Transistores P4 Pol Divisor de Voltaje

POLARIZACIÓN DIVISOR DE VOLTAJE
En la configuración de polarización anterior, la corriente de polarización ICQ y el voltaje VCEQ
eran funciones de la ganancia de corriente ß del transistor. Sin embargo, como ß es sensible a la
temperatura, sobre todo si se trata de transistores de silicio, y como el valor real de beta en general
no está muy bien definido, conviene desarrollar un circuito de polarización que dependa menos
de, o que en realidad sea independiente, de la beta del transistor.
Del siguiente circuito, la configuración de polarización por medio del divisor de voltaje. Si se
analiza de una forma exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es muy pequeña.
Análisis Exacto:
Sustituyendo con TEHVENIN: Aplicando LVK:
Sustituyendo
Ejemplo: Determine el voltaje de polarización VCE y la corriente IC para la configuración de
polarización del divisor de voltaje del siguiente circuito

Solución:
Análisis Aproximado:
De la configuración del divisor de voltaje, la sección de entradas se puede representar de la siguiente
manera:
La resistencia Ri es la resistencia equivalente entre la base y tierra del transistor con un resistor del emisor
RE. Recordando, la resistencia reflejada entre la base y el emisor está definida por Ri=(ß+1) RE. Si Ri es
mucho más grande que la resistencia R2, la corriente IB será mucho menor que I2, y ésta será
aproximadamente igual a I1. Por lo que la aproximación de IB =0A comparada con I1 o I2, entonces I1=I2;
entonces R1 y R2 se pueden considerar como elementos en serie. El voltaje a través de R2,el cual es en
realidad el voltaje de la base se puede determinar utilizando la regla del divisor de voltaje (de ahí el nombre
Como Ri=(ß+1)RE Es
de la configuración). ßRE, la condición para que se pueda aplicar es:
decir,
En otras palabras, si ß multiplicado por el valor de RE es por lo menos 10 veces R2,se puede aplicar el
método aproximado con un alto grado de precisión.
Una vez determinado VB, el nivel de VE se calcula a partir de:

Y la corriente de emisor es:
El voltaje del colector al emisor
pero como IE IC,
Observe que ß no aparece y que IB no se calculó. El
punto Q (determinado por ICQ y VCEQ) es por tanto

Ejemplo: Con el análisis aproximado, Obtener: VCE e IC del siguiente circuito:
Solución:
Cuanto más grande es el nivel de Ri comparado
con el R2, más se aproxima a la de la solución

Ejemplo: Determine los niveles de ICQ y VCEQ para el siguiente circuito:
a) por medio de las técnicas exacta
b) técnica aproximada
c) Indique con los resultados si satisface con la técnica del (b).

Por lo tanto no satisface:
Solución:
Saturación del transistor:
El circuito colector-emisor de salida en el caso de la configuración del divisor de voltaje tiene la misma
apariencia que el circuito polarizado de emisor analizado. La resultante para la corriente de saturación
(cuando VCE se ajusta a 0 V) es, por consiguiente la misma:
Análisis por medio de la recta de carga:

Las semejanzas con el circuito de salida de la configuración polarizada de emisor producen las
mismas intersecciones para la recta de carga de la configuración del divisor de voltaje. Por tanto, la
recta de carga tendrá la misma apariencia de la figura
Una ecuación diferente determina el nivel de IB para las configuraciones del divisor de voltaje y de
polarización de emisor.
CONFIGURACIÓN DE REALIMENTACIÓN DEL COLECTOR
También se puede obtener un mejor nivel de estabilidad introduciendo una trayectoria de
realimentación desde el colector a la base, como se muestra en la figura. Aun cuando el punto Q
no es totalmente independiente de beta (incluso en condiciones aproximadas), por lo común la
sensibilidad a los cambios de beta o las variaciones de la temperatura se presentan menos que en
las configuraciones de polarización de emisor o de polarización fija. El análisis se realizará de
nuevo, examinando primero la malla base-emisor y luego aplicando los resultados a la malla
colector-emisor.
Malla Base-Emisor:
Por LVK:
VCC – IC’.RC – IB.RB - VBE - IERE = 0
Donde: IC’=IC+IB como IB es mucho menor que IC e IC’
Entonces se puede decir que: IC=IC’=IE. Y
VCC – (IB. ß).RC – IBRB – VBE – (IB. ß). RE = 0;
VCC – VBE – (IB. ß)(RC + RE) – IBRB = 0
VCC – VBE – IB[ß(RC + RE) + RB] = 0; multiplicando por (-1) y despejando IB

Malla colector-emisor
Por LVK:
IE RE + VCE + IC’RC - VCC = 0
Como se puede decir que: IC’=IC=IE
Entonces: IC (RC + RE) + VCE - VCC = 0

Ejemplo: Para el siguiente circuito, Determine los valores de ICQ y VCEQ
Solución:
Condiciones de saturación:
Utilizando la aproximación se IC’ vemos que la ecuación de la corriente de saturación
es la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de
polarización de emisor. Es decir,
Análisis por medio de la recta de carga
Continuando con la aproximación , obtenemos la misma recta de carga definida para
las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización de emisor. La
configuración de polarización define el nivel de IBQ.

