بندزنی سیمی
.jpg)
بَندزنی سیمی روش ایجاد میان‌هابِندش مابین یک مدار مجتمع (IC) یا سایر وسایل ادوات نیم‌رسانا و بسته‌بندی آن درهنگام برساخت ادوات نیم‌رسانا است. اگرچه کمتر رایج است، اما بندزنی سیمی می‌تواند برای اتصال IC به سایر وسایل الکترونیکی یا اتصال از یک برد مدار چاپی (PCB) به دیگری استفاده شود. بندزنی سیمی به‌طور کلی مقرون به صرفه‌ترین و انعطاف پذیرترین فناوری میان‌هابِند است و برای مونتاژ اکثریت بسته‌های نیم‌رسانا استفاده می‌شود. بندزنی سیمی را می‌توان در فرکانس‌های بالای ۱۰۰ گیگاهرتز استفاده کرد[۱]
مواد
بَندسیمی معمولاً از یکی از مواد زیر تشکیل شده‌است:
قطر سیم از ۱۵ میکرومتر شروع می‌شود و می‌تواند تا چند صد میکرومتر برای کاربردهای توان-بالا باشد.
صنعت بندزنی سیمی از طلا به مس در حال گذار است.[۲][۳][۴] این تغییر با افزایش قیمت طلا و هزینه نسبتاً پایدار و بسیار کمتر مس ایجاد شده‌است.
جستارهای وابسته
منابع
- ↑ V. Valenta et al., "Design and experimental evaluation of compensated bondwire interconnects above 100 GHz", International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2015.
- ↑ "K&S - ACS Pro". www.kns.com.
- ↑ Mokhoff, Nicolas (March 26, 2012). "Red Micro Wire encapsulates wire bonding in glass". EE Times. San Francisco: UBM plc. ISSN 0192-1541. OCLC 56085045. Archived from the original on March 20, 2014. Retrieved March 20, 2014.
- ↑ "Product Change Notification - CYER-27BVXY633". microchip.com. August 29, 2013. Archived from the original on March 20, 2014. Retrieved March 20, 2014.
منابع
- بندسیمی مس (Cu) آمکور
- بندسیمی مس (Cu) جِی-دیوایز
- بندسیمی نقره (Ag) آمکور