Nacereddine Lakhdar

LES CAPTEURS
Cours

Editions Al-Djazair
 Nacereddine Lakhdar

LES CAPTEURS

Cours

Editions Al-Djazair
 TABLES DES MATIERES

CHAPITRE I : PRINCIPES FONDAMENTAUX

I.1 Introduction ........................................................................................................................................ 3

I.2 Capteur ............................................................................................................................................... 3
I.3 Différentes classes de capteurs .......................................................................................................... 3
I.3.1 Capteurs passif ............................................................................................................................ 3
I.3.2 Capteur actif ................................................................................................................................ 4
I.4 Capteur composite ............................................................................................................................. 7
I.4.1 Corps d’épreuve .......................................................................................................................... 7
I.4.2 Module électronique de conditionnement ................................................................................... 8

CHAPITRE II : CONDITIONNEURS DES CAPTEURS PASSIFS

II.1 Introduction ...................................................................................................................................... 9

II.1 Conditionneur donnant l’amplitude Vm ........................................................................................... 9
II.1.1 Montage potentiomètre .............................................................................................................. 9
II.1.2 Montage en ponts ..................................................................................................................... 10
II.2 Conditionneur donnant la fréquence fm ......................................................................................... 12
II.2.1 Oscillateur sinusoïdal............................................................................................................... 12
II.2.2 Oscillateur de relaxation .......................................................................................................... 13
II.3 Linéarisation ................................................................................................................................... 14
II.3.1 Correction au niveau de source ................................................................................................ 14
II. 3.2 Correction en aval du conditionneur ....................................................................................... 16

CHAPITRE III: CAPTEURS OPTIQUES

III.1 Introduction ................................................................................................................................... 17

III.2 Capteurs photoémissifs ................................................................................................................. 17
III.3 Photorésistance .............................................................................................................................. 19
III.4 Photodiode..................................................................................................................................... 21
III.5 Phototransistor ............................................................................................................................... 22
III.6 Photopile (Cellule solaire) ............................................................................................................. 24
III.7 Diode électroluminescente (LED) ................................................................................................. 25
III.8 Photo-coupleur .............................................................................................................................. 27

CHAPITRE IV: CAPTEURS DE TEMPERATURES

IV.1 Introduction ................................................................................................................................... 28

IV.2 Thermomètres à résistance ............................................................................................................ 28
IV.2.1 Principe .................................................................................................................................. 28
IV.2.2 Critères de choix du métal ...................................................................................................... 28
IV.3 Thermométrie par thermistance .................................................................................................... 30
IV.3.1 Thermistance CTN ................................................................................................................. 30
IV.3.2 Thermistance CTP .................................................................................................................. 31
IV.4 Thermocouple ............................................................................................................................... 32
IV.4.1 Effets Thermoélectrique ......................................................................................................... 32
a. Effet Peltier............................................................................................................................ 32

1
 b. Effet Thomson ....................................................................................................................... 33
c. Effet Seebeck......................................................................................................................... 33
IV.5 Thermométrie par diode et transistor ............................................................................................ 35
Bibliographie ......................................................................................................................................... 36

2
 Chapitre I : Principes fondamentaux

I.1 Introduction

La mesure consiste à faire correspondre à la grandeur physique que l’on veut déterminer une
autre grandeur en relation directe avec l’élément terminal du système de mesure. Le signal
électrique peut être obtenu, soit directement lorsque la variation de la grandeur intermédiaire
donne naissance à une grandeur électrique (thermoélectricité, photoélectricité,…), soit
indirectement, la variation de la grandeur intermédiaire est due a une modification des
propriétés intrinsèques de l’élément sensible (conductivité, mobilité,…).

I.2 Capteur

L’élément essentiel de la chaine de mesure est le capteur dont le choix est imposé par la
grandeur à mesurer. Ce capteur à pour rôle de traduire la grandeur physique à mesurer appelée
« mesurande » en un signal électrique (tension, courant, charge,…) (figure I.1).

