Impedancia de entrada

Lnea de transmisin

Puerto acstico

Figura 3.14. Representacin funcional del circuito de la Figura 3.13.

3.1.6.1 Impedancia de Entrada y Funciones de Transferencia Si en la matriz de transferencia global ( T ) para el circuito equivalente KLM, denominamos a los coeficientes de esta matriz A, B, C y D, tenemos que:

61

A B T = T1 *T 2 *T 3 *T 4 = C D

(3.28)

Si se cierra la puerta mecnica de carga con su impedancia Z L , la expresin para la impedancia de entrada del circuito ser:

Z in = V1 / I1 = ( AZ L + B) /(CZ L + D)
I1 1 3
I2

(3.29)

Rg Vg

F
ZL

ZL 2F

V1 2

Transductor
4

Transductor
2 4

VR

Figura 3.15. Esquema que ayuda a visualizar las relaciones y definir funciones de transferencia.

Las funciones de transferencia en cada etapa se definen en funcin de la frecuencia, como relaciones entre las tensiones en el puerto mecnico de carga y en el puerto elctrico, de la siguiente manera:
FTE = F /V1 FTR = VR / F

(3.30) (3.31)

En la modalidad pulso-eco, se define la funcin de transferencia en ida y vuelta (emisin - recepcin), suponiendo una perfecta reflexin con incidencia normal en un blanco y la ausencia de prdidas (atenuacin) en el medio irradiado. Bajo estos supuestos:

FTER = FTE * FTR

(3.32)

La expresiones de las funciones de transferencia en funcin de los coeficientes A, B, C, D de la matriz T global se deducen de las definiciones anteriores y de la figura 15.

62

Funcin de Transferencia en emisin FTE

V1 = AF + BI 2 I2 = F / ZL

(3.33) (3.34)

Eliminando I 2 de las ecuaciones anteriores tenemos:

FTE = F / V1 = Z L /( AZ L + B)

(3.35)

Funcin de Transferencia en recepcin FTR La matriz T resultante proporciona, en este caso, la siguiente relacin entre voltajes e intensidades en ambas puertas:
VR A B V2' I = C D ' I 2 R

(3.36)

es decir:
' V R = AV2' BI 2 ' I R = CV2' DI 2

(3.37) (3.38)

por otra parte:

IR = VR R

(3.39) (3.40)

' V2' = 2 F Z L I 2

Sustituyendo estas expresiones en las ecuaciones anteriores:

' V R = 2 AF ( AZ L + B ) I 2

(3.41) (3.42)

VR

' = 2CF (CZ L + D) I 2

63

Eliminando

' I2

y aplicando la condicin

= AD BC = 1

(red reciproca),

obtenemos finalmente la expresin de la Funcin de transferencia para pulso-eco:

FTR = VR 2R = F (( AZ L + B) + R (CZ L + D))

(3.43)

El procedimiento descrito, el cual emplea una matriz de transferencia, se puede emplear para analizar todos los componentes del sistema ultrasnico, as como el conjunto de las redes en cascada. Est orientado a la simulacin y diseo de transductores o sistemas de transductores de banda ancha como los necesarios para estimar experimentalmente propiedades internas de tejidos en aplicaciones de terapia. Es importante entonces delimitar bien estos conceptos para su correcta implementacin, por ejemplo durante simulaciones en Pspice y para la realizacin fsica de sistemas de banda ancha. Generalmente, el transductor ultrasnico tiene una impedancia caracterstica interna mucho ms grande que las cargas que se emplean a menudo en sus aplicaciones, tales como agua, tejidos, phantoms, etc. Por lo tanto, en la prctica, la impedancia acstica del elemento piezoelctrico no estara bien acoplada con el medio de una forma directa. Adems la impedancia elctrica del transductor y la de los sistemas electrnicos driverreceiver usualmente sufren tambin de desacoplamientos de impedancia. Debern usarse por lo tanto algn procedimiento para el acoplamiento de impedancias, buscando un difcil compromiso entre eficiencia y ancho de banda.

64

Seccin 2.

3.2. Generacin de pulsos ultrasnicos de banda ancha. Requisitos y esquemas electrnicos

3.2.1 Generacin Ultrasnica de Banda Ancha. Generalidades. En los sistemas de exploracin ultrasnica utilizados para la inspeccin de la estructura interna de materiales de inters biolgico, el factor de mayor relevancia (puesto que proporciona informacin de gran inters para nuestras aplicaciones) es la resolucin ecogrfica axial, la cual esta ligada a la anchura de los impulsos ultrasnicos emitidos por un transductor, o por un arreglo de transductores, como respuesta a una excitacin elctrica breve. Para una seal elctrica de excitacin dada de tipo impulso, suficientemente breve, dicha anchura del pulso ultrasnico puede minimizarse a travs de estas 2 vas: el incremento de la frecuencia ultrasnica utilizada. la consecucin de transductores cuya funcin de transferencia presente un ancho de banda lo ms grande posible. La posibilidad de utilizar transductores de muy alta frecuencia condiciona la mxima profundidad de exploracin, y el aumentar el ancho de banda del transductor reduce mucho su eficiencia. Por tanto, para una aplicacin dada, existe un lmite frecuencial que no debe sobrepasarse si se desea mantener un margen dinmico aceptable en la magnitud de los ecos recibidos. Por ello, dicha optimizacin debe buscarse a travs de nuevos desarrollos tanto en los dispositivos de transduccin en banda ancha como en los sistemas electrnicos asociados para la generacin de breves impulsos de alta tensin e intensidad para excitar transductores de alta frecuencia o, en su caso, para alimentar cada uno de los elementos constituyentes de un arreglo buscando su focalizacin sobre las diferentes zonas de exploracin [23].

65

3.2.1.1. Principales requerimientos de excitacin para nuestros ensayos ultrasnicos ecogrficos en aplicaciones de terapia Un ensayo ultrasnico eficaz para determinar propiedades en phantoms y tejidos mediante exploracin interna, requiere disponer de sistemas ecogrficos con un amplio rango dinmico en las seales de eco producidas durante las exploraciones, muy especialmente en el caso de los tejidos ms atenuantes. La optimizacin de estos sistemas puede lograrse a travs de diseos especficos de los dispositivos de transduccin en banda ancha as como de los sistemas necesarios para la generacin de los impulsos con anchos de banda y voltaje elevados, que deben ser utilizados para su excitacin. Ello propiciara la consecucin de impulsos acsticos de muy corta duracin y con la intensidad suficiente para obtener un margen dinmico adecuado. En nuestras aplicaciones de medida ecogrfica, dentro del terreno de la terapia ultrasnica, se necesitan excitaciones mediante impulsos elctricos que deben alcanzar unas amplitudes de pico de varias centenas de voltios y unos tiempos de transicin en su primer flanco, inferiores a 15 nanosegundos. Con ello se pretende alcanzar a satisfacer necesidades con transductores de hasta 10 MHz.

3.2.1.1.1 Problemtica de la excitacin pulsada de transductores y arreglos ultrasnicos en el rango de alta frecuencia Para nuestros propsitos de exploracin de banda ancha en tejidos y materiales atenuantes, se requiere un sistema capaz de lograr una buena profundidad espacial (a lo largo del eje de propagacin) de los impulsos ultrasnicos emitidos por el transductor cmo respuesta a una excitacin elctrica breve. Una seal ultrasnica suficientemente breve, puede buscarse con el aumento de la frecuencia ultrasnica y con funciones de transferencia de un ancho de banda lo ms grande posible. La principal limitacin de aumentar la frecuencia ultrasnica es la mxima profundidad de penetracin la cual depende de la aplicacin especfica, y para la cual se debe asegurar un margen dinmico aceptable para los ecos recibidos. La otra opcin es incrementar el ancho de banda de los transductores a travs del amortiguamiento trasero de la placa piezoelctrica junto

66

con una buena adaptacin acstica del medio sobre el que se radia. Sin embargo, el aumento del ancho de banda conlleva una disminucin importante en la eficiencia electroacstica del proceso de transduccin, y entonces, para lograr la respuesta deseada, la excitacin elctrica debera realizarse con seales de amplitud muy superior a las que suelen emplearse en condiciones de banda estrecha. Por otra parte, algunos tejidos presentan alta atenuacin acstica, motivo por el que debe recurrirse en muchas ocasiones al uso de seales de excitacin de corta duracin con unas tensiones elctricas de pico relativamente altas (varias centenas de voltios), sobre cargas de tan solo unas decenas de ohmios, e incluso menores, con una fuerte componente capacitiva. La generacin de este tipo de trenes sinusoidales muy breves para excitaciones de transductores con frecuencias del orden del Megahertz, y con tensiones de pico superiores a 50 V e impedancia de salida adecuadamente baja (para reducir distorsiones de seal ante cargas piezoelctricas), no puede ser resuelta con generadores convencionales. Por ello no se suelen usar pulsos de seal tipo sinusoidal para estas excitaciones y algunos autores [23] sugieren, en cambio, la excitacin mediante seales no sinusoidales, de tipo transitorio, como: funciones de tipo escaln o rampa de alta tensin funciones tipo impulso de corriente, emulando una delta de Dirac Por esta va, se pueden conseguir voltajes de pico varios rdenes de magnitud superiores a los habituales con excitaciones de banda estrecha. Este tipo de excitacin transitoria presenta algunas otras ventajas: Los circuitos de generacin de seales tipo impulso resultan generalmente ms baratos que para el caso de tipo sinusoidal. Resulta posible entregar, para esas cargas, impulsos estrechos (inferiores al microsegundo, 100-200 ns tpicamente) con amplitudes de varias centenas de voltios, y pulsos de intensidad de decenas de amperios. La excitacin presenta una banda suficientemente ancha, como se precisa normalmente para este tipo de aplicaciones.

67

El empleo de tensiones de excitacin elevadas es especialmente sugerido para las configuraciones de arreglos ultrasnicos de alta frecuencia usados en la obtencin de imgenes con alta resolucin lateral del interior de estructuras muy atenuantes. Esto es debido al fuerte aumento de la atenuacin con la frecuencia en las seales transmitidas a travs del medio, y tambin a los altos valores de impedancia elctrica de entrada presentes en los transductores que componen los arrays. Por este motivo, en estos casos de excitacin se aplican impulsos elctricos breves de hasta 400 V a 500 V.

3.2.2 Circuitos clsicos para la generacin de pulsos de alto voltaje Existen diversas formas de conseguir pulsos de alta tensin con tiempos de transicin breves, pero todas ellas responden a esquemas similares. A continuacin se comentan algunos circuitos propuestos en la literatura y se analizan sus limitaciones. Algunos generadores de pulsos de alto voltaje, diseados para ser empleados en evaluacin ultrasnica modo pulso-eco de materiales diversos, se basan en el circuito propuesto por Okyere y Cousin [24], el cual emplea uno de los esquemas ms comunes. Est basado en la descarga rpida de un condensador C a travs de un tiristor y una resistencia de amortiguamiento RD, cada vez que el tiristor recibe un impulso de disparo en su terminal de puerta. La frecuencia de repeticin de los disparos es muy variable con cada aplicacin, puesto que corresponde a la cadencia deseada para los sucesivos impulsos acsticos generados por el transductor que, como es sabido, est limitada por la profundidad mxima de exploracin a la que se desea acceder y la velocidad del sonido en el medio explorado; esta frecuencia suele oscilar entre 0.5 kHz y 5 kHz. La seal generada en bornes de RD, cuando el circuito no est cargado con el transductor, sigue una evolucin temporal cuya expresin matemtica, vlida nicamente durante el perodo ton del tiristor, viene dada por:
V0' = V0 R D .C (1 e t / RD1C ) t on

(3.44)

68

donde:

V0 - tensin de alimentacin ton - tiempo de conmutacin al estado de conduccin del tiristor.

A medida que ton aumenta, disminuye la amplitud del impulso generado, como se observa en la ecuacin; por otra parte los valores elevados de ton , darn lugar a impulsos con flancos de bajada excesivamente lentos y por tanto pobres en contenido de frecuencias elevadas. Por ello, este tipo de circuitos presenta inconvenientes prcticos, que se acentan a medida que los transductores aumentan en frecuencia. El principal de ellos es que no se dispone de tiristores que soporten tensiones elevadas en estado de corte y que adems conmuten intensidades altas en tiempos bastante menores que 100 ns.

Figura 3.16. Generador de pulsos elctricos, con la conexin en serie de dos SCRs para el caso de pulsos de voltaje alto.

En la prctica, se recurre a la conexin en serie de varios tiristores rpidos de baja tensin, repartiendo la tensin total durante el estado de corte mediante resistencias R1 situadas en paralelo con cada uno de ellos, como se detalla en la Figura 3.16. Sin embargo, las tolerancias temporales en la conmutacin de estos dispositivos, y el elevado tiempo necesario para su pase al corte, dan lugar a la aparicin de transitorios perjudiciales que distorsionan a menudo las seales ecogrficas obtenidas. Por otra parte, la corriente de prdidas de los tiristores

69

cuando se encuentran en el estado de corte exige la utilizacin de una fuente de alimentacin de alta tensin capaz de suministrar de forma continua una corriente considerable que, en el caso de equipos de excitacin multicanal, eleva mucho el coste [24]. La evolucin y mejora de estos esquemas estn ligadas a la aparicin de los dispositivos MOSFET de potencia y alto voltaje, capaces de conmutar corrientes de pico del orden de decenas de amperios en tiempos inferiores a 10 ns, a la vez que soportan en el estado de corte tensiones de hasta 600 V o 700 V, los cuales posibilitan la obtencin de impulsos breves de alta tensin, sin que se requiera emplear tiristores. Con ello se mejoran notablemente muchas de las limitaciones antes sealadas, como se detalla en el epgrafe siguiente.

3.2.3. Esquema de excitacin pulsada eficiente para transductores AF La figura 3.17 muestra el diagrama de bloques general de un pulser diseado especficamente [26, 55, 110] para excitar eficientemente con spikes de alta tensin los transductores de banda ancha en sistemas array de visualizacin ultrasnica.
Generador de Rampas de Alto Voltaje va MOSFET

Driver de respuesta rpida

Red Conformadora de Pulsos

Red de Damping Selectivo

Transductor

Figura 3.17. Diagrama a bloques de un generador eficiente de spikes.

El generador de rampas, que se basa en un circuito de conmutacin en alta tensin, usa para ello un transistor Mosfet de potencia (Figura 3.19) controlado mediante el driver rpido de compuerta detallado en la Figura 3.18. Los transistores complementarios T2 y T3 de este driver suministran y conducen a tierra las altas corrientes bidireccionales necesarias para la rpida conmutacin del transistor Mosfet TMF. Este tipo de transistores presentan una capacidad compuerta fuente que en algunos casos supera los 1500 pF, por lo que el control de compuerta debe hacerse a travs de circuitos de muy baja impedancia, s como 70

aqu sucede se buscan optimizaciones en los tiempos de transicin del transistor Mosfet.

Figura 3.18. Driver rpido para el control del Mosfet

Figura 3.19. Generador de rampas de alto voltaje que utiliza una descarga capacitiva.

En el circuito de la figura 3.19 aparece un diodo zener (Z), entre el drenador de

TMF y el condensador C, a fin de acelerar la conmutacin, ya que ello produce una

ligera inercia en la descarga elctrica de C a travs de TMF y el transductor. Otro efecto importante de Z es evitar la distorsin en los semiciclos positivos de las

71

seales ecograficas en recepcin. Sin el diodo zener, los semiciclos positivos podran irse a tierra a travs de los diodos D1 , C y TMF , distorsionando la seal. Los bloques circuitales previos estn conectados en cascada entre si y con un bloque de damping selectivo y acoplamiento con los transductores (Figura 3.20).

Figura 3.20. Bloque de damping selectivo, formacin de pulso y acoplamiento con los transductores

Este ltimo circuito incluye una inductancia ajustable L0 , en paralelo con una resistencia de damping RD , lo cual facilita la modificacin de la evolucin temporal de la seal de excitacin. Los diodos D1 y D2 , previenen la formacin de la seal oscilatoria originada por el circuito serie C L0 , permitiendo que solo el primer semiciclo negativo de aquella pase al transductor. La energa que conserva la seal excitadora, posteriormente a este pulso negativo, ser as disipada abruptamente a travs de RL y Di ( D1 y D2 ). El conjunto de diodos Di debe tener una respuesta rpida, y para ello se recomienda [23] conectar grupos de varios diodos en serie ( D2 ) y paralelo ( D1 ), para permitir el paso de picos intensos de corriente (por D1 ) y voltajes inverso de cerca de 400 V (en D2 ). La red L0 D1 D2 , puede mejorar la amplitud y la forma del pulso generado (spike) por dos razones:

72

1. Sustituye el efecto amortiguador de una resistencia RD muy baja, con la ventaja de producir un damping rpido sin perder amplitud de pulso. 2. Facilita el generar pulsos con anchuras independientes de la pendiente de los tiempos de corte del MOSFET los cuales nos son muy precisos. Esto resulta importante para la excitacin multicanal de arrays [25]. La inductancia L0 , adems de mejorar la eficiencia electroacstica del transductor, puede incluso mejorar la forma y la amplitud del spike, dado que refuerza el efecto inercial, buscado con el diodo Z, y por otra puede facilitar, en combinacin con una resistencia de amortiguamiento RD adecuada, la consecucin de impulsos de excitacin de anchura controlada. Se recomienda en [28] el uso de una resistencia de proteccin RL de bajo valor

(1 15) , a fin de proteger al pulsador frente a cortos circuitos accidentales.

Como recopilacin de las funciones, bloques y elementos descritos, se muestra en la figura 3.21 un esquema del pulser con los bloques funcionales principales:

Fuente de Alimentacin de Alto Voltaje Circuito driver de Baja Impedancia.

Condensador de carga y descarga

Conmutador (MOSFET)

Evitan la formacin de seales de oscilacin perjudiciales Redes de Diodos

Red Conformadora de Spikes Resistencia de Proteccin Resistencia de Damping

Cables de Conexin

Pulsos TTL

Inductancia

Transductor Ultrasnico

Figura 3.21. Esquema funcional del pulser para excitacin eficiente en alta tensin

3.2.3.1 Modelos analticos del esquema para excitacin pulsada eficiente Conocer a priori la forma y amplitud de los spikes o impulsos de salida que el sistema de excitacin pulsada podra producir con diferentes transductores no es 73

una tarea fcil, por que estos pueden desviarse radicalmente de los patrones nominales y pueden ser extremadamente distintos, dependiendo de las condiciones del excitador y de la impedancia del transductor. A partir de los valores en cada aplicacin de los parmetros V0, C, RD y L0 del sistema de excitacin (pulser) que acabamos de describir, y de la impedancia del transductor ZT, es posible prever tericamente la forma aproximada del impulso de salida V0' en el tiempo [25, 26]. Consideremos para ello 3 supuestos, o aproximaciones a la situacin real, de menor a mayor complejidad: 1. Inductancia L0 desconectada y modelado del transductor aproximndolo a una resistencia pura RT en los instantes de excitacin. 2.

L0 desconectada y transductor modelado como una red paralelo RT CT .

3. L0 conectada y modelado del transductor como una red RT CT . Comportamiento temporal previsto bajo el supuesto 1 a) Si se aproxima la conmutacin del transistor MOSFET mediante una funcin lineal decreciente desde V0 hasta cero voltios, en un tiempo igual al

ton de este dispositivo, el conjunto de circuitos del pulser puede modelarse

(durante un intervalo temporal transcurrido entre el inicio de la conmutacin y ton ) mediante el circuito equivalente de la figura 3.22. En dicho circuito, la conmutacin del transistor hacia saturacin, supuesto inicialmente el condensador C cargado a la tensin V0 , puede representarse mediante una fuente de tensin VD dependiente del tiempo: VD = V0 (1 t / ton ) ; evidentemente esta funcin nicamente es valida para t /(0 < t < ton ) , por lo que la expresin para V0' nicamente ser vlida dentro de dicho perodo, de forma similar a lo que ocurre en [24]

74

Figura 3.22. Circuito equivalente simplificado del pulser Mosfet, para el caso 1. (Carga resistiva)

Los efectos de la resistencia limitadora serie R L [ R L << ( RD || RT || Rr )] y de la red de diodos conformadora del pulso pueden ser despreciados, dada su escasa repercusin en el valor de V0' . Si hacemos R E ( R D || RT || Rr ) , en donde Rr es la resistencia de entrada de la etapa de recepcin, puede establecerse la siguiente expresin entre las tensiones presentes en la malla

V0 (1 t / t on ) V0' (t ) V0

1 t ' V0 (t ) RE dt = 0 C 0+

(3.45)

Aplicando la transformada de Laplace a esta expresin, se obtiene para V0' ( s ) el valor siguiente:
V0' ( s ) = V0 CR E .s V 1 = 0 RE C 1 / s 2 t on s + 1 / RE C t on .s (1 + CR E s )

(3.46)

A partir de V0' ( s ) , es ya inmediato obtener la evolucin temporal de V0' , hallando la transformada inversa de Laplace:
V0' (t ) = V0 R E C[1 e t / RE C ]; t on

t /(0 < t < ton )

(3.47)

Esta ecuacin coincide con la propuesta por Okyere & Cousin [24]. El principal inconveniente de ambas reside en que nicamente nos caracterizan el comportamiento de V0' durante el flanco de bajada del impulso, no siendo posible extraer de ella conclusiones vlidas para instantes posteriores. b) Este ltimo inconveniente se resuelve aproximando la conmutacin de TMF mediante una funcin decreciente de tipo exponencial, la cual presenta la

75

doble ventaja de ajustarse mejor a lo que realmente sucede en la saturacin de este tipo de transistores y por otra parte, lo que es ms importante, estar definida para t > 0. Bajo esta nueva hiptesis:

VD = V0 .e t /
siendo el tiempo de subida (rise time) del transistor TMF .

(3.48)

De una forma anloga al caso (a) puede obtenerse para V0' ( s ) la siguiente expresin:

V0' ( s ) = V0 CR E

1 CR Es + ( + CR E ) s + 1
2

(3.49)

CR E /(CR E ) CR E /(CR E ) = V0 + s + 1/ s + 1 / CR E

que en el dominio del tiempo se convierte en:

V0' (t ) = V0 CR E e t / CRE e t / ; CR E

t > 0

(3.50)

Esta expresin ya es valida para t > 0 , y por tanto da informacin sobre el impulso generado en todo el intervalo de inters. Puede observarse como la

funcin V0' (t ) es el resultado de la suma de dos funciones exponenciales decrecientes que tienden a cero desde unos valores iniciales iguales en mdulo
V0 CR E pero de signo opuesto; la exponencial definida en el dominio positivo CR E

decrece segn , mientras que la definida en el dominio negativo lo hace segn

CR E . Como consecuencia, V0' (t ) parte inicialmente de cero y, como usualmente C

se escoge de tal forma que CR E >> , decrece rpidamente con una constante de tiempo prxima a , hasta alcanzar una tensin negativa de pico menor en mdulo que V0 pero que se aproximar a sta en la medida en la que pueda considerarse << CR E . Por el contrario, la eleccin de valores muy bajos para C y la

76

resistencia de amortiguamiento RD , con objeto de buscar la reduccin de la anchura total del impulso generado, puede dar lugar a un valor CR E << , el cual provocara una drstica reduccin en la amplitud del impulso generado. Esta circunstancia aconseja que cuando se necesiten impulsos de excitacin muy estrechos, ello se intente conectando en paralelo con el transductor una inductancia adecuada, en lugar de reducir excesivamente el valor de RD .

Comportamiento de V0' (t ) bajo el supuesto 2) Supuesta la hiptesis exponencial para la conmutacin de TMF como en el caso 1) b, el circuito equivalente aproximado ser, en esta ocasin, el de la figura 3.23, en donde ya se incluye la capacidad interelectrdica del transductor CT , la cual debido a su carcter esttico, puramente elctrico, ejerce una influencia directa sobre la forma de V0' (t ) desde el instante inicial de la excitacin, y por tanto debe tomarse en cuenta si se desea obtener una expresin para el impulso de excitacin del circuito ms ajustada a las condiciones reales de carga.

Figura 3.23. Circuito equivalente del generador pulser para las condiciones asumidas en el caso 2. (Carga resistiva en paralelo con CT ).

A partir de la figura 22 se pueden establecerse las siguientes ecuaciones:

V0 .e t / V0' (t ) V0 +

1 t i (t )dt = 0 C 0

(3.51)

i (t ) = i1 (t ) + i2 (t )

(3.52)

77

dV0' (t ) i1 (t ) = CT ; dt

V0' (t ) i2 (t ) = RD

(3.53)

Sustituyendo las ecuaciones (3.53) en (3.52) y esta ltima en (3.51), y aplicando posteriormente la transformada de Laplace, se obtiene la siguiente expresin para

V0' ( s ) :
1 V0 CR E CR E / 1 V0' ( s ) = V0 = 1 R E (C + CT ) s + 1 / ( s + 1 / )[ R E (C + CT ) s + 1] s+ R E (C + CT )

(3.54)

La expresin correspondiente en el dominio del tiempo es la siguiente:

V0' (t ) = V0 CR E e t /( C +CT ) RE e t / (C + CT ) R E

(3.55)

A las conclusiones generales ya obtenidas, cabe aadir que para valores bajos de C comparables o inferiores a CT , la tensin de pico mxima obtenible para V0' (t ) , lo cual sucede con << (C + CT ) RE , sufre una importante reduccin provocada por la capacidad esttica del transductor CT , descendiendo dicha tensin desde un valor prximo a V0 hasta V0

C . As pues, para valores C y CT C + CT

comparables la tensin mxima de pico se reducira a la mitad de la que se obtendra en el caso ideal de que CT fuera despreciable frente a C. Como consecuencia de lo anteriormente expuesto se deduce que, cuando se alimenten, con este esquema excitador, transductores de capacidad esttica elevada, deber escogerse un valor de C varias veces superior a CT , siempre y cuando la frecuencia de repeticin de disparo de la aplicacin concreta permita la carga completa del condensador C a travs de RC en el intervalo que medie entre disparos consecutivos; esto siempre puede conseguirse disminuyendo

proporcionalmente RC , aunque debe tenerse en cuenta que ello requiere una fuente de alta tensin capaz de suministrar la intensidad de pico suficiente. Comportamiento de V0' (t ) bajo las condiciones de carga 3)

78

El circuito equivalente simplificado para este ltimo supuesto es el de la Figura 3.24, en el cual se incluye en lnea de puntos un diodo D conectado en paralelo con los terminales de salida que representa el conjunto de diodos D1 conectados en serie con D2 . La inclusin de D, en esta ocasin, est motivada por la forma del impulso resultante como consecuencia de la conexin de L0 . Aunque en un estudio inicial del circuito, el diodo D puede ser ignorado, posteriormente debe ser tomada en cuenta su presencia dado que el impulso generado ser de tipo oscilatorio amortiguado, y justamente a travs de D se disipar a masa la energa del impulso a partir del primer paso por cero, tal como ya anticipbamos en la descripcin detallada del excitador.

Figura 3.24. Circuito equivalente del generador pulser para el supuesto 3 ( carga resistiva en paralelo con CT y L0 )

En este caso, a partir del comportamiento del circuito puede establecerse la siguiente ecuacin diferencial:

(C + CT )

d 2V0' V 1 dV0' V0' + + = C 0 e (t / ) 2 RE dt L0 dt 2

(3.56)

con las condiciones iniciales: V0' (0) = 0 , y tensin de carga (en t=0) de C = V0 . La solucin general de (3.56) es de la forma:
V0' (t ) = V0 CR E e ( t / ) A.e t cos( t + ) 2 (C + CT ) RE + RE / L0

(3.57)

donde:

79

1 = ; = 2 RE (C + CT )

1 1 L0 (C + CT ) 2 RE (C + CT )

(3.58)

A y son las constantes de integracin, dependientes de C, V0 , CT , , RE , L0 ,

y .
La presencia del diodo D, el cual no ha sido tenido en cuenta en la deduccin anterior, prcticamente anula la componente oscilatoria del segundo trmino de (3.57) a partir del primer paso por cero de la funcin cos( t + ) , evitando el alargamiento perjudicial del impulso generado. Por otra parte, el aporte de esta ltima funcin coseno en el intervalo inicial durante el cual V0' (t ) < 0 , posibilita que el flanco de subida del impulso generado se inicie con una pendiente ms moderada que el caso exponencial puro, completndose sin embargo la subida total en un tiempo mucho menor que en este ltimo caso. Esto hace factible la obtencin de impulsos de excitacin con una duracin total relativamente corta, sin que ello represente una prdida importante en la amplitud resultante. As pues, la utilizacin de una inductancia adecuada en paralelo con las terminales de salida del excitador parece la va ms aconsejable para la consecucin de pulsos de disparo estrechos con alta eficiencia, a lo cual deben aadirse sus efectos beneficiosos como amortiguamiento selectivo de modos de vibracin secundarios, e incluso la posibilidad de la cancelacin de la capacidad esttica del transductor en todas aquellas aplicaciones en las que esto no dificulte el establecimiento de un compromiso aceptable entre los parmetros que configuran la forma del impulso de excitacin [26].

3.2.4 Algunas consideraciones sobre las seales ecogrficas en recepcin La etapa receptora parte de las seales de eco detectadas en bornes del mismo transductor emisor y se inicia con un paso de desacoplo emisin-recepcin, para proteger al receptor frente al pulso excitador de alta tensin (spike), que en el caso ms simple puede consistir en un limitador bipolar de tensin formado por dos diodos contrapuestos, o en una llave analgica cerrada durante el proceso de excitacin, y que en un caso ms sofisticado [26] se compone de tres ramas en

80

paralelo, cada una de ellas con un diodo zener de voltaje nominal de conduccin de 4.7 V conectado con un diodo rpido de silicio. A la salida de este paso de desacoplo, dispondremos de las seales ecogrficas recibidas por el transductor, en condiciones de poder ser ya visualizadas mediante un osciloscopio con barrido sincronizado a la seal de disparo, o bien para ser enviadas a un paso preamplificador de banda ancha, puesto que el impulso inicial de alta tensin quedar suprimido o bien limitado, por ejemplo, en el caso del circuito limitador propuesto en [26] a un mximo de + 5.4 V aproximadamente, suficiente para respetar cualquier seal ecogrfica. La mxima amplitud obtenible en las seales de eco, como respuesta a una excitacin elctrica tipo impulso, es un parmetro que determina el margen dinmico que cabe esperar en las seales recibidas por un sistema ecogrfico concreto y, como consecuencia delimita la mxima profundidad de exploracin a la que es posible acceder para unas condiciones determinadas, de la excitacin elctrica y de atenuacin acstica por propagacin a travs del medio irradiado. En algunas situaciones de deteccin difcil, como la inspeccin en medios ruidosos, donde el ruido estructural enmascara la informacin de las seales asociadas a los reflectores pequeos, el conseguir un pulso de excitacin y una impedancia receptora especficamente acoplados y sintonizados, podra incrementar notablemente la relacin seal a ruido resultante en los ensayos. Este es un objetivo que debe alcanzarse antes de que las trazas de seal ultrasnica de eco sean enviadas a un procesador digital, para mejorar adicionalmente la deteccin de los ecos mediante procesamientos especficos adaptados, transformadas tiempo-frecuencia, etc.). Otros aspectos no incluidos en los modelos analticos antes descritos, y que deben ser considerados en algunas aplicaciones, ya que pueden influir en la amplitud y la forma de onda de los ecos recibidos, son los siguientes: a) Distorsiones notables de la seal excitadora debidas a la propia vibracin de los transductores, bajo ciertas condiciones de impedancia; se describen en [28,29]. b) Posibles efectos, durante la fase de recepcin, de los elementos no lineales de la etapa emisora (pulser) y de otras impedancias parsitas. Se pueden incluir de seal (filtros

81

estos efectos en un circuito equivalente del proceso de excitacin para propiciar su anlisis terico, como se propone en [62]. c) La posibilidad de optimizar la forma y anchura del spike y la adaptacin de impedancias complejas en la red no lineal de salida del pulser, para cada transductor en particular. Por ejemplo, en la referencia [109] se demuestra como por esa va se puede conseguir duplicar simultneamente la eficiencia (amplitud de eco) y la anchura de banda (resolucin axial) en emisin-recepcin. En los trabajos de simulacin de sistemas ultrasnicos con excitacin de alta tensin que hemos abordado en esta tesis (captulos 4-5), se tendrn en cuenta estos aspectos, a travs de la aplicacin de modelos circuitales que ya permiten incluir comportamientos no lineales e impedancias de tipo parsito o espurio.

82

CAPTULO 4 PROPUESTA DE SOLUCIONES PARA LOS OBJETIVOS PROPUESTOS EN LA TESIS Y DE LOS MTODOS PARA SU DESARROLLO

Introduccin El trabajo de investigacin y desarrollo descrito en esta tesis, tiene entre uno de sus primeros objetivos especficos (previo a su objetivo general sobre caracterizacin ultrasnica de phantoms en aplicaciones teraputicas de hipertermia), el poner a punto y aplicar una herramienta de simulacin para poder analizar con facilidad el comportamiento de un sistema generador de pulsos breves e intensos (Pulser), que ser asimismo diseado en el marco de la tesis, para excitar eficazmente transductores de banda ancha. Su finalidad es poder estudiar tericamente en detalle las respuestas elctricas y ultrasnicas en rgimen pulsado que cabria esperar de estos transductores cuando se excitan con impulsos elctricos de alto voltaje, dado que, en el marco de esta tesis, utilizaremos este tipo concreto de tecnologa ultrasnica de banda ancha como un mtodo no invasivo, alternativo a los mtodos convencionales invasivos (microtermmetros, termopares, etc.), para poder caracterizar en laboratorio los efectos trmicos internos en phantoms dentro del rango especfico utilizado en aplicaciones teraputicas de hipertermia. La idea general de este planteamiento es disear y evaluar un Pulser de alta eficacia energtica y que ofrezca pulsos de excitacin con tiempos de conmutacin ms breves que los de tipo convencional para nuestras condiciones reales de carga elctrica. El nuevo diseo, resultado en parte de los datos de la simulacin de la que hicimos referencia, busca entregar mayores potencias pulsadas a los transductores y ampliar el rango de frecuencias de trabajo utilizables con distintos transductores.

83

Las innovaciones que introduciremos en el diseo frente a los esquemas de un pulser convencional, parten de la necesidad que tenemos, (para aplicaciones de estimacin ultrasnica no invasiva de temperaturas en hipertermia), de excitar con alta eficiencia transductores piezoelctricos muy amortiguados mecnicamente (buscando con ello pulsos estrechos), para as compensar su inherente bajo rendimiento electroacstico. Para lograr el objetivo de simulacin antes descrito, se emple como herramienta bsica de anlisis de circuitos el software comercial Pspice. Se trataba de poder evaluar, previamente a su diseo, los efectos de ciertos cambios en los parmetros relativos a las etapas ms crticas de un pulser con las caractersticas buscadas. Adems de la potencia y del ancho de pulso resultantes en la etapa de salida, tambin se trabaj en otros detalles importantes de la respuesta en el tiempo. Para modelar los dispositivos involucrados, y en lo relativo a los transductores, circuitos equivalentes como los de Mason, KLM o Redwood, descritos someramente en el capitulo anterior, son una poderosa herramienta complementaria en este contexto para el modelado, anlisis y simulacin de los elementos activos de los dispositivos transductores piezoelctricos. El diseo y simulacin del generador de pulsos de alta tensin tambin precisa del modelado de los dispositivos de alta velocidad y alta potencia (conmutador MOSFET y Driver rpido de alta intensidad) que determinamos emplear en nuestro trabajo, y cuyos circuitos equivalentes para simulacin fueron obtenidos a partir de algunas informaciones y datos proporcionados por el fabricante. Con esta simulacin global, pretendamos lograr un mejor nuevo diseo y una mejor aproximacin terica para analizar con mayor precisin las respuestas de los circuitos reales de este nuevo Pulser, desarrollado en colaboracin por las dos instituciones CSIC y CINVESTAV en las que se ha codirigido esta tesis doctoral, y que se construy especficamente para el fin descrito en hipertermia [55]. En el contenido de este captulo, y dentro de su seccin 1, se har referencia a algunas peculiaridades del programa de anlisis circuital empleado (Pspice), y se explica el porqu de algunos parmetros del diseo en funcin de los efectos que

84

se deseaban lograr en las respuestas elctricas y acsticas. Para ello se requiri realizar el macromodelo del conmutador de alta tensin basado en un transistor de potencia MOSFET gobernado por un circuito de control con velocidad e intensidad altas, empleando dispositivos presentes en las libreras disponibles en Pspice. Por otra parte, en la seccin 2 de este capitulo, se describirn los algoritmos especficos empleados, y adaptados a las necesidades planteadas, para medir velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin acsticas durante la propagacin de seales de alta frecuencia en medios fluidos, aspectos todos ellos importantes de cara a la interpretacin de los efectos trmicos en los phantoms y de las mediciones acsticas involucradas. Ello incluye la descripcin de los distintos elementos de software desarrollados especficamente para todas estas finalidades, entre los que destacamos: la puesta a punto de utilidades para la coordinacin y control de las numerosas etapas (electrnicas, de procesamiento, ultrasnicas, mecnicas, etc.), que en ello intervienen para: excitacin y generacin de los pulsos ultrasnicos, deteccin y adquisicin de los ecos, control de los barridos mecnicos en un tanque de experimentacin, sincronizacin del sistema de barrido con el de adquisiciones sucesivas de datos, ampliacin tridimensional del software suministrado con el equipo de barrido, etc. Otro objetivo muy importante planteado en el presente captulo, es describir las bases de un nuevo mtodo que se propone en esta tesis para medir desde el exterior la temperatura, en la parte interna de un phantom o de un tejido, de una forma no invasiva, a partir de la medicin de los retardos inducidos en el tiempo de llegada de ecos ultrasnicos pulsados, interpretados indirectamente a partir de los cambios de fases ocasionados, lo que incrementa la sensibilidad de esa medida. La novedad y eficacia de este nuevo mtodo acaba de ser refrendada muy recientemente por evaluadores externos especializados, aceptando para su publicacin en la revista JJ Applied Physics un artculo centrado en la descripcin detallada del nuevo mtodo. Este es un mtodo que se incorpora a la infraestructura del laboratorio Laremus, y que proponemos sea el embrin inicial de un conjunto de nuevos sistemas

85

metrolgicos para estimar eficazmente y de manera no invasiva la temperatura al interior de material de tipo biolgico. Adems de lo anterior, en esta segunda seccin del captulo se describe el protocolo para la elaboracin de un phantom de tejido liso (incorporando algunas novedades) que hemos desarrollado para su empleo en la mayora de las pruebas que sern descritas en el capitulo 5 de esta tesis.

