Polarizacion de Transistores BJT. CAPITULO 4 Parte 2

CAPÍTULO 4: Polarización de
cd
de los BJT
MSc. Ebert San Román Castillo

DIVERSAS CONFIGURACIONES
DE POLARIZACIÓN
• Para cada configuración analizada hasta ahora, el primer paso ha sido la derivación de una
expresión para la corriente de base. Una vez conocida ésta, se pueden determinar de forma
bastante directa la corriente del colector y los niveles de voltaje del circuito de salida.
𝐼 = 𝑉 𝐵𝐵 −𝑉 𝐵𝐸
𝐵
𝑅𝐵
2
=
𝑉
𝐶𝐸 =𝑉 𝐶𝐶 − 𝐼 𝐶 𝑅 𝐶
1
EJEMPLO 1 Parte a
Para la red de la figura :

a. Determine ICQ y VCEQ
b. Encuentre VB, VC, VE, y VBC.
Parte b
EJEMPLO 2
• Determine VC y VB para la red de la figura.
EJEMPLO 3 Se determinan la resistencia y el voltaje de Thévenin:
• Determine VC y VB para la red de la figura.

EJEMPLO 3
• Determine VC y VB para la red de la figura. Reemplazando
TABLA DE RESUMEN
TABLA DE RESUMEN
TABLA DE RESUMEN
OPERACIONES DE DISEÑO
• El proceso de diseño es aquel en el que se pueden especificar la
corriente o el voltaje, o ambos, y se deben determinar los
elementos requeridos para establecer los niveles designados.
• Este proceso de síntesis requiere una comprensión clara de las
características del dispositivo, las ecuaciones básicas para la red y
las leyes básicas de análisis de circuitos, como la ley de Ohm, la
ley de voltajes de Kirchhoff, etc.
• Si se especifican el transistor y las fuentes, el proceso de diseño
se concretará a determinar los resistores requeridos para un
diseño particular.
• Una vez determinados estos valores teóricos de los resistores,
por lo común se seleccionan los valores comerciales estándar
más cercanos y cualesquier variaciones provocadas por no
utilizar los valores de resistencia exactos se aceptan como parte
del diseño.
EJEMPLO 4
• Dadas las características del dispositivo de la figura, determine VCC, RB y RC para la configuración
de polarización fija de la figura
A partir de la línea de carga
Los valores estándar de los resistores son
Lo cual está dentro del 5% del valor especificado

EJEMPLO 5
• Dado que ICQ = 2mA y VCEQ =10V determine R1 y RC para la red de la figura.
Encontrando
R1:
Encontrando Rc:
EJEMPLO 6
• La configuración de polarización de emisor de la figura tiene las siguientes especificaciones:
ICQ= 0.5 ISAT, ICSAT=8mA, VC=18V y β=110. Determine RC, RE y RB.
Encontrando
valores comerciales
EJEMPLO 7
• Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.62 para el punto de operación y
voltaje de alimentación indicados.
EJEMPLO 8
• Determine los niveles de RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura con el punto de operación
indicado.
CIRCUITOS DE ESPEJO DE
CORRIENTE
• Un circuito de espejo de corriente produce una corriente constante y se utiliza principalmente en circuitos
integrados. La corriente constante se obtiene desde una corriente de salida, la cual es la reflexión o espejo
de una corriente constante desarrollada en un lado del circuito.
• El circuito es particularmente adecuado para la fabricación de circuitos integrados porque el circuito requiere
que los transistores tengan caídas de voltaje idénticas entre la base y el emisor, y valores idénticos de beta,
lo cual se logra mejor cuando los transistores se forman al mismo tiempo en la fabricación de circuitos
integrados.
CIRCUITOS DE
ESPEJO DE
CORRIENTE
• Suponemos que la corriente de emisor (IE) en ambos transistores es la
misma (Q1 y Q2 se fabrican muy cerca uno de otro en el mismo chip).
• Las dos corrientes de base en el transistor son aproximadamente:
El transistor Q1 se conoce como

transistor conectado como diodo
porque la base y el colector están
en cortocircuito entre sí.
EJEMPLO 9
• Calcule la corriente I a través los transistores Q2 y Q3 en el circuito de la figura.
Solución: La corriente IX es
CIRCUITOS DE ESPEJO DE
CORRIENTE
CIRCUITOS DE FUENTE DE
CORRIENTE
• Una fuente de corriente práctica (Fig. b) es una fuente de corriente en paralelo con una resistencia. Una
fuente de corriente ideal tiene R = ∞ Ω en tanto que una fuente de corriente práctica incluye alguna
resistencia muy grande.
• Una fuente de corriente ideal produce una corriente constante sin tomar en cuenta la carga que esté
conectada a ella. Se pueden construir circuitos de corriente constante con dispositivos bipolares,
dispositivos FET y una combinación de estos componentes.
Fuente de corriente constante
con transistores bipolares
• Los transistores bipolares se pueden conectar en un circuito que actúa como una fuente de
corriente constante de varias maneras. La figura 4.71 muestra un circuito que utiliza algunos
resistores y un transistor npn para operar como un circuito de corriente constante.
• Suponiendo que la impedancia de entrada en la base es mucho mayor que R1 o R2, tenemos:
EJEMPLO 10
• Calcule la corriente constante I en el circuito de la figura.
Fuente de corriente constante
con un transistor y un Zener
• Si se reemplaza el resistor R2 con un diodo Zener, como se muestra en la figura, se obtiene una
fuente de corriente constante mejorada.
EJEMPLO 11
• Calcule la corriente constante I en el circuito de la figura.
TRANSISTORES pnp
• El análisis de transistores pnp sigue el mismo patrón establecido para transistores npn. Primero se
determina el nivel de IB, seguido por la aplicación de las relaciones de transistor apropiadas para
determinar la lista de cantidades desconocidas. De hecho, la única diferencia entre las ecuaciones
resultantes para una red en la cual se reemplazó un resistor npn por un transistor pnp es el signo
asociado con cantidades particulares.
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla base-emisor
En este caso VBE=0.7 V y la sustitución de valores
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla colector-emisor