Grandeur physique Signal électrique

Capteur
(m) (s)

Fig. I.1 : présentation d’un capteur

I.3 Différentes classes de capteurs

Les principes physiques utilisés dans les capteurs sont très nombreux. On distingue d’une
manière générale deux classes de capteurs ; capteurs actifs et capteurs passifs.
Les capteurs actifs fourbissent une grandeur active (tension, courant, charge,…) sans aucune
énergie externe (ex : cellule solaire, thermocouple) tandis que, les capteurs passifs font varier
un élément passif (résistance, condensateur ou inductance) qui ne fournit un signal électrique
qu’avec une alimentation externe (ex : une jauge résistive, microphone à charbon).

I.3.1 Capteurs passif

a. Principe : la variation de l’impédance de ce type de capteur peut donc être due à l’action
du mesurande qui peut agir soit sur les paramètres dimensionnels soit sur les propriétés
électriques des matériaux. Dans le premier cas, le capteur se comporte comme un élément
mobile ou un élément déformable, c’est le principe de la plupart des capteurs de position et de
déplacement (potentiomètre, condensateur à armature mobile, inductance à noyaux mobile) et
de capteurs de pression et d’accélération (armature d’un condensateur soumise à une pression
différentielle). Dans le second cas, ce sont les propriétés électriques des matériaux (résistivité,

3
permittivité, perméabilité,…) qui sont sensible aux grandeurs physiques (température,
humidité, éclairement, niveau,…).
Le tableau suivant présente un aperçu des principaux mesurandes permettant de modifier les
propriétés électriques des matériaux utilisés pour la fabrication des capteurs passifs.

Caractéristique électrique
Mesurande Type du matériau utilisé
sensible
Température Métaux, semiconducteurs Résistivité
Flux par rayonnement semiconducteurs Résistivité
Alliages de Nickel Résistivité
Déformation
Alliages ferromagnétiques Perméabilité magnétique
Position Matériaux manétorésistants Résistivité
Chlorure de Lithium Résistivité
Humidité
Polymères Constante diélectrique
Niveau Liquides isolants Constante diélectrique

b. Exemple de capteur à variation dimensionnelle

mobile
d
R P
0

 0 r A
C
d0 d
Fig. I.2 : variation de « d » Fig. I.3 : variation de « P »

I.3.2 Capteur actif

Il s’agit de dispositif fondé dans son principe sur un effet physique qui assure directement la
conversion de l’énergie de mesurande en énergie électrique.

Les effets physiques utilisés sont :

a. Effet thermoélectrique

Un circuit constitue de deux conducteurs de nature chimique différente dont les jonctions à
des températures T1 et T2, une force électromotrice est générée (figure I.4).

Exemple d’application : la mesure de e permet de déterminer une température inconnue T1,

lorsque la température T2 est connue (principe du thermocouple).

4
 (M1)
T1
(M2) e T1
0 0C
(M1)

Fig. I.4
b. Effet pyroélectrique

Le sulfate de triglycine est un cristal pyroélectrique qui possède une polarisation spontanée
qui dépend de sa température. Il porte en surface des charges électrique de signes contraires
sur les faces opposées (figure I.5).

Exemple d’application : la mesure de la charge aux bornes d’un condensateur associé à un

cristal pyroélectrique permet de déterminer le flux lumineux auquel il est soumis.

V ϕ

Fig. I.5
c. Effet piézoélectrique

L’application d’une force à certains matériaux dits piézoélectriques (une lame de quartz par
exemple) entraîne une déformation qui provoque l’apparition de charges électriques égales et
de signes contraires sur les faces opposées du matériau (figure I.6).

Exemple d’application : la mesure de force, de pression ou d’accélération à partir de la

tension que provoquent aux bornes d’un condensateur associé à l’élément piézoélectrique les
variations de sa charge.