SECCIN 1. Propuestas en Modelado y Software para simular y analizar la excitacin y recepcin ultrasnica con transductores de banda ancha

4.1.1. Modelado y Descripcin de una excitacin ultrasnica eficiente Los esquemas comerciales que utilizan transductores de banda ancha, trabajan generalmente en alguno de los dos modos ms comunes: Ensayos por Transmisin (ET) o bien de Pulso Eco (EPE). A pesar de que los modos de operacin ET y EPE han sido ampliamente estudiados e implementados en sus aspectos ms generales, existen an algunos aspectos relacionados con sus configuraciones prcticas, que necesitan un anlisis detallado en su relacin con el objeto a evaluar y su influencia, en la respuesta completa del sistema ultrasnico , especialmente en algunas fases presentes en aplicaciones de alta tensin que inducen comportamientos no lineales, no analizables mediante herramientas convencionales de tipo lineal. Un sistema electrnico generador de pulsos Ultrasnico (Pulser) eficaz, para la excitacin de transductores de banda ancha para radiacin en medios atenuantes (como el que se necesita en algunas situaciones consideradas en esta tesis), est constituido por una etapa osciladora y de control en baja tensin y una etapa de salida conformadora de pulsos de alto voltaje (que contiene elementos no lineales) cuyo diagrama de bloques se describe en la Figura 4.1.

86

Driver de alta intensidad

Conmutador MOSFET

Red Conformadora de Pulsos

Red de Damping Selectivo

Transductor

Figura.4.1. Etapa de salida en AT de un sistema generador de pulsos ultrasnicos (Pulser).

4.1.1.1. Justificacin de la simulacin de algunas de las etapas del Pulser. En el diseo de transductores piezoelctricos de banda ancha se utilizan ampliamente los modelos tericos y la simulacin por computadora de cada uno de los circuitos que forman el Pulser y de su relacin con un transductor. As, de manera virtual, se puede hacer una evaluacin de los efectos de posibles variaciones de diseo en una o varias partes de los circuitos que componen dicho Pulser. Los parmetros determinantes del comportamiento de un transductor presentan caractersticas contrapuestas en la mayora de las aplicaciones prcticas: alta sensibilidad y respuesta rpida al impulso son, por ejemplo, dos propiedades a menudo deseables y contrapuestas. Es importante por lo tanto encontrar configuraciones adecuadas de los distintos parmetros en cada una de las diferentes aplicaciones. Resulta entonces de gran inters la evaluacin de los efectos que se producen al variar alguna de las partes de los circuitos que forman un Pulser. La evaluacin de la respuesta acstica de los transductores de banda ancha (en el dominio del tiempo) se realiz, a lo largo de esta tesis, bajo un rgimen transitorio, con una fuente de seal ideal que produce pulsos de voltaje de muy corta duracin en el tiempo para representar la seal de control inicial en baja tensin. Otros aspectos que tratamos en este captulo son: una primera aproximacin para el circuito generador de los pulsos de salida que genera formas de onda prximas a un impulso y la incorporacin a este modelo ideal de reactancias parsitas, con el fin de predecir una respuesta temporal lo ms cercana a la respuesta real.

87

4.1.1.2. Algunos Requisitos y Esquemas generales propuestos para nuestra Etapa de Excitacin tipo Impulso de Alto Voltaje. Tiempo de Conmutacin: la primera condicin que deba de cumplir el nuevo diseo era la de tener un tiempo de conmutacin pequeo, del orden de 6 ns o menos (en el flanco inicial del pulso), para ampliar las frecuencias de trabajo disponibles. Para ello se eligi el transistor de potencia MOSFET APT5024BLL [56], cuyo tiempo de subida es de 6 ns y su tiempo de bajada de 2 ns. Por otro lado, para su control rpido y eficaz se seleccion, como circuito Driver, el dispositivo IXDD415 [57] el cual tiene unos tiempos de subida y de bajada menores que 3 ns. Caractersticas del Driver: Debe suministrar y absorber respectivamente las altas intensidades de pico en la compuerta del transistor MosFet, del orden de hasta 10 A, necesarias para asegurar su rpida conmutacin. Este transistor presenta una notable capacidad de entrada entre la compuerta y fuente que en algunos casos puede ser mayor de los 1500 pF, lo que condicionaba fuertemente la eleccin de un driver adecuado. Optimizacin de los tiempos de Transicin de Saturacin a Corte: El control de la compuerta del MOSFET deba efectuarse a travs de circuitos de muy baja impedancia, a fin optimizar los tiempos de transicin de aquel hacia saturacin y corte. Por tanto, otra caracterstica que deba cumplir el Driver es presentar una muy baja impedancia de salida.

4.1.1.2.1.

Esquema

preliminar

para

analizar

el

comportamiento

del

dispositivo driver en baja tensin y bajo distintas impedancias de carga. La carga conectada al driver (en este caso particular, la compuerta del dispositivo de conmutacin), generalmente es aproximada como un elemento puramente resistivo, de cara a un anlisis de la respuesta de aqul. Ello no sera estrictamente correcto en esta ocasin por lo que, para ilustrar los efectos que producen las impedancias de carga reales, se analiz el comportamiento de la

88

forma del pulso de salida del Driver en el tiempo para diferentes tipos de cargas incluyendo configuraciones reactivas, y despus se analizaron las diferentes formas de onda de cada etapa: a) Carga de salida tipo resistivo (caso ideal). Para esta simulacin se utiliz la representacin elctrica de la Figura 4.2. Esta simple carga resistiva simula de forma poco precisa el efecto de la capa de acumulacin del MOSFET, la regin de deriva y las prdidas parsitas del MOSFET (empaque, parte metlica y puntos de unin cable de conexin). Por ello, tambin se utilizaron otros esquemas de simulacin similares para los siguientes supuestos de carga: b) Carga de salida tipo capacitivo. c) Carga de salida tipo inductivo. d) Carga de salida resistiva-capacitiva

Driver IXDD415SI

Carga Resistiva como impedancia de Compuerta

(a)

(b)

Figura.4.2. (a ) Esquema simplificado del Driver y la compuerta vista como una carga puramente resistiva. (b) Configuracin electrnica de su modelo circuital

4.1.1.2.2. Esquemas preliminares sobre el comportamiento de la etapa de salida en alta tensin del sistema pulser para excitacin de transductores. La parte bsica del pulser, y que resulta ser la de comportamiento ms crtico, es su circuito de descarga capacitiva en alta tensin:

89

Fuente de Alto Voltaje (200-500 V)

MOSFET (Conmutador)

Circuito de descarga

(a)

(b)

Figura. 4.3. (a) Diagrama a bloques de la etapa de salida en el pulser. (b) Configuracin circuital simplificada para analizar la seal de salida en el Drenador del MOSFET

Este circuito de descarga afecta de manera directa la forma y el ancho del pulso de la seal de salida que puede entregar el generador. La carga (en este simple caso se considera al transductor como una resistencia), y el efecto combinado de la descarga de C y del paso al off (apagado) del MOSFET, influyen muy notablemente en la magnitud y morfologa del pulso de salida. Tambin se podra generar algn fenmeno transitorio espurio en el transistor MOSFET, a causa de las elevadas corrientes en juego en los instantes iniciales de la descarga. Para valores elevados de C , se podran presentar adems ciertas distorsiones importantes, sobre las formas de onda del pulso excitador, inducidas por las propias vibraciones mecnicas del transductor y causadas, tambin en parte, por la interferencia del proceso de corte del transistor MOSFET. Estas distorsiones, debidas a la influencia de vibraciones mecnicas de la carga piezoelctrica empleada [29], se observan ms claramente para valores de C iguales o inferiores a 2.2 nF. Por el contrario, la influencia del proceso de corte del transistor MOSFET sobre las formas de onda se aprecia mejor para los valores ms altos de
C . Un valor pequeo en la resistencia R provoca, entre otros efectos, un fuerte

acortamiento del tiempo de subida de la seal de excitacin (es decir, en su segundo flanco), por ejemplo para el caso de Rd de decenas de ohmios. Por su parte, la amplitud de salida aumenta con el incremento de los valores de C . 90

Circuito de Compensacin de la Capacidad Interelectrdica del Transductor. La capacidad interelectrdica del transductor, que empeora su respuesta ecogrfica, puede compensarse conectando una inductancia de un valor adecuado en paralelo, debido a que la inductancia mejora la eficiencia electroacstica del transductor. Dicho elemento tambin puede modificar a su vez la evolucin temporal de la seal de excitacin. As, en nuestros anlisis, la evolucin temporal de dicha seal se modific mediante una inductancia en paralelo con la resistencia buscando mejoras en la forma y la amplitud del impulso generado. La red de acoplamiento resultante, conformadora de los pulsos de salida, consta pues de una resistencia y una inductancia en paralelo, tal como se detalla en la Figura 4.4. Esta red se incorpora en algunos casos para optimizar el ancho del pulso excitador.

Fuente de Alto Voltaje (400V)

MOSFET (Conmutador)

Red conformadora de pulsos

(a)

(b)

Figura. 4.4. (a) Diagrama a bloques y (b) Configuracin simplificada del circuito electrnico para analizar la seal de salida de la red inductiva conformadora de pulsos.

La inductancia L en paralelo con la salida conforma (en combinacin con C y R ) el pulso de excitacin, y su valor debe ser elegido en funcin de la anchura del pulso de excitacin deseado.

91

Sin este tipo de acoplamiento inductivo, el ancho de banda disminuye a partir de un cierto valor (entre 50 Ohm y 100 Ohm) con la resistencia de amortiguamiento. Sin embargo, con acoplamiento inductivo, el ancho de banda tiene un crecimiento casi lineal con la resistencia de amortiguamiento en todo el rango de valores de sta [58]. Los valores tpicos de esta inductancia en paralelo para transductores de ensayos no destructivos produciran, como gran inconveniente en nuestro circuito bsico de la Figura 4.4, importantes oscilaciones en la forma del pulso de voltaje de salida que puede entregar el MOSFET a la carga, a partir de segundo semiciclo, debido al cebado de una seal oscilatoria amortiguada en el circuito LC. Estas oscilaciones indeseadas seran muy perjudiciales para la forma de los impulsos ultrasnicos emitidos. Pero por otra parte, la ventaja que tendra el uso de esa inductancia en paralelo es que nos brinda la posibilidad de estrechar a voluntad el primer semiciclo, sin perdidas en amplitud. Afortunadamente, existe la posibilidad de eliminar dichas oscilaciones perjudiciales, suprimiendo los pulsos no deseados posteriores al primer semiciclo. Dicha supresin de las oscilaciones del Circuito LC se consigue mediante la incorporacin de una red de semiconductores, como se esquematiza en la figura 4.5. En el circuito global detallado de la Figura 4.6 (que ya incluye circuitos equivalentes descritos en el apartado 4.1.2 para algunos dispositivos) se concreta esa red, formada por varios diodos en serie ( D9 , D10 , D11 y D12 ) en una rama paralelo y varios diodos en paralelo en una rama serie ( D14 , D15 , D16 y D17 ); esta disposicin permite tan solo el paso al transductor del primer ciclo negativo, enviando a masa el resto de la seal oscilatoria. Dado que para ello se requiere utilizar diodos de seal rpidos, ha sido preciso conectar varios de ellos en serie y en paralelo, respectivamente, con objeto de que adems soporten en conjunto intensidades pico elevadas en la rama en serie y tensiones inversas altas, cercanas a 500 V, en la rama en paralelo.

92

Fuente de Alto Voltaje

Driver IXDD415SI

MOSFET (Conmutador)

Circuito de descarga

Red de Diodos

Inductancia paralelo

Figura. 4.5. Diagrama de bloques del Pulser modificado para el caso de existir una inductancia en paralelo con la salida.

Estas redes de diodos tambin evitan que la corriente de carga del condensador C que circula a travs de Ri , no pase a travs RDamping , puesto que esto inducira seales transitorias perjudiciales en las seales correspondientes a los ecos. Debe destacarse que, conforme se agregan diodos en serie D9 , D10 , D11 y D12 en la rama paralelo, la amplitud en voltaje de la seal de excitacin se incrementa hasta obtener el valor ptimo. A pesar de que los diodos producen un ligero rizado de alta frecuencia en algunas zonas del flanco de subida de la seal de excitacin simulada, la curva resultante es aceptable a pesar de dichos picos o pequeas deformaciones de alta frecuencia. La utilizacin de un nico diodo en dicha rama paralelo reduce fuertemente la amplitud de la excitacin. Este hecho de que se reduzca el voltaje de pico del pulso negativo de excitacin es de gran importancia de cara a la amplitud de los ecos, por lo para un funcionamiento eficaz del pulser se requiere el concurso de varios diodos colocados en serie en la rama en paralelo. El motivo de ello es que ese nodo circuital, en que se unen las dos ramas semiconductoras, debe soportar tensiones negativas de varias centenas de voltios, lo que se sita muy por encima de lo que puede soportar un solo diodo polarizado en sentido inverso.

93

Figura. 4.6. Diagrama elctrico del Pulser con una inductancia conectada en paralelo con la salida al transductor.

Por tanto, se hace necesaria la colocacin de un cierto nmero de diodos mayor a uno (dependiendo de la tensin de cresta del spike de excitacin), ya que de otra manera la amplitud de dicho pulso excitador se reducira drsticamente, hasta valores del orden de 115 V para los casos analizados desde un nivel de alimentacin mucho mayor (400 V). Se precisa la intervencin de un nmero mnimo de diodos a fin de llegar a las amplitudes de salida optimas, con valores del mismo orden que los entregados por la fuente de alto voltaje. Se requirieron varias simulaciones para determinar en nuestro caso este nmero mnimo de diodos necesarios. En el captulo 5 se detallan los resultados de simulacin obtenidos en funcin del nmero de diodos involucrados en las ramas DS1 y DS 2 . De todo ello se puede concluir que algunos dispositivos y fenmenos no lineales presentes en este tipo de excitadores inducen comportamientos anmalos en los pulsos de salida, que no se haban observado con las excitaciones convencionales basadas en circuitos lineales.

94

Eliminacin de los efectos perjudiciales de los Modos de Vibracin Secundarios En la prctica se debe evitar la excitacin de modos de vibracin secundarios del transductor, ya que perturbaran las seales principales de eco esperadas segn su modo de vibracin fundamental (a espesor). Para ello resulta necesario aplicar alguno de los dos mtodos que se describen a continuacin: El primer mtodo consiste en elegir valores muy bajos de RDamping a fin de amortiguar su influencia negativa en la seal ecogrfica. El evitar de esta manera el enmascaramiento de los ecos por los mencionados modos de vibracin parsitos, producir inevitablemente tambin, como efecto secundario, una drstica reduccin en la amplitud del impulso generado y, por tanto, en la energa entregada al transductor dentro de su banda frecuencial nominal, y por tanto, en el margen dinmico de las seales ecogrficas obtenidas. El segundo mtodo y ms aconsejable, es aprovechar el efecto de la inductancia conectada en paralelo L con el transductor de tal forma que, a la vez que se cancela su capacidad interelectrdica, pueda eliminarse el problema de los modos de vibracin no deseados (que se producen en un rango frecuencial inferior), sin tener que recurrir a valores excesivamente bajos de RDamping, dado dicha L viene a ejercer una especie de amortiguamiento selectivo, muy energtico con las posibles oscilaciones indeseables de baja frecuencia y moderado, en la banda nominal del transductor. Los resultados obtenidos por simulacin con el generador trabajando en vaco (transductor e inductancia L0 desconectados) y con una RD = 100 Ohmios muestran formas de onda tipo impulso, y se alcanza perfectamente 400 V en la amplitud del impulso generado, obtenindose una forma de onda similar a las consideradas en referencias previas [23-29], pero con un flanco de bajada varias veces ms rpido, inferior a los 10 ns, lo cual redunda respectivamente, en una mejora potencial de la eficiencia electroacstica global obtenible y en una mayor capacidad para la excitacin de transductores de frecuencias elevadas.

95

Proteccin de la Salida en la Etapa Final de Excitacin. En el caso de que se desee proteger la etapa de salida del generador de los pulsos de alta tensin, frente a un posible corto-circuito accidental en los terminales de salida, se puede colocar una resistencia de muy bajo valor en serie, entre la red de diodos y la resistencia de damping, la cual tambin afectar a su respuesta.

4.1.1.3. Diagramas a bloques global del conjunto de las etapas del pulser en las que se realiz la simulacin de respuestas Para la evaluacin de la respuesta acstica de los transductores de banda ancha se realizaron simulaciones de su comportamiento en rgimen transitorio bajo una excitacin con pulsos de alto voltaje y muy corta duracin en el tiempo. Como en esta tesis se pretende una simulacin veraz del circuito generador de pulsos que produzca formas de onda parecidas a las obtenidas experimentalmente, se han incluido algunas reactancias parsitas en el modelo de la etapa MOSFET, a fin de poder predecir con mayor precisin las respuestas temporales en alto voltaje. Para ilustrar los efectos que producen las diferentes cargas, primero se analiz la respuesta del Driver y, despus se analizaron las diferentes respuestas en cada etapa. Para nuestra aplicacin, se estableci una excitacin con seales de corta duracin, del orden de un ciclo de la frecuencia de trabajo o un semiciclo en el caso ideal. Se establecieron alimentaciones del orden de 400 V para la etapa de salida. En la Figura 4.7, se detalla un diagrama de bloques que abarca el conjunto global de las etapas constitutivas del esquema de pulser adoptado para las aplicaciones consideradas en esta tesis. Recoge todos los circuitos sobre los que se realizaron trabajos de simulacin de respuestas.

96

Fuente de Alimentacin de Alto Voltaje

Capacidad de carga y descarga Red Conformadora de Spikes Resistencia de Damping

Conmutador (MOSFET)

Evitan la Formacin de seales de oscilacin perjudiciales Redes de Diodos

Resistencia de Proteccin

Cables de Conexin

Circuito driver de Baja Impedancia.

Inductancia Compensacin

Transductor Ultrasnico

Pulsos TTL

Figura. 4.7. Diagrama de bloques global del sistema pulser considerado

4.1.2. Macromodelado en un marco Pspice y algunas caractersticas de los principales dispositivos electrnicos del Pulser. Nos referiremos detalladamente en este apartado a los modelos parciales de algunos de los dispositivos electrnicos, que integran el esquema global de la Figura 4.6. La macromodelacin es un procedimiento estndar para trabajar con dispositivos discretos para los cuales no existe el modelo o bien para los que sus impedancias parsitas, no son tomadas en cuenta, en las aproximaciones convencionales disponibles. En el trabajo de esta tesis, se emple la macromodelacin de los dispositivos electrnicos ms importantes del diseo (MOSFET y Driver). Para la macromodelacin de alta frecuencia de los MOSFETs, se tiene el modelo del dispositivo junto con alguna red RC o RLC, que se aaden para lograr un correcto funcionamiento en alta frecuencia, incluso si no existen impedancias parsitas en el dispositivo real. Para altas frecuencias, no siempre son vlidas algunas suposiciones bsicas de los transistores. La aproximacin quasi esttica utilizada en los modelos disponibles supone una respuesta inmediata de la 97

densidad de carga del dispositivo cuando se aplica un voltaje. Para algunas frecuencias esta suposicin no es vlida. Por otra parte, los defectos de algunos dispositivos tales como los transistores MOSFETs de potencia pueden corregirse en los macro-modelos agregando componentes extra, como se detalla en el apndice 6. Los modelos bsicos no describen de manera exacta algunas caractersticas especiales tales como las compuertas MOS para los dispositivos de potencia, la quasi saturacin que exhiben los dispositivos DMOS para voltajes de polarizacin grandes o con caractersticas capacitivas dependiente de estos voltajes. La solucin de modelado para este problema se resolvi en nuestro caso mediante la construccin de un macro-modelo usando componentes estndar de la librera de modelos de Pspice. El otro dispositivo electrnico crtico, a ser modelado en entorno Spice, es el Driver del conmutador MosFet. La ventaja principal de estos Drivers en circuito integrado, como el aqu considerado, es que son compactos, y por eso ofrecen de manera intrnseca pequeos retardos de propagacin. Cuando un MOSFET est siendo utilizado como conmutador, algunas operaciones en la regin de corte podran causar sobrecalentamientos o una falla en el dispositivo. Llevar al MOSFET rpidamente de saturacin a corte es trabajo del Driver, y de ah la necesidad de elegir uno con respuesta rpida y con la posibilidad de manejar corrientes altas. El Driver que se eligi fue el IXDD415SI, que tiene entre sus caractersticas unos tiempos de subida y de bajada del orden de 3 ns, lo que resulta ideal para nuestra aplicacin, ya que requerimos lograr unos flancos de bajada en los pulsos excitadores de muy corta duracin en el tiempo. Sus tiempos de encendido y apagado mnimos facilitan el apagado de manera rpida, previniendo falsos encendidos, incluso en ambientes ruidosos. Otra caracterstica por la que se eligi este Driver es que permite la opcin de deshabilitar la salida a travs de su entrada Enable, con lo que entra en un estado de alta impedancia. La caracterstica ms importante, es la capacidad de entregar picos de corrientes altas, necesarias para el control del MOSFET empleado en

98

nuestra aplicacin. Cada terminal de salida puede entregar hasta 15 A, con la posibilidad de conectar ambas salidas en paralelo, con lo que se podr entregar hasta 30 A.

4.1.2.1. Modelo en Pspice del Driver IXDD415 El macromodelo propuesto para el Driver se realiz a partir de los valores proporcionados en el net list de la nota de aplicacin proporcionada por el fabricante (IXYS) [57], en donde se hace nfasis en que no se modifiquen los valores de: TD = 10 ns: Tiempo de retardo que pasa antes de empezar la fuente a describir la forma de onda peridica. TR = 2 ns: Tiempo que transcurre desde que la onda cambia del valor de tensin V1 (nivel de tensin en bajo del pulso de voltaje generado por fuente) al valor V2 (nivel de tensin en alto del pulso de voltaje generado por fuente). TF = 2 ns: Tiempo que transcurre desde que la onda cambia del valor de tensin de V2 al valor V1.

TR V2

PW

TF

V1
TD PER

Figura 4.8. Ilustracin de los parmetros temporales asociados a la fuente de tensin VPULSE.

Refirindonos al esquema de la Figura 4.9, donde se detalla el modelo del dispositivo driver, C1 y R 1 , permiten tener en cuenta el consumo de potencia interna. Por otra parte, L1 y R 2 representan la impedancia interna del modelo del

99

dispositivo. C2 , L2 y R 3 , representan las desviaciones del modelo interno del IXDD415.

Figura 4.9. Diagrama del Circuito equivalente del Driver IXDD415

Figura 4.10. Salida del driver simulada en Pspice para un Ancho de Pulso de 50ns y

C L = 1000pF .

100

La resistencia R 4 es necesaria para asegurar que las funciones de Pspice trabajen apropiadamente, si la carga es removida. La carga comprende los elementos C3 , L3 y R 5 , donde C3 es la capacidad de carga especfica. L3 y R 5 representan las desviaciones en trminos de la inductancia equivalente en serie (ESL) y el equivalente de las resistencias en serie (ESR). Respecto a la velocidad de conmutacin y la frecuencia de operacin del IXDD415, la inclusin de estos trminos de desviacin es esencial para modelar el dispositivo apropiadamente. Una respuesta de este modelo Pspice para el pulso de salida del circuito equivalente del Driver IXDD415, proporcionada por el fabricante de este dispositivo (el cual emplea la librera breakout), se muestra en la Figura 4.10, la cual corresponde a la respuesta temporal en el terminal de salida para un ancho de pulso en su entrada de 50 ns y con una carga en su salida de C L = 1000pF . La seal de salida obtenida con este mismo modelo en Pspice (segn el circuito equivalente del dispositivo Driver IXDD415), para el ancho de pulso mnimo en su terminal de entrada, y con la misma carga en su salida, es la de la Figura 4.11. Puede observarse claramente la rpida respuesta de este dispositivo.

Figura 4.11. Salida de la simulacin en Pspice, con un Ancho de Pulso mnimo y C L = 1000pF .

101

4.1.2.2. Modelado en PSpice del transistor MOSFET de Potencia APT5024BLL En el diseo de nuestro circuito, a cada unin realizada que tuviese cierta relevancia se le asigno un nombre, empleando la herramienta NET ALIAS. Todos los dispositivos MOSFET en el espectro de referencia tiene un modelo, es decir, un nombre tipo con valor par [npn|pnp], as como un parmetro de nivel. La palabra de valor par del tipo es una letra que determina que dispositivo se coloca en el esquemtico, MOSFET_NMOS o MOSFET_PMOS. En ORCAD-Pspice, hay una gran cantidad de modelos genricos de MOSFET, que pueden ser utilizados. La mayora de estos llaman a la liga MbreakN3 o MbreakP4. En Pspice M es la literal designada para los MOSFET. La parte break del nombre se refiere al hecho de que los encabezados individuales son broken out para hacer adjuntos. El N o el P se refiere a NMOS o PMOS. El nmero final se refiere a cuantos encabezados que estn disponibles para la conexin, en general los MOSFET tienen 4 encabezados (D, G, S y B), pero si la fuente tiene vnculos para el substrato interno, podran estar solo 3 encabezados disponibles (D, G y S). Con el modelo llega una oracin, cuya forma general es: .model MbreakN3 VTO=1.4 KP=0.05E-3 lambda=0.05

102

Figura 4.12. Diagrama circuital del modelo Pspice para el MOSFET APT5024 BLL.

La forma en que la oracin es llevada a cabo es a travs del texto en Pspice que precede a las versiones de captura. Esta oracin nos permite indicarle la familia del transistor, caracterizada por MbreakN3, el lmite de voltaje (VTO) 1.4 V,

n C OX (KP ) =5X10-5 A/V2 y lambda=0.05 V-1. En general, los modelos de MOSFET

en Pspice tienen muchos parmetros (ms de 100) que pueden ser utilizados para caracterizar los transistores. Los parmetros modificados de acuerdo a [56] en el archivo Model se enlistan en la tabla 5. En la figura 4.12 se detalla el modelo PSpice resultante para el transistor de potencia MOSFET APT5024 BLL.

103

Tabla 5. Parmetros asociados al transistor del MOSFET

Smbolo

Pspice (Palabra reservada) L W LEVEL

Descripcin del parmetro Longitud del canal. Ancho del canal.

Valor por Valor defecto 2E-6 0.5 5E4 tpico

APT5024BLL

Unidades

1E-6 1E-6 3 1.04E-3 m/s

max

VMAX

Velocidad mxima 0.0 de deriva de cargas

THETA ETA

Modulacin de la 0.0 movilidad Voltaje de umbral 0 de retroalimentacin esttico.

0.05 1

45E-3 682E-6

V 1 V 1

v TO

VTO

Umbral de voltaje 3 de la tendencia a cero.

1.0

KP

KP

Parmetro

de 2E-5

3E-5

27.4

A / V2

Transconductancia.

Otros parmetros del modelo del MOSFET, que se simularon empleando dispositivos discretos, se detallan en la tabla 6.

104

Tabla 6. Parmetros de elementos discretos asociados al MOSFET Pspice reservada) RD RS RG CGS EGD VFB FFB CGD DCGD Capacidad CJO de solapamiento 1E-11 Capacidad de 1E-12 unin VJ M Potencial unin Coeficiente de 0.3333 calidad de la unin. DSUB IS N RS BV Corriente saturacin Coeficiente de 1 emisin Resistencia en 1E-3 serie Voltaje Inverso 100 de ruptura (un valor positivo) CJO Capacidad de 1E-12 unin de tendencia cero 1.69E-9 500 25E-3 1.5 de 1E-14 91.3E-9 0.68 de de 0.75 0.6 tendencia cero 347E-12 (Palabra Descripcin del parmetro Resistencia ohmica de drenaje Resistencia fuente. Resistencia compuerta Capacidad de ohmica de 5 6.82 1.87E-9 0 1 ohmica de la 1OE-3 Valor default 0.113 0.007 por APT5024BLL

Smbolo

RD RS

CGS

solapamiento 4E-11

compuerta- fuente

CGD

compuerta- drenaje

105

VJ M

Potencial unin

de 0.75

0.8 0.42

Coeficiente de 0.3333 calidad de la unin.

TT DLIM LS IS

Tiempo transito Corriente saturacin

de 5E-9 de 1E-14

516E-9 100E-6 7.5E-9

4.1.3. Modelado en Pspice del sistema de transduccin completo en E/R Para obtener un anlisis riguroso del sistema ultrasnico completo se requiere disponer de modelos precisos tanto para las etapas electrnicas como para las partes piezoelctricas y ultrasnicas.
Tabla 7. Parmetros del circuito equivalente del transductor Parmetro Impedancia acstica caracterstica [ Z 0 A] Carga frontal [ R f ] Carga trasera [ Rt ] Capacidad intrnseca [C 0 ] Constante piezoelctrica [h33 ] Relacin de transformacin [ N ]
S

Frmula

Unidades 8.98 k 957 1.6 k 1.23 n F

9

.vtD . A
Z f .A Z t .A

S .A D .vt
e33

1.87 10 V / m 2.30 N / V

h33 C 0S

106

Tabla 8. Parmetros de la lnea de transmisin con prdidas contenida

en el circuito equivalente del transductor Magnitud L C R G Frmula Unidades 2.3 H 28 nF 114 k 0 -1

Z 0 . A / vtD
1 / Z 0 . A.vtD

.L / Q
Re [Y]

En lo que concierne al transductor piezoelctrico, el punto de partida de su modelado sern los parmetros internos del mismo proporcionados por el fabricante, los cuales se detallan en la tabla 7, as como los valores de la lnea de transmisin equivalente para las propagaciones acsticas internas en el elemento piezoelctrico (tabla 8).

4.1.3.1. Otros modelos circuitales necesarios para el anlisis del emisorreceptor ultrasnico En esta tesis se propone que los nuevos diseos ultrasnicos, para estimacin de temperaturas internas en aplicaciones de hipertermia, estn basados en transductores piezoelctricos de banda ancha operados en modo pulso-eco. Por ello, se necesitar establecer una configuracin tpica de emisinrecepcin para modelar el conjunto de tal disposicin global. Un transmisor-receptor de esas caractersticas se puede representar para su anlisis mediante tres bloques funcionales: 1. Etapa electrnica de emisin (pulser) 2. Etapas piezoelctricas y ultrasnicas involucradas. 3. Etapa de la electrnica de recepcin El modelado de la etapa electrnica emisora se consider en epgrafes 4.1 y 4.2. Para las etapas piezoelctricas de dicha configuracin proponemos el esquema de modelado que aparece representado dentro de la Figura 4.13 (en su parte superior, central y derecha), mediante implementaciones de los transductores piezo-cermicos (en emisin y en recepcin) que usan como red bsica el circuito

107

equivalente de Leach extendido

cuaciones n e por Pttmer [59,60], el cual

contiene una lnea de transmisin equivalente. Las etapas ultrasnicas las modelaremos mediante algunos bloques adicionales para incluir la impedancia acstica del medio y la propagacin ultrasnica [61,62]. Estos bloques podran ser ampliados, en caso necesario, con dos nuevas lneas de transmisin asociadas a posibles capas de acoplamiento de impedancia acstica [61,62].

Figura 4.13. Esquema para la implementacin circuital del proceso completo de Pulso Eco.

4.1.3.1.1 Deduccin del circuito equivalente de Leach para el elemento piezoelctrico y su implementacin en Pspice A continuacin describiremos brevemente el origen del circuito equivalente de Leach que hemos utilizado para incluir las fases de transduccin piezoelctrica en la Figura 4.13. Lo novedoso de la tcnica usada para la deduccin de dicho circuito consisti en sumar un trmino que es igual a cero, a una de las ecuaciones electromecnicas del dispositivo piezoelctrico. La suma del trmino cero hace que las ecuaciones tomen la forma de las ecuaciones del telegrafista, para el voltaje V y la corriente I, en una lnea de transmisin elctrica con z como direccin de propagacin:

dV = LsI dz
108

(4.1)

dI = CsV dz
unidad de longitud, y s es la variable de Laplace.

(4.2)

Donde L es la inductancia por unidad de longitud de la lnea, C es la capacidad por La lnea de transmisin acstica anloga tiene una inductancia en serie por unidad de longitud: L = Az , donde: es la densidad y Az es el rea o seccin de la lnea. La capacidad por unidad de longitud est dada por: C = 1 /( Az c) , donde c es la constante de elasticidad relativa. La velocidad de fase en la lnea est representada por:

up =

1 = LC

(4.3)

La impedancia caracterstica se representa por.

Z0 =

L = Az ( c)1 / 2 = Az u p C

(4.4)

La Figura 4.14 muestra el circuito equivalente resultante para el elemento piezoelctrico, el cual contiene una lnea de transmisin desbalanceada para la cual la inductancia en serie del apantallamiento es cero.
u1 + u1 u 2 f1 u2

h i s
f2 -

C0

i
+

h (u1 u 2 ) s

v -

Figura 4.14. Circuito equivalente de Leach. a) seccin acstica. b) seccin elctrica.

109

El circuito consiste de dos partes, un circuito anlogo elctrico y un circuito anlogo mecnico. El acoplamiento entre los circuitos es modelado por dos fuentes controladas. La fuente controlada en la parte mecnica tiene el voltaje
hi / s , en modo comn para los dos puertos de la lnea de transmisin. La carga en

los electrodos del transductor est relacionada con la corriente por q = i / s ; el voltaje es igual a hq . As el voltaje de la fuente es controlado por la carga en los electrodos. La fuente controlada en la parte elctrica del circuito tiene un voltaje:
h(u1 u 2 ) . El desplazamiento de la partcula est relacionado con la velocidad de

la partcula por = u / s , y este voltaje es igual a h( 1 2 ) . De esta manera la fuente de voltaje es controlada por la diferencia entre los desplazamientos en las dos caras del transductor. El esquema general del circuito equivalente de Leach para el transductor piezoelctrico vibrando en modo de espesor, antes mostrado en la Figura 4.14, puede ser fcilmente implementado en Pspice tal como se indica en la figura 4.15, en donde la lnea de transmisin es representada por el bloque con la etiqueta T1 y las fuentes independientes se representan con smbolos circulares. Las fuentes controladas son representadas por smbolos en forma de rombo. La fuente de voltaje V1 y la fuente de voltaje V2 valen cero, y son usadas solamente como ampermetros en el circuito. Para eliminar la necesidad de implementar un trmino

1 en una de las fuentes controladas, se emplea un s

circuito equivalente de Norton consistente de una fuente de corriente dependiente

F1 en paralelo con el condensador C0 , para el circuito elctrico anlogo. La

corriente F1 es dada por F1 = hC0 I (V1 ) , donde I (V1 ) es la corriente a travs de

V1 . El voltaje a travs de la fuente dependiente E1 es dado por E1 = V (4) , donde

V(4) es el voltaje para el nodo 4. La fuente dependiente de corriente F2 , cuya carga C1 est dada por F2 = h I (V2 ) , donde I (V2 ) es la corriente a travs V2 . El resistor R1 es incluido para prevenir que el nodo 4 sea un nodo flotante. Este resistor debe ser lo suficientemente grande a fin de que efectivamente constituya

110

un circuito abierto. Para ello frecuencia de inters ms baja.

1 debe ser mucho ms pequeo que la 2R1C1

a)

b)
Figura 4.15. a) Primer subcircuito para la implementacin PSpice de un elemento piezoelctrico en modo espesor. b) Segunda implementacin opcional, utilizando la funcin de Laplace

A diferencia de los circuitos equivalentes

previos, este circuito de Leach no

contiene transformadores o elementos de impedancia negativa, los cuales dificultaban anteriormente las implementaciones, a travs de los programas disponibles para anlisis de circuitos, de los sistemas ultrasnicos conteniendo etapas internas basadas en elementos piezoelctricos.

111

4.1.4. Modelo global del sistema ultrasnico propuesto para ensayos pulso eco basados en excitaciones tipo impulso de alta tensin La configuracin ultrasnica pulso-eco es probablemente la ms importante desde el punto de vista prctico. En este modo de operacin se busca combinar un desempeo ptimo conjuntamente para la transmisin y la recepcin. Para validar los distintos modelados propuestos en esta tesis, en la parte transductora se asumieron como valores tpicos los parmetros de un transductor de 1 MHz diseado en el CSIC para fines de ensayo no destructivo (END). Adems usamos parmetros de dos pulsers de alta tensin, uno de ellos desarrollado por CINVESTAV y CSIC. As pudimos analizar las respuestas parciales y globales de distintas configuraciones. Para ello se emple el esquema de la Figura 4.16, donde se muestran ampliados los detalles de los distintos circuitos equivalentes asociados a todas las partes involucradas. Concretamente, y en lo que se refiere a las etapas piezoelctricas y ultrasnicas que aparecen en la figura, se consideran los siguientes elementos: Dos lneas de transmisin con prdidas ( Tlossy etiquetadas como T1 y T2 ). En cada una de ellas se consideran las prdidas por atenuacin en la cermica durante una propagacin acstica con prdidas viscosas. Para su modelado en Pspice introduciremos, en el parmetro resistivo de una lnea de transmisin con prdidas, la atenuacin en el elemento piezoelctrico (va utilizada tambin por otros autores [60, 63]] para introducir sus aproximaciones sobre prdidas mecnicas en la piezo-cermica), adems de la inductancia por unidad de longitud L, la capacidad por unidad de longitud C y, finalmente, la conductancia por unidad de longitud. Dos resistores ( R f , Rt ), que representan las cargas mecnicas presentes en los elementos piezo-cermicos, para sus caras frontal y trasera. La fuente dependiente de voltaje ( EMedio ), con funcin de transferencia en el dominio Laplace, constituye un elemento de acople ultrasnico compacto (y muy til en este contexto circuital), entre las etapas de Emisin y 112

Recepcin, e introduce la dependencia con la frecuencia de las prdidas por atenuacin, presentes en cada material usado como medio de propagacin [58].

