Epreuve-SMP3 Elec 2004 PDF
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Epreuve d'électronique
Section :SMP3 – Module : LC3-Electronique1
(Durée : 1 h 45mn)
R2
C
ie ib VCC
T
Ce B
Cs
RG
E
eG Ve
R1 RE Ru Vs
O
Figure 1
Le transistor utilisé est défini par ses paramètres hybrides en montage émetteur commun:
−1
h11E=1200 Ω , h12E=0, h21E= β =100, ρ = h22 E = 4kΩ
On donne : Vcc=9V, RE=1,5 kΩ , R1=100 kΩ , Ru=750 Ω et RG=13k Ω
I – Etude en continu
Pour le point de repos choisi, on a relevé les valeurs suivantes:
VCE=3V, VBE=0,7V, IB=40 µA
Déterminer:
1) Le schéma équivalent en continu du montage;
2) Les potentiels de E et B (choisir O comme origine des potentiels);
3) Le courant IC au point de fonctionnement;
4) La valeur de la résistance R2.
II – Etude en alternatif
1) Etablir le schéma hybride équivalent du montage (on admettre qu'aux fréquences
d'utilisation, les impédances des condensateurs sont négligeables)
NB: Par souci de simplification, poser Rp=R1//R2 et X= ρ //RE ≈ 1090,91 Ω
2) Quelle est la nature du montage?
3) a) Calculer la résistance d'entrée du montage Re=Ve/i b.
b) Calculer la résistance d'entrée ReG= Ve/ie "vue" par le générateur .
Comparer ReG à RG (On donne X//Ru ≈ 444,44 Ω ).Conclure
4) Calculer la valeur de la résistance de sortie du montage "vue" des bornes de la charge Ru.
5) Déterminer l'amplification en tension Av=Vs /Ve (faire l'application numérique).
6) En déduire des résultats précédents l'intérêt du montage.
Pr. A.SDAQ : Faculté sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) Transistor bipolaire(régime dynamique)
Figure 3