V F

Fig. I.6

5
d. Effet d’induction électromagnétique

Lorsqu’un conducteur se déplace dans un champ d’induction fixe, il est le siège d’une force
électromotrice proportionnelle à sa vitesse de déplacement. Ainsi, lorsqu’un circuit électrique
est soumis à un flux d’induction variable du à son déplacement ou à celui de la source de
l’induction (par exemple, un aimant), la f.e.m dont il est le siège est de valeur égale et de
signe opposé à la vitesse de variation du flux d’induction (figure I.7).

Exemple d’application : la mesure de la f.e.m d’induction permet de connaître la vitesse du

déplacement qui en est l’origine.

Ω
e Ω

Fig. I.7

e. Effet photoélectrique

Il a pour origine la libération de charges électriques dans la matière sous l’influence d’un
rayonnement lumineux (figure I.8).

Exemple d’application : la mesure de la tension de sortie permet de déterminer le flux par

rayonnement.
ϕ

R V Ω

Fig. I.8

f. Effet Hall

Lorsqu’une plaquette de semi-conducteurs est parcourue par un courant I et soumise à un

champ B formant un angle θ avec le courant, il apparaît une tension de Hall VH dans une
direction qui leur est perpendiculaire ( VH  K H I .B.sin  , où KH est une constante de Hall qui
dépend du matériau considéré et des dimensions de la plaquette) (figure I.9).

Exemple d’application : la mesure de la tension VH permet de déterminer la position d’un

objet qui est lié à un aimant.

6
Les principes physiques de base et les modes d’application de ces effets sont regroupés dans
le tableau suivant :

Grandeur physique à mesurer Effet utilisé Grandeur de sortie

Température Thermoélectrique Tension
Photoélectrique Tension
Flux par rayonnement Photovoltaïque Tension
Pyroélectrique Charge
Force Piézoélectrique Charge
Pression Piézoélectrique Charge
Accélération Piézoélectrique Charge
Vitesse Induction électromagnétique Tension
position Hall Tension

I.4 Capteur composite

Pour des raisons économiques (coût) ou bien la facilité d’exploitation, on peut être amené à
utiliser un capteur, non pas sensible au mesurande mais à l’un de ses effets. La figure I.10
montre la structure d’un capteur composite.

Mesurande Mesurande Module

Corps Capteur actif Signal Signal de
électronique de
d’épreuve ou passif
primaire secondaire électrique conditionnement mesure

Fig. I.10 : structure d’un capteur composite

I.4.1 Corps d’épreuve

Ce dispositif assure une première traduction du mesurande en une autre grandeur physique
non électrique.

7
Exemple : la membrane d’un microphone électrostatique est un corps d’épreuve, car c’est de
son mouvement conséquence de la pression acoustique à laquelle elle est soumise que résulte
le signal électrique (figure I.11).

1. Onde sonore, 2.Membrane avant,

3.Armature arrière, 4.Générateur,
5.Résistance, 6.Signal électrique.

Fig. I.11 : principe d’un microphone électrostatique

I.4.2 Module électronique de conditionnement

Selon le cas, ce module est responsable des fonctions suivantes :

 Alimentation électrique du capteur passif

 Mise en forme et amplification du signal de sortie
 Filtrage, correction et traitement de signal
 Conversion analogique-numérique du signal de sortie
 Mise à niveau du signal de sortie pour une éventuelle transmission à distance

8
 Chapitre II : Conditionneurs des capteurs passifs

II.1 Introduction

Les variations de l’impédance Zc d’un capteur passif ne peuvent être traduites en un signal
électrique que lorsqu’on associant au capteur une source d’énergie électrique. On peut
distinguer deux types de conditionneurs selon qu’ils transfèrent l’information liée aux
variations Zc ;

 Soit sur l’amplitude Vm du signal de mesure : c’est le cas des montages

potentiomètres et des ponts
 Soit sur la fréquence fm du signal de mesure : c’est le cas des oscillateurs