113

Figura 4.16. Modelo circuital simplificado propuesto para una simulacin bsica de respuestas temporales, en el marco Pspice, de un transmisor - receptor operado en modo Pulso Eco

114

La inclusin de los elementos ROsciloscopio y C Osciloscopio asociados a la impedancia del osciloscopio utilizado para adquirir las seales de excitacin y ultrasnicas. La ganancia del elemento EMedio , incluye el coeficiente de reflexin en la interfase (material reflector medio de propagacin), suponiendo un plano reflector ideal. As, la siguiente expresin representa la ganancia de este elemento:

Ganancia = 2e x ( Z 2 Z 1 ) /( Z 2 + Z 1 )
donde:
Z 2 : impedancia acstica del medio reflector Z 1 : es la impedancia acstica del medio de propagacin

(4.5)

En lo relativo a las etapas electrnicas, las aproximaciones clsicas para modelar estos sistemas [64,65], utilizan suposiciones ideales para la electrnica asociada y no consideran los dispositivos y efectos no lineales de estos circuitos durante emisin-recepcin, con influencias significativas sobre los ecos para estos casos donde se utiliza ultrasonido de alta frecuencia. El esquema de la Figura 4.16 ya incluye, en el modelo del pulser (similar al de la Figura 4.6), parte de estos aspectos no lineales a travs de las redes de diodos dentro de la etapa conformadora de pulsos. Por otra parte, los efectos de la etapa de recepcin sobre la seal de eco estn representados mediante una impedancia simplificada constituida por los elementos resistivos y capacitivos del osciloscopio de medida, el primero de los cuales engloba tambin la resistencia de amortiguamiento y de entrada del primer paso amplificador.

4.1.5. Modelizacin de otros aspectos no ideales en algunas aplicaciones ultrasnicas reales en modo pulso - eco. A pesar de su gran utilidad para las necesidades de este trabajo y en muchas otras aplicaciones, el esquema anterior de la Figura 4.16 (que ya incluye muchas mejoras sobre el estado del arte) an presenta alguna limitacin para casos especiales. De hecho, el modelo anterior no siempre permitira un anlisis exacto del comportamiento real de la impedancia de los circuitos electrnicos, vista desde el

115

puerto elctrico de la cermica piezoelctrica, durante los procesos de transmisin y recepcin. Esta impedancia elctrica vista por el transductor tiene un comportamiento diferente para cada uno de esos procesos y ello se refleja en el eco recibido. Por ejemplo, para obtener un modelo preciso de la respuesta temporal en recepcin en el caso de ecos de gran amplitud, se deberan considerar algunos elementos del excitador interactuando con el circuito equivalente del receptor (los cuales no fueron incluidos en la figura 4.16). Una de sus funciones sera, por ejemplo, considerar la influencia transitoria compleja de los rectificadores del pulser, los cuales bajo ciertas condiciones ejercen efectos no lineales perjudiciales para las seales ecogrficas, que podran distorsionar seriamente algunos semiciclos positivos de las seales de eco, cuando excedan el umbral de conduccin total del conjunto de diodos serie en las ramas rectificadoras del excitador. La Figura 4.17 representa el circuito equivalente propuesto en [62] para simular mejor dichas respuestas pulso - eco en ese caso, bajo condiciones de alta eficiencia que provocan ecos de amplitud elevada. En esta variante para la simulacin circuital PSpice, que resulta menos precisa para la parte de excitacin que nuestro esquema propuesto en Figura 4.16, se incluyen sin embargo nuevos componentes electrnicos que pueden mejorar considerablemente la simulacin del eco en recepcin, lo cual permitira analizar a travs de simulacin, en caso necesario, los mencionados efectos no lineales en recepcin que en ocasiones especiales pueden distorsionar notablemente las seales ecogrficas.

Figura 4.17. Circuito equivalente para un transmisor - receptor ultrasnico ecogrfico, en el que se incluyen efectos de elementos no lineales en la etapa de recepcin.

116

Existen otros aspectos adicionales que estn presentes en las aplicaciones reales, tales como el tiempo de retardo en el eco recibido, que en ciertas ocasiones conviene considerar. As, en los procesos reales, un pulso emitido viaja a travs del medio hasta llegar a un reflector y el pulso reflejado retorna hasta el transductor, una vez transcurrido un tiempo determinado desde la emisin del pulso. Los circuitos descritos anteriormente no permiten simular este aspecto particular de la respuesta temporal del transductor, al no considerar los retardos temporales del eco recibido por el transductor. La ventaja de la consideracin de este tipo de retardo temporal radica en la posibilidad de aadir a la respuesta pulso - eco una referencia temporal respecto al instante de disparo, como ocurre en la realidad prctica.

Figura 4.18. Esquema alternativo para pulso eco considerando el retardo del eco.

Un diagrama alternativo [58] para simular la respuesta pulso eco que incluye el retardo descrito anteriormente se describe en la Figura 4.18. Una lnea de transmisin con prdidas T2 es introducida en el circuito para representar

conjuntamente: la atenuacin ( ), la impedancia caracterstica del medio ( Z M ) en la cara frontal del transductor, y el retardo del eco. La longitud temporal de esta lnea de transmisin con prdidas (equivalente al medio de propagacin) es la existente entre la cara frontal del transductor y la superficie reflectora. La impedancia

117

caracterstica de la superficie reflectora aparece representada por la resistencia R5 . El circuito ilustra claramente el fenmeno fsico de la propagacin y formacin de ecos. Con este esquema es posible analizar simultneamente las respuestas de las etapas de emisin y recepcin en un mismo nodo, tal y como ocurre en una situacin real. Por otra parte, para ecos de gran amplitud, este circuito permite simular directamente con precisin los efectos no lineales antes comentados, los cuales distorsionan los ecos recibidos, gracias a que se eligi un nodo comn a la electrnica de emisin y recepcin, en el que se pueden ver los efectos de interaccin y el comportamiento transitorio de los componentes de ambos bloques electrnicos. Por ltimo, en algunas ocasiones ser conveniente incluir otros elementos no ideales en nuestros modelos, representando prdidas elctricas reactivas: Una inductancia que represente la reactancia parsita, presente en la lnea de masa asociada al transistor MOSFET. Componentes inductivas (reactancias parsitas), asociadas a las pistas de circuito impreso en las cercanas del condensador de descarga y del circuito de amortiguamiento selectivo del excitador. Inductancias equivalentes a las reactancias de los cables que unen los electrodos del elemento piezoelctrico con sus terminales de salida. Se ha constatado que estos elementos, de la placa electrnica real, contribuyen significativamente [28] en la forma de onda excitadora y en los propios ecos. Muchas de estas notables influencias de tipo no ideal no son tomadas en cuenta en anlisis convencionales [66-68], y sin embargo pueden condicionar notablemente las caractersticas tiempo-frecuencia de las respuestas elctricas y mecnicas en equipos ultrasnicos comerciales. La compleja inter-relacin existente entre estos aspectos hace difcil evaluar individualizadamente su influencia en la transduccin global. Por eso, se analizan separadamente el acoplamiento elctrico [66,67,69,70], el amortiguamiento elctrico [66,67,70,71], la carga elctrica ofrecida por transductor [28], y el comportamiento no lineal de algunas componentes [62]. el

118

4.1.6. Estimacin de parmetros de funcionamiento para Transductores Ultrasnicos de Banda Ancha Resulta de gran utilidad, para una correcta y completa modelacin y simulacin de un sistema ultrasnico, conocer de antemano los parmetros de los transductores piezoelctricos o, en su defecto, conocer sus valores aproximados. De hecho, en los transductores piezoelctricos de banda ancha, sus parmetros internos afectan notablemente a la seal de salida (eficiencia electroacstica, rango dinmico en las seales recibidas o la resolucin ecogrfica axial), y adems el conocimiento de estos parmetros permite optimizar el comportamiento del transductor. A pesar de su relevancia, existe sin embargo un conocimiento escaso sobre los detalles de construccin y las caractersticas fsicas internas de los transductores. Para la caracterizacin de estos piezoelctricos y la determinacin de sus parmetros se han propuesto diferentes mtodos [58,72-75], que en general estn basados en el ajuste de algunos puntos de la impedancia elctrica medida en su entrada elctrica.

4.1.7. Anlisis paramtrico de algunos dispositivos pasivos El anlisis que se eligi aplicar en este trabajo para evaluar el diseo propuesto fue el barrido paramtrico. El barrido paramtrico no es un tipo de anlisis que se pueda llevar a cabo de manera independiente, sino que es una operacin secundaria del anlisis transitorio, para obtener una mayor cantidad de resultados en forma grfica. Es decir consiste en mostrar diferentes resultados simultneamente de un anlisis, ante la variacin de un parmetro perteneciente al circuito de una forma prefijada. Se realiz dicho anlisis sobre determinados dispositivos pasivos variando el valor de ciertos elementos (condensadores, bobinas, etc), que eran de especial inters en un intervalo de valores propuestos como ptimo para el tipo de aplicaciones abordadas en esta tesis. As se pudo abordar el estudio de la evolucin de la respuesta elctrica del Pulser a lo largo del tiempo para determinadas condiciones operativas y parmetros de funcionamiento.

119

SECCION 2. Propuesta de Mtodos, Materiales y Algoritmos para la medicin y estimacin ultrasnica de caractersticas internas en Phantoms.

4.2.1. Procesamiento General utilizado en los algoritmos propuestos. 1. Preprocesamiento: Optimizar el tamao del vector (pulso recibido), eliminando informacin no deseada, es decir reducir el nmero de muestras dentro del vector a una cantidad que minimice el tiempo de computo y el espacio requerido para su almacenamiento. 2. Visualizacin eficaz de la adquisicin (A-scan): El despliegue de datos (Voltaje versus tiempo) en las grficas que se muestran en el monitor de la PC, corresponde a la adquisicin del vector de datos en un punto especfico. La secuencia de estos puntos a lo largo de una lnea nos permite tener una representacin grfica de los planos; los planos pueden ser ortogonales, en relacin con la muestra estudiada y, colocando varios planos juntos, tenemos la posibilidad de representar un volumen. La principal desventaja de la visualizacin de un volumen es que, al intentar mostrar todos los planos simultneamente, se pierden los pequeos detalles (que muchas veces son determinantes), por la limitacin de espacio en una pantalla de PC. 3. Manipulacin eficiente de datos: Estas operaciones son para depurar y mejorar virtualmente la seal recibida. Operaciones como el filtrado, nos permiten mejorar la informacin contenida en el vector ya que se suprimen o reducen inconvenientes como el ruido (ya sea ste de origen instrumental o acstico). Esta operacin tiene, entre otros, el propsito de simular y propiciar procedimientos de inters cientfico especfico, es decir, despus de identificar y visualizar una estructura concreta (muestra), se procesan los datos y se separa la informacin correspondiente por ejemplo a mltiples capas. As, se puede establecer una plataforma til para obtener un protocolo de medicin. 4. Anlisis de datos: El objetivo de sta operacin es cuantificar la informacin de la muestra, ya que nos permite, a partir del conjunto de vectores (matrices de datos) adquiridos, medir parmetros de inters entre los que destacan: velocidad de propagacin, atenuacin, absorcin y dispersin acsticas.

120

Adems se busca estimar de forma no invasiva, mediante la evaluacin de variaciones provocadas en los parmetros acsticos, los posibles cambios de temperatura en el interior de las muestras, lo que resulta muy importante dentro del contexto de la hipertermia ultrasnica. Para obtener los mencionados parmetros acsticos en el volumen de la muestra, las tareas generales que realizan los programa desarrollados son:

Barrido mecnico, basado en motores a pasos, en tres ejes (X; Y; Z), con los que se realiza el desplazamiento del transductor ultrasnico segn las coordenadas programadas. As, el transductor sigue el contorno definido por el usuario a fin de cubrir el volumen de la muestra a ser evaluada.

Los trenes de eco (seales recibidas), son transferidos al osciloscopio digital a travs de la salida del amplificador de la tarjeta de adquisicin de seales ultrasnicas Matec y, son desplegados simultneamente, tanto en el monitor de la pantalla del osciloscopio como en el monitor de la PC, esto ltimo a travs del bus de datos de una tarjeta GPIB que une el osciloscopio a la PC.

Una vez adquiridas las matrices de datos (trenes de ecos) se realiza un preprocesamiento a fin de optimizar el tiempo de clculo y se procede a realizar los clculos para determinar los parmetros acsticos deseados (velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin). Los distintos mtodos de clculo se describen en los apartados 4.2.13 y 4.2.14.

La certidumbre con la que los algoritmos puede evaluar los parmetros acsticos, en el volumen deseado, est determinada por factores tales como: resolucin y profundidad de penetracin, heterogeneidad de las propiedades del material, y las variaciones producto de la naturaleza de la muestra.

4.2.2. Diagrama a bloques de la Configuracin Experimental desarrollada La aplicacin desarrollada en Matlab (software de procesamiento) permite calcular los parmetros acsticos antes mencionados en distintas muestras (phantoms), as como realizar exploraciones en tres dimensiones para la obtencin de la distribucin de algunos parmetros acsticos en el volumen de la muestra.

121

Software de Procesamiento y Adquisicin de la Seal (PC DELL) Seal de Sincrona Interfase GPIB Pantalla (Osciloscopio Tektronix TDS420) Receiver out Pulser / Receiver - Tarjeta (Matec TB1000) Pulso Excitador Trenes de ecos

Interfase RS232

Controlador de Motores (Velmex VP9000)

Transductor (Panametrics 1-10 MHz) Trenes de Ecos Termmetro de fibra ptica (M3300,Luxtron, Alemania) Pulso Ultrasnico

Sistema de Barrido mecnico [Motores a pasos en los Ejes: X,Y, Z]

Material bajo Prueba (Phantom) Material Reflectante (Aluminio)

Control de Temperatura (DC10-P5, Haake)

Figura 4.19. Diagrama a bloques de la configuracin experimental

4.2.3. Diagramas de Flujo del Programa general desarrollado para control, barrido y adquisicin sincronizados Este apartado se centra en la descripcin del diagrama de flujo de la Interfaz Grfica Interactiva desarrollada para una integracin eficaz de las numerosas operaciones involucradas en la configuracin experimental global. Esta interfaz ha sido construida utilizando el entorno Matlab para enlazar con otras funciones del programa principal de forma sencilla y prctica y aprovechar las muchas opciones que brinda al usuario. Dicho diagrama de flujo se detalla a continuacin, en las dos pginas siguientes:

122

Ejes [X, Y, Z]

Definir distancia entre lecturas

( DL )
Dato invlido. (caracteres, signos ortogrficos excepto punto, etc)

Dato Dato vlido

Distancia a recorrer

milmetros

nmero de pasos

( DR )

Convertir mm a nmero de pasos

Ventana con mensaje de advertencia

Entero No. Pasos

No Entero Redondear Nmero

No Dentro de los lmites Si No Canal del Osciloscopio

DR DL
Si

Dato inicial

Dato Final

123

Validar la configuracin

Datos incoherentes, campos vacos, etc.

Advertencia

Adquirir datos (Interfase GPIB)

Adquisicin de datos (Modo A)

Adquisicin de datos (Modo B)

Volumen explorado

Almacenar adquisiciones como archivos temporales Si No

Almacenar vectores de datos

Borrar

Fin

Vector de datos en disco duro (formato de archivo ASCII, .Mat, etc)

Figura 4.20. Diagrama de flujo de la Interfaz Grfica Interactiva desarrollada

124

Figura 4.21. Pantalla principal del programa desarrollado

4.2.4. Desarrollo

de

Phantoms

especficos

simulando

tejidos.

Generalidades. Nos propusimos desarrollar phantoms bsicamente de msculo liso, variando las propiedades ultrasnicas de velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin. A partir de la literatura especializada, se utilizaron como referencia de partida los valores promedio de velocidad ultrasnica de 1,54 0.006 mm/s y una atenuacin ultrasnica de 0,7 0.05 (dB/cm)*MHz [76]. Los materiales candidatos para realizar pruebas en ellos, ya fueron reportados en el captulo 2.5 (Generalidades y descripcin del estado del arte). Se fabricaron phantoms a los que se les alteraron sus propiedades a travs de la variacin de las concentraciones, provocando cambios en las propiedades ultrasnicas que nos interesan. Estas sustancias y la propiedad que modifican son:

125

Velocidad: N-propanol o Glicerol Atenuacin: Grafito o talco Scattering: Grafito o esferas de cristal Consistencia: Agar-agar o gelatina microbiolgica.

Simulacin de la velocidad: Para simular la velocidad acstica, los factores ms importantes son los alcoholes, de stos se escogi al glicerol porque su pendiente sigue el mismo patrn de comportamiento que la del agua, la cual es similar a la de los tejidos que se desean simular. La concentracin de 5 % es la ms prxima al valor que se desea, y presenta el mismo comportamiento en su pendiente en el intervalo de temperaturas de 27 C a 50 C. Mientras que en el n-propanol la concentracin que ms se aproxima al valor que se desea es de 25 %, tiene el inconveniente que a esta concentracin, en intervalo de temperaturas de inters, muestra cambios en su comportamiento. Sumado a lo anterior, el n-propanol demostr ser considerablemente ms voltil que el glicerol. La atenuacin presentada por el glicerol es mayor que la provocada por el n-propanol, y esta desventaja ser considerada en la seleccin de concentracin de grafito. Simulacin de la atenuacin: El control de la atenuacin se logra modificando la concentracin de grafito. En nuestro caso, se eligi una concentracin de 100 g/l para dotar al phantom de una atenuacin semejante a la del msculo liso. Simulacin de la consistencia: La concentracin de agar elegida para el phantom fue de 2,5%, ya que con 1,5% de concentracin la muestra quedaba poco firme y con el 5% de agar, se dificultaba su manejo. Conservante, para evitar crecimiento de parsitos microbiolgicos: Los phantoms para ser vlidos deben tener estabilidad en su composicin y evitar su contaminacin por efecto del crecimiento microbiolgico. El material empleado como conservante fue un antibitico-antimictico, preparado con 10,000 unidades/ml de penicilina G-

126

Sodio, 10,000 g / ml , sulfato de estreptomicina y 25 g & ml anfotericina B, que acta como Fungicida, en una solucin salina al 0.85%, para controlar el crecimiento microbiolgico. Se hace la nota que es usual el crecimiento microbiolgico en el agar. Cabe resaltar que para cada compuesto elegido, se tomaron en cuenta tanto su aportacin como material atenuante, como modulador de la velocidad, as que el resultado final de la composicin del phantom es de; 2,5% agar, 5% glicerol ,100 g/l de grafito y perlas de vidrio de 2.5 mm como centros dispersores. Material y Equipo utilizado en la fabricacin del phantom

Parrilla con agitador magntico (placa de aluminio de 18x18 cm) con velocidad variable desde 100 hasta 2000 rpm, y temperatura mxima 375 C; se incluye una barra magntica. Se alimenta con 120 V. Fabricante: Scorpion Scientific.

Balanza analtica, marca compact balance, modelo ek-3000i. Capacidad de pesaje 3000 g, resolucin de 100 mg. Linealidad 0,2 g. Vaso de precipitado de 600 ml. Perilla de succin de hule (propipeta) Pipeta Esptula Motor de D.C. con control de velocidad, para agitar la mezcla mientras solidifica. Celda de medicin Termmetro Refrigerador casero.

Reactivos

Agua bidestilada (No. Cat. RP 6544-19) Agar- agar granulado, purificado y exento de inhibidores para microbiologa (Merck. Alemania. No. Cat. 1.01614.1000) Glicerina (Pureza del 87%, Merck Alemania. No. Cat. 1.04094.1000) Grafito coloidal extra fino de (8-12) m de dimetro (Grafitos trbol, Mxico).

127

Antibitico antimictico (GIBCO. Invitrogen Corporation Part No. P1513) Perlas de cristal de 2.5 mm de dimetro (BioSpec Products, Inc. USA. Cat. No. 11079125).

4.2.5. Detalles de Construccin del Phantom Se desarroll un phantom que simula las propiedades acsticas de los tejidos blandos (velocidad ultrasnica 1,54 0.006 mm/s y atenuacin ultrasnica de 0,7 0.05 dB/cm/MHz), en un intervalo de temperaturas desde 27C hasta 50C. Se tomaron en cuenta para cada compuesto escogido, sus aportaciones en la obtencin de las propiedades US que nos interesaban, as, las cantidades de los componentes utilizadas en el phantom fueron las siguientes:

92,5% agua bidestilada. 2,5% agar. 5% glicerol. 100 g/l de grafito.

Las ecuaciones para el clculo de las concentraciones y las masas de los compuestos, se muestran a continuacin, y se ejemplifican para 100 ml de agua y 2,5 % de agar. % agua + % glicerol = 97,5 % Para la determinacin de masa de agar, se utiliza: (4.6)

magar =

%agar * magua %agua

(4.7)

Entonces, para 5 % de glicerol se tiene: Determinacin de la masa de agua. El porcentaje del agua viene dado por % de agua + 5 % Glicerol = 97,5 %. Por lo que el porcentaje de agua es 92.5 %. Eso significa que la masa de 100 ml es el 92.5 % y como la densidad es 1 g/ml, se puede ver que: magua=100 g= 92.5 %. Determinacin de la masa de agar. Una vez determinada la masa de agua y su valor porcentual, se obtiene la masa de agar. En este caso vale: magar = (2,5*100 g)/92.5=2.70 g.

128

Determinacin de la masa de glicerol. La masa de glicerol se determina realizando una regla de tres entre la relacin de los porcentajes y masas de agua y glicerol: x = (100 g*5 %)/92.5 %= 5.40 g Determinacin de la masa de grafito. Si se desea una solucin de 100 g/l, y si se tienen 10 ml de glicerol y 100 ml de agua, el volumen total de la solucin es 110 ml, por lo que la masa de grafito para 100 g/l es 6.6 g. Esto es: 100 (g/L)*0.110 (L)=11 g.

4.2.6. Protocolo para la construccin del phantom 1. Se determinan las masas de agua, agar, glicerina y grafito. 2. Se calienta el agua bidestilada en la parrilla y se coloca un agitador magntico al centro del recipiente. 3. Se mide la temperatura del agua continuamente hasta que sta alcanza una temperatura entre 70C y 80C, intervalo de temperatura en que se presenta el punto de fusin del agar. Se recomienda aadir el polvo de agar poco a poco al agua, para evitar la formacin cmulos de agar y facilitar la incorporacin de ste al agua, evitando que al elevarse la temperatura se quemen esos cmulos o se facilite la formacin de burbujas. 4. Al llegar a 80 C se vierte el glicerol a la mezcla. Se reduce la temperatura de calentamiento hasta los 50 C para evitar que la mezcla tenga prdidas por evaporacin de lquido y que comience a solidificar. En dicha temperatura, se aade el grafito poco a poco para que se disuelva cuidando que no se formen conglomerados de grafito, y se agita por 1,5 horas, a la mxima velocidad posible, para eliminar burbujas y disolver al grafito eliminando los grumos. 5. Finalmente, se agrega el 1% del 100% de la mezcla total del antibiticoantimictico, para conservar la mezcla. 6. Se vierte con cuidado la mezcla dentro de la celda de medicin, evitando burbujas en la mezcla y se coloca la tapa del molde de aluminio colocando en ella el transductor para que la mezcla solidifique con el transductor dentro. 7. Se coloca la celda de medicin sobre un soporte unido a un motor, que lo hace girar con la suficiente velocidad para no permitir el asentamiento del grafito (que es el componente de la mezcla ms denso) durante el tiempo de

129

solidificacin (prdida de calor de la mezcla). El molde se mantiene girando para garantizar que aquella permanezca homognea. El proceso de solidificacin puede acelerarse metiendo la mezcla elaborada al refrigerador. 8. Cuando la mezcla ha solidificado con el transductor dentro de ella (ahora ya hecha gelatina), se observa en ocasiones que pueden quedar imperfecciones en su parte superior que no afectan la medicin, pues la cara del transductor contacta con el interior del phantom de composicin y estructura uniformes. 9. Se sugiere, para prolongar la vida til del phantom, envolver ste en plstico, evitando as que se evapore el alcohol, y mantenerlo en refrigeracin.

4.2.7. Instrumentacin usada para medir propiedades acsticas en el phantom Para medir las propiedades acsticas del phantom se utiliz la tcnica ultrasnica de pulso-eco. La configuracin experimental elegida, incluye:

Una computadora personal (Samsung) que cuenta con el software siguiente: o Waveform (WAVEFORM v. 4.01, Ultrasonic devices, EUA). para una adquisicin y representacin grfica bsicas de los datos desplegados en el osciloscopio. o Matlab 6.0 (Math Works inc, USA)

Transductores piezoelctricos planos con frecuencias de excitacin de: o 1 MHz (A303 S, Panametrics, EUA) o 3.5 MHz (V326S, Panametrics, EUA) o 5 MHz de 10 mm de dimetro. (V326-SU, Panametrics, EUA) o 2.25 MHz (I2C-0204-S Hairsonic, Staveley NDT Technologies). Transductor de Piezocomposite. o 1 MHz. (Modelo C-3, Marca RICH-MAR Corporation), para Terapia. 6 cm2 de rea. o Cable que suministr Panametrics con los transductores.

Una PC Daewoo, en la que hemos instalado y puesto a punto una tarjeta transmisin recepcin marca MATEC modelo TB1000 y un software de control especfico. La tarjeta Matec TB1000 fue usada para excitar los

130

transductores ultrasnicos y tambin como receptor de las seales ultrasnicas de banda ancha provenientes del material.

Bao trmico (DC10-P5, Haake, Alemania)[118]. Hielo. Termmetro de fibra ptica (M3300, Luxtron, EUA), controlado por el software TrueTemp (Data Capture, Display and Anlisis Software) [116,117] Un osciloscopio de la marca TEKTRONIX, modelo TDS420 con interfaz GPIB, IEEE 488 [121,122]. Cable de interconexin marca Panametrics (modelo BCU-58-6). Cables BNC para la interconexin, Modelo CBL-36. Parmetros: 50 . RG58 (ncleo central de cobre). Un sistema de control de posicionamiento para los transductores marca Velmex modelo VP9000. Incluye 3 motores de paso Marca VEXTA, Modelos PK266M-01A, de 2 fases; 0,9 / paso; DC 1 A; 7,4 . El sistema de barrido est basado en tornillos lead screws, cuya relacin de avance es de 1 mm/157 pasos de motor. Este conjunto permite realizar barridos de un volumen de hasta 30 x 30 x 30 (cm) [119].

Celda de medicin fabricada en aluminio, de forma cilndrica. Instalacin de desgasificacin del agua, para los experimentos de medicin y dems caracterizaciones que se realicen en los recipientes de acrlico.

4.2.7.1 Tarjeta excitadora de transductores y computadora asociada. La tarjeta excitadora Marca Matec Instruments, Modelo TB1000 Gated Amplifier/Receiver Board, se configur en funcin de la frecuencia nominal del transductor, para generar solo un ciclo intentando una respuesta en banda ancha y evitar que el primer eco se sature por una ganancia excesiva. Vase Apndice D.

4.2.8. Metodologa propuesta para modelar retardos de tiempo en los pulsos Se propone modelar los retardos de tiempo de origen trmico, en las seales ultrasnicas pulsadas, como una modulacin en fase del pulso ultrasnico. En consecuencia, el mtodo que proponemos para estimacin trmica se basa en

131

realizar una demodulacin en fase. Luego de que la seal se ha propagado por un medio, presenta un retardo en el tiempo con respecto a la seal de referencia. El nico cambio importante que sufre la seal de entrada, al propagarse en el medio de estudio, es dicho desplazamiento en el tiempo, por lo que si somos capaces de interpretar dichos cambios en el tiempo como cambios de fase provocados por los cambios de temperatura, obtendramos una forma alternativa indirecta para medir retardos en el tiempo, a partir de corrimientos en la fase. Proponemos pues establecer una estimacin directa de temperatura a partir del corrimiento en fase. Con este principio de medicin estaremos en posibilidad de caracterizar diferentes medios de propagacin ultrasnica. Los efectos que se observan despus de la demodulacin, dependen en gran parte de la naturaleza de la seal de entrada, y estos se hacen evidentes con pulsos de pequea duracin en el tiempo o con transiciones sbitas (slew rate alto). Consideramos que la seal ultrasnica de inters es un pulso ultrasnico de corta duracin, tan corta como sea posible, a fin de obtener la respuesta del sistema (medio) a una funcin impulso, para estudiar la respuesta en banda ancha. Se supondr que su propagacin en el medio no le induce ninguna distorsin, y que solo le produce un retardo en el tiempo. Para reducir las interferencias, se requiere realizar un preprocesamiento (ventaneo de la seal), a fin de reducir los segmentos sin oscilacin que generan discontinuidades en el espectro, y para compensar las discontinuidades debidas al algoritmo empleado en la demodulacin en fase. Para las seales obtenidas, se determin el tipo de demodulacin, el tamao de ventana y la posicin de la ventana ideal en el vector de datos. El trmino de tamao de ventana se refiere al nmero de puntos muestreados que son empleados para calcular los retardos de tiempo para una posicin dada a lo largo de la lnea A-Scan. La posicin de ventana es el intervalo de puntos sobre la seal muestreada, que sern usados para calcular los retardos en tiempo. La eleccin de esta ventana es crtica para no introducir errores en el algoritmo de clculo.

132

4.2.9. Estimacin Ultrasnica de Cambios de Temperatura En esta tesis se presenta una propuesta original para la medicin de cambios de temperatura sobre tejido biolgico. Esta propuesta parte de reportes de la literatura en donde se afirma que ciertos parmetros que varan con la temperatura son la velocidad de propagacin en el medio y sus propias dimensiones, alterando el tiempo de propagacin para una temperatura ( Ti ) con respecto al tiempo medido para la temperatura original ( T0 ). Basados en esta experiencia, proponemos que a partir de dichos retardos, interpretados como corrimientos en fase en las seales ultrasnicas obtenidas por pulso-eco, se determine el cambio de temperatura. Para la demodulacin de la fase, proponemos el anlisis del primer eco (pulso ultrasnico modificado por el medio phantom), asumiendo como portadora la frecuencia bsica del ciclo de excitacin y, como informacin a ser demodulada, el efecto del medio (muestra). Se utilizan la seal ultrasnica recibida a travs del agua (para full transmisin) o el primer eco de la seal reflejada (pulso-eco), como seales de referencia. Por lo general la temperatura menor del intervalo de mediciones se establece como inicial y se comparan diferentes respuestas ultrasnicas obtenidas a la misma temperatura (full transmisin y pulso- eco), y se repite el procedimiento a lo largo de todo el intervalo de 270 a 490 con pasos de 20C, asumiendo que todas las respuestas son versiones similares desplazadas en el tiempo. Debemos considerar la curva temporal de la fase, que se ve modificada por dos variantes: (1) que con el aumento de temperatura disminuya el valor de la velocidad de desplazamiento del US, como es el caso del tejido adiposo, (2) el caso contrario de aumento de velocidad con temperatura, para tejidos con alto contenido de agua. La inclinacin de dichas curvas se compensa en el mtodo propuesto, con el propsito de que los corrimientos en fase sean, adems de lineales, verticales, para que la interpretacin sea ms clara. Para el buen funcionamiento del sistema de medicin de temperatura, fue necesario desarrollar un algoritmo de seguimiento y medicin precisa de los pulsos desplazados, capaz de funcionar con pulsos retardados en el orden de nanosegundos. Este punto es crtico, pues errores temporales de adquisicin nos producirn errores en la estimacin de la temperatura.

133

4.2.10. Desplazamientos en tiempo y frecuencia de una seal El origen de tiempo de una seal es un punto arbitrario, elegido para un propsito particular. Un cambio en el origen del tiempo no cambia la forma de seal. Sabemos que una seal puede ser descrita por parmetros tales como: la amplitud, la frecuencia y la fase. Es posible transmitir informacin variando la frecuencia o la fase de una seal a la que se le denomina portadora. Eligiendo una ventana adecuada en la seal, se puede optimizar el tiempo de clculo y reducir las discontinuidades debidas a segmentos de la seal sin oscilacin. Podemos comprender el efecto de una secuencia desplazada en el tiempo (seal digitalizada) a partir de su transformada de Fourier. Cuando una secuencia sufre un retardo o un adelanto de k muestras, la transformada de Fourier de esa funcin desplazada en el tiempo,

g (t ) = f (t t 0 ) , ser: f (t t 0 ) e jt0 F ( jw) . La exponencial tiene una magnitud igual

a la unidad, entonces la nica contribucin para el producto es el ngulo = t 0 , el cual es lineal con y proporcional al desplazamiento en el tiempo t 0 . Este ngulo resulta sumado a la fase de la funcin original F ( j ) [77].

G ( j ) = F ( j ) t 0 / /

(4.8)

Podemos interpretar grficamente los desplazamientos en tiempo y confirmar que resultan equivalente a sumar fases lineales, lo que equivale a multiplicar F ( j ) por el factor e jt0 . En el caso de un ancho de banda infinito, el impulso desplazado es:

(t t 0 ) e jt

(4.9)

Esta ecuacin representa las formas bsicas de interpretar el desplazamiento del tiempo de una funcin arbitraria como la convolucin con un impulso desplazado. En el caso del dominio de la frecuencia, se tiene una propiedad similar, que se aplica cuando una representacin frecuencial F ( j ) se desplaza una cantidad 0 .

e j0t f (t ) F ( j j 0 )

(4.10)

Esto tiene el efecto de sumar el ngulo = 0 t para las representaciones en el tiempo. As, la funcin f (t ) (que es real), con el desplazamiento en frecuencia se hace que sta adquiera su parte imaginaria.

134

El retardo en el tiempo puede ser positivo o negativo, como muestran las figuras 4.22- 25, y ello no modifica la magnitud de la transformada de Fourier, por lo que en cualquier caso (retardo o adelanto), el espectro de magnitud se mantiene sin cambios. Sin embargo, esto tiene repercusiones en la pendiente de la curva de fase con : para el caso de que la seal sufra un retardo en el tiempo, dicha pendiente se hace negativa, pero si la seal se adelanta, aquella se hace positiva.

(a)

(b)

Figura 4.22. (a) Pulso Gaussiano y su transformada de Fourier. (b) Pulso gaussiano con un retardo en el tiempo y sus correspondientes espectros de Fourier [77].

Figura 4.23. Funcin del impulso y sus espectros de Fourier [77].

La respuesta en fase describe cmo un medio (filtro) modifica la relacin en tiempo entre los componentes frecuenciales cuando pasan a su travs. Suponemos que podemos modelar la respuesta de nuestro medio como un filtro ideal con respuesta lineal en fase, pendiente definida nicamente por el retardo. As, la relacin entre las fases de los componentes de la seal de entrada no sufre distorsiones, y los desplazamientos en fase estn dados solamente por el retardo en el tiempo.

135

Figura 4.24. Funcin impulso desplazada en el tiempo (retardo) y su transformada de Fourier.

Figura 4.25. Funcin impulso desplazada en el tiempo (adelantada) y su transformada de Fourier [77].

4.2.11. Origen de algunas discontinuidades en el espectro de Fase. Bajo ciertas condiciones de calculo, el espectro de fase experimenta saltos o discontinuidades. Puede ocurrir un salto brusco de 2 cuando el algoritmo ha sido diseado para mantener la fase dentro del intervalo principal de valores [ , ] . La mayora de los algoritmos calculan los valores de fase en el intervalo de ( , ) . La representacin habitual de la fase es en forma de modulo de 2 , pero pueden obtenerse representaciones continuas de fase empleando el modulo de fase de 2 con algoritmos de desenvolvimiento de fase llamados algoritmos unwrapping. Un salto de ocurre cuando se experimenta un cambio de signo en donde la polaridad cambia de signo. El signo del salto de fase se elige cada vez que la fase resultante es impar, despus del salto, y el valor vuelve a ubicarse en el intervalo de

136

[ , ] . En las figuras 4.26 y 4.27 se pueden observar algunos casos en que la fase
presenta discontinuidades. Otro de los aspectos que puede provocar distorsiones en el espectro es el tipo de ventana que se elija. Para el caso de ventana rectangular, sta introduce el efecto de rizos y discontinuidades en los lmites de la banda.

Figura 4.26. Filtro ideal con fase lineal

Figura 4.27. Representaciones de magnitud y fase de un filtro de fase lineal.

137

4.2.12. Protocolo propuesto para la medicin ultrasnica de temperatura. Para garantizar la temperatura deseada al interior de la celda de medicin, se establece la temperatura inicial en el controlador de temperatura del bao trmico, y el termmetro de fibra ptica de alta resolucin se introduce dentro de la muestra a travs de un catter de plstico. Ello asegura una medicin con una mayor resolucin. La temperatura controlada en el bao trmico se alcanza en cierto tiempo necesario para su estabilizacin, el cual es influido por la temperatura ambiente; por ello se espera un mnimo de 3 minutos despus de alcanzarse la temperatura seleccionada, garantizando as la estabilizacin trmica. Posteriormente, se conectan el osciloscopio y la computadora que tiene el software de adquisicin de la seal, y despus la tarjeta generadora de pulsos que excita al transductor, con el propsito de tener energizados los equipos receptores antes de adquirir seales ultrasnicas y evitarles posibles daos a estos equipos sensores. Los parmetros elctricos seleccionados en la tarjeta MATEC, para excitar al transductor con un solo pulso, fueron:

Frecuencia de repeticin de 13 ms Ganancia: 10 dB Voltaje de salida de 300 V, Ancho de pulso de 0.20 s Modo de excitacin: Pulso / Eco Frecuencia de resonancia ( portadora): 5 MHz. Trigger : interno La ganancia de 10 dB, amplifica la seal con bajo ruido de alta frecuencia y sin necesidad de filtrarla. La impedancia de entrada del osciloscopio se eligi de 50 , a fin de asegurar el acoplamiento elctrico con la salida de seal del receptor y tener la mxima transferencia de energa. El nmero de muestras fue de 15000. El modo de adquisicin fue el de promediacin a fin de evitar perturbaciones debidas a fenmenos aleatorios, tales como el ruido.

Estos parmetros seleccionados en la tarjeta MATEC, se comentan a continuacin:

138

Se decidi adquirir la seal en el modo de delay only, para evitar tener que realizar una ventana durante el procesamiento e introducir errores por el efecto ventana.

