پرش به محتوا

بندزنی سیمی: تفاوت میان نسخه‌ها

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
نمایش تاریخچه به صورت تعاملی
→ تفاوت قدیمی‌تر
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
دیداریویکی‌متن
جز ربات: افزودن رده‌های همسنگ
بدون خلاصۀ ویرایش
 
(۴ نسخهٔ میانی ویرایش شده توسط ۴ کاربر نشان داده نشد)
خط ۱: خط ۱:
[[پرونده:071R01.jpg|چپ|بندانگشتی|250x250پیکسل| توپی-بَندشده با سیم طلا روی دای سیلیکونی]]
[[پرونده:07R01.jpg|چپ|بندانگشتی|250x250پیکسل| توپی-بَندشده با سیم طلا روی دای سیلیکونی]]
[[پرونده:BC160.jpg|چپ|بندانگشتی|250x250پیکسل| گُوه‌ای-بندشده با سیم‌های آلومینیومی برای دای [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|ترانزیستور BC160]]]]
[[پرونده:BC160.jpg|چپ|بندانگشتی|250x250پیکسل| گُوه‌ای-بندشده با سیم‌های آلومینیومی برای دای [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|ترانزیستور BC160]]]]
[[پرونده:OA7_wire_bonding.jpg|چپ|بندانگشتی|336x336پیکسل| [[دیود|دیود ژرمانیوم]] OA7 بندشده با سیم طلا ]]
[[پرونده:OA7_wire_bonding.jpg|چپ|بندانگشتی|336x336پیکسل| [[دیود|دیود ژرمانیوم]] OA7 بندشده با سیم طلا ]]
[[پرونده:Wirebonding2.svg|چپ|بندانگشتی|250x250پیکسل| میان‌هابِندش‌های داخلی در یک بسته قدرت با استفاده از سیمهای ضخیم (۲۵۰ تا ۴۰۰ میکرومتر)، گُوه‌ای-بندشده، با سیم‌های آلومینیومی]]
[[پرونده:Wirebonding2.svg|چپ|بندانگشتی|250x250پیکسل| میان‌هابِندش‌های داخلی در یک بسته قدرت با استفاده از سیمهای ضخیم (۲۵۰ تا ۴۰۰ میکرومتر)، گُوه‌ای-بندشده، با سیم‌های آلومینیومی]]
[[پرونده:NVIDIA@220nm@Fixed-pipline@NV10@GeForce_256@T5A3202220008_S1_Taiwan_A_DSC01376_(29588383793).jpg|بندانگشتی| داخل یک بسته [[آرایه مشبک توپی|BGA]] سیمی بندشده این بسته دارای GPU انویدیا[[جیی‌ای‌فورس ۲۵۶|GeForce 256]] است]]
[[پرونده:NVIDIA@220nm@Fixed-pipline@NV10@GeForce_256@T5A3202220008_S1_Taiwan_A_DSC01376_(29588383793).jpg|بندانگشتی| داخل یک بسته [[آرایه مشبک توپی|BGA]] سیمی بندشده این بسته دارای GPU انویدیا[[جیی‌ای‌فورس ۲۵۶|GeForce 256]] است]]
'''بَندزنی سیمی''' روش ایجاد میان‌هابِندش مابین یک [[مدار مجتمع]] (IC) یا سایر وسایل [[ادوات نیم‌رسانا]] و [[بسته‌بندی مدار مجتمع|بسته‌بندی]] آن درهنگام [[ساخت ادوات نیم‌رسانا|برساخت ادوات نیم‌رسانا]] است. اگرچه کمتر رایج است، اما بندزنی سیمی می‌تواند برای اتصال IC به سایر وسایل الکترونیکی یا اتصال از یک [[برد مدار چاپی]] (PCB) به دیگری استفاده شود. بندزنی سیمی به‌طور کلی مقرون به صرفه‌ترین و انعطاف پذیرترین فناوری میان‌هابِند است و برای مونتاژ اکثریت بسته‌های نیم‌رسانا استفاده می‌شود. بندزنی سیمی را می‌توان در فرکانس‌های بالای ۱۰۰ گیگاهرتز استفاده کرد<ref name="V. Valenta et al. , Design and experimental evaluation of compensated bondwire interconnects above 100 GHz">[http://journals.cambridge.org/action/displayAbstract?fromPage=online&aid=9623537&fileId=S1759078715000070 V. Valenta et al., "Design and experimental evaluation of compensated bondwire interconnects above 100 GHz", International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2015].</ref>
'''بَندزنی سیمی''' روش ایجاد میان‌هابِندش مابین یک [[مدار مجتمع]] (IC) یا سایر وسایل [[ادوات نیم‌رسانا]] و [[بسته‌بندی مدار مجتمع|بسته‌بندی]] آن درهنگام [[ساخت ادوات نیم‌رسانا]] است. اگرچه کمتر رایج است، اما بندزنی سیمی می‌تواند برای اتصال IC به سایر وسایل الکترونیکی یا اتصال از یک [[برد مدار چاپی]] (PCB) به دیگری استفاده شود. بندزنی سیمی به‌طور کلی مقرون به صرفه‌ترین و انعطاف پذیرترین فناوری میان‌هابِند است و برای مونتاژ اکثریت بسته‌های نیم‌رسانا استفاده می‌شود. بندزنی سیمی را می‌توان در فرکانس‌های بالای ۱۰۰ گیگاهرتز استفاده کرد<ref name="V. Valenta et al. , Design and experimental evaluation of compensated bondwire interconnects above 100 GHz">[http://journals.cambridge.org/action/displayAbstract?fromPage=online&aid=9623537&fileId=S1759078715000070 V. Valenta et al., "Design and experimental evaluation of compensated bondwire interconnects above 100 GHz", International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2015].</ref>