II.1 Conditionneur donnant l’amplitude Vm

II.1.1 Montage potentiomètre

Le montage est donné par la figure II.1

Rc 0
Vm0  E, Rs
Rc 0  Rs

Supposons que Rc varie de Rc0 à Rc0+ΔRc ; E Rc Vm

Rc 0  Rc
Vm  E
Rc 0  Rc  Rs
Fig. II.1 : montage potentiomètre
Rc 0  .Rc 1
Vm0  Vm  . E
Rc 0  Rs Rc
1
Rc 0  Rs

Rs .Rc
Vm  Vm  Vm0  E
Rc0  Rs 2
 Rc Rc 0  Rs 

Si ΔRc << Rc0+ Rs (fonctionnement en petits signaux), l’expression précédente se simplifie

en :

Rs .Rc
Vm  E
Rc0  Rs 2
Vm Rs .
Sensibilité du conditionneur  E
Rc Rc 0  Rs 2

9
 Vm E
Pour Rs = Rc0 (sensibilité max)  
Rc 4 Rc 0

II.1.2 Montage en ponts

a. Capteur résistif

A l’équilibre on a : R1 R2
R1.R3=R2.Rc (Vm=0) Vm
E
Dans le cas général où R1, R2, R3 et Rc sont des
Rc R3
Capterus on aura (pour des raisons de simplicité on

Donne : R1= R2= R3= Rc= Rc0)

Fig. II.2 : pont de Wheatstone
R1  Rc 0  R1 , R2  Rc 0  R2 , R3  Rc 0  R3
Rc  Rc 0  Rc

Rc 0 R2  R1  R3  Rc   Rc R2  R1R3

Vm  E
4 Rc20  2 Rc 0 R2  R1  R3  Rc   R2  R1 R3  Rc 

Si une seule de résistance est variable (Rc dans ce cas) :

E Rc 1
Vm  . .
4 Rc 0 Rc
1
2 Rc 0

b. Capteur capacitif

A l’équilibre on a :
Re kR
Ze.R=Zc.kR Ce
Vm
Ze=K.Zc E
Cc
Re R
Ze  Rc
1  jRe Ce w
 Cc  k .Ce Vm  0
Re
Rc 
Rc k
Zc 
1  jRc Cc w Fig. II.3 : pont de Nernst

Si m mesurande vari de Δm, Zc varie de Zc0 à Zc0+ΔZc,

k Zc 1
Vm  E
k  12
Zc0
1
Zc
k  1Zc0

10
Si ΔZc << (k+1).Zc0 (fonctionnement en petits signaux)

k Zc
 Vm  E
k  12
Zc0

E Zc
k  1 ( sensibilit é max)  Vm 
4 Zc0

Généralement si le diélectrique est l’air (capteur de déplacement à armature mobile), les

pertes sont négligeables et l’impédance se réduit à celle de la capacité ; les résistances Re et
Rc peuvent être omise, le pont devient celui de Sauty.

E Ce  Cc
Vm 
2 Ce  Cc

L’équilibre est atteint pour : R

Ce
Ce=Cc0 Vm
E
Si le mesurande m vari (m=m0+Δm) on aura
Cc
R
Cc=Cc0+ΔCc et,

E Cc
Vm 
4  Cc  Fig. II.4 : pont de Sauty
Cc0 1  
 2Cc 0 

E Cc
si Cc  2Cc0  Vm 
4 Cc0

c. Capteur inductif

Re
Re
kR kR Ce
Ce
Vm Vm
E E
Rc Rc
R R
Lc Lc

Fig. II.5 : pont de Maxwell Fig. II.6 : Pont de Hay

11
Deux cas peuvent se présenter selon que les pertes dans la bobine du capteur sont les mieux
représentés par une résistance série ou parallèle, il s’agit alors respectivement du pont de
Maxwell ou du pont de Hay.