La frecuencia de muestreo en delay only fue de :1 GS/s Main range: 2 s Delay: 100 ns Escala vertical: 2.0 V El intervalo de temperaturas de inters se estableci desde los 27C hasta los 49C, con pasos de 2C.

Para cada uno de los experimentos se realizaron al menos 5 adquisiciones en cada una de las temperaturas, las cuales fueron posteriormente promediadas, obteniendo solo un vector de datos para cada medicin de temperatura, que fue el que se proces con el mtodo elegido.

4.2.13. Uso de la Tcnica de Ping He para medicin de la dispersin acstica Para la medicin de la dispersin acstica, se emple la tcnica de Ping He, la cual no proporciona la velocidad de fase absoluta, pero optimiza la medicin de la dispersin en dos aspectos; primero, la tcnica requiere dos formas de onda, una de referencia y otra correspondiente a la muestra a evaluar. La nica variable que se necesita medir es el espesor del phantom [78-82]. Para la determinacin de la dispersin de la muestra se realizaron los siguientes pasos: primero se estableci el utilizar el primer eco como seal de referencia, y el segundo eco se utiliza como la seal que contiene la informacin de la muestra a analizar. Luego se realiz el calcul del centroide del pulso (mxima aportacin de energa), de acuerdo con [78] y [83]. El pulso es entonces desplazado circularmente a la izquierda, de tal forma que el centroide se sita al inicio de la ventana de muestreo. Las muestras que originalmente estaban del lado izquierdo del centroide, ahora se colocan en el otro extremo de la ventana de muestreo (final de la ventana). Se calcula entonces el espectro de fase empleando el algoritmo de la FFT. Se pueden aplicar desplazamientos adicionales si el espectro de fase muestra discontinuidades dentro del rango de frecuencias de inters [78].

139

Figura 4.28. Seal original

Figura 4.29. Energa de la seal

La relacin entre el espectro de fase original y los pulsos desplazados es [82]:

( f ) = ( f ) + 2ft
donde

(4.11)

( f ) : Espectro de fase del pulso desplazado

t = n / f S : Desplazamiento en tiempo f S :. Frecuencia de muestreo.
n : Nmero de muestras desplazadas

Comentaremos muy brevemente algunos aspectos muy generales del mtodo.

140

Designamos: P0 (t ) al pulso emitido por el transductor, E (t ) para designar el eco de referencia y ES (t ) al eco despus de que la seal se propago por la muestra que se esta evaluando.

Figura 4.30. Pulso de la seal desplazado para iniciar en el punto de mayor energa de la seal (Centroide)

La dispersin de la muestra, se obtuvo de acuerdo con la siguiente ecuacin [80]:

1 1 ( ) S (0 ) W ( ) S ( ) = W 0 V p (0 ) V p ( ) L 0 L

(4.12)

Donde 0 es la frecuencia de referencia para la cual EW (t ) y ES (t ) tienen energa significativa. L es el espesor de la muestra a evaluar, es el ancho de banda de la seal, espectro de fase de la muestra S y espectro de fase del agua W .

141

Dos de las mayores ventajas que proporciona el mtodo de Ping He se describen a continuacin: (1) simplifica el proceso de medicin y elimina las incertidumbres asociadas con la medicin del espesor de la muestra. (2) debido a que el tiempo no tiene efecto en el valor de la dispersin, se puede desplazar arbitrariamente el pulso dentro de la ventana de muestreo antes de obtener el espectro de fase. Un proceso de desplazamiento circular, permite mover el centro de gravedad del eco al inicio de la ventana de muestreo. El propsito de este procedimiento es eliminar los componentes del espectro de fase que cambian rpidamente. Como resultado, se pueden usar las fases originales, para calcular la dispersin utilizando la ecuacin anterior y evitando la ambigedad de correcciones de ngulos, con la suma de mltiplos de 2 en la fase, debidas a discontinuidades. A partir de los ecos: E (t ) y ES (t ) , se puede determinar la atenuacin de la muestra:

=
donde:

[ln(T1T2 )] 1 AW ( ) + ln L L AS ( )

(4.13)

Aw y As son los espectros de amplitud de E (t ) y ES (t )

b0 = [ln(T1T2 )] , es el offset, que para nuestro caso es igual a cero. L

T1 = Coeficiente de transmisin de la referencia. T2 = Coeficiente de transmisin de la muestra

Si las unidades de L estn dadas en cm, la unidad de en la ecuacin anterior est dada en Np/cm. Utilizando el factor de conversin de 1Np=8:686 dB, puede ser tambin expresado en dB/cm.

4.2.14 Metodologa de adquisicin de seales para medicin de la velocidad de propagacin acstica Captura de la Seal y clasificacin La seal que se visualiza en el osciloscopio se captura a travs de la interfase GPIB, empleando la plataforma de Matlab 6.0 Release 12. Despus de esta adquisicin, los

142

datos digitalizados se encuentran ordenados en un arreglo de memoria y se puede acceder a ellos empleando sus direcciones. La rutina toma el primer par de datos y evala las condiciones que se presentan. Las direcciones del par de datos analizados se van incrementando en 1 y as se va realizando el anlisis punto a punto de la seal. De aqu en adelante, al dato con la direccin ms cercana al inicio del registro le llamaremos dato1 y al siguiente dato2. Criterios para la Clasificacin de la Seal Umbral. El valor del umbral se establece arbitrariamente, tanto para el nivel superior como para el inferior. Se comienza verificando si el valor de dato1 sobrepasa alguno de los umbrales establecidos. Estos umbrales, son slo para evitar que el programa realice procesamientos innecesarios. Una vez que el dato1 ha cruzado alguno de los umbrales, se precisa cual cruz y se asigna un valor a la variable llamada bandera1: de +1, s cruz el umbral superior, y de 1 s el umbral que cruz fue el negativo.

Figura 4.31. Valor que asume la variable Bandera1

Crestas y Valles. El criterio para detectar si un dato corresponde a un pico de voltaje, depende de si cruz algn umbral y vigilando los cambios de amplitud en dato1 y 2. Si el dato1 cruza el umbral superior, la cresta se encuentra en el momento en que se cumple por primera vez que el dato1>dato2. Para el caso en que dato1 cruce el umbral inferior, el valle se encuentra para cuando dato2>dato1. Arreglos temporales. En caso de que se identifique el valor de dato1 como un pico (positivo o negativo), se guarda en un arreglo temporal como cresta o bien como 143

valle segn corresponda. La informacin que se almacena es la magnitud (valor de voltaje) y el momento en que ocurri (tiempo). Cruces por Cero. Un cruce por cero se identifica, evaluando cada par de datos (dato1 y dato2); s el programa detecta un cambio de signo, entre el dato1 y el dato2, se almacena el valor de dato1 como un cruce por cero. Ruido. El criterio para que un dato sea considerado como ruido es que tenga un nivel de voltaje menor que el umbral superior y mayor que el umbral inferior y que no corresponda a un cruce por cero. La informacin que se almacena es la magnitud (valor de voltaje) y el momento en que ocurri (tiempo).

Figura 4.32. Seguimiento del comportamiento de los datos

144

Figura 4.33. Identificacin de Crestas y Valles

Figura 4.34. Identificacin de Cruces por Cero

145

Figura 4.35. Lneas marcadas en amarillo, identificadas como ruido.

Filtrado. El criterio que se asumi para filtrar las seales fue que todo lo que fuese identificado como ruido se converta en cero. Semiciclos. Para que el programa identifique un inicio de semiciclo la seal debe cruzar un umbral y, para identificar que termin un semiciclo, la seal deber cruzar el mismo umbral que pas por primera vez y adquirir un valor inferior al del umbral. Se almacena en una variable temporal semiciclo termino (positivo o negativo).

146

Ciclos. El ciclo se forma de dos semiciclos; uno positivo y uno negativo (sin importar el orden positivo-negativo o negativo-positivo), separados una distancia espaciotemporal vlida. El criterio que se tom para la formacin de un ciclo, fue que la distancia espacio-temporal entre los dos semiciclos no fuese ms grande que el doble del nmero de muestras de las que consta el primer semiciclo. Los semiciclos repetidos y consecutivos (negativo - negativo o positivo - positivo), se consideran eventos invlidos y se descartan. El siguiente criterio que se aplica es verificar si el semiciclo en cuestin es parte de una serie de ciclos (Secuencia de Ecos) o bien es una actividad aislada (Reflexiones mltiples) que coincide con la amplitud adecuada. Para clasificar adecuadamente, el programa verifica que el inicio del siguiente ciclo se encuentre a una distancia temporal adecuada del ltimo dato del ciclo, y que los semiciclos sean complementarios (positivo -negativo o bien negativo- positivo). Si se cumplen estas condiciones, se almacenan la traza en un arreglo temporal. Trenes de Ecos. Para establecer una posible secuencia de ecos se va evaluando que la distancia espacio temporal entre los ciclos sea valida, es decir, que los ciclos no estn separados una distancia temporal mayor que la que dur el ciclo previo. S la distancia entre ciclos es mayor, se identifica un posible fin de tren de pulsos y se procede a evaluar. Cuando se ha detectado un probable fin de tren de ecos, se procede a verificar s se ha completado el nmero de ciclos mnimo para que el registro se considere como tren de ecos. El nmero de ciclos es arbitrario y, para el caso del programa en particular, se defini de 3 ciclos completos y consecutivos, para considerarlo como una secuencia de ecos. Si se detecta que el arreglo temporal es un tren de ecos, se almacenan en disco duro dos arreglos, el correspondiente a su magnitud (voltaje) y el otro, al tiempo (numero de muestras).

147

Figura 4.36. Trenes de Ecos identificados dentro del cuadro punteado en color verde.

Reflexiones Mltiples. S se detect un probable fin de tren de ecos, se procede a verificar, s el segmento de seal, complet el nmero de ciclos mnimo establecido o no, dicho nmero puede variar de acuerdo al medio que se este inspeccionando (2 3 ciclos, si la superficie del material es plana y paralela), 3 4, inclusive un nmero mayor si el medio a inspeccionar presenta centros dispersores, para que el registro se considere como tren de ecos. Sin embargo s complet al menos un semiciclo, entonces, se le considera un evento aislado, debido posiblemente a reflexiones mltiples y se le almacena como tal. Si se identific al arreglo temporal como un evento debido a reflexiones mltiples, se almacenan en disco duro dos arreglos: el correspondiente a su magnitud (voltaje) y el otro al tiempo (numero de muestras). Primer valor del tren de ecos mayor que el umbral superior. Despus de evaluar y clasificar todos los datos de la seal filtrada, se procede a detectar el primer valor que cruza el umbral superior del tren de ecos y se grafica la nueva seal clasificada.

148

Es necesario indicarle al programa entre que trenes de pulsos debe realizarse el clculo de distancia, partiendo de que se conoce la velocidad de propagacin. El tiempo de clculo computacional es elevado, sobre todo para la rutina que realiza la primera clasificacin, la cual lleva aproximadamente 5 minutos. Debe destacarse que el algoritmo del programa puede ser ms eficiente, si algunos segmentos del programa se manejan como funciones.

Figura 4.37. Primer valor mayor al umbral Tren de Ecos Vlido (lnea roja).

Conclusiones Hemos propuesto diversos Modelos y vas Software para poder simular y analizar la excitacin y recepcin ultrasnica con transductores de banda ancha. As, se detall y justific que etapas de excitacin (del pulser finalmente desarrollado) necesitaban incorporar mejoras y se mostraron los pasos (macromodelacin e incorporacin de algunas prdidas) para obtener durante las simulaciones respuestas cercanas a las obtenidas en la prctica. En el Captulo 5, relacionado con Pruebas y Resultados, se realizan comparaciones de curvas simuladas con mediciones experimentales, y se efectan diversos anlisis paramtricos. Tambin propusimos y detallamos Mtodos, Materiales y Algoritmos para la medicin y estimacin ultrasnica de caractersticas internas en tejidos, mostrando metodologas para desarrollar phantoms y utilizarlos 149

como muestras equivalentes a tejidos para medir atenuacin, dispersin y velocidad de propagacin, detallndose los algoritmos empleados para ello. Finalmente, describimos un nuevo procedimiento por demodulacin de fase, que proponemos para estimar no invasivamente incrementos trmicos en tejidos, el cual presenta gran utilidad e inters para aplicaciones de hipertermia.

150

CAPTULO 5 PRUEBAS EXPERIMENTALES EN LABORATORIO, RESULTADOS OBTENIDOS EN LA SIMULACIN Y CARACTERIZACIN ULTRASNICA Y DISCUSIN DE LOS PRINCIPALES RESULTADOS

Introduccin En este captulo se describen y valoran las pruebas de laboratorio y los resultados obtenidos para cada uno de los objetivos planteados en esta tesis. Haremos, en primer lugar, una descripcin detallada a lo largo de dos grandes secciones: la primera de ellas relativa al software especfico y facilidades desarrollados para el control y documentacin de los distintos experimentos y mediciones acsticas, y una segunda seccin dedicada a mostrar los resultados de simulacin para el emisor-receptor ultrasnico de banda ancha desarrollado, as como los resultados obtenidos con el nuevo mtodo propuesto para estimacin ultrasnica de temperaturas internas en phantoms. Tambin se efecta una discusin acerca del grado de concordancia entre algunos resultados simulados y medidos, y sobre la validacin de los mtodos desarrollados para la caracterizacin ultrasnica y trmica de phantoms equivalentes a tejido muscular. As, y ms concretamente, se mostrarn y analizarn a lo largo de este captulo: - El comportamiento de la amplitud y forma de onda respecto al tiempo de numerosas respuestas (simuladas y experimentales) para las distintas etapas del Pulser (excitador) y de la configuracin ultrasnica emisora-receptora en banda ancha propuestos para su aplicacin en los objetivos de este trabajo. - Los resultados derivados de aplicar los procedimientos de medicin de parmetros acsticos y de estimacin ultrasnica, propuestos en los puntos 4.2.4.12-14. del Captulo 4, para diversos tipos de phantoms.

151

Mediciones de atenuacin y dispersin ultrasnica en phantoms para diferentes concentraciones. Su objetivo es comprobar la validez del algoritmo de Ping He para nuestras mediciones de atenuacin y dispersin en dicho contexto. Mediciones de velocidad de propagacin ultrasnica realizadas con el mtodo implementado en esta tesis y su comparacin con las obtenidas por otros autores. Y finalmente, mediante distintos resultados grficos, las relaciones encontradas (a travs de la aplicacin del nuevo mtodo propuesto) entre los incrementos de temperatura y los corrimientos de fase detectados por demodulacin de fase en los pulsos ultrasnicos de eco, para phantoms a diferentes concentraciones.

5.1. Descripcin de las utilidades y experimentos desarrollados para las pruebas de laboratorio y los ensayos realizados Para la aplicacin en la prctica de los mtodos de medicin y caracterizacin ultrasnicas propuestos en el captulo 4, se pusieron a punto una serie de pruebas, tcnicas y ensayos que se detallan a lo largo de este apartado.

5.1.1. Necesidades planteadas por la diversidad de la instrumentacin involucrada en el laboratorio ultrasnico La necesidad de planear y poner a punto un software de control, para interrelacionar las distintas partes del sistema ultrasnico experimental dispuesto para alcanzar los objetivos planteados, surgi para resolver la comunicacin entre los distintos instrumentos del sistema y adems coordinar una serie de funciones muy variadas: el mapeo y clculo de los parmetros acsticos en distintas muestras, los barridos mecnicos de transductores en un volumen, la adquisicin de las seales ultrasnicas, el procesamiento de los diferentes tipos de datos, el almacenamiento y despliegue de los resultados para que el experto pueda evaluar eficazmente los parmetros de inters, etc. El software finalmente desarrollado brinda la posibilidad de adquirir el vector completo de las seales ultrasnicas en cada proceso de medicin y no solo un parmetro de magnitud, como sucede frecuentemente (por ejemplo con el

152

software comercial Scan 3.40 asociado al sistema para evaluacin de campo acstico disponible en nuestro laboratorio). Por tanto, el nuevo software desarrollado permite resolver esta importante limitacin de nuestro equipamiento previo, el cual solo nos proporcionaba el valor de un nico parmetro (PII, dBm, Vpeak, Vpp, Vr, o Vrms) por cada adquisicin realizada, y adems nos suministra todos los puntos de las trazas ultrasnicas en juego, permitiendo por tanto procesamientos ulteriores de seal mas complejos, que se requieren para nuestros objetivos.

5.1.2. Descripcin del Software desarrollado para el control de experimentos

5.1.2.1. Plataforma elegida. La plataforma final en la que se desarrollaron los programas fue la de Matlab 6.0 de la Compaa Math Works. Cabe resaltar que, antes de determinar esta opcin, se realiz tambin una versin anloga en Labview para el control de la instalacin, y as poder evaluar las prestaciones de ambas opciones. Despus de analizar las dos opciones, se eligi el entorno MATLAB por que integra funciones de clculo matemtico para visualizacin y un poderoso lenguaje tcnico. Las interfaces incorporadas permiten acceder rpidamente a los datos e importarlos desde instrumentos, archivos, otros programas y bases de datos externos. Adems MATLAB permite integrar rutinas externas escritas en C, C++, Fortran y Java, y convertir sus aplicaciones a C y C++ mediante compiler. Las funciones matemticas y de clculo numrico son fiables. Por otra parte, el lenguaje MATLAB est diseado para el clculo interactivo y automatizado.

153

Configuracin. En esta seccin se establece la trayectoria del desplazamiento del transductor para cada uno de los ejes [X, Y o Z] introduciendo los valores deseados en el campo distancia a recorrer para cada eje como se muestra en la pantalla de la fig. 5.1. En esta seccin tambin se establece como se evaluar la radiacin generada por el transductor. Diversos contadores se programan para tomar lecturas de la seal. Generacin de la Trayectoria. Despus que el usuario establece la trayectoria que seguir el transductor durante la exploracin ultrasnica, cada entrada y salida del puerto serial y el bus GPIB estn configuradas para establecer comunicacin con el o los instrumentos y adquirir vectores de datos. El programa convierte este desplazamiento, expresado en milmetros o en nmero de pasos, a pulsos a travs del puerto serial en el que se encuentra la interfase RS232 para, de esta forma, controlar la designacin, la velocidad, la aceleracin, el indexado y la corriente de los motores.

5.1.2.2. Comunicaciones va GPIB. La interfase GPIB (General Purpose Interface Bus) permite comunicar diversos dispositivos electrnicos interconectados. Ver apndice 1, Operacin de la GPIB, para mayor informacin. Se us esta interfase para comunicar nuestros mdulos. Una vez que se terminan los clculos para desplazar al transductor, se inicia la comunicacin con el osciloscopio a travs del bus GPIB para poder tomar las lecturas de la seal ultrasnica que contienen informacin del objeto bajo prueba. Las rutinas que controlan la tarjeta GPIB estn divididos en tres secciones: Inicializacin del controlador de la GPIB y del bus, cuerpo principal y desconexin del instrumento. Los comandos de la GPIB son como una sucesin de capas, y las capas interiores corresponden a los comandos del instrumento especfico con las configuraciones que el usuario desea que este tenga. La siguiente capa es el comando a travs del cual la tarjeta GPIB solicita que se le enven datos o que est lista para recibir datos o que se lleve alguna accin en el bus del GPIB.

154

La tercera capa es donde se emplean comandos propios del lenguaje de programacin empleado pero que reconoce el instrumento.

La inicializacin de la tarjeta controladora GPIB se realiza para asegurar que ninguno de los instrumentos est direccionado antes de su encendido, el comando de limpieza de la interfase (IFC pulso) y la lnea REN. Se recomienda tambin establecer el bus timeout. El bus time out es la cantidad de tiempo que el bus podra esperar para que un dispositivo responda a un comando antes de continuar. Los datos o comandos para el dispositivo son enviados normalmente como cadenas de caracteres ASCII.

5.1.2.3. Lectura y Almacenamiento de Datos. Las cadenas de caracteres correspondientes a los datos son ledas desde el dispositivo, primero se define una cadena vaca, despus los datos ledos se introducen en esta cadena. Los datos son ledos hasta que se encuentra un terminador o la cadena de entrada queda completamente llena. Terminadores tpicos son retorno de lnea (linefeed) o EOI asserted en el ltimo carcter. Los datos provienen del osciloscopio y son ledos por l, transferidos a la PC y almacenados en el Disco Duro, una vez que se llev a cabo el recorrido de la trayectoria deseada. Un terminador o term es una bandera usada por la seal para indicar el fin de los datos. El trmino puede ser fijado por algn carcter ASCII entre 0 y FFHEX. El proceso de recibir podra detenerse cuando se detecta un carcter. S el trmino definido es STOPPend, el proceso de recepcin se detendr cuando se detecte un EOI.

155

5.1.2.4. Funcionamiento general de las utilidades software desarrolladas. El software de control planeado e implementado en esta seccin le presenta al usuario opciones en diversas formas que se describen a continuacin en las que el usuario selecciona los diferentes parmetros que se le presentan, tales como la eleccin de alguno de los canales, nmero de datos que se desean adquirir. Para ello define el dato inicial, el dato final, la trayectoria deseada, eligiendo ya sea la opcin de longitud definida en milmetros o bien el total de pasos que efectuar el motor. Finalmente se le pide al usuario que defina la distancia entre lecturas. Recursos. Un recurso es un elemento de interfaz a travs del cual el usuario obtiene informacin o realiza manipulaciones para realizar una accin. Generalmente corresponden a los objetos grficos que forman la Interfaz de usuario. Mens. Son listas de elementos que representan los comandos de una aplicacin. Un elemento de un men es una cadena (string) o una imagen (bitmap) que puede ser visualizada en el men. Seleccionando el elemento del men, se puede enviar mensajes de comandos o se activa un sub-menu desplegable. Un men es una lista de opciones o nombres que representan rdenes o comandos que una aplicacin puede realizar. La mayora de las aplicaciones incluye un men para brindar un medio al usuario para seleccionar rdenes. Cuadros de dialogo. Son ventanas temporales que una aplicacin crea para obtener entradas del usuario (teclado o ratn) o para mostrar informacin del estado de algn evento, dispositivo o tarea especfica. Tpicamente se usan cuadros de dilogo para obtener del usuario informacin adicional para ejecutar rdenes o comandos de la aplicacin. El cuadro de dialogo contiene normalmente uno o ms controles (ventanas child) con que el usuario ingresa texto, escoge opciones, o dirige la accin de la orden. El usuario usa cuadros de dilogo para dialogar con su programa. Muchas aplicaciones tambin usan cajas del dilogo para desplegar informacin u opciones mientras el usuario trabaja en otra ventana. Existen dos tipos de cajas de dilogo: modal y modeless. Una caja de dilogo modal no permite al usuario pasar a otra ventana de la aplicacin sin antes finalizar explcitamente el dilogo, cerrando la caja de dialogo, lo que se hace

156

pulsando el botn Ok o el botn Cancel. Una caja de dilogo modeless permite al usuario pasar a otra ventana sin cerrar la caja del dilogo. Las cajas del dilogo modal son ms simples de manejar que las modeless. Controles. Un control es una ventana hija que una aplicacin utiliza, junto a otra ventana madre, para realizar tareas sencillas de entrada / salida. Los controles se utilizan normalmente dentro de cajas de dialogo, pero pueden ser tambin utilizados en otras ventanas. Los controles son objetos interactivos que nosotros situamos sobre ventanas o cajas de dilogo para llevar a cabo acciones del usuario. Ejemplos de ello son los cuadros de edicin, botones, listas, barras de desplazamiento, grupos, etiquetas. Una ventana es el marco sobre el que nosotros diseamos los elementos que el usuario tiene que utilizar para comunicarse con la aplicacin. Los elementos de la ventana son los controles, esto es, objetos que permiten entrar o salir datos. La ventana ms los controles forman la interfaz o medio de comunicacin. El significado de algunos controles se expone a continuacin: Puntero (Select): Se utiliza para manipular los controles existentes sobre la ventana. Con el puntero se puede seleccionar, mover y ajustar el tamao de los objetos. Texto esttico (Static Text): Es un simple campo de texto que puede ser utilizado para etiquetar y dar instrucciones al usuario y que no puede ser modificado por el usuario. Cuadro de edicin (Edit Box): Es un rea dentro del formulario en la que el usuario puede escribir o visualizar texto. Cuadro de lista (List Box): Se utiliza para mostrar una lista de elementos de los que el usuario puede escoger uno. La lista se puede desplazar si tiene ms elementos de los que se pueden mostrar en un momento dado. Cuadro combinado (Combo Box): Es un cuadro que permite crear una combinacin de cuadro de texto y cuadro de lista. El usuario puede seleccionar un elemento de la lista o escribir un valor en el cuadro de texto. Cuadro de verificacin (Check Box): Es un cuadro que presenta una casilla de verificacin que el usuario puede seleccionar fcilmente para indicar si algo es 157

verdadero o falso, o que presenta al usuario mltiples opciones cuando ste puede elegir ms de una. Botn de opcin (Radio Button): Permite mostrar mltiples opciones de las que el usuario slo puede elegir una. Botn (Button): Es un botn en el que el usuario puede pulsar para ejecutar un comando. Cuadro de grupo (Group Box): Se utiliza para realzar el aspecto del formulario. A veces utilizamos los marcos para agrupar los objetos relacionados entre s. Barras de desplazamiento (Scroll bar): Proporciona una herramienta grfica para desplazarse rpidamente por una larga lista de elementos o de una gran cantidad de informacin, para indicar la posicin actual en una escala o para utilizarlo como un dispositivo de entrada o un indicador de velocidad o de cantidad. Despus de establecer la configuracin, se le pide al usuario que confirme que esa es la trayectoria deseada, para que el programa valide los datos de entrada y comience a establecer comunicacin con el equipo (Osciloscopio y Control de Motores a Pasos), definiendo objetos de control y enviando los distintos comandos a travs del puerto serial mediante la interfase RS232 o a travs de la tarjeta GPIB. De esta forma se establecer el nmero de motor que se desea desplazar, la velocidad, etc. Cuando el usuario presiona el botn de avanzar, se comienza a desplazar el transductor sobre el rea deseada, adquiriendo datos en el formato establecido, con un tamao de bytes por dato definido, adquiriendo las series de datos de la longitud definida por el usuario, cada determinada distancia que el usuario defini en milmetros como la distancia entre lecturas, para posteriormente desplegar los resultados en pantalla y finalmente almacenar la matriz de datos en el Disco Duro. Cabe indicar finalmente que los resultados y utilidades de apoyo y programacin instrumental desarrollados y aqu presentados contribuyen, de manera significativa, a complementar la infraestructura de un laboratorio enfocado a la investigacin en el campo de la ultrasnica aplicada en tratamientos de hipertermia y, en particular, en el campo del desarrollo de la termometra no invasiva. El software de control desarrollado es una alternativa de gran flexibilidad

158

por su naturaleza de instrumentacin virtual. La pantalla de visualizacin de datos permite la visualizacin para cualquier frecuencia del transductor dentro del ancho de banda del osciloscopio empleado. Su alta resolucin y la posibilidad de postprocesamiento de la imagen, por su formato de adquisicin, deja abierta la posibilidad de aplicacin en varias tareas de la investigacin ultrasnica. Con la interfase grfica que se utiliza tenemos ventajas para poder configurar algunos tipos de perfiles, trayectorias, etc. El sistema utiliza las posibilidades de intercomunicacin asociadas a una tarjeta GPIB lo cual permite el manejo bidireccional de una gran cantidad de informacin. En general, los diversos subsistemas relacionados con el control de los barridos, que trabajan de manera automtica, eligen las velocidades y aceleraciones de desplazamiento adecuadas para los transductores, con unas caractersticas que convierten el conjunto instrumental obtenido en un sistema robusto. 5.1.3. Descripcin del hardware de la configuracin instrumental. Para establecer nuestra configuracin experimental para las mediciones acsticas, se utiliz el montaje disponible de posicionadores e instrumentos con que cuenta el laboratorio, y que son parte del sistema para caracterizacin del campo de radiacin de transductores descrito con anterioridad [84,85]. Las ventajas de usar este sistema para el trabajo propuesto en la tesis, en cuanto a estabilidad de la estructura y resolucin del paso de los ejes, son bastante significativas. Uno de los esquemas implementado para la obtencin de vectores de ecos ultrasnicos requiere que, tanto el transductor como la muestra a ser evaluada, se introduzcan dentro de un tanque de experimentacin conteniendo agua para facilitar el acoplamiento acstico entre ambos. La tarea del equipo consiste en obtener una distribucin espacial de ecos ultrasnicos sobre muestras. Esta tarea se lleva a cabo mediante un programa que permite el control del movimiento de los motores, la adquisicin de datos y el despliegue de resultados. Una tarjeta, marca Matec, incorporada para excitacin-recepcin ultrasnica de los transductores (PCcompatible mediante insercin en bus estndar), facilita la sincronizacin del osciloscopio con el instante de excitacin del transductor. Conseguir una sincronizacin precisa en este aspecto, resulta vital para poder correlacionar en el

159

tiempo distintas adquisiciones de trazas ecogrficas mltiples. Otros aspectos del hardware involucrado en nuestras medidas se detallan en las Figuras 5.2 y 5.3. El programa que hemos desarrollado cumple adems funciones de interfase de este hardware instrumental con el usuario. Este ltimo es quien elige el canal del osciloscopio a travs del cul est recibir la seal que proviene del transductor emisor. El usuario define el primer elemento y el ltimo elemento de los vectores de ecos (datos) que se almacenan, procesan y grafican. El usuario tambin establece como interpretar cada eje de medicin, el eje de propagacin (distancia desde el transductor), la de intensidad del haz (amplitud) y la distancia lateral (eje paralelo a la cara del transductor). Tambin define la trayectoria de barrido que desea para generar el movimiento (especificando la distancia en cada eje expresada en nmero de pasos o en milmetros). La distancia entre lecturas deseada, a lo largo de la trayectoria de cada uno de los ejes en exploracin, se expresa en mm dentro de la seccin del men, que se muestra en la figura 5.1. El usuario debe validar la configuracin deseada, luego indicarle al programa que inicie la adquisicin de datos y que presente la informacin de manera grfica en una pantalla PC, como se indica en dicha figura 5.1, la cual nos muestra una serie de ecos generados como consecuencia de que el pulso ultrasnico emitido se ha visto reflejado en algn obstculo. La ventaja de una grfica como la mostrada en la figura 5.1 es que el usuario tiene la posibilidad de rotarla, a fin facilitar la interpretacin de los resultados. Antes de cerrar la ventana el usuario elige entre guardar los datos en disco duro o bien no hacerlo.

160

Figura 5.1. Pantalla principal de adquisicin de datos

En la figura 5.2 se muestra un reporte tpico de los datos adquiridos con nuestro sistema. Este hardware, junto al software desarrollado, puede ser usado como una herramienta eficaz para el anlisis de la eficiencia y efectos en el medio sobre el que radian los transductores empleados en hipertermia. Los efectos en el medio irradiado se evalan mediante la medicin de los efectos trmicos y mecnicos inducidos en las muestras ensayadas.

161

Figura 5.2. Reporte de los datos adquiridos

5.1.4. Disposiciones experimentales para los distintos ensayos ultrasnicos Las disposiciones experimentales, para obtener la respuesta de los distintos tipos de transductores, pueden emplear configuraciones en modo pulso - eco o bien en modo through-transmission. Se evaluaron la eficiencia y las condiciones de propagacin de los pulsos emitidos por dichos dispositivos, realizando alguno de los montajes representados en la figuras 5.1 y 5.2. En estos diagramas aparecen 162

simbolizados, de manera simple, los montajes utilizados para obtener las respuestas temporales. Algunas de las respuestas experimentales pulso-eco presentadas en esta memoria, fueron obtenidas con interfases de Agua-Aluminio, Agua-Acero Inoxidable y Agua-Acrlico. El esquema implementado para la obtencin de vectores de ecos ultrasnicos, requiere que, tanto el transductor como la muestra a ser evaluada, se introduzcan en un bao de agua, con la condicin de tener garanta de mantener una temperatura controlada. Las caractersticas de cada uno de los casos experimentados, se describen a continuacin. La configuracin experimental para la medicin de dispersin, es la misma que la utilizada para la atenuacin. Un transductor de 5 MHz, excitado en el modo de pulsoeco, genera un pulso que recorre una distancia de 6.07 mm, produciendo un primer eco, en su regreso rebota y se produce un segundo eco a la misma distancia, y as sucesivamente.
Excitador (Tarjeta Matec TB 1000) Pulso Excitador Secuencia de Ecos desde la Muestra

Receiver (Tarjeta Matec TB 1000) Secuencia de Ecos de la Muestra Amplificador

Sincronizacin Termmetro

Osciloscopio (Tarjeta Digitalizadora) Interfase GPIB

Phantom

PC

FFT Tanque de Agua Tcnica de Ping He Bao trmico con Control de Temperatura Atenuacin Dispersin

Figura 5.3. Diagrama a bloques de la configuracin experimental en pulso-eco.

163

El pulso original, recorre para cada eco el doble de los espesores de los diferentes materiales usados como phantoms, y de zonas de aluminio y agua destilada. Del vector de datos adquirido se elige el primer eco como seal de referencia y el segundo eco como la seal que entrega informacin acerca de la muestra que esta siendo evaluada mediante ensayo ultrasnico. Este sistema experimental en modo pulso-eco est representado esquemticamente en la Fig.5.3. D L

Transductor

P0(t)

P(t) PS(t)
Muestra

Transductor

T1

T2

Tanque de agua

Pulso de Excitacin

Vector de datos (Eco de Referencia y de la muestra) Receiver Tarjeta Matec TB1000 Sincronizacin Synchronization

Excitador Tarjeta Matec TB1000

Signal

PC

Osciloscopio (Tarjeta digitalizadora)

Interfase GPIB PC

FFT

Tcnica de Ping He

Figura 5.4. Diagrama a bloques de la configuracin experimental en though- transmisin.

164

5.1.5. Ensayos preliminares de viabilidad para estimacin de temperaturas internas de manera no invasiva Para verificar la viabilidad potencial del mtodo de estimacin de temperatura no invasiva propuesto en los puntos S.II.9-12 del captulo 4, se realizaron diversas simulaciones con pulsos senoidales rectangulares, y gaussianos modulados por seal sinusoidal. Posteriormente, en el apartado 5.3.3. se aplicar este mismo mtodo pero ya con medidas experimentales obtenidas en phantoms de tejido. As, en esta primera fase, la tcnica propuesta ha sido aplicada a seales simuladas de tipo sinusoidal, como la mostrada en la figura 5.5. La misma tcnica se aplic a los pulsos gausianos mostrados en las figuras 5.6 y 5.7. Estas seales sinusoidales y pulsos Gausianos simulan ecos ultrasnicos. Tambin, se simularon ecos ultrasnicos retardados en el tiempo, simulando los efectos que tendran los incrementos de temperatura. En el caso que nos ocupa, se consideraron adems parmetros tales como: la frecuencia central (frecuencia nominal o de resonancia de un transductor ultrasnico), el ancho de banda, tamao de ventana, relacin seal a ruido (SNR). Todos ellos afectan la estimacin del retardo de tiempo.

Figura 5.5. (a) Seal sinusoidal y (b) la seal sinusoidal demodulada en fase

165

Figura 5.6. (a) Seal gausiana y. (b) seal demodulada en fase

Figura 5.7. (a) Pulso gaussiano modulado por una seal sinusoidal y (b) Seal demodulada en fase.

Figura 5.8. Pulsos gausianos retardados en el tiempo y resultados de la demodulacin en fase.

166

Figura 5.9. Corrimientos lineales en la curva de fase, obtenidos por zoom de la Figura 5.8.

En la figura 5.8 (a), podemos ver una funcin que sufre retardos en el tiempo y, en la figuras 5.8 (b) y 5.9, se muestra que cada uno de los cambios en el tiempo es equivalente a un cambio de fase. El mtodo descrito se basa en utilizar la parte de seal til, que es la seal de eco o seal sinusoidal; el resto de la informacin es desechado. La propuesta aqu presentada, ha sido aplicada a seales ideales sinusoidales y gaussianas, continuas y de corta duracin en el tiempo. Los resultados obtenidos han sido simulados para diferentes condiciones, a partir de las cuales podemos concluir que la estimacin de retardos de tiempo mediante cambios de fase es una tcnica con la que podemos estimar ms fcilmente, que con mtodos previos, los cambios de temperatura interna. Para aplicar el mtodo, se debe definir una constante de proporcionalidad, que relacione el cambio de temperatura con un cambio de fase, para un mismo medio de propagacin. En la experimentacin prctica se realizaron pruebas con diferentes medios; agua destilada, phantom de agar-agar (solo simula el parmetro de la velocidad acstica), as como un phantom de msculo equivalente (simula los parmetros de velocidad de propagacin y atenuacin acstica). Para las muestras estudiadas la velocidad se incrementa con la temperatura, tal como se mostrar en seccin 5.3.

167

5.1.6. Caractersticas generales de los ensayos ultrasnicos realizados para la medicin de parmetros acsticos.

5.1.6.1 Propiedades acsticas de algunos materiales analizados Los materiales para los que se obtuvieron los resultados experimentales que aqu se reportan, se enlistan a continuacin, detallando los valores nominales en algunas de sus propiedades acsticas.
Tabla 9. Propiedades acsticas de algunos materiales Material Atenuacin Velocidad Acstica Longitudinal Velocidad Acstica Cizalladura Impedancia acstica

[dB / cm]

MRayl
1.483 3.26 16.90 45.16

[mm / s ]
Agua Plexigls (acrlico) Aluminio Acero inoxidable 55.6 - 107.7 5.4939 6.4 - 12.4 1.54 2.61-2.75 6.13 5.79

[mm / s ]
N/A 3.08 3.10

Como se puede observar en la tabla 9, para el caso de los slidos, se tienen dos tipos de propagacin, longitudinal y de cizalladura. Esta ltima produce, en algunos medios, cierta asimetra en la absorcin del ultrasonido por el medio. Dado que, para estas mediciones, hemos trabajado con potencias bajas y duraciones de impulso muy cortas, no consideraremos el estmulo trmico.