== مواد ==
== مواد ==
خط ۳۲: خط ۳۲:
== منابع ==
== منابع ==
* [https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2018/02/CopperWirebond_TS105.pdf بندسیمی مس (Cu) آمکور]
* [https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2018/02/CopperWirebond_TS105.pdf بندسیمی مس (Cu) آمکور]
* [https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2015/03/Copper-Wirebond-J-Devices-TSJD404.pdf بند][https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2018/02/CopperWirebond_TS105.pdf سیمی] مس (Cu) جِی-دیوایز
* [https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2015/03/Copper-Wirebond-J-Devices-TSJD404.pdf بند] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20181206053309/https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2015/03/Copper-Wirebond-J-Devices-TSJD404.pdf |date=۶ دسامبر ۲۰۱۸ }}[https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2018/02/CopperWirebond_TS105.pdf سیمی] مس (Cu) جِی-دیوایز
* [https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2018/02/SilverWirebond_TS108.pdf بند][https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2018/02/CopperWirebond_TS105.pdf سیمی] نقره (Ag) آمکور
* [https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2018/02/SilverWirebond_TS108.pdf بند][https://c44f5d406df450f4a66b-1b94a87d576253d9446df0a9ca62e142.ssl.cf2.rackcdn.com/2018/02/CopperWirebond_TS105.pdf سیمی] نقره (Ag) آمکور

[[رده:فناوری ساخت ادوات نیمه هادی]]
[[رده:مقاله‌های دارای ویدئو]]
[[رده:مقاله‌های دارای ویدئو]]
[[رده:فناوری ساخت ادوات نیم‌رسانا]]
[[رده:فناوری ساخت ادوات نیم‌رسانا]]
[[رده:وسایل الکترونیکی]]
[[رده:جوشکاری]]

نسخهٔ کنونی تا ۲۲ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۲۰:۲۶

توپی-بَندشده با سیم طلا روی دای سیلیکونی
گُوه‌ای-بندشده با سیم‌های آلومینیومی برای دای ترانزیستور BC160
دیود ژرمانیوم OA7 بندشده با سیم طلا
میان‌هابِندش‌های داخلی در یک بسته قدرت با استفاده از سیمهای ضخیم (۲۵۰ تا ۴۰۰ میکرومتر)، گُوه‌ای-بندشده، با سیم‌های آلومینیومی
داخل یک بسته BGA سیمی بندشده این بسته دارای GPU انویدیاGeForce 256 است

بَندزنی سیمی روش ایجاد میان‌هابِندش مابین یک مدار مجتمع (IC) یا سایر وسایل ادوات نیم‌رسانا و بسته‌بندی آن درهنگام ساخت ادوات نیم‌رسانا است. اگرچه کمتر رایج است، اما بندزنی سیمی می‌تواند برای اتصال IC به سایر وسایل الکترونیکی یا اتصال از یک برد مدار چاپی (PCB) به دیگری استفاده شود. بندزنی سیمی به‌طور کلی مقرون به صرفه‌ترین و انعطاف پذیرترین فناوری میان‌هابِند است و برای مونتاژ اکثریت بسته‌های نیم‌رسانا استفاده می‌شود. بندزنی سیمی را می‌توان در فرکانس‌های بالای ۱۰۰ گیگاهرتز استفاده کرد[۱]

مواد

[ویرایش]

بَندسیمی معمولاً از یکی از مواد زیر تشکیل شده‌است:

قطر سیم از ۱۵ میکرومتر شروع می‌شود و می‌تواند تا چند صد میکرومتر برای کاربردهای توان-بالا باشد.

صنعت بندزنی سیمی از طلا به مس در حال گذار است.[۲][۳][۴] این تغییر با افزایش قیمت طلا و هزینه نسبتاً پایدار و بسیار کمتر مس ایجاد شده‌است.

جستارهای وابسته

[ویرایش]

منابع

[ویرایش]
  1. ↑ V. Valenta et al., "Design and experimental evaluation of compensated bondwire interconnects above 100 GHz", International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2015.
  2. ↑ "K&S - ACS Pro". www.kns.com.
  3. ↑ Mokhoff, Nicolas (March 26, 2012). "Red Micro Wire encapsulates wire bonding in glass". EE Times. San Francisco: UBM plc. ISSN 0192-1541. OCLC 56085045. Archived from the original on March 20, 2014. Retrieved March 20, 2014.
  4. ↑ "Product Change Notification - CYER-27BVXY633". microchip.com. August 29, 2013. Archived from the original on March 20, 2014. Retrieved March 20, 2014.

منابع

[ویرایش]
برگرفته از «https://fa.wikipedia.org/w/index.php?title=بندزنی_سیمی&oldid=40499522»