EJEMPLO 12
• Determine VCE para la configuración de polarización por medio del divisor de voltaje de la figura.
Al probar la condición:
Resolviendo para VB, tenemos
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff en torno a la malla

base-emisor
EJEMPLO 12
• Determine VCE para la configuración de polarización por medio del divisor de voltaje de la figura.
La corriente de emisor es:
Para la malla colector-emisor

REDES DE CONMUTACIÓN CON
TRANSISTORES
• La aplicación de transistores no se limita únicamente a la amplificación de señales. Mediante un
diseño apropiado se pueden utilizar como interruptores en computadoras y sistemas de control.
• La red de la figura se puede emplear como un inversor en los circuitos lógicos de una
computadora.
TRANSISTORES
Para un valor típico de ICEO=10 μA

EJEMPLO 13
• Determine RB y RC para el inversor de transistor de la figura si Icsat = 10 mA.
En condiciones de saturación,
Seleccionando IB = 60 μA para garantizar la saturación
TRANSISTORES
• Existen transistores conocidos como transistores de
conmutación por la velocidad con que cambian de un
nivel de voltaje a otro.
• td el tiempo de retardo entre el estado cambiante de

la entrada y el inicio de una respuesta a la salida.
• El elemento de tiempo tr es el tiempo de
levantamiento de 10% a 90% del valor inicial.
• ts es el tiempo de almacenamiento y tf es l tiempo de

descenso de 90% a 10% del valor inicial.
Transistores Multietapas
• El acoplamiento R – C de la figura es probablemente la más común. La salida del colector de una etapa se
alimenta directamente a la base de la siguiente etapa utilizando un condensador de acoplamiento CC. El
condensador se elige para garantizar que bloqueará la corriente continua entre las etapas y actuará como un
cortocircuito a cualquier señal de CA.
• Los métodos de análisis presentados en este capítulo pueden aplicarse a cada etapa por separado, ya que
una etapa no afectará a la otra.
=
Configuración Darlington
• La configuración de Darlington de la figura alimenta la salida de una etapa directamente a la
entrada de la etapa siguiente.
Configuración Cascodo
• La configuración Cascodo de la figura vincula el colector de un transistor al emisor del otro. En esencia, es
una red de divisor de voltaje con una configuración de base común en el colector. El resultado es una red con
una alta ganancia y una capacidad reducida de Miller.
Configuración Cascodo
• El análisis de CC se inicia asumiendo que la corriente a través de las resistencias de polarización
R1, R2 y R3 de la figura es mucho mayor que la corriente base de cada transistor.
Aplicando un divisor de Voltaje.

Configuración Par Realimentado
• La siguiente configuración de etapas múltiples que se introducirá es el par de realimentación de la
figura, que emplea un transistor npn y pnp. El resultado es una configuración que proporciona
alta ganancia con mayor estabilidad.
• La configuración de par realimentación de la figura, emplea un transistor npn y pnp.
• La configuración de par realimentación de la figura, emplea un transistor npn y pnp.
Configuración de Acoplamiento
Directo
• En esta configuración se aprecia la ausencia de un condensador de acoplamiento para aislar los niveles de CC de
cada etapa. Los niveles de CC en una etapa afectarán directamente los niveles de CC en las etapas siguientes. El
beneficio es que el condensador de acoplamiento generalmente limita la respuesta de baja frecuencia del
amplificador. Sin condensadores de acoplamiento, el amplificador puede amplificar señales de muy baja
frecuencia, de hecho hasta CC. La desventaja es que cualquier variación en los niveles de CC debido a una
variedad de razones en una etapa puede afectar los niveles de CC en las etapas posteriores del amplificador.
Configuración de Acoplamiento
Directo
• Del transistor Q1.
Preguntas
Gracias
EBERT SAN ROMAN CASTILLO

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CAPÍTULO 4: Polarización de

MSc. Ebert San Román Castillo

Para la red de la figura :

• Determine VC y VB para la red de la figura.

Los valores estándar de los resistores son

Lo cual está dentro del 5% del valor especificado

El transistor Q1 se conoce como

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla base-emisor

En este caso VBE=0.7 V y la sustitución de valores

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla colector-emisor

Resolviendo para VB, tenemos

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff en torno a la malla

La corriente de emisor es:

Para la malla colector-emisor

Para un valor típico de ICEO=10 μA

• td el tiempo de retardo entre el estado cambiante de

• ts es el tiempo de almacenamiento y tf es l tiempo de

Aplicando un divisor de Voltaje.

EBERT SAN ROMAN CASTILLO

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