5.1.6.2. Algunos detalles de nuestras mediciones de parmetros acsticos Para la medida de los parmetros acsticos se eligi un transductor de banda ancha, se calcul el campo cercano y la apertura del haz a 6 dB/pulgada. La seal ultrasnica que recibe un transductor, tanto en un esquema de pulso-eco como en el de through-transmission, es afectada por la distancia recorrida. Las mediciones de atenuacin y dispersin se realizaron en campo lejano, evitando de esta forma las compensaciones geomtricas que tendran que realizarse para

168

contrarrestar las irregularidades del perfil de campo acstico, si se realizase dicha medicin en condiciones de campo cercano. La medicin de la velocidad de propagacin se realiz en la zona del campo cercano del transductor, reduciendo deformaciones en la seal por atenuacin o dispersin. Partimos de un valor aproximado de la velocidad de propagacin, tomado de tablas, lo cual nos facilita la determinacin del segmento temporal til de medida (ventana) que garantiza la adquisicin de dos ecos consecutivos para su posterior procesamiento. Despus que el programa identifica el inicio de cada eco, se estima el tiempo de recorrido entre ambos inicios. Con el conocimiento de la distancia recorrida (en funcin del tamao de la celda de medicin) y del tiempo entre ecos, podemos estimar la velocidad de propagacin ultrasnica, con independencia de los retardos electrnicos que sern anlogos para los dos ecos. En los experimentos realizados, se compararon dos seales, las cuales se propagaron una distancia conocida. A una de ellas, se le considera como la seal de referencia y la otra, como la seal que corresponde a la muestra que est siendo evaluada. Los resultados obtenidos se muestran en la seccin 5.3.2.1. Para evaluar el algoritmo elegido en la determinacin de atenuacin y dispersin, se realizaron pruebas con agua y con phantoms de diferentes concentraciones de grafito lo que, como es sabido, afecta a la atenuacin. Por otra parte, debe tenerse en cuenta que la atenuacin es influenciada por la temperatura. Los resultados obtenidos se muestran en la seccin 5.3.2.2. La magnitud de la dispersin es pequea, comparada con la magnitud de la atenuacin; por lo tanto, su medicin puede contener un mayor error. Tal como se esperaba, la dispersin tambin se ver influenciada por la concentracin de grafito. Para tres diferentes concentraciones, se observa que aumentos en la temperatura provocan aumentos en la dispersin. Los resultados obtenidos en dispersin se muestran en la seccin 5.3.2..3. En la experimentacin usamos phantoms desarrollados en el laboratorio, evitndonos el problema de mantener estable con el tiempo el estado de un msculo liso real, por lo que reafirmamos la utilidad de estos emuladores de tejido, para propsitos de investigacin y calibracin de equipos de hipertermia.

169

5.2. Resultados obtenidos mediante la simulacin circuital de las etapas piezoelctricas y electrnicas del sistema ultrasnico en pulso-eco En este apartado se detallan los resultados obtenidos mediante una amplia simulacin en entorno PSpice de las distintas etapas del emisor-receptor ultrasnico de banda ancha desarrollado en este trabajo, para condiciones paramtricas muy variadas en cada etapa. A lo largo de la primera parte nos centraremos en resultados para la etapa excitadora, mientras que la segunda parte esta centrada en las respuestas del sistema ultrasnico emisor-receptor completo. Como complemento de los resultados mostrados en este apartado, en el apartado siguiente se abordar una discusin comparativa entre resultados tericos y experimentales para dicho emisor-receptor y tambin para otras tcnicas de medida y estimacin ultrasnica planteadas en la tesis. As, mediante la aplicacin de los modelos PSpice propuestos y descritos en el captulo 4, mostraremos y analizaremos aqu, a travs de una simulacin de tipo circuital, las respuestas obtenidas en distintas etapas del Pulser para numerosas situaciones paramtricas y topologas de diseo, y tambin el comportamiento acstico de la configuracin ultrasnica global en banda ancha considerada en este trabajo. Ello incluye por tanto el anlisis de la influencia de la impedancia compleja del transductor sobre la respuesta elctrica en etapas electrnicas. Previamente a ello, se realiz una primera comprobacin de la validez del modelo equivalente empleado para el transductor piezoelctrico (SI.4.3.1), mediante la simulacin del sistema generador de pulsos con la cermica piezoelctrica como carga. Despus de que nuestros programas efectan los clculos de simulacin, dibujan las formas de onda resultantes para cada respuesta, lo que permite visualizar el comportamiento de los circuitos y determinar la validez de un determinado diseo. Se simul el funcionamiento de las distintas etapas y sub-etapas: unidad Driver (para diferentes cargas), conmutador MosFet, Pulser excitador completo, circuitos de recepcin de seal, y emisor-receptor global. En el apartado 5.3.1, algunas de

170

estas respuestas elctricas y acsticas, obtenidas por simulacin, se compararn con medidas experimentales. En una primera prediccin de respuestas, los resultados de la comparacin demostrarn la validez de nuestros modelos.

5.2.1. Respuestas pulsadas en la etapa driver del Pulser en el emisor, simuladas para distintas condiciones de carga La forma del pulso en el driver de control del pulser y su impedancia de salida influyen notablemente en los resultados ultrasnicos, por lo que esta etapa debe disearse cuidadosamente. Dicho driver se ha especificado de forma muy particular para poder ser compatible en su entrada de control con bajos voltajes e intensidades (Pulso TTL), proporcionando en su salida las altas intensidades que requiere la conmutacin rpida del transistor MOSFET de potencia. Debe tener adems una velocidad alta de conmutacin, del orden de los 5 ns, para as asegurar un tiempo de transicin del MosFet no superior a 10 ns, lo cual nos permitir trabajar con un ancho de banda de 25 MHz para los transductores ultrasnicos de ensayo. El elemento de carga de un driver es representado a veces, a efectos de verificar su efectividad por simulacin, como un elemento puramente resistivo. Sin embargo en nuestra aplicacin ello no sera estrictamente correcto, ya que en este caso nuestra carga es el dispositivo de conmutacin en alta tensin (Transistor Mosfet), cuya compuerta presenta una impedancia de entrada de tipo complejo. De hecho, obtuvimos resultados que as lo confirman, tanto experimentales como simulando dicha carga con elementos capacitivos e inductivos. Estos resultados simulados se muestran en las figuras 5.10, 5.11 y 5.12, y corresponden a las aproximaciones circuitales descritas en el apartado SI.4.2.1. del captulo 4. As, en la aproximacin de la Figura 5.10, una carga resistiva simula, de una forma muy ideal, el efecto de la impedancia de entrada de la gate del dispositivo JFET, la regin de deriva y las prdidas parsitas del transistor MOSFET (empaque, parte metlica y puntos de unin cable).

171

Figura 5.10. Grficas del pulso de salida del Driver IXDD415SI, simuladas para una carga resistiva pura de muy bajo valor, entre 0,1 y 1,7 ohmios, con pulsos de entrada de 50 ns tipo Fast-TTL.

Resulta aconsejable, en este contexto, acercarse ms a la realidad considerando en la simulacin cargas de tipo complejo. Adems, en el diseo fsico del circuito, hay que asegurar una distancia mnima entre el dispositivo MOSFET y el chip Driver, para evitar otras impedancias parsitas y la induccin de excesivo ruido EM. Sin embargo, esta primera simulacin (realizada para cargas resistivas de valor muy bajo, de entre 0,1 ohmios y 1,7 ohmios), nos result ya muy til a efectos de diseo, pues nos muestra la gran capacidad de este dispositivo driver (seleccionado especialmente para nuestro desarrollo del pulser), como suministrador de muy altas corrientes en rgimen pulsado, ya que proporciona unas intensidades de salida del orden de las decenas de amperio con escasa distorsin de pulso. En la Figura 5.11, se muestran los pulsos de salida simulados suponiendo cargas capacitivas relativamente altas (valores entre 1 nF y 17 nF) en la salida del Driver; esto aproxima ms certeramente la impedancia de entrada tpica en las 172

compuertas de los transistores Mosfet de potencia como los de nuestra aplicacin. Puede observarse un comportamiento razonable de salida, incluso para los valores capacitivos ms elevados, con la inevitable respuesta oscilatoria que se amortigua en pocos nanosegundos. Este resultado permite ya augurar una buena respuesta de este dispositivo para nuestras aplicaciones.

Figura 5.11. Pulsos de salida calculados para cargas capacitivas relativamente altas (entre 1 nF y 17 nF) a la salida del Driver IXDD415SI, como equivalentes a la impedancia de compuertas Mosfet

La figura 5.12 muestra respuestas del mismo dispositivo pero para cargas inductivas, entre 0,5 y 6,5 nH. Se observa buena repuesta en los flancos y la tpica distorsin en niveles. Esto indicara un punto crtico en la salida del driver ante su conexin a pistas de circuito impreso y cableados de cierta longitud. Ello confirma la necesidad de minimizar, en el diseo del pulser, su separacin fsica del conmutador Mosfet. Como una aproximacin ms ajustada a las cargas reales, en la Figura 5.13 se muestran las respuestas para una resistencia en paralelo con una capacidad, como carga del Driver, simulando la impedancia de compuerta de un transistor Mosfet y con requerimientos de corriente an mayores. Se observa que, a pesar de estas fuertes condiciones, existe una buena respuesta, especialmente en lo

173

relativo al tiempo de subida y bajada de los pulsos, bajo severos regmenes de corriente.

Figura 5.12. Pulsos de salida del Driver IXDD415SI para cargas inductivas puras, entre 0,5 y 6,5 nH.

Figura 5.13. Respuestas del mismo driver simuladas para una resistencia de carga de 0,5 ohmios en paralelo con capacidades entre 1 y 17 nF, como carga del mismo.

174

Las respuestas mostradas en Figuras 5.14 y 5.15 son similares pero con la diferencia, para un mismo valor capacitivo, de que, cuando la resistencia est en paralelo, las oscilaciones se incrementan con el valor de aquella, mientras que si est en serie, a medida que la resistencia se incrementa, las oscilaciones se van atenuando.

Figura 5.14. Pulsos para cargas formadas por resistencia en paralelo (0,5 3 ohmios) con un condensador de 1,87 nF (valor tpico en la compuerta de un transistor MosFet)

El conjunto de todas las respuestas simuladas para este dispositivo driver nos permiti confirmar su excelente comportamiento como elemento de control en bajo voltaje de la etapa de salida en alta tensn de nuestro nuevo diseo de pulser. Las prestaciones del mismo en condiciones reales de funcionamiento, dentro del equipo multi-pulser desarrollado, confirmaron sobradamente estas predicciones.

175

Figura 5.15. Pulsos para cargas formadas por resistencia en serie (0,1 1,7 ohmios) con un condensador de 1,87 nF

5.2.2. Respuestas calculadas por simulacin para la etapa de conmutacin en alta tensin bajo diversas variaciones paramtricas El circuito de salida, que usa un transistor MOSFET como conmutador de potencia, requiere una fuente de alto voltaje para poder generar los pulsos estrechos de alta amplitud (spikes) necesarios para excitar con alta intensidad los transductores. De hecho, el voltaje en el drenador, al estado de corte, es funcin directa del que entrega dicha fuente de alto voltaje. Puesto que dicho transistor es un dispositivo controlado por tensin, es decir que la corriente que circula por su drenador es funcin del voltaje de compuerta, resulta necesario un control preciso de voltaje en dicha compuerta, el cual debe ejercerse a travs de circuitos de muy baja impedancia para optimizar tiempos de transicin entre saturacin y corte, dadas las caractersticas fuertemente capacitivas de aquella, como ya se describi en el apartado anterior (la 176

impedancia de entrada compuerta- fuente puede tener una capacidad equivalente a 1500 pF -2000 pF).Para el clculo preciso de respuestas en esta etapa de salida, debe usarse un modelado riguroso de todos sus circuitos. En el subapartado anterior ya se determinaron las respuestas del circuito controlador de la seal de compuerta (driver), las cuales condicionan las formas de onda de salida, generadas por la red conformadora de los pulsos de salida, las cuales sern mostradas en este sub-apartado para distintas condiciones paramtricas en sus elementos. Las principales influencias de los elementos de dicha red conformadora sobre la morfologa de los pulsos de excitacin son las siguientes:
RD : la seal de salida generada en los bornes de esta resistencia, cuando el

pulser no tiene como carga al transductor, sigue un comportamiento exponencial negativo. L0 : este inductor en paralelo con la resistencia de damping RD puede estrechar el pulso de salida de alto voltaje con una alta eficiencia, pudiendo compensar a la vez la capacidad interelectrdica del transductor. Debido a que esto aumenta la eficiencia electroacstica del transductor, se puede conseguir mejorar a la vez la forma y la amplitud del impulso de excitacin, por la va de sintonizacin inductiva.
C : Condiciona el tiempo de descarga a travs de RD y L0 , lo que determina la

anchura del flaco de subida en el pulso de salida. En nuestro diseo de pulser, se propusieron diversos conjuntos de valores de partida para la red C-R-L conformadora del pulso de salida, buscando aproximarle a una forma parecida a la delta de Dirac y que adems fuese eficiente en la excitacin (pulso de corta duracin en el tiempo y de alta amplitud). A travs de las diversas simulaciones y pruebas realizadas, se obtuvieron formas de pulso adecuadas para distintos transductores, establecindose entonces los mejores rangos de valores para el condensador de descarga C, la resistencia de amortiguamiento y la inductancia compensatoria en paralelo. Estos resultados se obtuvieron empleando el barrido paramtrico descrito en el capitulo anterior. En la Figura 5.16, podemos ver el efecto simulado de la descarga rpida de un condensador C de 0,22 nF, a travs de diferentes resistencias de amortiguamiento 177

Rd, en el rango (22-297 ohmios). En estas grficas se explicita como, con constantes de descarga pequeas, es decir si el tiempo de conmutacin del MOSFET es mayor que el tiempo de descarga de C, entonces la seal de salida del Pulser no logra el mximo valor de pico posible (en este caso, 400 V). Sin embargo, en esta figura se observa un claro incremento de la amplitud de pico en la excitacin, para los valores ms elevados de R.

Figura 5.16. Pulsos de salida en alta tensin para un C de descarga de 0.22 nF y una resistencia cuyo valor vara en un rango de R=22 hasta R=297 , conectada como carga de salida.

En cambio en la Figura 5.17, para C = 2,2 nF y el mismo rango en R de la figura 5.16, las diferentes curvas mantienen un voltaje pico muy prximo a 400 V. En estas dos ltimas figuras podemos ver claramente la influencia del parmetro asociado a la energa de descarga del excitador (C), para un mismo rango en R.

178

En la figura 5.18 podemos observar el efecto complejo, combinado, de la descarga de C con el proceso de corte del transistor Mosfet (paso al off). Los efectos de este paso al off (flanco de subida del pulso excitador) resultan visibles en esta caso, a causa del elevado valor de C (10 nF), lo que ralentiza la subida del pulso.

Figura 5.17. Pulsos de salida en alta tensin para un C de descarga de 2,2 nF y resistencias en el mismo rango de Figura 5.16, como carga de salida.

179

Figura 5.18. Pulsos de excitacin para un C de descarga de 10 nF y resistencias de salida en el mismo rango de figuras anteriores.

En resumen, las grficas de las Figuras 5.16, 5.17 y 5.18, donde se detallan los pulsos de salida para diferentes valores del condensador de descarga (conectado al drenador del Mosfet), muestran como estos valores afectan de manera directa la forma y el ancho de pulso del voltaje de salida, que entrega el generador de impulsos tipo spike. La carga, en estos caso una resistencia, y el tiempo de apagado del Mosfet, tambin contribuyen a modular la forma del impulso generado. Las figuras 5.19 y 5.20 muestran las curvas obtenidas mediante un barrido paramtrico del condensador de descarga C, para valores alto y moderado de la resistencia R. El barrido en C inicia con un valor de 0.5 nF y se incrementa con pasos de 0.5 nF hasta alcanzar 10 nF. Observamos que el voltaje pico de la seal de excitacin se mantiene en casi 400 V para todos estos casos.

180

Figura 5.19. Pulsos de excitacin para una R de salida de 10K correspondientes a un barrido en C desde 0,5 nF hasta 9,5 nF

Figura 5.20. Pulsos de excitacin para una R de salida de 1 K correspondientes a un barrido en C desde 0,5 nF hasta 9,5 nF

181

Finalmente cabe destacar que para valores elevados de C, se presenta cierta distorsin (cambio brusco de pendiente) en la forma del pulso excitador, la cual es inducida por la interferencia del proceso de corte del transistor Mosfet.

5.2.2.1. Control de la anchura en los pulsos excitadores para banda ancha Los valores muy bajos en la resistencia paralelo de salida provocan, entre otros efectos, un fuerte acortamiento del tiempo de subida de la seal excitadora, lo cual en ocasiones resulta de inters para ensanchar facilmente la banda de excitacin. Existe un lmite por esta va, ya que como se aprecia en la Figura 5.21, a cambio de ese estrechamiento se deteriora el flanco de bajada (el cual se ralentiza), y ademas se puede reducir la amplitud de pico en el pulso de salida (vanse Figura 5.16 y 5.21). Se puede recurrir, sin embargo, a otra va alternativa para conseguir una ampliacin de banda en la seal de excitacin en alta tensin, que esta basada en aprovechar la presencia de una inductancia en paralelo con la salida, lo cual resulta frecuente en aplicaciones ultrasnicas para ensayo.

182

Figura 5.21. Spikes de salida para una R = 22 y capacidad de descarga variable en el rango entre 470pF y 2.99nF.

Figura 5.22. Formas del pulso de salida para el caso de una inductancia (L = 1 H) en paralelo con una R de 100 , y con la capacidad de descarga C variando desde 2.2 nF hasta 8.2 nF

183

Como ejemplo de ese tipo de efectos, la Figura 5.22 muestra las curvas de excitacin para el caso de una inductancia de 1 H (valor tpico en ensayos no destructivos) en paralelo con la salida del pulser, y con los valores de C variando entre 2,2 y 8,2 nF. Por su parte, en la Figura 5.23, se muestra el efecto, sobre el pulso de salida, de distintos valores en dicho inductor (0,5 H 5 H), y con un mismo valor de C y R.

Figura 5.23. Pulsos de salida para una R de 270 ohmios en paralelo con una inductancia que vara desde 500 nH hasta 5 H. (y un valor tpico para C = 2.2 nF).

En ambas figuras 5.22 y 5.23 se puede ver un notable efecto de estrechamiento del primer semiciclo negativo, pero tambin aparece como un efecto secundario muy perjudicial, un importante fenmeno oscilatorio en la seal de excitacin. En las figuras 5.24 y 5.25 se muestran efectos parecidos de un elemento inductivo en paralelo con la salida, para otras condiciones paramtricas. En todos los casos, y como era de esperar de una red resonante C-L, se producen oscilaciones intensas a la salida del pulser, que influyen directamente en la forma del pulso excitador. Solo la parte del primer semiciclo negativo (que se estrecha visiblemente en todos los casos) nos interesa para excitar en banda transductores ultrasnicos. El resto del pulso resultara muy contraproducente. Afortunadamente

184

existe una forma de eliminar ese resto de seal oscilatoria, como se explicar en el siguiente epgrafe.

Figura 5.24. Pulsos de salida para una R de 100 en paralelo con diferentes inductancias, desde 1H hasta 16 H. (C = 2.2 nF).

Figura 5.25. Pulsos de salida para una R de 33 en paralelo con diferentes inductancias, desde 0,5H hasta 5 H. (C = 2.2 nF).

185

Recordamos que estas inductancia en paralelo con el transductor tiene adems otras finalidades, como compensar la capacidad interelectrdica de los transductores, reducir el efecto de modos secundarios de vibracin de ms baja frecuencia, o conformar el pulso de excitacin (en combinacin con C y RD ). Una inductancia en paralelo adecuadamente elegida proporciona puede ajustar favorablemente la anchura del pulso de excitacin. Del anlisis conjunto de todas las simulaciones paramtricas realizadas en este subapartado, se deducen las tendencias de funcionamiento generales siguientes: - Cuando no se utiliza ningn tipo de acoplamiento inductivo, el ancho global del impulso excitador aumenta claramente con el valor de la resistencia de amortiguamiento (figuras 5.16-5.18), y tambin lo hace con el valor del condensador de descarga (figuras 5.19-5.21), aunque en estos ltimos casos ello se observa en menor medida ya que tambin depende mucho de la anchura del pulso de control en baja tensin (periodo en estado on del transistor Mosfet). - En presencia de acoplamientos inductivos, el ancho del primer semiciclo del impulso excitador (en principio, muy oscilante) tiene tambin cierto crecimiento con la resistencia de amortiguamiento y el condensador de descarga, pero en estas condiciones, el elemento que resulta claramente determinante para esos aspectos del pulso es el valor del inductor colocado en paralelo, como puede ser observado en la mayor verticalidad asociada al segundo flanco (el de subida, en el primer semiciclo) de las seales mostradas en la Figuras 5.22-5.25. 5.2.2.2 Eliminacin de efectos oscilatorios perjudiciales para la excitacin bajo acoplamientos inductivos. Damping selectivo con redes de diodos. Para compensar efectos inductivos negativos sobre la excitacin de los transductores, que provocan seales muy oscilatorias no deseadas, fue necesario introducir dos redes de diodos, que consiguen suprimir estas seales parsitas. Esto complica el anlisis del circuito resultante, ya que estos diodos introducen, lgicamente, efectos no lineales, que no resultan abordables con los modelos convencionales de anlisis. Por eso, a lo largo de las simulaciones de esta parte de la tesis, nos hemos visto obligados a recurrir a un modelado circuital ms

186

complejo, que los habituales utilizados en la bibliografa de esta especialidad, y que si que contempla con precisin dichos aspectos no lineales. [28] Dichas redes semiconductoras suprimen eficazmente la formacin de las mencionadas oscilaciones perjudiciales (seales amortiguadas que se originan en el circuito resonante serie C-L) en presencia de transductores dotados de sintonizacin inductiva interna. De hecho, estas redes de diodos slo permiten el paso al transductor del primer semi-ciclo negativo, lo cual resulta idneo para su excitacin en banda ancha. Para la aplicacin real a alta tensin es preciso colocar varios diodos de seal rpidos en serie y paralelo, en lugar de uno solo, ya que un diodo de este tipo (por ejemplo el 1N4148) no soporta ms de 80 V en polarizacin inversa, y se requieren varios con objeto de que en conjunto soporten intensidades pico elevadas en la rama horizontal y tensiones inversas cercanas a 500 V en la rama vertical (segn se detall en la Figura 5.13 del captulo 4).

Figura 5.26. Respuesta de salida del pulser, cuando se usa solo 1 diodo en la rama paralelo y para: C = 2.2 nF, R = 270 en paralelo con una inductancia que vara desde 500 nH hasta 5 H.

187

Adems, la presencia de estos diodos afecta directamente a la amplitud y modifica ligeramente la forma, pero no el ancho, del pulso del voltaje de salida que entrega la etapa MOSFET a la carga externa. En la figura 5.26 se muestra que la reduccin en la amplitud de salida es enorme ( desde 400 a 115 voltios ) cuando solo existe un nico diodo en la rama vertical.

Figura 5.27. Respuesta de salida del pulser, cuando se usan 2 diodos en la rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en Figura 5.26.

Pero conforme se agregan diodos en serie, esta amplitud se incrementa hasta obtener el valor ptimo, que en este caso (para una alimentacin de 400 V en continua) se logra con 4 diodos, como se puede observar en la figura 5.29. Podemos observar tambin que, cuando el nmero de diodos resulta insuficiente, existen adems otros efectos perjudiciales para el pulso excitador, ya que aparecen picos muy abruptos de alta frecuencia en algunas zonas del flanco de subida de la seal simulada. El evitar, tanto esos picos anmalos como el hecho de que se reduzca el voltaje de pico del pulso de salida, es de gran importancia para una correcta excitacin del transductor. Por lo tanto, ser necesario aadir varios diodos colocados en serie en la rama en paralelo, y adems varios en paralelo en la rama serie para poder soportar el paso de varias decenas de 188

amperio, ya que el flujo de corriente esperado es superior a lo soportado por un solo diodo rpido (de seal).

Figura 5.28. Respuesta de salida del pulser, cuando se usa solo 3 diodos en la rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en Figuras 5.26 y 5.27.

Figura 5.29. Respuesta de salida del pulser, cuando se usan 4 diodos en la rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en las Figura 5.26, 5.27 y 5.28.

189

De otra manera, el pulso de voltaje de salida se reducira mucho en amplitud (hasta valores menores a la tercera parte), y debe buscarse el nmero ptimo a fin de llegar a amplitudes del orden que los entregados por la fuente de voltaje. Fueron necesarias varias simulaciones de nuestro diseo, con distintas selecciones paramtricas, para determinar el nmero de diodos mnimos necesarios. Una seleccin de estos resultados, para 2, 3 y 4 diodos en serie se detalla en las Figuras 5.27, 5.28 y 5.29. Se puede concluir que algunos fenmenos no lineales en los excitadores necesarios para ensayo ultrasnico eficiente pueden inducir comportamientos anmalos en los pulsos de salida, que no se haban observado con la excitacin lineal convencional. Sin embargo se detall como esto puede ser evitado. Existe otro efecto beneficioso del acoplamiento inductivo, que no se refleja mediante simulacin, ya que esta se refiere al modo de vibracin fundamental del transductor, y que sin embargo se suele presentar en la prctica. Nos referimos a la eliminacin de los modos de vibracin secundarios de los transductores, para lo que resulta necesario el empleo de alguno de los dos mtodos que se describen a continuacin. El primero consiste en elegir valores muy bajos en el amortiguamiento elctrico a fin de reducir la influencia negativa de esos modos en la seal ecogrfica, pero evitar de esa manera el enmascaramiento de los ecos, por los mencionados modos de vibracin parsitos, producir inevitablemente una drstica reduccin en la amplitud del impulso generado, as como en la energa entregada al transductor, lo que reduce el margen dinmico de los ecos. El segundo mtodo es el ms aconsejable, y consiste en aprovechar el efecto de la inductancia conectada en paralelo con el transductor de tal forma que, a la vez que cancela la capacidad interelectrdica, puede adems, eliminar este efecto de los modos de vibracin no deseados, evitando as el tener que recurrir a valores excesivamente en el amortiguamiento resistivo, dado que la va inductiva viene a ejercer una especie de amortiguamiento selectivo [25], muy activo contra las oscilaciones indeseables de baja frecuencia, y moderado o bajo en la banda nominal del transductor.

190

5.2.3 . Resultados y esquemas de simulacin para el sistema ultrasnico completo con un transductor de banda ancha Los transductores piezoelctricos de banda ancha empleados en este tipo de aplicaciones presentan usualmente, en sus terminales elctricos de entrada, unas impedancias relativamente bajas para altas frecuencias, as como un fuerte carcter reactivo, dificultando la excitacin elctrica eficiente en rgimen transitorio. Por esta razn, surgi nuestro inters en el diseo de un Pulser de aplicacin especifica a nuestras necesidades, que pueda entregar en su salida grandes picos de voltaje y corriente, para aplicaciones en terapias. A esta salida de alto voltaje, se le debe dar la forma requerida, en el momento de la excitacin del piezoelctrico.

5.2.3.1. Implementacin equivalente concreta de etapas piezoelctricas En muchas ocasiones se presentan, en la salida de un pulser, algunos efectos cruzados no deseados entre la carga piezoelctrica y el propio generador. Estas interacciones originan perturbaciones en la salida del pulser hacia al transductor. De hecho, la impedancia del transductor de banda ancha afecta de forma importante la forma de onda en dicha salida. En la prctica, los efectos de las caractersticas puramente mecnicas de los transductores (carga mecnica y lnea de transmisin mecnica) sobre la respuesta elctrica del pulser no son evidentes, ya que el transductor puede ser considerado como una carga compleja para un sistema de generacin de pulsos tipo impulso. Por ello, resulta muy conveniente usar, para las etapas piezoelctricas, un modelo preciso y de fcil implementacin Spice, tal como se detall en el captulo 4. En la Figura 5.30 se reproduce su implementacin circuital Pspice especfica, para el transductor aqu utilizado, de cada etapa piezoelctrica en emisin y recepcin. Los datos utilizados para concretar los parmetros de dicho circuito Pspice, con el transductor utilizado [58], fueron obtenidos de la hoja de datos de su cermica piezoelctrica interna: tipo PZ27 (1 MHz) de la compaa Ferroperm.

191

Figura 5.30. Implementacin PSpice concreta del circuito equivalente para cada etapa piezoelctrica materializada con nuestro transductor Tabla.10. Parmetros del circuito equivalente del transductor Caracterstica Espesor Capacidad interelectrdica [C S ] Constante piezoelctrica [h33 ] rea [ A] Impedancia acstica especifica de la cermica [ Z 0 ] Velocidad ultrasnica longitudinal en la cermica [vt ] Factor de calidad mecnico en modo espesor [Q ] Parmetros de la lnea de transmisin con prdidas
D 0

Valor

1.78 10 3 m
1.23 10 9 F 1.8746 10 9 F 314 10 6 m 2 30.03 10 6 Rayl
3900 m/s 138

L = Z 0 A / vtD C = 1 / Z 0 AvtD R = L / Q
G

2.4178 H 27.19257 nF 110.080 k 0

En la tabla 10, los parmetros L, C y R corresponden a las prdidas en la

192

cermica. El coeficiente de atenuacin de la seal durante su propagacin interna en la cermica piezoelctrica [63] responde a la expresin siguiente:

Ca =
donde:
v = coeficiente de viscosidad

(0.5 2 v) (Vt 3 )

= densidad
Vt = velocidad de propagacin acstica en la cermica.

= frecuencia angular de la seal

Se puede demostrar, mediante analogas entre las lneas de transmisin elctricas y acsticas, que para bajas prdidas y alta frecuencia, el coeficiente de atenuacin Ca, se puede calcular segn la expresin siguiente:

Ca = (0.5 R )(C / L )
donde:

1/ 2

= [ ][2 VP ]

V P velocidad de propagacin en la lnea elctrica

factor de prdidas en la lnea.

De esta forma resulta factible introducir en un modelo circuital equivalente de la parte piezoelctrica, distintos tipos de perdidas internas en la piezocermica.

5.2.3.2. Implementacin del esquema equivalente para una etapa transmisora El objetivo general del ajuste de los parmetros de diseo en un generador de pulsos, dentro de la etapa transmisora, es lograr su acoplamiento eficiente con la carga piezoelctrica, bajo las condiciones impuestas por el rgimen pulsado, y en situaciones de alto voltaje (las cermicas piezoelctricas permiten excitaciones de hasta 500-600 V sin formacin de arco elctrico entre sus electrodos). El resultado esperado es obtener a la salida del pulser formas de onda tipo impulso, no solo para el caso de vaco (carga de impedancia infinita), sino para las cargas reales. El esquema concreto implementado para el transmisor se detalla en la figura 5.31.

193

Figura 5.31. Diagrama PSpice concreto para el circuito equivalente del transmisor ultrasnico.

En nuestro caso, elegimos los siguientes parmetros de clculo para la etapa pulser: una RD = 100 Ohmios , una C= 2.2 nF y una L = 1 H ,. La forma de onda de salida en voltaje (Figura 5.32) es similar a las formas de onda reportadas por otros autores [23,24], pero con la ventaja de que nuestro diseo produce un flanco de bajada ms rpido y una relacin (voltaje de salida / alimentacin) ms favorable, con respecto a los previamente reportados. Estas mejoras redundan en una mayor capacidad para excitar transductores de altas frecuencias, y en una mejora potencial de la eficiencia electroacstica. La figura 5.33 muestra el pulso de corriente asociado.

194

Figura 5.32. Voltaje de excitacin calculado para el puerto elctrico del transductor

Figura 5.33. Corriente de salida a travs del puerto elctrico del transductor.

En la Figuras 5.34-5.35 y 5.36-5.37 se muestran los resultados simulados para las seales de fuerza y velocidad en los puertos mecnico del transductor, frontal y trasero, respectivamente.

195

Figura 5.34. Seal de fuerza obtenida en el puerto frontal del transductor.

Figura 5.35. Seal de velocidad a travs del puerto frontal del transductor.

196

Figura 5.36. Seal de fuerza obtenida en el puerto trasero del transductor.

Figura 5.37. Seal de velocidad a travs del puerto trasero del transductor. .

5.2.3.3. Esquema equivalente completo para una configuracin pulso-eco En la modelacin del proceso pulso-eco completo hemos incluido, adems del elemento piezoelctrico como receptor y la impedancia elctrica equivalente de la

197

electrnica receptora (segn se detall en el captulo 4), otros factores relativos al medio de propagacin que tienen influencia en la deteccin de las seales de eco. El conjunto permite ya una evaluacin eficaz de seales ecogrficas, en unas condiciones bastante prximas a las reales. As, para tener en cuenta las reducciones de amplitud y la atenuacin en los procesos de reflexin y propagacin ultrasnica, empleamos una expresin simplificada propuesta en [58]. Asi se pueden incorporar fcilmente en nuestro esquema equivalente PSpice global las prdidas sucesivas de amplitud sufridas por el pulso ecogrfico. Ello se realiza con un elemento de ganancia:

Ganancia = 2e x ( Z 2 Z 1 ) /( Z 2 + Z 1 )
donde:

= constante de atenuacin de la onda que se propaga en el medio

x = distancia recorrida por la onda dentro del medio (ida / vuelta) Z 2 es la impedancia acstica del medio reflector Z 1 es la impedancia acstica del medio de propagacin

Para nuestro caso simulado, el medio de propagacin era agua, y los medios reflejante eran acero inoxidable y acrlico. Para acero inoxidable, tenemos que

G = 2e x G = 2e x

( Z acero _ inoxidable Z agua ) ( Z acero _ inoxidable + Z agua ) (45.16 1.483) MRayl (45.16 + 1.483) MRayl

G = 2e x (0.9364106)
para el caso del acrlico

G = 2e x

( Z acrlico Z agua ) ( Z acrlico + Z agua )

13

G = 2e [ 2.5cm( 2.19755810

dB / cm )]

(3.26 1.483) MRayl (3.26 + 1.483) MRayl

G = 2e 5.49389510
donde:

13

dB

1.777 4.743

e = 2.71828182845905

198

G = 2(0.9999999999945061)(0.374657389)
G = 0.749314777999

5.3. Discusin de algunos resultados obtenidos mediante simulacin de un sistema ultrasnico y para estimacin de propiedades acsticas y trmicas En este apartado se har una discusin y valoracin de los resultados ms significativos obtenidos en esta tesis, en tres epgrafes dedicados respectivamente a: 1) respuestas terico-experimentales de un sistema de excitacin, 2) mediciones de propiedades acsticas en phantoms, 3) estimacin ultrasnica de temperatura interna en phamtons y tejidos. En cuanto a las respuestas del pulser, se compararn algunos resultados simulados con sus correspondientes medidos experimentalmente. En cuanto a las mediciones acsticas, se analizarn resultados sobre velocidades de propagacin, atenuacin y dispersin, obtenidos con los mtodos implementados. Finalmente, se aportan diversos resultados experimentales que permiten validar el mtodo propuesto y desarrollado para estimacin ultrasnica de temperaturas en el interior de phantoms y tejidos.

5.3.1. Comparacin de los resultados tericos y experimentales acerca de la respuesta elctrica de un excitador en alta tensin (pulser). En las figuras presentadas, en este apartado de resultados, se indican en azul las curvas obtenidas en la simulacin y en rojo la medida obtenida experimentalmente. Las mediciones experimentales se obtuvieron adquiriendo las seales a travs de una interfase GPIB. Las curvas simuladas en el entorno Pspice se exportan como vectores de datos a un formato tipo texto. Posteriormente se utiliz como programa de graficacin, la plataforma Matlab, para mostrar ambos resultados. En la figura 5.38, observamos los pulsos tipo impulso (spikes) que entrega un pulser (diseado en el laboratorio CSIC) en vaco

199

(sin ninguna carga conectada en sus bornes de salida). La curva simulada en Pspice y la medida experimental fueron normalizadas para poder evaluar mejor la primera, analizando las diferencias entre ambas.

Figura 5.38. Pulsos de excitacin normalizados: simulado y experimental. Pulser en vaco.

Figura 5.39. Pulsos de excitacin simulado y medido para (R = 18 ohmios). Se muestran las magnitudes cuantitativas reales.

Se puede apreciar un buen acuerdo entre ambas, dentro del rango frecuencial de inters para nuestras aplicaciones (frecuencia intermedias: 1-10 MHz). La figura 5.39, muestra los spikes que entrega el mismo pulser cuando tiene como nica carga en sus bornes de salida una resistencia de 18 , que simulara de

200

una forma poco precisa un transductor como una impedancia resistiva pura. Se obtuvo muy buena correspondencia entre ambas curvas, incluso cuantitativamente. En las figuras 5.40 y 5.41, observamos los spikes obtenidos con una carga inductiva, que simula un transductor cuya impedancia fuese puramente inductiva. Para la figura 5.40, el valor de la inductancia es de 22 H y, para la figura 5.41, este valor es de 56 H . Ambas curvas estn normalizadas y para la normalizacin se tom como referencia el valor mximo de la curva simulada (370 V). En estos casos inductivos puros, se consigue muy buena concordancia en el flanco de bajada, con alguna desviacin en el de subida. Sin embargo, esta es una situacin poco realista, dado que en la prctica siempre existe algn tipo de resistencia paralelo.

Figura 5.40. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 22 H (valores normalizados).

201

Figura 5.41. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 56 H (valores normalizados).

En la figura 5.42, se muestran los spikes para una carga formada por un inductor (56 H ) en paralelo con una resistencia de 180 . Ambas curvas, con valores reales, presentan muy buena concordancia, con alguna pequea diferencia en el rizado de alta frecuencia, poco significativo a efectos de la excitacin.

Figura 5.42. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 56 H en paralelo con una resistencia de 180 ohmios (en escala real).

En la figura 5.43, se muestran las seales ecograficas obtenidas en recepcin para condiciones de carga ya ms prximas a las reales: el transductor en paralelo 202

con una resistencia de 220 (valor tpico). Ambas curvas estn en su dimensin real.

Figura 5.43. Pulso de salida simulado y medido experimentalmente en escala real.

Puede apreciarse una buena aproximacin de la seal de eco simulada, teniendo en cuenta que no se realiz ninguna normalizacin.