Comparativa de Sensibilidad a B de las
configuraciones vistas
1,2.- De las siguientes configuraciones de polarización duplique la ganancia de cada
uno y compare los resultados de ICQ y VCEQ, obtenga además el porcentaje de
variación:
3.-De la configuración de divisor de voltaje obtenga con la ganancia de 50 la ICQ y
VCEQ, compare los resultados y obtenga además el porcentaje de variación

4.-De la configuración de realimentación de colector, obtenga con la ganancia de 180 la
ICQ y VCEQ, compare los resultados y obtenga además el porcentaje de variación

Sensibilidad a B
El formato de las fórmulas anteriores es muy parecido a las ecuaciones de IB que se obtuvieron
para configuraciones que se analizaron., el numerador es la diferencia de niveles de voltaje, en
tanto que el denominador es la resistencia de la base más los resistores del colector y del emisor
reflejado por ß. Por lo común, la ecuación de IB tiene el siguiente formato:
*polarización fija  Sin R’
*Configuración de polarización de emisor (con ß+1= ß)  R’=RE
*Configuración Realimentación de colector  R’=RC+RE
En general , cuanto mayor sea ßR’ comparada con RB, menor será la sensibilidad de ICQ a las
variaciones de beta. Obviamente, si ßR’>>RB y RB+ßR’=BR’. Entonces:

Transistores P4 Pol Divisor de Voltaje

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Transistores P4 Pol Divisor de Voltaje

Cargado por

Información del documento

Descripción original:

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Transistores P4 Pol Divisor de Voltaje

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

POLARIZACIÓN DIVISOR DE VOLTAJE

En la configuración de polarización anterior, la corriente de polarización ICQ y el voltaje VCEQ

de, o que en realidad sea independiente, de la beta del transistor.

Sustituyendo con TEHVENIN: Aplicando LVK:

polarización del divisor de voltaje del siguiente circuito

método aproximado con un alto grado de precisión.

Una vez determinado VB, el nivel de VE se calcula a partir de:

El voltaje del colector al emisor

pero como IE IC,

Observe que ß no aparece y que IB no se calculó. El

punto Q (determinado por ICQ y VCEQ) es por tanto

Cuanto más grande es el nivel de Ri comparado

con el R2, más se aproxima a la de la solución

a) por medio de las técnicas exacta

c) Indique con los resultados si satisface con la técnica del (b).

(cuando VCE se ajusta a 0 V) es, por consiguiente la misma:

Análisis por medio de la recta de carga:

recta de carga tendrá la misma apariencia de la figura

También se puede obtener un mejor nivel de estabilidad introduciendo una trayectoria de

no es totalmente independiente de beta (incluso en condiciones aproximadas), por lo común la

las configuraciones de polarización de emisor o de polarización fija. El análisis se realizará de

VCC – IC’.RC – IB.RB - VBE - IERE = 0

Donde: IC’=IC+IB como IB es mucho menor que IC e IC’

Entonces se puede decir que: IC=IC’=IE. Y

VCC – (IB. ß).RC – IBRB – VBE – (IB. ß). RE = 0;

VCC – VBE – (IB. ß)(RC + RE) – IBRB = 0

VCC – VBE – IB[ß(RC + RE) + RB] = 0; multiplicando por (-1) y despejando IB

IE RE + VCE + IC’RC - VCC = 0

Como se puede decir que: IC’=IC=IE

Entonces: IC (RC + RE) + VCE - VCC = 0

Utilizando la aproximación se IC’ vemos que la ecuación de la corriente de saturación

es la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de

polarización de emisor. Es decir,

Análisis por medio de la recta de carga

Continuando con la aproximación , obtenemos la misma recta de carga definida para

las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización de emisor. La

configuración de polarización define el nivel de IBQ.

uno y compare los resultados de ICQ y VCEQ, obtenga además el porcentaje de

VCEQ, compare los resultados y obtenga además el porcentaje de variación

ICQ y VCEQ, compare los resultados y obtenga además el porcentaje de variación

para configuraciones que se analizaron., el numerador es la diferencia de niveles de voltaje, en

reflejado por ß. Por lo común, la ecuación de IB tiene el siguiente formato:

*polarización fija  Sin R’

*Configuración de polarización de emisor (con ß+1= ß)  R’=RE

*Configuración Realimentación de colector  R’=RC+RE

variaciones de beta. Obviamente, si ßR’>>RB y RB+ßR’=BR’. Entonces:

También podría gustarte