La condition d’équilibre :

ZcZe  k.R 2

Pour le pont de Maxwell

Re
Zc  Rc  jLcw, Ze 
1  j Re Cew

Pour le pont de Hay

jRcLcw 1  j Re Cew
Zc  , Ze 
Rc  jLcw jCew

A l’équilibre pour les deux montages :

kR2
Rc  , Lc  kR2 Ce
Re
kR.Zc 1
Vm  . E
kR  Zc0  1  Zc
2

kR  Zc0

Zc  kR  Zc0 ( fonctionne ment en petits signaux)

kRZc
Vm 
kR   Zc0 
Zc0  kR ( sensibilit é max) et pour k  1 :
Vm E

Zc 4 R

II.2 Conditionneur donnant la fréquence fm

II.2.1 Oscillateur sinusoïdal

Le capteur capacitif ou inductif constitue l’un des élément réactif du circuit de résonnance. A
la résonnance, le circuit présente une impédance résistive, la fréquence d’oscillation est :

1
f0 
2 L0 C0

Supposons une variation de L ou C (L=L0+ΔL, C=C0+ΔC) :

12
 L C
f   f 0 , ou f   f 0
2 L0 2C0
soit :
 L   C 
f  f 0 1  , ou f  f 0 1  
 2 L0   2C0 

II.2.2 Oscillateur de relaxation

Ce sont des générateurs de signaux rectangulaires dont la fréquence est fonction de

l’impédance du capteur. Ce type d’oscillateur est utilisé principalement pour des capteurs
capacitifs ou résistifs.

Exp1 :
Vm
R  2R 
Tm  2 RC log1  1 
 R2 
C
-
+V
+
R2 t
Vm -V
R1 Tm

Fig. II.7 : oscillateur à base d’ampli-op

Exp2 :
Vm

Tm  2RC log 3

R C Vm

Tm t
Fig. II.8 : oscillateur à base des portes logique

13
II.3 Linéarisation

Si le capteur présente une non linéarité qui empêche de considérer la sensibilité comme
constante, il est nécessaire de corriger ce défaut. La correction peut se faire soit au niveau de
la source de signal (capteur) soit en aval du conditionneur du signal.

II.3.1 Correction au niveau de source

a. Positionnement de point de repos

Le procédé rappel la polarisation des composants électroniques, la caractéristique de transfère

(sortie) n’est pas linéaire mais présente une partie rectiligne (figure II. 9). Il est toujours
possible de positionner le point de repos x sur la plage linéaire en ajoutant un mesurande fixe
(cas de photodiode, phototransistor, …).

x’

x
m
Fig. II.9

b. Mise en parallèle sur le capteur d’une impédance fixe

Cette méthode est couramment utilisée pour réaliser une plage linéaire et souvent limité d’un
dipôle équivalent (figure II. 10), Rc par exemple une thermistance.

A A

Rc Req

B B
Fig. II.10

c. Fonctionnement en opposition (push-pull)

Dans ce cas, deux capteurs identique Rc sont placés de manière qu’ils soient soumis à des
variations égales et opposées du mesurande (figure II. 11).

14
 Rc Rc0-ΔRc

E
Vm
Rc Rc0+ΔRc

Fig. II.11

Rc 0 E
Vm 0  E
Rc 0  Rc 0 2

Rc 0  Rc
Vm  E
Rc 0  Rc  Rc 0  Rc

E Rc
Vm 
2 Rc 0

d. Correction par bouclage

Dans ce cas, le capteur est placé dans la boucle de réaction d’un ampli-op (figure II. 12).