Figura 5.44. Pulsos de salida simulado y medido experimentalmente. ( R = 180 y L = 56 H )

203

En la figuras 5.44 y 5.45, se muestran los pulsos ecogrficos en recepcin para la carga tpica en las aplicaciones ultrasnicas reales: un transductor en paralelo con una resistencia de 180 y un inductor de 56 H (en la Fig. 5.44), y con resistencia de 180 y un inductor de 22 H (en la Fig. 5.45). Finalmente, para el caso de la figura 5.46, el valor de la resistencia es 180 y el inductor es 33 H . Los valores de voltaje representados en todas estas curvas estn normalizados.

Figura 5.45. Pulsos de salida simulado y medido experimentalmente. ( R = 180 y L = 22 H )

Existe una concordancia razonable entre las curvas experimentales y las simuladas en estas ltimas Figuras 5.44, 5.45 y 5.46, que corresponden a situaciones reales de ensayo. El ligero desfase temporal y las pequeas diferencias en las amplitudes normalizadas, en los ltimos ciclos (los menos importantes), pueden estar originados en parte por las interferencias causadas por las sucesivas reflexiones del primer eco en la cara frontal de los transductores, debido a que en los experimentos ste fue sumergido dentro del agua,

204

manteniendo una distancia muy prxima entre la muestra (acrlico) y la cara del transductor con el objetivo de minimizar los efectos de la difraccin.

Figura 5.46. Pulsos de salida simulado y medido experimentalmente. ( R = 180 y L = 33 H )

Los resultados presentados y evaluados en este sub-apartado, considerados en su conjunto, permiten validar el tipo de modelado global adoptado en esta tesis para la simulacin de respuestas en nuestros sistemas ultrasnicos, como posteriormente confirmaron las buenas prestaciones del sistema multi-pulser desarrollado por ambas instituciones (CSIC y CINVESTAV), considerando algunos resultados de simulacin.

205

5.3.2. Validacin de los sistemas de medicin desarrollados para determinar propiedades acsticas en phantoms (tejidos equivalentes de msculo). Se presentan y analizan resultados de aplicar los procedimientos desarrollados en este trabajo de tesis para medir velocidad, atenuacin y dispersin acsticas.

5.3.2.1. Determinacin de Velocidad de Propagacin en phantoms Determinamos la velocidad de propagacin ultrasnica en agua y en phantoms con distintas concentraciones. Las velocidades de propagacin en agua, determinadas para distintas temperaturas con el algoritmo propuesto en esta tesis, se compararon con los valores de velocidad obtenidos por autores como: Bilianiuk [89], del Grosso [90-92] y Montiel [76]. La comparacin de las curvas de medida, para el rango 25-50 C, se muestra en la figura 5.47. Cada uno de los marcadores representa diferentes temperaturas. Se seala que las curvas de los 3 autores de referencia son casi iguales. Cada valor representado en nuestra curva es el resultado de la premediacin de 5 mediciones diferentes. Respecto a la pequea diferencia (1,2 %) con respecto a los valores obtenidos por los autores de referencia, pensamos que se debe a la incertidumbre en el paralelismo de la cara del transductor con el fondo de la muestra, provocada por pequeos errores en el maquinado de la celda de medicin. Otra posible fuente de error es la adquisicin de seal, que presenta cierto nivel de offset con pequea pendiente positiva. Aclaramos que nuestro algoritmo de adquisicin y procesamiento de ecos est diseado para compensar solo offsets constantes (niveles horizontales). Por lo tanto, asumimos que la umbralizacin elegida puede ser una fuente de incertidumbre de medida. En las medidas de velocidad de propagacin realizadas y reportadas por Grosso [90-2], se utilizo un interfermetro a una frecuencia de 5 MHz. Los valores reportados por Bilianuk[89] son obtenidos empleando una ecuacin que depende del nmero de puntos adquiridos (36, 112 o 148). La principal ventaja de nuestro algoritmo, que describimos en Captulo 4, respecto al de Montiel Cabrera [76], radica en que es un procedimiento automatizado, que realiza la deteccin del inicio de los dos ecos (eco de referencia y eco del medio a

206

evaluar), calcula el tiempo de vuelo de ambos ecos, y con estos datos determina la velocidad de propagacin del pulso. En cambio, los resultados descritos en [76], se realizaron manualmente utilizando los cursores del osciloscopio.

Figura 5.47. Diversas mediciones de velocidad de propagacin en agua. Tabla 11. Velocidad de Propagacin en agua. Temperatura Estimado en esta Tesis [m/s] 27C 29C 31C 33C 35C 37C 39C 41C 43C 45C 47C 49C 1524.7 1527.8 1533.2 1537.1 1541.8 1543.6 1550.8 1554.0 1560.0 1562.4 1565.6 1567.7 Nykolai Bilaniuk y 5.1. del Grosso y J.O. Montiel George S. Wong [m/s] 1501.900 1506.801 1511.417 1515.755 1519.826 1523.636 1527.193 1530.506 1533.581 1536.425 1539.044 1541.455 C.W. Mader [m/s] 1501.883 1506.784 1511.399 1515.738 1519.808 1523.618 1527.176 1530.489 1533.564 1536.409 1539.028 1541.430 Cabrera [m/s] 1501.9 1506.8 1511.4 1515.8 1519.8 1523.6 1527.2 1530.5 1533.6 1536.4 1539.0 1541.4

207

Los valores obtenidos, para agua y phantoms diversos, con el procedimiento de medida que hemos implementado, se detallan comparativamente con los valores medidos por otros autores, a travs de 4 figuras (5.47-5.50) y 5 tablas (11-16).

Figura 5.48. Velocidad de Propagacin en un Phantom con una concentracin de grafito de 30 g/l. Tabla 12.Velocidad de Propagacin en Phantom con 30 g/l de grafito Temperatura 27C 29C 31C 33C 35C 37C 39C 41C 43C 45C 47C 49C Propuesto en esta Tesis [m/s] 1519 1519.4 1525.5 1530.1 1534.8 1537.9 1541.8 1546.9 1556.4 1558.0 1560.4 1563.6 J. O. Montiel Cabrera [m/s] 1527 1531 1536 1540 1545 1549 1553 1557 1562 1567 1571 1575

208

Tabla 13.Velocidad de Propagacin en Phantom con 60 g/l de grafito Temperatura 27C 29C 31C 33C 35C 37C 39C 41C 43C 45C 47C 49C Propuesto en esta Tesis [m/s] 1512.2 1515.6 1519.4 1525.1 1529.7 1533.6 1538.3 1542.6 1557.6 1568.5 1580.7 1572.5 J. O. Montiel Cabrera [m/s] 1527 1531 1536 1540 1545 1549 1553 1557 1562 1567 1571 1575

Figura 5.49. Velocidad de Propagacin en un Phantom con una concentracin de grafito de 90 g/l.

209

Tabla 14. Velocidad de Propagacin en Phantom 90 g/l de grafito Temperatura 27C 29C 31C 33C 35C 37C 39C 41C 43C 45C 47C 49C Propuesto en esta Tesis [m/s] 1510.0 1514.5 1519.0 1523.6 1527.8 1531.7 1535.9 1540.2 1544.5 1547.7 1550.8 1553.2 J. O. Montiel Cabrera [m/s] 1514.8 1519.5 1523.9 1528.4 1532.6 1536.2 1539.4 1543.4 1547.2 1550.4 1554.3 1557.2

Figura 5.50. Velocidad de Propagacin en Phantom de msculo liso

210

Tabla 15. Velocidad de Propagacin en Phantom de Msculo Liso Temperatura 27C 29C 31C 33C 35C 37C 39C 41C 43C 45C 47C 49C Propuesto en esta Tesis [m/s] 1556.0 1562.8 1563.6 1566.5 1571.7 1575.4 1579.5 1586.1 1590.3 1594.4 1596.3 1605.4 J. O Montiel Cabrera [m/s] 1513.3 1517.5 1521.3 1524.9 1528.5 1532.2 1535.5 1539.4 1542.7 1546.0 1548.6 1552.2

5.3.2.2. Resultados obtenidos para la atenuacin acstica en phantoms Cuando un pulso ultrasnico se propaga a travs de un medio dispersivo, la forma de onda del pulso cambia, como resultado de fenmenos de atenuacin y dispersin del medio. Las mediciones experimentales de la atenuacin y la dispersin se realizaron empleando el algoritmo de Ping He descrito en el captulo 4.2.4.13. La figura 5.51 muestra el comportamiento de la atenuacin en un phantom con una concentracin de grafito de 90 g/l, sometido a diferentes temperaturas de un intervalo comprendido entre 27C y 49C. Por otra parte, en esta misma grfica, se observa que la atenuacin se ve influenciada por la temperatura. El algoritmo empleado tiene ciertas limitaciones, para los casos en que: (1) La impedancia acstica del medio a evaluar est cercana a la del medio circundante (agua, en el caso de emplearla como medio de propagacin, para through-transmission, o la pared del material con el que se construy la celda de medicin, en el caso de pulso-eco).

211

(2) Cuando el medio a evaluar es altamente atenuante, ya que reduce el eco a niveles cercanos a la amplitud del ruido. Este caso se presenta para algunas aplicaciones en tejidos biolgicos.

Figura 5.51. Grafica de la atenuacin en un phantom con 90 g/l de grafito

5.3.2.3. Resultados obtenidos en phantoms para la dispersin acstica

Figura 5.52. Grafica de la dispersin en phantoms para diferentes concentraciones de grafito: con 30g/l de grafito (rojo), con 60g/l de grafito (azul), con 90g/l de grafito (verde).

212

La figura 5.52 muestra el comportamiento de la dispersin acstica en phantoms, fabricados con diferentes concentraciones de grafito (30 g/l, 60 g/l y 90 g/l.), los cuales fueron sometidos a diferentes temperaturas dentro de un intervalo comprendido entre 27C y 49C. En dicha grafica 52 se observa que, como era de esperar, la concentracin de grafito es un factor que influye, de manera determinante, en la dispersin de la velocidad de fase con la frecuencia.

Figura 5.53.Dispersin en un phantom con una esfera de cristal actuando como scattering

La figura 5.53 muestra el comportamiento de la dispersin en un phantom, fabricado con una esfera de cristal que produce el efecto de un centro dispersor (scattering). La seal fue adquirida a temperatura constante. Este mtodo requiere que las superficies sean lo ms planas posibles, para garantizar que el valor del espesor de la muestra sea constante.

213

5.3.3. Resultados de estimacin ultrasnica de temperaturas en diferentes medios y phantoms Para probar la potencialidad del mtodo de estimacin de temperatura propuesto en esta tesis (Captulo 4), en medios reales, se hicieron una serie de mediciones experimentales en tres diferentes phantoms. Cada uno de ellos se someti a un proceso de calentamientos incrementales sucesivos. En cada phantom se coloc un transductor y se le hizo pasar un pulso; el eco recibido fue procesado con el algoritmo propuesto. Las curvas que se muestran en las figuras 5.54-5.60 muestran dos tipos de resultados: la seal adquirida y el producto de su procesamiento mediante demodulacin de fase. Tal como se pretenda, estos resultados muestran una dependencia lineal de las fases de los ecos recibidos con los retardos de tiempo entre pulsos sucesivos para distintas temperaturas.

Figura 5.54. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag en agua destilada.

En las figuras 5.56, 5.58 y 5.60, podemos observar la facilidad con la que se puede identificar un corrimiento de fase (resolucin en la medicin), comparado con la complejidad de determinar un retardo de tiempo en el rango de los nanosegundos. Las representaciones convencionales de los retardos entre ecos, 214

se hacen graficando amplitud versus tiempo. Como se puede apreciar fcilmente en las figuras 5.54, 5.55, 5.57 y 5.59, los retardos de tiempo entre dos seales de eco consecutivas (incrementos de 2 C), varan entre 10 ns y 40 ns, dependiendo del medio considerado.

Figura 5.55. Zoom del primer semiciclo de las formas de onda de los ecos, despus que la seal se propag en agua destilada

215

Figura 5.56. Demodulacin en fase de los ecos de la figura 54.

Figura 5.57. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag en un phantom con una concentracin de agar del 2.5%.

216

Figura 5.58. Demodulacin en fase de los ecos de la figura 57.

Las partculas de grafito empleadas en la elaboracin de phantoms son del orden de 10 m en tamao. Los phantoms empleados fueron caracterizados siguiendo el procedimiento descrito por Montiel Cabrera [76].

Figura 5.59. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag en un phantom con una concentracin de 30 g/l de grafito.

217

Figura 5.60. Demodulacin en fase de los ecos de la figura 59.

Los phantoms fueron colocados dentro de una celda de medicin hecha de aluminio, y cuyas dimensiones se describieron en el capitulo 4. Se eligi el aluminio como material de la celda de medicin, por su buena conductividad trmica. Cada una de las curvas mostradas en las figuras 5.54-5.60, es la curva promedio de al menos 5 mediciones (registros). Las curvas adquiridas originalmente constaban de 15000 muestras. La zona de inters se defini con ventanas de 2150 muestras. Dichas curvas mostradas en las figuras 5.54, 5.57 y 5.59, fueron las empleadas para estimar el efecto del calentamiento. Se aplic una demodulacin en fase en dichas seales para obtener las distribuciones temporales de cambios de fase que se muestran en las figuras 5.56, 5.58 y 5.60. A partir de los resultados mostrados, y las mediciones trmicas por mtodos clsicos, se determin el incremento de la temperatura.

218

El mtodo se basa en la determinacin de los corrimientos en la fase, los cuales resultaron ser proporcionales a los retardos en el tiempo. En la fase de demodulacin, la seal continua elegida como portadora tena la misma frecuencia que la vibracin nominal del transductor.

Figura 5.61. Ecos retardados obtenidos cuando se eleva la temperatura de un hgado de res.

Finalmente, en las figuras 5.61 y 5.62, mostramos los ecos retardados en el tiempo, como funcin de la temperatura, para un tejido biolgico. Estas seales adquiridas requieren la aplicacin de un pre-procesamiento mayor antes de someterlas a tcnicas de deconvolucin, ya que contienen un mayor nmero de componentes frecuenciales y un mayor nivel de ruido acstico, debido a que el hgado de res presenta una alta distribucin de scatterings (centros dispersores). Sin embargo, tambin se sigue observando (vase la Figura 5.62) un desplazamiento de los sucesivos ecos con la temperatura de caractersticas prximas a una dependencia lineal.

219

Figura 5.62. Zoom de las seales obtenidas cuando se eleva la temperatura de un hgado de res.

Hasta ahora, en el desarrollo anterior, habamos considerado que los cambios en la velocidad de propagacin en un medio, eran funcin del incremento de la temperatura. Sin embargo, esta ltima medida indica que tal vez deberan tenerse en cuenta los efectos del scattering, as como considerar aspectos de expansin trmica.

5.4. Descripcin y discusin de los principales resultados Los objetivos y resultados de esta tesis doctoral se han centrado en la evaluacin ultrasnica del comportamiento en campo acstico de transductores ultrasnicos, incluyendo el caso de radiadores de mediana potencia usados como aplicadores para hipertermia, as como de sus efectos trmicos (entrega de energa), a travs del mapeo de la distribucin en el medio irradiado de diversos parmetros acsticos y del seguimiento de las modificaciones de algunos de ellos en funcin de la temperatura. Ello ha llevado aparejado la aplicacin de otro tipo de transductores ultrasnicos (de baja potencia y de banda ancha) para la caracterizacin pulsada de los medios y phantoms.

220

Para lograr los objetivos descritos, fue necesario desarrollar una serie de sistemas, algoritmos, y utilidades de software, que se detallan a continuacin: a) Se desarroll un software de control para gobernar la infraestructura del equipo ultrasnico con el que se miden las propiedades acsticas en simuladores de tejidos biolgicos y tejidos biolgicos in vitro y los efectos trmicos inducidos en los mismos por hipertermia. El procesamiento general de los algoritmos empleados, se describe en la seccin II del captulo 4, punto 2.4.1. En dicho apartado tambin se describe la configuracin experimental y el diagrama de flujo general de los programas desarrollados. La descripcin detallada de las tareas que el software ejecuta, se realiza en el apartado 5.1.1-2 del Cap. 5. b) Se dise y analiz un sistema multi-pulser necesario para la excitacin eficaz, con spikes de alta tensin, de varios transductores de banda ancha en caracterizacin de phantoms. Mediante tcnicas de simulacin computacional se determinaron las caractersticas ms adecuadas de los generadores de pulsos involucrados, lo que se utiliz en el diseo prctico de los mismos. Los pulsers finalmente desarrollados presentan amplitudes de salida y anchos de banda superiores a los del pulser comercial disponible previamente en el laboratorio (Marca Matec, modelo TB1000). Adems, este circuito pulser bsico diseado permite acoplamientos eficientes en rgimen pulsado con cargas piezoelctricas fuertemente capacitivas, ya que su impedancia de salida es muy baja (del orden de muy pocos ohmios) e incluye redes para desacoplar las interacciones elctricas con el subsistema de carga, segn se reporta en 1..4.1.2.2. c) Se llev a cabo una evaluacin terica de los sistemas de transduccin en banda ancha, aplicando un modelo circuital equivalente propuesto inicialmente por Leach [59] (y extendido posteriormente por Pttmer et al. [60] y Ruiz et al.[58] para incluir el efecto de prdidas mecnicas lineales y cuadrticas en el piezoelctrico). La deduccin y aplicacin del modelo se detalla en 4.1..4.3.1.1- 4.4 del Cap. 4. La

221

simulacin correspondiente se hizo en el entorno de anlisis circuital Pspice, y las curvas de respuesta elctrica se muestran en el apartado 5.2.3.1-2. d) Se llev a cabo una simulacin precisa, usando Pspice, de cada etapa del circuito pulser, diseado en colaboracin por CSIC-CINVESTAV para generar pulsos tipo spike. Ello permiti un amplio anlisis paramtrico en rgimen transitorio, para ciertos valores de dispositivos discretos, en el rango que consideramos de inters en funcin de los puntos crticos del circuito y de sus efectos sobre el spike de excitacin. La informacin as obtenida nos permiti el desarrollo final del generador de pulsos en alta tensin, con voltaje de pico de hasta 400 V, y ancho de banda hasta 40 MHz, claramente superiores a los 300 V pico-a-pico (a 5 MHz) / 200 V pico-a-pico (a 15 MHz) en amplitud y los 20 MHz en ancho de banda, del generador comercial Matec disponible en el laboratorio. e) Tambin se analizaron comparativamente otras prestaciones del pulser desarrollado, comprobando que puede generar pulsos monopolares con anchura y periodo de repeticin ajustables, tiempos de bajada de 2 ns y de subida de 6 ns, mientras que el generador comercial slo produca pulsos tipo sinusoidal. Este nuevo diseo es vlido para distintos tipos de cargas (resistivas, capacitivas, inductivas y piezoelctricas), y en cambio el generador comercial requiere carga resistiva de 50 lo que no resulta apropiado para transductores. Finalmente, el nuevo pulser desarrollado puede entregar pulsos de 8 A a 50 , y de ms de 8 A en otros casos de impedancia menor, intensidades que son superiores a las de la tarjeta comercial Matec (3 A para cargas de 50 ). f) El diseo original monocanal del pulser se ampli a un esquema multicanal, con 4 canales, que origin un prototipo que fue construido y probado en nuestro laboratorio [55] con resultados totalmente satisfactorios. Con este instrumento, el laboratorio queda dotado para obtener una caracterizacin avanzada de medios biolgicos, al estar en la posibilidad de excitar y experimentar con radiacin multihaz a partir de 4 transductores en paralelo.

222

g) Se implement, tambin en el entorno Pspice, un procedimiento de simulacin de una configuracin ultrasnica emisora-receptora completa en modo Pulso Eco, para la evaluacin de las seales ultrasnicas finales de respuesta, despus de que stas se propagan en el medio y retornan al transductor. Sus resultados, descritos en la seccin 5.3.1., se ajustan razonablemente bien a las medidas experimentales obtenidas por excitacin de un transductor de banda ancha con nuestro pulser especfico (CSIC-CINVESTAV), como se detalla en la seccin 5.3.1. Ambas formas de onda se asemejan bastante en su morfologa, pero presentan pequeas discrepancias en amplitud, como se reporta en presente captulo., a causa de algunas prdidas no contempladas en el modelo. h) Se efecto una caracterizacin ultrasnica de los medios de propagacin utilizando diversos phantoms como blanco, sobre los que se realizaron mediciones para obtener mapas de distribucin de velocidades de propagacin, atenuacin y dispersin. Para ello, se emplearon phantoms previamente caracterizados [76,86,87] y transductores de banda ancha. As se comprob que los phantoms representan una herramienta muy til para el estudio de la deposicin de energa y de los efectos de la hipertermia por ultrasonidos. i) Se compararon los resultados de las mediciones de velocidad de propagacin en varios medios con las de distintos autores [89-92]. El mtodo mostrado en este documento present algunas pequeas diferencias para agua: 1.728 % respecto a [76], 1.725 % respecto a [89], y 1.726 % respecto a [90-92]. Para el caso de los phantoms fabricados con diferentes concentraciones de grafito, las diferencias respecto a [76], fueron: de 0.7577 % para 30 g/l, de 1.0900 % para 60 g/l , de 0.3291 % para 90 g/l. Y para el caso del phantom de msculo liso, respecto a [76] fue de 3.4274 %. Todo ello se detalla y discute en el apartado 5.3.2.1. j) Se realizaron mediciones de atenuacin y dispersin acsticas en campo lejano (para evitar las compensaciones geomtricas en el algoritmo empleado) de las muestras. Estos parmetros son un reflejo especfico de la estructura interna de

223

un material, por lo que su estimacin constituye una poderosa herramienta que podra emplearse para analizar tejidos. En [88], se reportaron resultados de atenuacin y dispersin, obtenidos en acrlico y aceite de ricino, con curvas de atenuacin coincidentes con las reportadas por [78-82]. La dispersin en phantoms es un parmetro no reportado anteriormente, pero sus similitudes con las curvas obtenidas en [88], parecen validar dichas mediciones. k) Se constat que la concentracin de grafito en la construccin de phantoms es un factor que influye de manera determinante en la atenuacin, como se reporta en [107-108]. Adems se confirm que la atenuacin es un parmetro que se ve influenciado por la temperatura. Cuanto mayor sea la concentracin de grafito, mayor ser la atenuacin, y cuanto mayor sea la temperatura, mayor ser el coeficiente de atenuacin. Todo ello se detalla en el Apartado 5.3..22. l) Se observ que la magnitud de la dispersin acstica es pequea comparada con la magnitud de la atenuacin, segn mediciones reportadas en el seccin V.c.2.3, por lo que stas pueden ser ms susceptibles de error experimental. Como era de esperar, la dispersin tambin se ve influenciada por la concentracin de grafito y la temperatura. Las curvas de dispersin obtenidas con transductores piezocomposite, que poseen un ancho de banda mayor que los PZT, dan espectros ms amplios, mejorando la calidad de los resultados. Podemos pues concluir que los sistemas ultrasnicos basados en transductores de banda ancha resultan ms adecuados que los de banda estrecha, para este tipo de mediciones de parmetros acsticos en aplicaciones teraputicas. m) Finalmente, se ha presentado y aplicado un nuevo mtodo para determinar distribuciones de cambios de temperatura en phantoms de manera no invasiva. El mtodo se fundamenta en la conocida relacin entre los retardos de tiempo en los ecos y los incrementos de temperatura, pero su principio de operacin introduce la novedad de usar la demodulacin en fase de las seales ultrasnicas ecogrficas, para estimar de una forma ms precisa los efectos de retardo. Este mtodo se

224

propone y concreta en el captulo 4, seccin 2, puntos 4.9 y 4.12, donde se establece una relacin lineal entre retardos de tiempo y corrimientos en fase. La tcnica se evalu para doce niveles de temperatura (desde 29C a 49C), con lo que mostramos en la prctica que el mtodo resulta vlido y preciso para estimar temperatura por deteccin de corrimientos de fase. n) La potencialidad de esta alternativa de estimacin trmica fue primero verificada mediante simulaciones realizadas en Matlab con pulsos ultrasnicos ideales, donde obtuvimos que para retardos de 10 ns se tiene un corrimiento de fase de 0.6284 radianes (36 ), para el caso que se muestra en la figura 11 del presente captulo. Tambin fue verificada su viabilidad con seales adquiridas por pulso-eco desde phantoms con diferentes concentraciones y en el intervalo de temperaturas empleado en hipertermia. Se verific tambin en agua donde se obtuvieron corrimientos de fase de 0.6565 radianes (37.6 ) para retardos de 11 ns, que corresponden a cambios de temperatura de 2C. Para retardos de 40 ns en el grafito, tuvimos un corrimiento de fase de 1.35 radianes (77.3 ), para cambios de temperatura de 2C. Estos valores de fase resultan muy fcilmente medibles, por lo que la tcnica es capaz de detectar de una manera indirecta retardos de tiempo del orden del nanosegundo, y por tanto de discernir los cambios de temperatura con una mayor resolucin que usando las vas propuestas previamente. Sin embargo, este mtodo an presenta ciertas limitaciones para poder medir temperaturas con una buena resolucin espacial en tejidos biolgicos reales (in vitro y en vivo). En definitiva, los resultados obtenidos empleando demodulacin de fase para la medicin no invasiva de temperatura en el interior de tejidos biolgicos y phantoms, segn se se detalla en el presente captulo, demuestran la potencialidad de aplicacin del mtodo, por lo que su implementacin prctica futura podra ser aplicada en la gua y monitoreo de tratamientos de hipertermia.

225

Conclusiones De acuerdo a los resultados de las experiencias y simulaciones aqu reportados, podemos resumir algunos comentarios finales. Iniciamos confirmando: a) la validez del modelado equivalente que hemos simulado para analizar el transductor junto a los sistemas electrnicos asociados, y b) la eficacia de los esquemas de simulacin que hemos propuesto. Esta afirmacin est basada en los resultados obtenidos por simulacin de la configuracin experimental para obtener el eco resultante de la excitacin de nuestro transductor y del viaje de la onda ultrasnica a travs de agua con reflexin en material acrlico y acero inoxidable. Los pulsos excitadores y los ecos resultantes simulados, se compararon con los reales tomados de mediciones experimentales en los medios descritos. Las curvas obtenidas por ambos procedimientos muestran ser similares como se reporta en el punto 5.3.1. Las causas de las pequeas diferencias entre ambas (picos espurios breves en el pulso de excitacin sin trascendencia ecogrfica y ligeras desviaciones en los ecos) son resultado de: reactancias inductivas no determinadas del transductor, cableados internos y coaxiales, y capacidades parsitas en combinacin con reactancias espurias del excitador en alta frecuencia. Tambin pueden influir las pistas de circuito impreso de las tarjetas del pulser-receiver, etc.. Hemos mostrado mediciones de 3 parmetros acsticos: velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin. Estas mediciones se hicieron en phantoms. Los resultados obtenidos en el caso de atenuacin y dispersin son similares a los reportados por Ping He [78] para algunos materiales, por lo que se decidi aplicar este algoritmo en las mediciones. Los resultados de atenuacin y velocidad de propagacin, son similares a los reportados por Montiel [76]. Las grficas obtenidas se reportan en el punto 5.3.2 y los protocolos de medicin se describen en el punto 4..2.4.13-14. En lo referente a la estimacin no invasiva de temperaturas, propusimos un mtodo que relaciona corrimiento de fase versus variacin de temperatura. Los resultados de la experimentacin mostrada en el punto 5 de este captulo 5 son satisfactorios, como se muestra en las grficas 5462, ya que muestran una relacin lineal entre cambio de temperatura y corrimiento 226

de fase. Estos resultados son equivalentes a los reportados por otros autores (Mass Moreno, Ebinni, Seip, etc) por va temporal. La equivalencia radica en que estos autores hacen su relacin retardo de tiempo versus cambio de temperatura. La novedad que supone nuestro mtodo radica en que constituye una alternativa de mayor sensibilidad que la clsica medicin directa en el tiempo, y esto lo confirma el que este mtodo se report en un artculo aceptado (Junio 2006) para publicacin en la Revista J. Journal Applied Physics. Por ltimo, comentamos que para el desarrollo de los experimentos de esta tesis fue necesario crear un programa para el control en 3D del sistema de medicin de campo ultrasnico. En este programa se incorporaron nuevas facilidades software, con las que se controlan automticamente el protocolo de excitacin, la sincrona entre instrumentos asociados en la experimentacin, la adquisicin y procesamiento de seales provenientes de las respuestas ultrasnicas que intervienen en la medicin, y la posibilidad de adquisicin en la tercera dimensin. Este programa cuenta adems con rutinas de clculo para los diferentes parmetros acsticos. Remarcamos que este programa fue ampliamente usado en los experimentos reales reportados en esta tesis.

227

CAPTULO 6 CONCLUSIONES Y PRINCIPALES APORTACIONES DE LA TESIS

6.1. Resumen de las Principales Aportaciones de la tesis

Como recapitulacin de los resultados detallados en el apartado 5.4, resumimos a continuacin las principales aportaciones conseguidas mediante el desarrollo de esta tesis doctoral:

1) Se han propuesto diversos modelos circuitales y utilidades software que posibilitan una simulacin y unos anlisis precisos de los procesos de excitacin y recepcin ultrasnica con los transductores de banda ancha que hemos aplicado para las mediciones y estimaciones abordadas en la tesis. Para ello: Se determinaron las etapas del subsistema de excitacin que necesitaban incorporar mejoras en su modelado. Se mostr como obtener respuestas simuladas, para la excitacin y las seales ultrasnicas de eco, comparables a las experimentales, usando macro-modelos de algunos dispositivos, efectos no-lineales y prdidas.

2) Se propusieron mtodos, materiales y algoritmos para la medicin y estimacin ultrasnica de caractersticas internas en tejidos in vitro y phnatoms. Para ello: Se mostraron metodologas sobre desarrollo de phantoms, y sobre su uso como muestras equivalentes a tejidos, para las mediciones programadas. Se detallaron los algoritmos empleados para medir atenuacin, dispersin y velocidad de propagacin acsticas en los phantoms. Propusimos un nuevo procedimiento que emplea la demodulacin de fase, para estimar no invasivamente incrementos trmicos en el interior de tejidos, el cual presenta gran utilidad e inters para aplicaciones de hipertermia.

228

3) Para el desarrollo de los experimentos fue necesario crear un programa para control 3D del sistema de medicin de campo ultrasnico. Para ello: - Se disearon nuevas facilidades software para controlar automticamente el protocolo de excitacin, la sincrona entre instrumentos, la adquisicin y procesamiento de seales, y la adquisicin en la tercera dimensin. Se desarrollaron rutinas de clculo para automatizar la medicin de los diferentes parmetros acsticos.

4) Confirmamos mediante resultados experimentales y simulaciones la validez del modelado equivalente global que hemos aplicado para analizar el transductor de banda ancha junto a los sistemas electrnicos asociados. Para ello:

Se simul una configuracin experimental de pulso-eco a travs de agua con reflexin en material acrlico y acero inoxidable.

Se compararon los pulsos excitadores y los ecos resultantes simulados, con los tomados experimentalmente, y en general se mostraron similares.

5) Confirmamos, a travs de los buenos resultados obtenidos, la eficacia de los esquemas de simulacin para sistemas ultrasnicos que hemos propuesto a lo largo de la tesis, y que resultan compatibles con el entorno de anlisis Spice. - Una de sus principales aplicaciones fue facilitar una realizacin eficaz y razonablemente cmoda de diversos anlisis paramtricos en el sistema de excitacin en alta tensin desarrollado.

6) Se obtuvieron varias series de medicin sobre 3 parmetros acsticos en diversos phantoms: velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin. Los resultados para atenuacin y dispersin son similares a los reportados por Ping He para algunos materiales, por lo que se decidi aplicar este algoritmo [78]. Los resultados para atenuacin y velocidad de propagacin, son similares a los reportados por Montiel [76].

229

7) Se obtuvieron resultados muy prometedores sobre estimacin no invasiva de temperaturas, con un mtodo original que relaciona corrimiento de fase con variacin de temperatura. Los resultados experimentales muestran una relacin lineal entre los cambios de temperatura y de fase, lo que es equivalente a lo reportado por otros autores [30,37,39-41,47,48,52] que usan la va de medir retardos en el tiempo. La novedad que supone nuestro mtodo radica en que constituye una alternativa de mayor sensibilidad. Este mtodo se report en un artculo aceptado (Junio 2006) para publicacin en la Revista J. Journal Applied Physics. 6.2 Posibles vas de investigacin futura

Los modelos circuitales que hemos integrado y aplicado a lo largo de esta tesis, en la simulacin de las distintas etapas de un sistema completo emisor-receptor ultrasnico para estimacin de parmetros internos en hipertermia, ya incluyen muchas mejoras respecto a los modelos y circuitos equivalentes convencionales, entre otras, la consideracin de algunos aspectos no lineales de la etapa excitadora y de ciertas prdidas en la cermica piezoelctrica, los cuales normalmente no son tenidos en cuenta en este tipo de simulaciones. Sin embargo, parte de estos modelos an no reflejan completamente lo que realmente ocurre en algunos casos especiales que se presentan en la prctica de los ensayos ultrasnicos mediante pulsos. Por tanto, dichos modelos podran ser perfeccionados con la incorporacin de otros efectos no lineales adicionales, con la consideracin de otros tipos de prdidas (p.e., elctricas de tipo parsito, mecnicas con dependencia cuadrtica), y con el anlisis de aspectos de envejecimiento o comportamientos no lineales de la cermica piezoelctrica. Estas circunstancias se pueden presentar en algunos sistemas ultrasnicos reales, por ejemplo, y muy especialmente, para el caso de los transductores de mediana potencia usados como aplicadores de radiacin en terapia.

230

De hecho, y aunque los modelos utilizados son bastante confiables para nuestras necesidades en esta tesis (que se restringan a seales de banda ancha y de escasa potencia), an resultaran insuficientes para abordar un anlisis riguroso de transductores en condiciones de mayor potencia aplicada en el modo clsico de onda continua, o bien a unas frecuencias mucho mas elevadas. Ello se debe a que no se consider en nuestro modelo elctrico la aportacin de todas las posibles reactancias espurias (o prdidas en alta frecuencia) en cableados internos y coaxiales, ni posibles efectos no-ideales en los diodos involucrados en el pulser ante muy altas intensidades, ni el efecto de capas de acoplamiento que muchos fabricantes aaden a la cermica, ni el efecto de todos las no linealidades, tanto en la electrnica como en los propios elementos piezoelctricos, para potencias bastante mayores a las presentes en nuestras configuraciones de medida. Todas estas posibles mejoras en los modelos resultaran tiles para el diseo de nuevas configuraciones de excitacin y de transduccin ultrasnica con alta eficiencia que se pretendan aplicar para hipertermia en el futuro puesto que se mejorara la efectividad del conjunto. Otras facetas que requeriran investigaciones adicionales son las relacionadas con la aplicacin y el control de sistemas multicanal en la disposicin tipo array, tanto para aumentar la precisin en la focalizacin de energa ultrasnica en nuevas aplicaciones de terapia, como para aumentar la precisin espacial de los mtodos de caracterizacin interna en tejidos, usando pulsos ultrasnicos, que hemos desarrollado y/o aplicado en esta tesis. Tambin resultara de inters el conseguir extender y perfeccionar las aplicaciones del nuevo mtodo propuesto, para determinar distribuciones de cambios de temperatura en el interior de tejidos y phantoms de una manera no invasiva. Los primeros resultados de dicho mtodo son muy prometedores, pero an se presentan limitaciones para poder medir temperaturas con precisin y con una buena resolucin espacial. Tambin habra que mejorar su aplicacin para tejidos biolgicos reales (in vitro y en vivo). Esta sera pues una excelente va para

231

prolongar y profundizar las investigaciones iniciadas y emprendidas en este campo con ocasin del desarrollo de esta tesis.

232

REFERENCIAS
[1] Moreno E. Propagacin ultrasnica en materiales viscoelsticos. Curso de Tecnologas Bsicas del Ultrasonido en Bioingeniera. Ciudad de Mxico. Octubre 2003. RED RITUL-CYTED. Vol. I. ISBN 970-93528-2-2. [2] Treatment Planning and Modelling in Hyperthermia. Tor Vergata Medical Physics Monograph Series. Postgraduate School of Medical Physics II University of Rome. 1992. [3] Johnson, S. A; Christensen, D. A., Johnson, C.C., Greenleaf, J.F., Rajagopalan, B. Non-instructive measurement of microwave and Ultrasound induced hyperthermia by acoustic temperature tomography, in Proceedings of IEEE Ultrasonic Symposium, (IEEE, New York), 977-982, 1977. [4] Bamber, J. C., Hill, C. R., Ultrasonic attenuation and Propagation speed in mammalian tissues as a function of temperature, Ultrasound in Medicine and Biology, 5, 149-157,1979 [5] Nasoni, R.L., Bowen, T., Ultrasonic Speed as a parameter for Non-invasive Temperature Measurement, ed. S. Mizushuna, Gordon and Breach, New York, 95-107,1989 [6] Yoon, H. S. Katz, J.L., Temperature dependence of the ultrasonic velocities in bone, Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium. (IEEE, New York), 395398.1979. [7] Anhalt, D.P. et al. Patterns of changes of tumor temperatures during clinical hyperthermia: implications for treatment planning, evaluation and control, Int. J. Hyperthermia, 11:425-36, 1995. [8] Simon Claudio, VanBaren Philip y Ebbini Emad S. Two Dimensional Temperature Estimation Using Diagnostic Ultrasound. , IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, Volume 45 , Issue: 4, pp.1088 1099, July 1998. [9] Goss, S. A., Frizzel, L.A., Dunn, F., Ultrasonic absorption and attenuation in mammalian tissues, Ultrasound in Medicine and Biology, 5, 181-186, 1979.

232

[10]

B. Field , Cafiero Franconi, Martinus Nijhoff. Physics and Technology of

Hyperthermia. Stanley Publishers. Section 1. Chapter 14. Pag 354-389.1987. [11] 1964. [12] Filipczynski L, Pawlowski, UER J. Ultrasonic methods of testing Kolsky H. Stress waves in solids. Journal Sound Vibration I, 88-110,

materials. London Butterwporths. 1966. [13] Auld B.A. Acoustic fields and waves in solids. Ed. Krieger Publishing Co.

Malabar Florida.1990. [14] Leeman S. et al. Causality revisited. Acoustical Imaging, vol. 24 Klumer

Academia/Plenum. Publishers. 1998. [15] Moreno E., Acevedo P. Thickness measurement in composite materials

using Lamb waves. Ultrasonics 35 pp 581-586, 1998 [16] Moreno E., Acevedo P., Castillo M., Thickness measurement in

composite materials using Lamb waves. Viscoelastic effects. Ultrasonics 37 pp 595-599, 2000. [17] Mason W. Physical acoustic and the properties of solids. D. Van

Nostrand Company, Inc. 1958. [18] Kino, G.S.; Acoustic Waves: devices, imaging, and analog signal

processing.; Prentice Hall, Inc. ,1987. [19] [20] Well, P.N.T.; Biomedical Ultrasound; Academic Press, 1977. Gonzlez, G. ; Azbaid, A. ; Leija, L. ; Ramos, A. ; Rami, X. ; San

Emeterio, J.L.; Moreno, E., Experimental Evaluation of Some Narrow-Band Ultrasonic Transducers as Therapy Applicators, FORUM ACUSTICUM SEVILLA 2002, Espaa. [21] Du X-H., Wang Q-M., Uchino K., Accurate determination of complex

materials coefficients of piezoelectric resonators, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelec. and Freq. Control., vol.50, no. 3, pp. 312-319, 2003. [22] J.L.San Emeterio, P.T Sanz., R. E. Franco de Sarabia., and Ramos A.,

Una implementacin del modelo KLM para transductores piezoelctricos en modos espesor, Anales de Fsica Serie B, Vol. 84, pp. 11-19, 1988.

233

[23]

Ramos A., Sanz P. T., Montero de Espinosa F.R., Control de arrays

ultrasnicos de A F. Aplicaciones en ecografa de alta resolucin, Mundo Electrnico, no. 167, pp. 167-172, 1986. [24] J. G. Okyere and A. J. Cousin, The design of a high voltage SCR pulse

generator for ultrasonic pulse echo applications. Ultrasonics, 17, Marzo 1979; pp 81-84. [25] A. Ramos-Fernndez, P.T. Sanz, F. Montero Espinosa. Broad band

driving of echographic arrays using 10 ns-500V efficient pulse generators, Ultrasonics, vol. 25, pp. 221-228, July, 1987. [26] Ramos A., Sanz P. T., Montero de Espinosa F. R, Riera E., Generacin

eficiente de impulsos ultrasnicos breves con MOSFET, Mundo Electrnico, no. 168, pp. 117-124, 1986. [27] San Emeterio J. L., Ramos A., Sanz P. T., Montero de Espinosa F. R,

Riera E., Modelado de Transductores piezoelctricos multicapa para ecografa, Mundo Electrnico, no. 186, pp. 85-90, Julio 1988. [28] Ramos A., San Emeterio J.L. and Sanz P.T. Dependence of pulser

driving responses on electrical and motional characteristics of NDE ultrasonic probes, Ultrasonics, Vol. 38, No. 1-8, pp. 553-558, 2000. [29] P.T. Sanz, A. Ramos, J.L. San Emeterio, Distortions on the output

waveforms of high-voltage spike generators induced from piezoelectric loads", Ferroelectrics, Vol. 224, pp. 47-54, 1999. [30] Ralf Seip, Emad S. Ebbini. Noninvasive Estimation of Tissue

Temperature Response to Heating Fields Using Diagnostic Ultrasound. IEEE Transactions of Biomedical Engineering, Vol 42, No. 8, August 1995. [31] P.J. Benkeser, L. A. Frizzell, K.R. Holmes and S.A. Goss. A Perfused

Tissue Phantom for Ultrasound Hypertermia. IEEE Transactions on Biomedical Engineering, Vol 37. No. 4, April 1990. [32] Singh, V.R.; Yadav, S., Non-invasive measurement of temperature in

ultrasonic hyperthermia, Proceedings of the Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society 1988., 4-7 Nov. 1988, pp. 850 - 851 vol.2.

234

[33]

Youssef, A.; Van Kaick, G.; Zuna, I.; Shehada, R., Noninvasive

temperature estimation of ultrasound textural parameters, Proceedings of the Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society, 1989. Images of the Twenty-First Century., 9-12 Nov. 1989, pp. 413 - 414. [34] Singh, V.R., Sunita Chauhan, Sanjoy Yadov, Chakarvati S.K, Ultrasonic

velocity as a non-invasive measure of temperature in biological media, short communication, Applied Acoustics, Volume 29, Issue 1, 1990, Pages 73-80. [35] S. Ueno, M. Hashimoto, H. Fukukita, and T. Yano, Ultrasound

thermometry in hyperthermia, Proc. IEEE Ultrason.Symp., 1990, pp 16451652. [36] W. Straube and R. Arthur, Theoretical estimation of the temperature

dependence of backscattered ultrasonic power for non invasive thermometry, Ultrason. Med. Biol. Vol.20, no.9, pp 915-922. [37] Seip Ralf, Ebbini Emad S., ODonnel Matthew, Cain Charles A., Non-

invasive detection of thermal effects due to highly focused ultrasonic fields, IEEE Ultrasonics Symposium, 1993, pp. 1229-1232. [38] Webster John G., Encyclopedia of Medical Devices and Instrumentation.

High-Intensity Focused Ultrasound. Volume II, pp.1599-1612. [39] Seip Ralf, Ebbini Emad. S., Invasive and non-invasive feedback for

ultrasound phased array thermometry, IEEE Ultrasonic Symposium, 1994, pp. 18211-824 [40] Seip, R.; Ebbini, E.S., Noninvasive estimation of tissue temperature

response to heating fields using diagnostic ultrasound, IEEE Transactions on Biomedical Engineering, Volume 42 , Issue: 8 , Aug. 1995, pp.828 839. [41] Seip Ralf, VanBaren Philip, Cain Charles A., Ebbini Emad S.,

Noninvasive real-time multipoint temperature control for ultrasound phased array treatments, IEEE Transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control. Vol. 43, No. 6, November, 1996, pp. 1063-1073.

235

[42]

Simon, C.; VanBaren, P.; Ebbini, E.S., Two-dimensional temperature

estimation using diagnostic ultrasound, IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, , Volume: 45 , Issue: 4 , July 1998, pp.1088 1099. [43] Le Floch Claire, Fink Mathias, Ultrasonic mapping of temperature in

hyperthermia: The thermal lens effect, IEEE Ultrasonic Symposium, 1997, pp. 1301-1304. [44] Simon, C.; VanBaren, P.; Ebbini, E., Quantitative analysis and of non-invasive temperature estimation using diagnostic

applications

ultrasound, 1997 IEEE Ultrasonics Symposium, 1997. Proceedings, Volume: 2 , 5-8 Oct. 1997, pp.1319 1322. [45] Wang Hong-zhang; Hong-bin Yu; Fen-long Lin; Zhi-zhang Xu, Method

and experiment of noninvasive temperature estimation by ultrasound echo pulses, Proceedings of the 20th Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society, 1998., Volume: 3, 29 Oct.-1 Nov. 1998, pp.1513 - 1516. [46] Nai-chyuan Yen, Wavelet packet decomposition, J. Acoust. Soc. Am.,

Vol. 95, No. 2, pp 889-896, 1994. [47] Maass-Moreno Roberto, Damianou Christakis A., Sanghvi Narendra T.

Noninvasive temperature estimation in tissue via ultrasound echo-shifts. Part I: In vitro study, J. Acoust. Soc. Am. 100(4), Pt. 1, October, 1996. [48] Maass-Moreno, R.; Damianou, C.A.; Sanghvi, N.T., Tissue temperature

estimation in-vivo with pulse-echo, 1995 IEEE Ultrasonics Symposium, 1995. Proceedings., Volume: 2 , 7-10 Nov. 1995, pp.1225 - 1229. [49] Yutaka Nawat, Kaji Kaneko, Measurement of temperature distribution in phantom body by an ultrasonic CT method, Proceedings of the 5th ASME/JSME Joint thermal Engineering Conference, 1999, pp1-8. [50] Greenspan, M., and Tschiegg, C.E., 1959, J. Acous. Soc. Amer., Vol.

31, pp75

236

[51]

Pernot, M.; Tanter, M.; Bercoff, J.; Waters, K.R.; Fink, M. Temperature

estimation using ultrasonic spatial compound imaging, IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, Volume: 51 , Issue: 5 , May 2004 pp. 606 615. [52] Seip, R.; VanBaren, P.; Simon, C.; Ebbini, E.S., Non-invasive spatio-

temporal temperature estimation using diagnostic ultrasound, 1995 IEEE Ultrasonics Symposium, 1995. Proceedings., Volume: 2 , 7-10 Nov. 1995, pp:1613 1616 [53] Guiot C., Cavalli R., Gaglioti P., Danelon D., Musacchio C., Trotta M.,

Todros T., Temperature monitoring using ultrasound contrast agents: in vitro investigation on thermal stability, Ultrasonics 42 (2004), pp. 927-930. [54] C. Simon, P. VanBaren, and E. Ebbini, Motion compensation algorithm

for noninvasive two-dimensional temperature estimation using diagnostic pulse-eco ultrasound, Proc. SPIE, vol. 3249, pp 183-192, 1998 [55] Moctezuma Aguilar Griselda. Sistema electrnico de cuatro canales de

alta eficiencia para la excitacin de transductores ultrasonicos. Tesis para la obtencin del grado de Maestro en Ciencias. Departamento de Ingeniera Elctrica. CINVESTAV. Mxico D. F. Octubre 2005. [56] [57] [58] Hojas de datos del APT5024 BLL. Advanced Power Technology. Hojas de datos del IXDD415. IXYS Corporation. Ruz Toledo Abelardo Modelado y evaluacin en rgimen Transitorio

de respuestas piezoelctricas y Electrnicas en sistemas de visualizacin Ultrasnica. Tesis para la obtencin del grado de Doctor en Ciencias Fsicas. Departamento de Arquitectura de Computadores y Automtica. Facultad de Ciencias Fsicas. Universidad Complutense de Madrid. Madrid Espaa. Mayo 2004. [59] W. Marshall Leach. Controlled - Source Analogous Circuits and SPICE

Models for Piezoelectric Transducers, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelec. Freq. Contr., vol. 41, no.1, pp. 60-66, Jan., 1994.

237

[60]

Pttmer Alf, Hauptmann Peter, Olaf Krause and Bernd Henning, SPICE

Model for Lossy Piezoceramic Transducers, IEEE Transactions Ultrasonics Ferroelectric and Frequency Control, vol. 44, no. 1, pp. 60-65, January, 1997. [61] Ruz A, Hernndez M., Jimenez A., Sotomayor A., Snchez O. and

Ramos A, San Emeterio J. L., Sanz, P.T., Approaches to simulate temporal responses in piezoelectric stages involved in ultrasonic sensor/actuator

systems, Ferroelectrics, Vol. 273, pp. 243-248, 2002. [62] Ramos A., Ruiz A., Sanz P. T., San Emeterio J. L., Some non-linear

aspects of the electronic stages in time-domain modeling of NDE pulse-echo ultrasonic systems, Ultrasonics, vol. 40, pp. 253-258, 2002. [63] A. Ramos, A. Ruiz, J.L. San Emeterio, P.T. Sanz. Pspice circuital

modelling of ultrasonic imaging transceiver including frequency-dependent losses and signal distortions in electronic stages, Ultrasonics, Vol. 44, N 3-9, Paper. 64 (6 p). Junio. Elsevier B.V. 2006. [64] Kossoff G., The Effects of Backing and Matching on the Performance of

Piezoelectric Ceramic Transducers, IEEE Trans. Sonics and Ultrasonics, vol. su-13, no. 1, pp. 20-30, March, 1966. [65] Thurston R.N., Effect of electrical and mechanical terminating

resistances on loss and bandwidth according to the conventional equivalent circuit of a piezoelectric transducer, IRE Trans. Ultrason. Engin., vol. UE-7, pp. 16-25, February, 1960. [66] Hayward G., The influence of pulser parameters on the transmission

response of piezoelectric transducers, Ultrasonics, Vol. 23, pp.103-112, 1985. [67] Hayward G., Using a block diagram approach for the evaluation of

electrical loading effects on piezoelectric reception , Ultrasonics, vol. 24, 3, pp. 156-163, May, 1986. [68] Silk M. G., Ultrasonic Transducers for Nondestructive Testing, Adam

Hilger Ltd, Bristol., 1984. [69] Johanson J., Optimization of a piezoelectric Crystal Driver Stage using

System Simulations, IEEE Ultrasonics Symposium, pp. 1049-1054, 2000.

238

[70]

Ramos A., San Emeterio J. L., Sanz P. T., Electrical Matching Effects

On The Piezoelectric Transduction Performance Of A Through Transmission Pulsed Process, Ferroelectrics, vol. 202, pp. 71-80, 1997. [71] Ramos. A., Sanz P. T, San Emeterio J.L., Adaptacin elctrica en

rgimen transitorio de transceptores piezo-elctricos para formacin de imagen ultrasnica, Revista de Acstica, vol. XVIII. no. 3 y 4, pp. 33-35. [72] Kaltenbacher M., Simkovics R., Kaltenbacher B., Lerch R.,

Determination of piezoelectric material parameters using a combined measurement and simulation technique. 2001 IEEE Ultrasonics Symposium., pp. 1023-1027, 2001. [73] Kwok K. W., Chan H.L.W., Choy C. L., Evaluation of the material

parameters of piezoelectric materials by various methods, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelec. and Freq. Control., vol. 44, pp. 733-742, 1997. [74] Ramesh R., Vishnubhatla R.M.R., Estimation of material parameters of

lossy 1-3 piezocomposite plates by non-linear regression analysis. Journal of Sound and Vibration, vol. 226, no. 3, pp. 573-584, 1999. [75] Smits J. G., Iterative method for accurate determination of the real and

imaginary parts of the materials coefficients of piezoelectric ceramics, IEEE Trans. on Son. and Ultrason., SU-23, no. 6, pp. 393-402, 1976. [76] Montiel Cabrera Jaime Orlando,Desarrollo y caracterizacin de un

phantom con propiedades ultrasnicas equivalentes de tejidos blandos humanos: estudio de velocidad y atenuacin ultrasnica. Tesis de Maestra. CINVESTAV. Septiembre 2005. [77] Peter Kraniauskas. Transforms in signals and systems. Addison and

Wesley. 1995. [78] Ping He, Experimental Verification of Models for Determining Dispersion

from Attenuation. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, Vol. 46, No. 3, May 1999. [79] Ping He , Simulation of Ultrasound Pulse Propagation in Lossy Media

Obeying a Frequency Power Law , IEEE transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, Vol. 45, No. 1, January 1998.

239

[80]

Ping He, Direct measurement of ultrasonic dispersion using a

broadband transmission technique, Ultrasonics . pp 67 70. vol. 37. 1999. [81] Ping He, Acoustic Parameter Estimation Based on Attenuation and Measurements. Proceedings 20th Annual International

Dispersion

Conference- IEEE / EMBS October 29 November 1, 1998, Hong Kong. [82] Ping He, Measurement of acoustic dispersion using both transmitted

and reflected pulses. Journal Acoustic. Soc. Am. 107 (2), February 2000. [83] S.I. Rokhlin, D.K. Lewis, K.F. Graff, and Lacio Adler,Real Time study of

frequency dependence of attenuation and velocity of ultrasonic waves during the curing reaction of epoxy resin. Journal of Acoustical Society of America. pp. 1786-1793. Vol. 79 (6), June 1986. [84] Vzquez, M.; Gonzlez, G.; Ramos, A. Evaluacin de Transductores

para Terapia Ultrasnica, , 8va. Conf. IE, CIE 2002, CINVESTAV, pp.203-207, Mxico 2002. [85] G. Gonzlez, R. Prez, L. Leija, Laboratorio para el desarrollo de teraputicas mediante ondas Electromagnticas y

investigaciones

ultrasnicas. Reporte Noviembre, 2002. Seccin Bioelectrnica, Dpto. IE, CINVESTAV. No. CIE B02B f3. [86] Montiel, J.O., Vzquez, M., Bazn I., Vera. A., Leija, L. Caracterizacin

de las propiedades ultrasnicas de phantoms para aplicaciones en hipertermia oncolgica. Bilingual Pan American Health Care Engineering Conference and Clinical/Hospital Engineering Workshop. Long Beach - Los Angeles, California, USA. January 30 to February 3, 2006, pp.24-29. [87] Montiel, J.O., Vzquez, M., Vera. A., Leija, Bazn I. L.Diseo de

Phantoms Ultrasnicos para aplicaciones en hipertermia oncolgica.XXVIII Congreso Nacional de Ingeniera Biomdica (CNIB 2005) .9-11. Noviembre 2005. Acapulco Guerrero. Mxico. pp. 57-60. [88] Vzquez, M., Vera. A., Leija, L. Ramos, A., Moreno, E. Experimental

Estimation of Acoustic Attenuation and Dispersion. 2nd International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ICEEE) and XI Conference on Electrical Engineering (CIE 2005). Mexico City, Mexico.

240

September 7-9, 2005, pp. 156-59. IEEE Catalog Number: 05EX1097. ISBN: 07803-9230-2. [89] Nykolai Bilianuk, George S.K. Wong. Speed of sound in pure water as a

function of temperature. Journal of the Acoustical Society of America. Vol. 93, Nmero 3 .pp. 1609-1612. 1993. [90] V. A. del Grosso. New equation for the speed of sound in natural waters

(with comparison to other equations), The Journal of the Acoustical Society of America., Vol. 56, No.4, pp 1084 1091.1974. [91] V. A. del Grosso and C. W. Mader. Speed of Sound in Pure Water. The

Journal of the Acoustical Society of America. Vol. 52, Nmero 5 (Part 2).pp.1442-1446 1972. [92] Vicent A. del Grosso. Sound Speed in Pure Water and Sea Water. The

Journal of the Acoustical Society of America. Vol. 47, Nmero 3 (Part 3).pp. 947-949 1970. [93] Instrument-on-a-card. Series. The TB1000 Gated Amplifier / Receiver.

Users Manual. The Matec Instrument Companies, Inc. [94] Y.-S. Kim, J.G. Fossum, "Physical DMOST Modeling for High-Voltage IC

CAD". IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 37, No. 3, 1990, pp.797 803. [95] P. Antognetti, G. Massobrio, "Semiconductor Device Modeling with

SPICE", McGraw-Hill, New York, 1988, 389 pages. [96] D.F. Haslam, M.E. Clarke, J.A. Houldsworth, "Simulating Power

MOSFETs with SPICE".Proc. of the HFPC Conference, May 1990, pp. 296 305. [97] I.A. Hein and W.D. OBrien Jr., Current time-domain methods for

assessing tissue motion by analysis from reflected ultrasound echoes-A review, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelect. Freq. Contr., Vol. 40, pp. 84-102, Mar. 1993 [98] Beijing Yuande Bio-Medical Engineering Co., Ltd.

http://www.yuande.com/e_pro_fepby.html.

241

[99]

San

Emeterio,

J.L.,

Ramos

A.

Piezoelectric

Transducers

and

Applications. Capitulo 3 Models for Piezoelectric Transducers Used in Broadband Ultrasonic Applications. Ed. Springer. pp. 55-67. 2004. [100] Tur Peroy Antoni. Contribucin a la Modelizacin y al Estudio de

Transductores Piezoelctricos de Potencia. Universidad Politcnica de Catalua. Departamento de Ingeniera Electrnica. Enero 1998. [101] Steven A. Morris and Chriswell G. Hutchens, Implementation of

Masons Model on Circuit Analysis Programs, IEEE Transactions. Ultrasonic, Ferroeletric and Frequency. Control, vol. UFFC - 33, 3, pp.295 - 298, May, 1986. [102] Long Wu and Yeong- Chin Chen. PSPICE approach for designing the

ultrasonic piezoelectric transducer for medical diagnostic applications, Sensors and Actuators A, 75, pp.186-198, 1999. [103] Redwood M., Transient performance of a Piezoelectric Transducer,

Journal Acoustic Society of America, vol. 33, 4, pp. 527 - 536, April, 1961. [104] Manual of Agilent Technologies Advanced Design System 2002. Netlist

translator for Pspice and Spectre. February 2002. [105] Ramos A., San Emeterio J.L., Sanz P. T., Different Tuning

Contributions in Piezoelectric Transceivers Improving Transient Signals for Ultrasonic Imaging, Proceedings XI IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics, IEEE Cat. Num. 98CH36245, NJ, USA, pp. 251254, 1999. [106] Lzaro M. A., del Ro Fernndez. Programacin Grfica para el Control

de Instrumentacin. LabVIEW 7.1. Capitulo 9. Espaa 2005. pp. 192-237. [107] Sofia Yuko Sato, Carlos Roberto Strauss Vieira, Wagner Coelho de

Alburquerque Pereira, Materiais Mimetizadores de Tecido para Cofeco de Phantoms para Ultra-Som Diagnstico . ANAIS DO CBEB.2000. [108] Richard A. Banjavie, and Ronald E. Jutila, Ernest L. Madsen, James A.

Zagzebski, Tissue mimicking materials for ultrasound phantoms. Medical Physics, Vol. 5, No.5, Sep./Oct. 1978.

242

[109]

Ramos. A, San Emeterio J. L y Sanz P. T., Improvement in Transient

Piezoelectric Responses of NDE Transceivers Using Selective Damping and Tunning Networks, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelec. Freq. Contr., Vol. 47, No.4, pp. 826-835, 2000. [110] Ramos A., Garca J., Sanz P. T., Transceptor ultrasnico en el rango

de los MHz, con excitacin impulsional de alta tensin en banda ancha, Patente de Invencin n 551861, pp. 1-19, 1986 [111] Ramos A., Ruz A., Sanz P. T., San Emeterio J. L., Some non-linear

aspects of the electronic stages in time-domain modeling of NDE pulse-echo ultrasonic systems, Ultrasonics, vol. 40, pp. 253-258, 2002. (in press). [112] Ramos A., San Emeterio J. L., Sanz P. T., y Garca J., Sistema

ultrasnico para END de composites laminados con ncleos nomex, IX NDE Spanish Congress, 1999. [113] San Emeterio J.L., Sanz P.T., Franco de Sarabia R. E., and Ramos A.,

Una implementacin del modelo KLM para transductores piezoelctricos en modos espesor,Anales de Fsica Serie B, vol. 84, pp. 11-19, 1988. [114] Claire Le Flonch y Mathias Fink, Ultrasonic Mapping of Temperature in

Hyperthermia : The Thermal Lens Effect. 1997 IEEE Ultrasonic Symposium. [115] Jon Zaerr, Robert B. Roemer and Kullervo Hynynen, Computer

Controlled Dynamic Phantom for Ultrasound Hyperthermia Studies. IEEE Transactions on Biomedical Engneering Vol. 37 No. 2 . Noviembre 1990. [116] M3300 Biomedical Lab Kit Fluroptic Thermometer. Users Manual.

Luxtron Corporation [117] True Temp Data Capture, Display and Analysis Software. User Guide.

Luxtron Corporation [118] Instruction Manual Circulator HAAKE DC10 including all baths. Thermo

Electron Corporation. [119] VP900 Series. Users Guide. One, two, three, and Four axis Stepping

Motor Controller/ Drivers .VELMEX, Inc. [120] Instrument Control Toolbox For Used with MATLAB. Users Guide.

Version 1. The MathWorks Inc. 2000 2002.

243

[121]

TDS Family Digitizing Oscilloscopes (TDS 410, 420, 460, 520 A, 524 A,

544 A, 620 A, 640 A, 644 A, 684 A & 744). Programmer Manual. Tektronix. [122] TDS Family Digitizing Oscilloscopes (TDS 410, 420, 460, 520 A, 524 A,

544 A, 620 A, 640 A, 644 A, 684 A & 744). User Manual. Tektronix [123] XYZ Scanning System Scan Software Version 3.40. Users Guide.

Specialty Engineering Associates. [124] [125] Degassing Station Operating Guide. Specialty Engineering Associates. EK-I / EW-I Series. Compact Balances. Instruction Manual. A&D

Company. [126] Abhijit D. Pathak. MOSFET / IGBT Drivers . Theory and Applications.

IXYS Corporation. Applications Notes. 2001. [127] Y.-S. Kim, J.G. Fossum, "Physical DMOST Modeling for High-Voltage IC

CAD". IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 37, No. 3, 1990, pp.797 803. [128] Mikael Andersson. Modeling of High-Speed and High-Power

Semiconductor Device. Electrical engineering series no. 79. Acta Polytechnica Scandinavica, Electrical Engineering Series No. 79, Helsinki 1994. 45 pp. Published by the Finnish Academy of Technology. ISBN 951-666-428-8. ISSN 0001-6845. UDC 621.382:621.3.049.77. [129] Hynynen, K. Review of ultrasound therapy. Ultrasonics Symposium,

1997. Proceedings., 1997 IEEE. Volume 2, Issue , 5-8 Oct 1997 Page(s):1305 - 1313 vol.2 [130] Wagner C. A. Pereira, S. Lori Bridal, Alain Coron, and Pascal Laugier.

Singular Spectrum Analysis Applied to Backscattered Ultrasound Signals from In Vitro Human Cancellous Bone Specimens. IEEE transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, Vol. 51, No. 3, March 2004 [131] Wagner C. A. Pereira1, S. Lori Bridal, Alan Coron and Pascal Laugier.

Mean Scatterer Spacing Of Backscattered Ultrasound Signals From In Vitro Human Cancellous Bone Specimens. 2002 IEEE Ultrasonics Symposium1306.

244

APNDICE A PUBLICACIONES GENERADAS A PARTIR DEL TRABAJO DE ESTA TESIS DOCTORAL

A.1. Revistas

Non-Invasive Temperature Estimation in Oncology Hyperthermia by Using Phase Changes in Pulse-Echo Ultrasonic Signals. Vzquez M., Ramos A., Leija L., Vera A. Japanese Journal of Applied Physics Aceptado

Feasibility study of using ultrasonic transducer border waves for centering hydrophones in ultrasonic field characterization: a theoretical and

experimental approach A.Vera, M. Vzquez, L. Leija, E. Moreno Japanese Journal of Applied Physics Enviado

A.2. Congresos Internacionales Experimental Estimation of Acoustic Dispersion from a phantom with a single glass bead. 3er International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ICEEE) and XII Conference on Electrical Engineering (CIE 2006) M. Vzquez, L. Leija, A. Vera, E. Moreno Aceptado

245

Medicin de Potencia Ultrasnica de Transductores de Terapia por medio de calorimetra Lorenzo Leija, Arturo Vera, Fabiola Castaldi, Mnica Vzquez. Bilingual Pan American Health Care Engineering Conference and Clinical/Hospital Engineering Workshop. Long Beach - Los Angeles, California, USA. January 30 to February 3, 2006, pp.8-13.

Measurement of acoustic parameters using transmitted and reflected pulses Mnica Vzquez, Jaime Orlando Montiel, Arturo Vera, Lorenzo Leija. Bilingual Pan American Health Care Engineering Conference and Clinical/Hospital Engineering Workshop. Long Beach - Los Angeles, California, USA. January 30 to February 3, 2006, pp.20-23.

Caracterizacin de las propiedades ultrasnicas de phantoms para aplicaciones en hipertermia oncolgica Jaime Orlando Montiel, Mnica Vzquez, Ivonne Bazn Arturo Vera, Lorenzo Leija. Bilingual Pan American Health Care Engineering Conference and Clinical/Hospital Engineering Workshop. Long Beach - Los Angeles,California, USA. January 30 to February 3, 2006, pp.24-29.

Medicin de los parmetros de importancia clinica en equipos de terapia ultrasnica, mediante tcnicas de medida de temperatura y presin acstica Ivonne Bazn, Jaime Orlando Montiel, Arturo Vera, Lorenzo Leija, Mnica Vzquez. Bilingual Pan American Health Care Engineering Conference and Clinical/Hospital Engineering Workshop. Long Beach - Los Angeles, California, USA. January 30 to February 3, 2006, pp.30-35.

246

Experimental Estimation of Acoustic Attenuation and Dispersion Mnica Vzquez, Lorenzo Leija, Arturo Vera, Antonio Ramos, Eduardo Moreno. 2nd International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ICEEE) and XI Conference on Electrical Engineering (CIE 2005). Mexico City, Mexico. September 7-9, 2005, pp. 156-59. IEEE Catalog Number: 05EX1097. ISBN: 0-7803-9230-2.

Detection of spurious phenomena in the very-near field of ultrasonic beams emitted by therapy and NDE transducers III Seminarios Iberoamericanos de Tecnologia em Ultra-Som. Abdelhalim Azbaid; Antonio Ramos, Mnica Vzquez Montevideo, Uruguay. 2005 Vol. III, ISBN 85-904054-3-5, 2005.

Estimation in Three Dimension of Acoustical Parameters Distributions in Phantoms Mnica Vzquez, Gilberto Gonzlez, Lorenzo Leija International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ICEEE) and X Conference on Electrical Engineering (CIE 2004) IEEE Catalog Number: 04EX865. ISBN: 0-7803-8532-2.

A.3. Congresos Nacionales

Obtencin de imgenes empleando el principio de radiacin axial con ultrasonido mediante la tcnica de pulso eco. M. Vzquez, M. A. Daz, L. Leija, A. Vera 3er Encuentro de la Participacin de la Mujer en la Ciencia. Len, Guanajuato.17 al 19 de Mayo de 2006.

Estimacin de retardos de tiempo mediante cambios de fase. M. Vzquez, A. Ramos, A. Vera, L. Leija 3er Encuentro de la Participacin de la Mujer en la Ciencia. Len, Guanajuato. 17 al 19 de Mayo de 2006.

247

Medicin de atenuacin y dispersin en Phantoms para aplicaciones de hipertermia Jaime Orlando Montiel, Mnica Vzquez, Arturo Vera, Lorenzo Leija. XXVIII Congreso Nacional de Ingeniera Biomdica (CNIB 2005) 9-11. Noviembre 2005. Acapulco Guerrero. Mxico. pp. 53-56.

Diseo de Phantoms Ultrasnicos para aplicaciones en hipertermia oncolgica Jaime Orlando Montiel, Mnica Vzquez, Arturo Vera, Lorenzo Leija, Ivonne Bazn. XXVIII Congreso Nacional de Ingeniera Biomdica (CNIB 2005) 9-11. Noviembre 2005. Acapulco Guerrero. Mxico. pp. 57-60.

Sistema para la adquisicin, procesamiento y Despliegue de Ecos para la Medicin de Distribucin de Velocidades en una Muestra Vzquez Hernndez Mnica, Gonzlez Gilberto. XXVI Congreso Nacional de Ingeniera Biomdica. Mxico 2003, pp 151-155.

Sistema para la Adquisicin, Procesamiento y Despliegue de Ecos Ultrasnicos en Modo B Novena Conferencia de Ingeniera Elctrica. CIE 2003 Vzquez Hernndez Mnica; Bentez H, Gonzlez, G.,Moreno E, Leija L. Mxico 2003, pp 451 458.

Evaluacin de Transductores para Terapia Ultrasnica Octava Conferencia de Ingeniera Elctrica, CIE 2002. Vzquez Hernndez Mnica.; Gonzlez, G.; Ramos, A. Mxico 2002, pp.203-207

248

APNDICE B MACROMODELADO DE DISPOSITIVOS CON EL PROGRAMA DE ANLISIS CIRCUITAL PSPICE

Pspice, es un programa comercial de anlisis de circuitos de propsito general desarrollado en la Universidad de California (Berkeley) para anlisis de DC no lineal, transitorios no lineales y anlisis de AC lineales. Este programa comenz como un Programa de Simulacin con nfasis en Circuitos Integrados. La primera versin de este programa data de 1973, y desde entonces ha tenido un gran nmero de versiones que han sido desarrolladas, con nuevas caractersticas como el anlisis Monte Carlos, simulacin de elementos digitales y optimizaciones no lineales. Sin embargo, los modelos de los dispositivos bsicos y el formato de entrada se han mantenido esencialmente igual. Actualmente, Pspice es el programa de anlisis circuital estndar para simulacin. Existen otros simuladores tales como: Spice versin Berkeley, Pspice de MicroSim Corporation, HSPICE de Meta Software Incorporation, APEX de Intergraph Corporation, AccuSim de Mentor Graphics Corporation, APLAC del Circuit Theory Laboratory de Helsinki, University of Technology y Nokia Research Center.

B.1. Terminologa sobre los modelos y sus parmetros

El trmino modelo tiene diferentes significados en diferentes contextos. En esta tesis, un modelo se refiere a la representacin de un sistema mediante ecuaciones matemticas o a travs de un circuito equivalente. As se pueden describir combinaciones de diversos dispositivos como: diodos, transistores, MOSFETs, transductores ultrasnicos, etc. El trmino modelacin es utilizado para indicar el esfuerzo de crear un modelo para un dispositivo o circuito dado. La extraccin de parmetros se refiere al proceso de obtener los parmetros del modelo, ya sea de datos medidos o de las hojas de especificacin del 249

fabricante. El trmino de modelo fsico se refiere a un modelo del dispositivo en el cual las ecuaciones del modelo describen las cargas y las corrientes que son derivadas del comportamiento fsico del dispositivo. Esto usualmente, significa que el modelo es demasiado complejo para ser descrito en el lenguaje de entrada del simulador de circuitos. Sin embargo el trmino de modelo fsico es algo arbitrario, y debe ser ledo como modelo complejo. Actualmente todos los simuladores tienen la capacidad de usar sub-circuitos, los cuales son elementos que se repiten varias veces en la descripcin de un circuito y pueden ser colocados dentro de un bloque con un nombre especifico y un nmero de nodos externos. Entonces, solamente el nombre del sub-circuito y los nodos necesarios para conectarlo, se escriben en la descripcin del circuito. Los elementos en el sub-circuito podran formar el circuito equivalente del modelo del dispositivo, en cuyo caso los subcircuitos estn en el macromodelo del dispositivo. Un macromodelo utiliza los elementos definidos en el simulador del circuito, tales como resistencias, condensadores, inductancias, fuentes de voltaje y fuentes de corriente, as como modelos de semiconductores tales como diodos o transistores MOSFETs. La ventaja de implementar un modelo fsico en un simulador de circuitos, es la exactitud y la velocidad de simulacin, aunque la velocidad depende de la complejidad del dispositivo y de un cdigo bien determinado. Generalmente, la implementacin de un modelo en un simulador de circuitos ofrece la enorme ventaja de tener libertad para detallar la descripcin del comportamiento del dispositivo, limitado solamente por el lenguaje de programacin. B. 2. Macromodelado con Pspice

Las fuentes de voltaje y corriente controladas, en el Pspice pueden tener dependencias polinomiales. Por ejemplo, una fuente de voltaje controlada por voltaje puede seguir la ecuacin general
2 3 VOUT = a + b.VCON + cVCON + dVCON + ...

(B.1)

250

Esto puede ser ms que un controlador de voltaje, ya que representa una caracterstica la cual permite que un sumador (mezclador) pueda ser modelado, VOUT = aVCON 1VCON 2 + ... (B.2)

Figura B. 1. Esquemas implementados en Pspice que reproducen funciones matemticas. Los parmetros del diodo en el caso a) hacen las caractersticas del diodo casi lineales, I D VD . La resistencia de 10 en los casos (b) y (c) facilitan la convergencia pero podra no ser necesaria
4

para todos los simuladores de circuitos. El error absoluto comparado con las funciones matemticas reales para todos los casos cuando se simula con Pspice es menor que 10
6

As, en principio es factible utilizar fuentes controladas en Pspice para modelar dispositivos con caractersticas complejas que tienen numerosos trminos incluidos en un polinomio. Sin embargo, este mtodo solo trabaja dentro de un rango de voltaje para el que se ajustan los trminos del polinomio, y fuera de este rango, los trminos de orden alto pueden estar severamente distorsionados en la salida B. Una alternativa adecuada es un polinomio puro de las caractersticas del dispositivo, que se emplea para ciertos circuitos especiales produciendo 251

funciones ms adecuadas. La figura B.1 muestra algunas funciones tiles que pueden ser implementadas con elementos estndar de Pspice. Una de estas es la ecuacin general:

f ( x) =

ax bx 2 + c

(B. 3)

Esta se comporta de manera similar a la funcin de la tangente hiperblica, lo cual se ilustra en la figura B.2.

Figura B. 2. Esta curva, con algunas modificaciones, se utiliza para modelar las capacidades dependientes de voltaje en los DMOS (como en el caso del APT5024BLL) [128].

Pspice no incluye directamente capacidades controladas por voltaje, pero stas pueden ser fcilmente implementadas mediante la utilizacin del llamado efecto Miller. El circuito usado para implementar este efecto se muestra en la figura B.3:

Figura B.3. Circuito que produce el efecto Miller, semejante al de un condensador [128]

252

La capacidad del circuito puede ser calculada como:

d CTOT = C0 1 dV F (VTOT ) TOT

B.4

A fin de evitar valores de capacidad negativa, los valores usados en la funcin F para la fuente de voltaje debera siempre ser mucho menores que uno, o menor que el rango de voltaje esperado. Por esta razn se usan expresiones parecidas a la B.3.

B.3. Modelos de Dispositivos en Pspice

En esta tesis, con el trmino dispositivos de alta velocidad nos referimos a dispositivos que pueden operar a frecuencias superiores a 10 MHz, mientras que dispositivos capaces de manejar una potencia de ms de 3 Watts, en promedio, son considerados dispositivos de potencia B. Por supuesto, estos lmites no son de tipo absoluto y solo constituyen una clasificacin aproximada de los dispositivos en cuestin.

B.3.1 Dispositivos de Alta Velocidad Uno de estos dispositivos, que hemos utilizado en este trabajo, es el transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). La

macromodelacin en alta frecuencia de los MOSFETs contiene el modelo bsico del dispositivo junto con algunas redes RC o RLC que se emplean para lograr un correcto funcionamiento en alta frecuencia, incluso si no existen impedancias parsitas en el dispositivo real. La macromodelacin es un procedimiento estndar para dispositivos discretos para los cuales no existe el modelo o bien las impedancias parsitas no son tomadas en cuentB. Para altas frecuencias, no siempre son vlidas suposiciones bsicas en los transistores. La aproximacin quasi esttica utilizada en los modelos supone una respuesta inmediata de la densidad de carga del dispositivo cuando se aplica un voltaje. Para algunas frecuencias esta suposicin no es vlidB. Por otra parte, los defectos de algunos

253

dispositivos tales como los MOSFETs pueden corregirse en los macromodelos agregando componentes extra, como se demuestra ms adelante.