R R1 -

B +
E
R2 Vm
A

Rc

Fig. II.12

R2 E
VB  E si R1  R 2  R0  V B 
R 2  R1 2

Rc 0  Rc R
VA  E  Vm E
Rc 0  Rc  R Rc 0  Rc  R

E Rc
ampli  op idéal  V A  V B  Vm  
2 R

15
II. 3.2 Correction en aval du conditionneur

Soit le montage de la figure suivante :

a
Vm
Multiplieur Vm.Vs /k Sommateur Vs
b
Σ

Fig. II.13

VmVs aVm
Vs  a.Vm  b. d ' où Vs 
k bVm
1
k

E Rc 1
Vm  . . (cas de pont de wheatstone )
4 Rc 0 Rc
1
2 Rc 0

En remplaçant Vm par son expression ;

aE Rc 1
Vs  . .
4 Rc 0 R  b E 
1  c 1  
Rc 0  2 k 
2k aE Rc
b  Vs  .
E 4 Rc 0

16
 Chapitre III : Capteurs optiques

III.1 Introduction

Les capteurs optiques sont des dispositifs optoélectroniques qui détectent l’énergie des
rayonnements dans un domaine de longueur d’onde qui va de l’ultraviolet à l’infrarouge. Ces
dispositifs permettent la traduction de cette énergie en signal électrique. La désignation et la
répartition spectrale du rayonnement optique est représentée sur la figure III.I.

Fig. III.1 : répartition spectrale du rayonnement optique

La fréquence ν et la longueur λ d’onde sont liées par la relation suivante :

V c
 soit dans le vide 
 
c
V  avec c  3.108 m / s n : indice de réfraction
n

III.2 Capteurs photoémissifs

L’extraction des électrons hors de la surface du matériau sous l’influence du rayonnement

induit le courant de mesure. Ces dispositifs assurent la traduction du signal optique en signal
électrique par le phénomène de photoémission.

III.2.1 Symbole

Le matériau photoémissif disposé sur un support conducteur constitue la photocathode,

l’ensemble étant placé dans une enveloppe vide (cellule à vide) (figure III.2). Une anode
collecte les charges.

17
 K A Fig.III.2

III.2.2 Mécanisme de la photoémission

Dans le cas d’un semi-conducteur, la libération d’un électron ne peut être faite seulement si
l’énergie du photon incident soit égale ou supérieure à Eg (la largeur de la bande interdite).
hc hc
Donc, il ne pourra y avoir la photoémission que si h  Eg     Eg 
Eg 

Plus la longueur d’onde est faible (fréquence élevée), plus le photon est énergétique.

La sensibilité Sk(λ) est linéaire tant que le courant moyen n’atteint pas le maximum spécifié
par le constructeur et qui dépend de la nature de la photocathode. Pour des courants élevés,
l’échauffement de la cathode peut en effet entrainer des modifications temporaires ou
définitives de ces caractéristiques d’émission (figure III.3).

Fig.III.3 : sensibilité de diverses associations de matériau de la photocathode

III.2.3 Caractéristiques courant-tension

Fig.III.4 : a) montage de base de la cellule photoémissive, b) caractéristique courant-tension

18
La figure III.4 montre le montage de base de la cellule et la caractéristique Ia-Vak pour
différents éclairements. Dans la première région, on peut observer que le courant croit
rapidement en fonction de la tension Vak. Lorsque Vak augmente, le courant dépend très
faiblement de la tension Vak : l’ensemble des charges émises par la cathode est collecté par
l’anode. Le courant dans cette zone (zone de saturation) est pratiquement fonction du flux
incident.

III.2.4 Applications

La linéarité et la faible sensibilité thermique sont les caractéristiques des cellules

photoémissives. Ces dispositifs sont particulièrement destinés à la photométrie. Ces cellules
délivrent un très faible courant permet la réception et la mesure de flux impulsionnels élevés
fournis, par exemple, par des lampes flash ou des lasers.

III.3 Photorésistance

La photorésistance est un capteur résistif, dont la valeur de sa résistance varie sous l’influence
du flux de rayonnement reçu. La photoconduction est le phénomène employé par cette cellule
qui permet la libération des charges électriques du matériau sous l’effet de la lumière
augmentant la conductivité.

III.3.1 Constitution

Les photorésistances sont réalisées à base de matériaux semiconducteurs homogènes

polycristallins ou monocristallins, intrinsèques ou extrinsèques :

 matériaux polycristallins : Cds, CdTe, Pbs

 matériaux monocristallins : Ge et Si purs ou dopés par Au, Cu,Sb, Zn ; SbIn, AsIn,
Pin, …

Les matériaux les plus utilisés et le domaine spectral auquel ils sont sensible est illustré par la
figure III.5. La cellule et son symbole est représentés par la figure III.6.

Fig.III.5 : domaine spectral d’utilisation de différents matériaux photoconducteurs

19
 a
b

Fig.III.6 : a) symbole de la cellule, b) photorésistance

III.3.2 Caractéristique de la photorésistance

Sous l’action d’un rayonnement, la résistance de la cellule diminue très rapidement à

éclairement élevé (figure III.7).

Fig.III.7 : variation de la photorésistance en fonction de son éclairement

La variation de la résistance en fonction de l’éclairement n’est pas linéaire, mais la

linéarisation peut se faire en plaçant en parallèle une résistance fixe sur la cellule
photorésistance.

Lorsque le semi-conducteur est éclairé, les photons d’énergie h  Wd ionisent des

donneurs, de nombreux électrons sont libérés, augmentant la conductivité du matériau ce qui
provoque la diminution de la résistance de la cellule. Tandis que, à l’obscurité, les photons
incidents d’énergie faible peuvent ne pas libérer les porteurs de charge dans le semi-
conducteur et par conséquent, la conductivité diminue ce qui augmente la résistance
d’obscurité.

III.3.3 Application

 Commande automatique des portes, d’escalier roulant.

 Commande d’éclairage publique.
 Contrôle de flamme et de fumé.

20
  Système de comptage à faible cadence.
 Mesure de vitesse de rotation par disque tournant.

III.4 Photodiode

La photodiode est une jonction PN, généralement utilisée en polarisation inverse. Dans ce cas,
les porteurs majoritaires sont bloqués par le champ électrique dans la zone de charge d'espace,
et le courant résulte donc du passage des porteurs minoritaires à travers la jonction. Le
courant est dans ce cas limité par le faible taux de génération de porteurs minoritaires dans le
voisinage de jonction.
La photodiode est utilisée pour la détection et la mesure d’intensité lumineuse, dans une large
gamme de longueurs d’ondes (IR-visible-UV).

Le symbole et la cellule photodiode est représentés sur la figure III.8.

a
b

Fig.III.8 : a) symbole de photodiode, b) cellule photodiode

Le courant de la diode polarisée avec une tension Vd est donné par (figure III.9):

 qV 
I  I 0 exp  d   I 0
 kT 
I

E R

Fig.III.9 : montage de base

Pour une tension inverse élevé, le courant de porteurs majoritaires devient négligeable (la
partie exponentielle du courant sera négligeable) et seulement le courant de porteurs
minoritaires existe : c’est le courant inverse de la diode.

Sous l'action d’un rayonnement de longueur d'onde inférieure à λc (longueur d’onde de seuil),
ce qui correspond à une énergie de photons supérieure à la largeur de la bande interdite.
Celui-ci provoque la formation des paires électron-trou dans le semiconducteur. Ces paires

21
électron-trou générées dans la zone de charge d’espace sont soumises à un champ électrique
qui règne dans cette zone permettant la séparation des porteurs de charge ; le trou sera
accéléré vers la zone p où il s'ajoute aux porteurs majoritaires et l'électron sera accéléré vers la
zone n, de même sens que celui des porteurs minoritaires entraine une augmentation du
courant inverse.

La caractéristique courant-tension de la photodiode pour différents flux incidents est montrée

sur la figure suivante.