B.3.2 Dispositivos de Potencia En los circuitos integrados de potencia, la lgica de baja potencia y las compuertas MOS de los dispositivos estn integradas en el mismo circuito y dependen de manera crtica de la exactitud de la implementacin de los modelos de los dispositivos en Pspice. Sin embargo, los modelos de transistores MOSFET estndar en Pspice fueron desarrollados al mismo tiempo que los dispositivos MOS, dispositivos de baja potencia, por lo que estos modelos no describen de manera exacta algunas caractersticas especiales de las compuertas MOS para los dispositivos de potencia tales como la quasi saturacin que exhiben los dispositivos DMOS para voltajes de polarizacin grandes o caractersticas capacitivas dependientes de voltaje de algunos dispositivos de potenciB. La solucin de modelado para este problema se puede resolver mediante la construccin de un macromodelo usando componentes estndar de la librera de modelos de Pspice. En el trabajo de esta tesis, se emple la macromodelacin para los dispositivos ms importantes del diseo: el transistor MOSFET y el driver usado para su control.

B.4. Dispositivos MOSFET. Caractersticas generales y modelacin Los MOSFETs son bien conocidos por su rpida velocidad de conmutacin, y porque requieren una potencia pequea para controlar su terminal de compuertB. A este respecto, los MOSFETs de potencia se aproximan a las caractersticas de un interruptor ideal. Los MOSFET pueden conmutar a muy altas frecuencias. El lmite de estos est impuesto por dos factores: 1. El tiempo de trnsito de los electrones a travs de la regin de deriva (Drift). 2. El tiempo requerido para cargar y descargar las capacidades de Miller y de entrada de la compuerta.

254

B. 4.1 Modelos de MOSFET y Parmetros Crticos

Figura B.4. Vista de la seccin transversal de un MOSFET canal N, en la que se muestran las capacidades de las diferentes uniones [126].

La capacidad entre la Compuerta y la fuente consiste de tres componentes: la llamada C p que est formada por el electrodo de compuerta sobre la regin de la base P, la C N + debida al solapamiento del electrodo de compuerta sobre la regin de fuente N+, y la C 0 que surge de la proximidad del electrodo de compuerta y la metalizacin de la fuente. De hecho, todas estas se suman para producir CGS , a la cual se le llama Capacidad Compuerta Fuente. Este es el valor total de la capacidad que necesita cargarse a un nivel de voltaje de umbral crtico VGS (th ) , antes de que la corriente del drenador pueda iniciar el flujo. La capacidad compuerta - drenador, CGD , surge por superposicin entre el electrodo de compuerta y la regin de deriva N del drenador. CGD algunas veces es referida como la capacidad Miller y contribuye grandemente a limitar la velocidad de conmutacin del MOSFET. La capacidad de unin entre el drenador y la regin de la base P, es C DS . La regin de base P del MOSFET es ms corta que la regin de la fuente N+. Para MOSFETs de potencia, es apropiado considerar que la relacin es lineal para valores de VGS hasta VGS (th ) .

255

Figura B.5. Smbolo y circuito equivalente de un MOSFET [126]

La figura B. 5 muestra un smbolo de un MOSFET canal N y un modelo equivalente del mismo con las tres capacidades parsitas antes citadas CGD ,

CGS y C DS . Por ejemplo, CGD decrece rpidamente, conforme el voltaje de

drenador a fuente se incrementa y los valores altos de CGD son llamados CGDh , mientras que sus valores bajos son llamados CGDI .

B. 5. Fenmenos de encendido y apagado en los Mosfet

En las aplicaciones de los transistores Mosfet consideradas en esta tesis, los fenmenos de paso a conduccin (encendido) y paso al corte (apagado) resultan de especial trascendencia para la forma de onda de salida resultante en los sistemas de excitacin de transductores en los que intervienen. Por ello, describimos a continuacin algunos detalles acerca de ello.

B. 5.1 Fenmeno de encendido Para entender estos fenmenos de encendido y apagado, se puede asumir una conmutacin inductiva clamped. ste es el modo ms empleado de operacin y se muestra en las figuras B.6a y B.6b sobre un modelo del MOSFET con todos los componentes relevantes que juegan un papel en los eventos de encendido y apagado. En el estado alto, la capacidad compuerta fuente CGS del MOSFET, 256

necesita ser cargada con un nivel de voltaje crtico para iniciar la conduccin drenador- fuente. La carga inductiva (clamped) es mostrada como una fuente de corriente con un diodo D conectado en paralelo, pero en sentido inverso a travs del inductor. El MOSFET tiene una resistencia intrnseca interna en la compuerta, llamada RG int .

Figura B.6.a. Encendido de un MOSFET con carga inductiva (Clamped), a travs de un Driver.

Como se describi anteriormente las capacidades paramtricas ( CGS , CGD y

C DS ) debidas a las interfaces de unin, aparecen en los puntos apropiados. VDD

representa el voltaje de polarizacin DC para el drenador, a travs de la carga inductiva (clamped). El circuito controlador de compuerta (driver) est alimentado a travs de una tensin VCC muy inferior a VDD referido a una tierra comn. La salida de este controlador alimenta la compuerta del MOSFET a travs de la resistencia RGext . Cuando aparece un pulso positivo en el terminal de entrada del driver, el pulso de entrada se amplifica hasta obtener una amplitud VP a la salida, con la que se alimenta la compuerta de entrada del MOSFET a travs de RGext .

257

Figura B.6b. Apagado de un MOSFET con carga inductiva (Clamped), a travs de un Driver [126].

Como se puede observar en la figura B.6b, los valores de voltaje sobre las terminales de compuerta y fuente del MOSFET ( VGS ) son gobernados por el valor total de las resistencias en serie ( Rdr + RGext + RG int ) y el valor total efectivo de la capacidad CGS + CGD , donde Rdr es la impedancia de salida del driver y RGext es una resistencia generalmente colocada en serie con la compuerta del MOSFET para controlar las velocidades de encendido y apagado del MOSFET. En cuanto a los parmetros temporales de conmutacin de un Mosfet, y tal como se detalla en la Figura B.7, para el tiempo cero t1, la capacidad conjunta (CGS+CGD) del transistor se carga exponencialmente con una constante de tiempo T1 = (Rdr+RGext+RGint) x (CGS+CGD), hasta que se alcanza un voltaje compuerta - fuente VGS(th). En este periodo de tiempo, no se afectan ni el voltaje de drenador, ni la corriente de drenador: el voltaje de drenador se mantiene a VDD y la corriente de drenador no fluye todavB. Esto tambin se llama retardo de encendido. Como se puede observar entre 0 y t1, VGS se incrementa, mientras decae exponencialmente de manera parecida a la imagen de un espejo, por lo que, desde el punto de vista de anlisis de circuitos, ste es un circuito RC.

258

Figura B.7. Secuencia de encendido del MOSFET [126].

Despus del tiempo t1, como el voltaje compuerta fuente se incrementa hasta cerca de VGS(th), el MOSFET entra a la regin lineal que se muestra en la figura B.7. Para el tiempo t1, la corriente de drenador comienza, pero el voltaje drenador fuente VDS se mantiene a VDD. Sin embargo, despus de t1, ID se incrementa rpidamente. Entre el tiempo t1 y t 2 la corriente del drenador se incrementa linealmente con respecto a VGS . Para el tiempo t2, el voltaje compuerta fuente entra al nivel de meseta de Miller, y el voltaje de drenador comienza a caer rpidamente, mientras el MOSFET es llevado a la corriente de carga completB. Durante el intervalo de tiempo, t2 a t4, VGS se mantiene fijo al mismo valor, al igual que IGS. Esta es

259

llamada la regin de Meseta de Miller. Durante este intervalo, la mayora de la corriente de control est disponible para el driver. Pasando t4, VGS inicia un incremento exponencial con una constante de tiempo T2= (Rdr+RGext+RGint) x (CGS+CGDh). Durante este intervalo de tiempo el MOSFET aumenta el valor de voltaje hasta VGS determinado por el valor de RDS ( on ) . Cuando VGS logra este ltimo valor, VDS alcanza el valor ms bajo, determinado por V DS = I DS RDS ( on ) . En la Fig. B.7, A1 representa el rea de la curva IG desde t1 hasta t2, es decir la carga sobre (CGS +CGD), como la integral de la corriente de compuerta sobre un periodo de tiempo. Similarmente A2 representa la carga sobre CGD, porque integra IG durante el tiempo de t2 a t3, tiempo durante el cual el efecto Miller es predominante. Si consideramos que el diodo D no es ideal, entonces la recuperacin inversa del diodo podra influenciar el comportamiento del encendido. Como el diodo experimenta una recuperacin inversa, se puede ver en la forma de onda un montculo, en la forma de onda de VGS as como en la de I D . Esto ocurre cerca del tiempo t2.[126]

B. 5.2 Fenmeno de apagado El fenmeno de apagado se muestra en la siguiente figura B.8. Cuando la salida del controlador cae a cero para apagar el MOSFET, VGS inicialmente decae exponencialmente a una tasa determinada por una constante de tiempo

T2 = ( Rd + RGext + RG int ) x(CGs + CGDh ) desde un tiempo 0 hasta un tiempo t1 , sin

embargo despus de t 4 , VGS decae exponencialmente a la razn de

T1 = ( Rdr + RGext + RG int ) x(CGS + CGDI ) . La primera descarga en el proceso de

apagado es necesaria para descargar la capacidad C ISS de su valor inicial al nivel de la meseta de Miller. De t = 0 hasta t = t1 , la corriente de compuerta sigue a travs de los condensadores CGS y CGD del MOSFET. La corriente de Drenador I D se mantiene sin cambios, durante este intervalo de tiempo, pero el 260

voltaje de Drenador a Fuente VDS comienza a subir . De t1 a t 2 , VDS se eleva de

I D xRDS ( on ) hasta el valor del estado de apagado VDS ( Off ) , donde este es el
clamped a DC. El nivel del bus de voltaje dado por el diodo a la inductancia (clamped) ,conmuta el circuito estudiado. Este intervalo de tiempo tambin corresponde a la regin Miller que implica que el voltaje de compuerta se mantiene a VGS constante.

Figura B.8. Secuencia de apagado del MOSFET [126].

Durante el siguiente intervalo de tiempo, la VGS comienza a caer hasta alcanzar

VGS ( th ) . CGS se descargada a travs de una impedancia externa entre las

261

terminales de Compuerta y Fuente. El MOSFET est dentro de la regin lineal y la corriente de drenador, I D cae rpidamente hasta un valor cero. El voltaje de Drenador VDS est cerca del valor de apagado VDS ( Off ) al inicio de este intervalo. As para t 4 , el MOSFET estar completamente apagado.

B.6. Prdida de potencia en Drivers y Mosfet

Para determinar la potencia prdida en un controlador (Driver) mientras regula la potencia de un MOSFET, la mejor opcin es referirse a la curva de la carga en la Compuerta QG contra VGS , para diferentes valores de VDS ( Off ) .

PGATE = VCC * Qg * f SW
Donde: PGATE = Potencia prdida

(B.6)

VCC = Voltaje de alimentacin del Controlador Qg = Carga total de Compuerta del MOSFET que est siendo Controlada f sw = Frecuencia de conmutacin
Las prdidas por conmutacin en un circuito MOSFET afectan pequeos intervalos de tiempo durante los cuales un VDS finito y un I D finito coexisten, momentneamente. Cuando esto sucede durante el encendido, la integracin real es:

DS

(t ) I D (t )dt

(B.7)

esta expresin es definida como prdida de energa de conmutacin durante el encendido. Lo mismo sucede durante el apagado, cuando valores finitos de I D y
VD coexisten. La integral se define como:

DS

(t ) I D (t )dt

(B.8)

La ecuacin B.8, determina la prdida de energa de conmutacin durante el apagado en el MOSFET. Entre los parmetros responsables de determinar la prdida de energa por conmutacin estn C ISS , COSS y C RSS , que son las

262

capacidades parsitas de las interfase de unin y que mantiene la siguientes relaciones con los valores reportados en las hojas de especificacin entregadas por el fabricante:

C GD = C RSS C GS = C ISS C RSS C DS = C OSS C RSS

Las cuales afectan el tiempo de encendido y apagado. La energa promedio de prdidas por conmutacin en un dispositivo puede ser calculada de la siguiente manera:

PS =

1 *VDS * I D * f sw * (t on + t off ) 2

(B.9)

El nfasis principal de la electrnica de potencia es reducir las prdidas totales disipadas en los dispositivos y subsistemas, para que operen con mayor eficiencia y se logren diseos ms compactos, reduciendo el volumen y el peso de los sistemas resultantes.

B. 7. Drivers rpidos en circuito integrado

La ventaja principal de los drivers en circuito integrado es que son compactos, stos drivers introducen de manera intrnseca pequeos retardos de propagacin. Cuando un MOSFET est siendo utilizado como conmutador, algunas operaciones en la regin de corte podran causar sobrecalentamiento del dispositivo o una falla en el dispositivo. (Llevar al MOSFET rpidamente de saturacin a corte, sto es trabajo del Driver.). De ah la necesidad de elegir para nuestras necesidades un driver de respuesta rpida que manejara corrientes altas. El Driver que elegimos (IXDD415SI, cuyo esquema se detalla en la figura B.9), tiene entre sus caractersticas de tiempos de subida y de bajada del orden de 3 ns, ideales para nuestra aplicacin, debido a que requerimos lograr anchos de pulso de corta duracin en el tiempo. Los tiempos de encendido y apagado mnimos. El -Ve bias permite el apagado de manera rpida previniendo de falsos encendidos, incluso en ambientes ruidosos. Otra 263

caracterstica por la que se eligi el driver es que nos permite la opcin de deshabilitar la salida a travs de un pin (Enable), a travs del cual el driver entra en un estado de alta impedanciB. La caracterstica ms importante es la capacidad de entregar picos de corrientes altas, necesarias para el control del MOSFET empleado en nuestra aplicacin. Cada salida del driver puede entregar hasta 15 Amperes, pero conectando sus dos salidas en paralelo, puede entregar hasta 30 Amperes.

Figura B. 9. Diagrama Funcional del Driver IXDD415 [57]

B. 8. Modelo fsico del DMOS para su implementacin en Pspice La mayora de los power MOSFET, como es el caso del power MOS 7, MOSFET APT5024BLL; estn hechos empleando la tecnologa DMOS (Diffused Metal Oxide Semiconductor) La figura B.10 muestra un esquema de la seccin transversal de un transistor DMOS. La regin de deriva ha sido dividida en tres partes: una regin de acumulacin (A) y regiones de deriva con un rea de seccin transversal variable Ay (B) , y con una constante de seccin transversal Ay (C ) .

264

Figura B.10. Esquema de la seccin transversal vertical de un transistor DMOS [128].

Recientemente Kim y FOSUM [127] publicaron un modelo fsico para transistores DMOS de potenciB. Una nueva caracterstica en los MOSFET de potencia, la cual no esta presente en los dispositivos de bajo voltaje, es la llamada quasi- saturacin, las prdidas de control de compuerta de la corriente del drenador para niveles de corriente y de voltaje elevados. A fin de describir la quasi- saturacin, la velocidad de saturacin que lleva la corriente, debe ser tomada en cuenta en el modelo de la corriente del drenador I D .
ID = Ay qn n E y Ey 1+ EC

(B.10)

EC = v S / n
donde:
n : Concentracin de electrones

(B.11)

n : Movilidad lenta de electrones del campo

E y : campo elctrico vertical en el canal v S : velocidad de la saturacin de los electrones

265

Aplicando la ecuacin B.11 a la regin (A) resulta una expresin para el voltaje de decaimiento en la regin
W j +Wd

VA =

E y dy =

I D (W j + Wd ) I WLdiff qN d n D EC

(B.13)

Donde, el campo ha sido resuelto en E y en la ecuacin 11, W es el ancho del transistor, y N d es la concentracin de donadores en la regin de deriva B. El resto de los parmetros ha sido definido en la figura B.10. Por otra parte, el ancho de la regin de agotamiento puede ser expresado como una funcin del voltaje V A

Wd =
donde:

2 Si (Vbi + VA + Vch ) qN d

(B.14)

Vch : voltaje de decaimiento del canal Vbi : voltaje intrnseco del cuerpo de unin pn
VA : voltaje de decaimiento.

El voltaje de decaimiento puede ser resuelto a partir de las ecuaciones 13 y 14.

a 2b a 4b 2 3 V A = aW j + + a W jb + + a 2 b(Vbi + Vch ) 2 4
con

(B.15)

a=

ID I WLdiff qN d n D EC b=

(B.16)

2 Si qN d

(B.17)

En la regin B la seccin transversal Ay depende de la coordenada y (con direccin hacia abajo de la superficie del dispositivo):

Ay = W [ Ldiff + ( y W j Wd ) cot ] (B.18)

266

Otra vez, resolviendo la ecuacin B:10 e integrando E y sobre la regin B, y tomando en cuenta la ecuacin B.18, obtenemos el voltaje de decaimiento en la regin (B)
ID WqN d n ( Ldiff + L p ) E ID C log VB = WqN d n cot WL qN I D diff d n EC

(B.19)

Del mismo procedimiento resulta una expresin para el voltaje de decaimiento de la regin C.

VC =

I D (Wt W j Wd L p tan ) I WqN d n ( Ldiff + L p ) D EC

(B.20)

El voltaje sobre las tres regiones de deriva son estas funciones de la corriente de drenador y la geometra del dispositivo. En la regin del canal se toman en cuenta varios efectos del canal corto, como la degradacin de la movilidad de los electrones debida a campos elctricos grandes en el canal. En el caso del transistor DMOS, la concentracin de receptores dopados N A (x) tiene un fuerte gradiente en la direccin entre la fuente y la regin de driver B. En el modelo fsico exacto este gradiente tiene que ser tomado en cuenta debido a los cambios en el voltaje de umbral VT . Asumiendo una dependencia exponencial
0 de la posicin, N A ( x) = N A exp(x / L) , y siguiendo el procedimiento [95]

ordinario para las ecuaciones bsicas del MOSFET, tenemos que:

VT = VFB + PHI +
donde:

(1 e / 2 )

0 2q Si N A

COX

FS PHI VBS

(B.21)

VFB , PHI y FS son parmetros estndar en Pspice.

COX la capacidad del xido VBS voltaje del sustrato bias

267

La ecuacin B.21 es reducida por la primera derivada previa a Kim y FOSUM [127], para valores pequeos del parmetro << 1 . Sin embargo, en la estructura del dispositivo real DMOS es tpicamente mucho ms grande que la unidad. Por lo tanto la ecuacin B.21 es una versin mucho ms realista que en [94]. El circuito equivalente para la parte de DC del modelo DMOS se muestra en la figura B.11. Este consiste de un MOSFET de modelo de pequeo canal en serie con una fuente de voltaje controlada por voltaje cuyo modelo del voltaje de decaimiento sobre la regin de deriva y algunas resistencias parsitas.

Figura B.11. Circuito equivalente del modelo del transistor DMOS fsico [128].

El control de voltaje para la regin de deriva de la fuente de voltaje es tomada sobre la resistencia de drenador RD y dividido por el valor de esta resistencia, la cual da como resultado la corriente de drenador. Este modelo genera una

exactitud de las caractersticas del DMOS muy buena, incluyendo el efecto de quasi - saturacin.El voltaje es la suma de las ecuaciones B.15, B.19 y B.20.

B. 9. Macro modelo DMOS para PSpice

El macromodelo DMOS es el resultado de una modelacin emprica aproximada. El circuito equivalente para el modelo se muestra en la figura B. 3. Este usa un 268

MOSFET de nivel 3 (MOS3), para el elemento de conmutacin, una resistencia y una fuente de corriente controlada por voltaje para modelar el efecto de quasi saturacin, los condensadores y los circuitos de voltaje funcional para modelar las caractersticas de capacidad del dispositivo. La caja etiquetada como VGS int contiene una resistencia grande y una fuente de voltaje controlada por voltaje que aisla la capacidad de compuerta del NMOS de la compuerta externa del macromodelo. El diodo DSD modela el diodo de proteccin, el cual est presente en la mayora de los dispositivos de potencia discretos.

Figura B.12. Macro modelo compatible en Pspice para un transistor de potencia tipo n DMOS. Las inductancias LG , LD y LS son usadas para crear los lazos de los cables de las inductancias en dispositivos discretos.

Una ventaja del modelo MOS3, cuando se compara con el modelo MOS1, tpicamente usado en un modelo de subcircuito, es que ste toma en cuenta la dependencia transversal del campo de la movilidad de la superficie S .

269

S =

UO 1 + THETA(VGS VTH )

(B.21)

donde el parmetro THETHA define la correcta dependencia del voltaje de compuerta para las caractersticas de I-V del dispositivo. El efecto de quasi saturacin distorsiona las caractersticas de I-V para valores grandes del bias de compuerta, modelados usando una fuente de corriente controlada por voltaje y una resistencia entre la resistencia de drenador y el MOSFET. Este mtodo originalmente viene del trabajo de Haslam et al [96], quien usa una fuente de voltaje controlada por voltaje. Sin embargo, se ha encontrado que las propiedades de convergencia de DC del modelo son significativamente mejores cuando el circuito equivalente de Norton es usado. Se ha encontrado que se puede mejorar el modelo de quasi saturacin, modificando el parmetro k, para el cual el voltaje del producto de VRDVDS en la versin original del modelo se multiplica, como una funcin del ancho de la compuerta del dispositivo,

k (W ) = 2W 2 + W +
donde W: el ancho de compuerta

(B.22)

, y son las constantes empricas de formB.

La dependencia polinomial simple del ancho de la compuerta mejora la utilidad del modelo para un dispositivo con un rango de la anchura ms grande. Otros elementos que estn escalados de acuerdo al ancho de la compuerta son la compuerta parsita, resistencias de drenador y fuente, el factor de rea del cuerpo del diodo, as como las capacidades drenador compuerta y drenador fuente. El macromodelo DMOS reproduce las caractersticas I-V del DMOS, evidentemente no tan bien como el modelo fsico del DMOS. Esto es principalmente debido al hecho de que Pspice previene la compatibilidad con el MOSFET de pequeo canal. Sin embargo los resultados descritos son suficientes para propsitos de simulacin del circuito power MOSFET APT5024BLL.

270

APNDICE C OPERACIONES BSICAS EN UNA INTERFASE GPIB

Puesto que este tipo de interfase ha sido empleada en nuestra instalacin, para el control de los diversos instrumentos de medida y para los intercambios de datos, describiremos sus aspectos bsicos en este apndice.

La comunicacin entre los instrumentos o dispositivos interconectados a travs de una tarjeta de comunicaciones GPIB se logra enviando una serie de seales de control de entrada-salida a travs del sistema de cableado bidireccional de la interfase [106].

C.1.Tipos de Mensajes La interfase GPIB transmite mensajes que dependen del tipo de dispositivo al que se dirigen y mensajes de control I/O de la interfase. Mensajes Dependientes del dispositivo, usualmente llamados datos o mensajes de datos que contienen informacin especfica del dispositivo tal como: instrucciones de programacin, resultados de medicin, status de la mquina y archivos de datos. Mensajes de la Interfase que controlan los datos que transitan por el bus de datos. Estos son usualmente llamados comandos o mensajes de comandos. Los mensajes de control de la interfase llevan a cabo tareas como: inicializacin del bus, direccionamiento de los dispositivos, y configuracin de los modos del dispositivo, para programacin local y remota. Cada dispositivo tiene instrucciones especficas que en realidad son mensajes de datos.

C.2. Talkers, Listeners y Controllers En toda comunicacin con intercambio de comunicacin dentro del bus GPIB se necesitan tres elementos funcionales bsicos:

271

- Un dispositivo actuando como Talker, es decir enviando mensajes de datos para uno o ms Listeners mediante el bus. - Un dispositivo actuando como Controller, es decir manejando el flujo de informacin (datos) en la GPIB, a travs del envio de comandos a todos los dispositivos, controlando de forma adecuada la comunicacin. - Un dispositivo actuando como Listener, es decir recibiendo mensajes mediantes el bus. Los dispositivos pueden ser pues: Listeners, Talkers y / o Controllers. Un voltmetro digital, por ejemplo, es un Talker y tambin puede ser un Listener. El bus GPIB en un bus parecido a los buses comunes de las computadoras, excepto que la computadora tiene sus tarjetas interconectadas a travs de un bus plano, mientras que la tarjeta GPIB mantiene por si misma multiplexados los dispositivos interconectados a travs de un bus en cable. El papel que desempea el Controlador de la GPIB puede ser comparado con el papel que desempea el CPU de una computadora, pero una analoga mejor es con un sistema de conmutacin central del sistema telefnico de una ciudad. Dicho sistema central (Controlador) sigue las comunicaciones en la red de trabajo como la (GPIB). Cuando el central (Controlador) detecta que una parte (dispositivo) quiere hacer una llamada (enva un mensaje de datos), ste conecta a quien llama (Talker) con el receptor (Listener). El Controller direcciona al Talker y al Listener antes que el Talker pueda enviar el mensaje al Listener. Despus de que el mensaje fue transmitido, el Controlador elimina los direccionamientos de ambos dispositivos. Con la tarjeta de interfase GPIB y el software descrito, la computadora personal desempea los tres roles: Controller para manejar la GPIB Talker para enviar datos. Listener para recibir datos.

272

C.3. Lneas y Seales de la GPIB El sistema de interfase del bus GPIB, consiste de: 16 lneas usadas para transportar informacin, mensajes de interfase y mensajes dependientes del dispositivo entre los dispositivos interconectados, y 8 lneas de retorno a tierra o lneas de proteccin. Las 16 lneas de seal estn divididas en los tres grupos siguientes: Bus de datos con ocho lneas de datos Bus de control de transferencias de datos con tres lneas de contacto Bus con cinco lneas de control de la interfase.

Figura C.1. Asignaciones para el Conector GPIB de la seal [106].

273

C. 4. Lneas de datos Las ocho lneas de datos son bidireccionales, llevan mensajes de datos y comandos. Todos los comandos y la mayora de los datos emplean el cdigo ASCII de 7 bits o en algunos casos se utiliza el cdigo ISO. Para el caso del cdigo ISO, el bit ocho, DI08, no se utiliza o se utiliza como bit de paridad. Las lneas son denotadas como DI01 a DI08.

C. 5. Lneas de Contacto Las tres lneas de control asncrono transfieren los bytes del mensaje entre los dispositivos. El proceso, que es llamado three-wire interlocked handshake, garantiza la transmisin de los bytes del mensaje en las lneas de datos, los cuales son enviados y recibidos sin errores de transmisin. NRFD (not ready for data). NRFD indica cuando un dispositivo est listo o no para recibir un byte de mensaje. La lnea es manejada por todos los dispositivos cuando recibe comandos, es decir por los Listeners (receptores) cuando reciben mensajes de datos, y le indican al emisor que estn o no preparados para recibir datos. NDAC (not data accepted). NDAC indica cuando un dispositivo ha aceptado o no un byte de mensaje, presente en el bus. La lnea es manejada por todos los dispositivos cuando recibe comandos y por los Listeners cuando reciben mensajes de datos. DAV (data valid). DAV indica cuando las seales en las lneas de datos son estables (vlidas) y cuando pueden ser aceptadas con seguridad. El Controller maneja los DAV cuando enva comandos y el Talker maneja stos cuando enva mensajes de datos.

C. 6. Lneas del Manejo de la Interfase Cinco lneas son usadas para manejar el flujo de informacin a travs de la interfase. ATN (attention). Segn el nivel lgico de esta lnea de valores que circula por el bus de datos, sern considerados mensajes de interfase (mensajes

274

remotos) o bien datos ASCII correspondientes a comandos del instrumento. El Controller maneja los ATN verdaderos, cuando estos usan las lneas de datos para enviar los comandos y los ATN falsos, cuando se permite al Talker enviar los mensajes de datos. IFC (interface clear). Esta lnea la controla el Controller del bus y su utilidad es que mediante la IFC se inicializa el bus hasta llegar a ser CIC (Controller In Charge) REN (remote enable). El sistema Controller maneja la lnea REN, la cual es usada para habilitar que dispositivos deben situarse en estado remoto y atender al bus. SRQ (service request). Algunos dispositivos pueden manejar la lnea SRQ para solicitar un servicio asncrono del Controller. EOI (end or identify). La lnea EOI tiene dos propsitos. El dispositivo que acta como Talker utiliza la lnea EOI para marcar el final de una transmisin y avisarle a sus receptores y al controlador que ha acabado conectando esta lnea. El Controller utiliza la lnea EOI para indicarle a los dispositivos que identifiquen su respuesta en un polling paralelo.

C. 7. Caractersticas Fsicas y Elctricas de la conexin Los dispositivos o instrumentos en una red GPIB son usualmente conectados con un cable mltiple formado por 24 cables apantallados, con un conector que es a la vez macho y hembra (segn el lado considerado), y donde se pueden conectar (apilar) otros conectores tal y como se muestra en las figuras C.2 y C.3. Este diseo permite conectar a los dispositivos en ambas configuraciones lineal y de estrella, o una combinacin de las dos. El conector standard es el Amphenol o Cinch Series 57 Microribbon o tipo Amp Champ, un cable adaptador, usando un cable no estandar y/o un conector, usado para aplicaciones con interconexiones especiales. La figura C.1 muestra el tipo de conector que utiliza esta interfase y la asignacin de los contactos a las lneas.

275

En cuanto al tipo de seales que utiliza la interfase GPIB, se basa en una lgica negativa con niveles lgicos estndar TTL. Cuando DAV es verdadero, por ejemplo, presentar un nivel bajo TTL (menor que 0.8 V), y cuando DAV es falso, este nivel ser TTL nivel alto (mayor que 2.0 V). En las figuras siguientes podemos ver diferentes configuraciones para el bus.

Figura C.2. Configuracin lineal [106].

Figura C.3. Configuracin estrella [106].

276

C. 8. Protocolos y Normas En las especificaciones funcionales del bus GPIB hay que destacar una serie de protocolos y normas que siguen los controllers, talkers y listeners para comunicarse entre ellos. Los ms importantes de esos protocolos son: el de direccionamiento, el de reconocimiento y el de peticin de servicio, y en cuanto a normas, destacamos la que rige el final de las transferencias de datos. Protocolo de direccionamiento. Antes de que tenga lugar cualquier transferencia de datos por el bus, es necesario que algn dispositivo sea direccionando como talker y algn otro como listener. El control es el encargado de decidir quien hablar y quien escuchar, colocando un mensaje de comando que especifica la direccin talker y listener. Protocolo del polling serie. Al generar un polling serie o muestreo serie, el controller enva un mensaje de comando especial (mensaje remoto) a un dispositivo en concreto que est en cierta direccin: es el SPE (Serial Poll Enable). En ese momento, el dispositivo se prepara para contestar al controller cuando se ha direccinado como talker, envindole un byte donde informa sobre si ha sido l o no el que ha solicitado el servicio. Al recibir (el controller) ese byte, enva otro mensaje especial, SPD (Serial Port Disable), con lo cual el instrumento retorna a su estado normal de talker o listener. Norma IEEE-488.2 (GPIB). En 1987 se revis la versin 1, y a su vez se introdujo una segunda versin la ANSI/IEEE Std 488.2-1987. La norma permite definir el mnimo conjunto de capacidades que debe tener un instrumento; especifica la forma de presentar los datos al bus, define el protocolo para enviar mensajes en una sola cadena de caracteres, da un conjunto de comandos comunes a todos los instrumentos, y define el modelo estndar de bytes de informacin sobre el dispositivo. La norma SCPI (Standard Commands for Programmable Instrumentation), con una estructura de comandos y datos totalmente establecida para cualquier tipo de instrumentos, soluciona problemas que se presentaban cuando se tenan instrumentos con funciones iguales pero nombres diferentes. Esta norma est

277

basada en los diagramas de bloques de subsistemas que podemos aplicar a una gran cantidad de instrumentos.

C. 9. Requerimientos de la Configuracin Para lograr una tasa alta en la transferencia de datos, la GPIB fue diseada para que la distancia fsica entre los dispositivos y el nmero de dispositivos en el bus sean limitados. Las siguientes restricciones son tpicas: Una separacin mxima de cuatro metros entre dos dispositivos cualquiera y una separacin promedio de dos metros sobre el bus completo. Una longitud total mxima del cable de 20 metros. No ms de 15 dispositivos conectados para cada bus, siendo necesariamente uno de ellos el controlador. Se pueden direccionar hasta 31 direcciones primarias, y 31 secundarias, lo que establece un total de 931 posibles direcciones. La velocidad mxima de transferencia es de 1 Mbyte/s para distancias cortas.

278

APNDICE D TRANSCEPTOR COMERCIAL MATEC Y COMPUTADORA ASOCIADA

En muchos de los experimentos llevados a cabo en esta tesis, ha sido empleada una tarjeta marca Matec Instruments, ya disponible inicialmente en nuestro laboratorio, y cuyas principales caractersticas sern descritas en este Apndice. Esta tarjeta, Mod. TB1000 Gated Amplifier/Receiver Board [93], presenta la facilidad de ser PC-compatible, y cumple las funciones de un transceptor de seales de potencia: generadora de pulsos senoidales (que pueden se utilizados para excitar a un transductor ultrasnico) y tambin como receptora electrnica de seales de banda ancha (pulser-receiver). En nuestros primeros experimentos con esta unidad, se ajustaron los parmetros programables de la tarjeta para obtener un solo ciclo como pulso de excitacin y as tratar de aproximarnos a las condiciones de banda ancha. Una vez que ya desarrollamos el nuevo sistema multipulser, se uso ste en los casos donde se requera banda ancha ms estricta. Adems, este nuevo diseo presenta condiciones mas favorables en amplitud e impedancia de salida. En cuanto a la tarjeta Matec, en su etapa de recepcin se ajust en cada caso la ganancia de forma que el primer eco no saturase la salida. Las posibles configuraciones de la tarjeta se describen en el apartado siguiente:

D.1. Posibles Configuraciones de Salida de la Tarjeta Matec Voltaje de Salida, puede ser programado como bajo (Low), Alto (High). Valor mximo: 300 Vpp (hasta 5 MHz) y (200 Vpp (hasta 15 MHz). Frecuencia de repeticin (Pulse Repeticin Rate) puede ser programada en el intervalo de 77 Hz a 5 kHz. Indica la cadencia a la cual se repite el pulso de excitacin hacia el transductor. Para el caso de nuestros ensayos, el valor de ese periodo fue 13 ms. El duty cycle (% en estado activo) est limitado a un 0.2% del ciclo total, calculado como [el ancho del pulso (en segundos)] / [Periodo 279

de repeticin (en segundos)]. Frecuencia de la seal sinusoidal (Digital Synthesizer). Se puede programar en el intervalo de 5 kHz a 20 MHz, con una resolucin de 5 kHz. La frecuencia adecuada para el pulso de excitacin depende de la frecuencia de resonancia del transductor que se est utilizando. Ancho del pulso (Pulse Width). El ancho del pulso excitador puede ser programado en el intervalo de 20 ns a 26 s. El valor de este parmetro, para cada transductor, se estableci experimentalmente, para obtener justamente un solo ciclo. Modos X / R. Existen dos modos de recepcin / transmisin que pueden ser seleccionados. Pueden ser: Modo Pulso/Eco (Pulse/Echo) y Modo Transmisin (Thru Tx). Para la mayora de las pruebas que se realizaron, la opcin elegida fue Pulso/Eco, es decir que un mismo transductor acta a la vez como emisor y receptor. Para las primeras pruebas de caracterizacin de materiales [88], se emple la opcin de Transmisin, donde se emplearon dos transductores de diferentes frecuencias (uno transmitiendo y otro recibiendo) en un intento de forzar el ancho de banda. Rectificacin (Rectify). Existen tres tipos de rectificadores para la seal recibida, que pueden ser seleccionados por hardware. Full Wave, Negative Half Wave y Positive Half Wave. Los filtros de video (Low Pass), localizados despus de los rectificadores, pueden ser usados para reducir la cantidad de ruido RF en las seales detectadas. Filtro Pasa altas (High Pass Filtering) y Filtro Pasa bajas (Low Pass Filtering). Se tiene un total de 14 filtros.
None 100 kHz 250 kHz 500 kHz 1 MHz 2.25 MHz 5 MHz 10 MHz

280

Un control independiente de estos filtros permite diferentes combinaciones, para obtener filtros pasa banda de diferentes anchuras, como se muestra en la tabla anterior, donde se indican las frecuencias de corte para una cada de 3 dB. Disparo (Trigger). La tarjeta puede ser programada para una salida o una entrada positiva o negativa. Con un nivel TTL indica de que modo se va a disparar el trigger. En nuestro caso se configur de manera interna. Use1. Establece la amplitud del impulso con el que va a ser excitado el transductor. Para nuestros ensayos se defini como High. Potencia de Salida (Power Output) en modo pulsado. 450 Watts de pico para 5 MHz, 200 Watts pico a 15 MHz.

D.2. Principales caractersticas en modo Receptor: Impedancia de entrada/salida: 50 . Ancho de banda 50 kHz a 20 MHz Voltaje de salida mximo: 4 Vpp Ganancia (Receiver Gain). La ganancia en banda ancha del receptor puede ser programada entre 0 dB y + 70 dB. Rango dinmico de 70 dB. El Receiver tiene dos entradas: -Receiver In. Cuando seleccionamos Thru Tx, se habilita esta opcin. La segunda entrada conecta internamente el amplificado a la entrada del receptor. Si seleccionando la opcin de pulso / eco, las seales de eco recibidas por el mismo transductor emisor se envan al amplificador lineal de banda ancha. Un osciloscopio digital fue usado para adquirir la seal de eco amplificada, empleando la salida de la tarjeta designada como (Receiver out). Esta tarjeta es del tipo PCI y sus parmetros de funcionamiento son controlados por el software asociado, que se encuentra instalado en una computadora con procesador Pentium III a 500 MHz, 128 MB de memoria RAM, con Sistema Operativo Windows 98 SE y Disco Duro de 20 GB.

281