Fig.III.10 : réseau de caractéristique I-V d’une photodiode pour différents flux incidents

III.4.1 Avantage des photodiodes

 linéarité
 temps de réponse court
 grande bande passante

III.4.2 Inconvénient

 sensibilité à la température

III.5 Phototransistor

Le phototransistor est en général un transistor, dont l’élément semi-conducteur constituant la

base est éclairé et aucune polarisation n’est appliquée sur celle-ci. La polarisation entre
collecteur et émetteur reste normale (figure III.11a). La jonction base-collecteur est
pratiquement polarisée en inverse, si elle est éclairée, elle se comporte comme une photodiode
(figure III.11b) dont le courant est :

Ir  I0  I p

22
I0 est le courant inverse d’obscurité
IP est le courant photoélectrique dû au flux incident
Le courant Ir joue le rôle d’un courant de base et entraine, par effet transistor, la circulation
d’un courant collecteur donné par :

I c    1I r    1I 0    1I p

Dans le cas d’un transistor NPN, les paires électrons-trous crée par le rayonnement au niveau
de la jonction base-collecteur sont séparées par l’effet du champ électrique : les électrons sont
attirés vers le collecteur et les trous restent stockés dans la base. Dans ce cas, le potentiel de
base augmente réduisant la barrière de potentiel émetteur-base ce qui provoque le passage
d’un courant d’électrons de l’émetteur vers la base où il diffuse vers le collecteur.

E
E
R
R

Ir

(a) (b)

Fig. III.11 : a) montage électrique d’un phototransistor, b) montage équivalent

Le réseau de caractéristique du phototransistor est donné par la figure III.12.

III.5.1 Avantage

 courant de mesure intense

 temps de réponse court

III.5.2 Inconvénient
 non-linéarité
 sensibilité à la température

23
 Fig. III.12 : caractéristiques I-V (Doc. R.T.C : phototransistor BPW : 22)

III.5.3 Applications

Les photodiodes et phototransistors ont les mêmes domaines d’applications, seulement les
niveaux de signaux guident le choix de l’un à l’autre. Parmi ces applications :
 Contrôle infrarouge à distance (souris infrarouge, contrôle à distance de la lumière
domestique)
 Détection de la lumière (déclenchement automatique d’éclairage, détecteur de
fumé,…)
 Dans la robotique, détection des obstacles sur de courtes distances.
 Télémétrie laser : contrôle de vitesse comme dans les radars, contrôle des distances de
sécurité pour les véhicules comme le système de freinage d’urgence.
 photométrie (luxmètres...)

III.6 Photopile (Cellule solaire)

Une photopile est un dispositif utilisant l'effet photovoltaïque pour convertir en électricité
l'énergie lumineuse. Elle est constituée d’une jonction PN suffisamment épaisse afin
d’augmenter le rendement.
Un flux du rayonnement incident ayant une énergie suffisante est absorbé en donnant
naissance à une paire électron-trou. L’action d’un champ électrique qui se trouve au niveau de

24
la jonction sépare le couple électron-trou, en provoquant la naissance d'un courant électrique.
Une photopile se caractérise notamment par son rendement, qui est le rapport entre la
puissance maximale qu'elle délivre et la puissance qu'elle reçoit.

Le symbole de la photopile (cellule solaire) est donné par :

Fig. III.13 : symbole de la photopile

III.6.1 Caractéristique courant-tension

Photodiode Photopile

Fig. III.14 : caractéristiques I-V d’une photopile

III.7 Diode électroluminescente (LED)

Une diode électroluminescente (Light Emitting Diode : LED) est une jonction PN réalisée à
partir de semi-conducteurs dans lesquels les recombinaisons des porteurs excédentaires sont
essentiellement radiatives. Le symbole de la LED est représenté sur la figure suivante :

A K

Fig. III.15 : symbole de la LED

III.7.1 Principe de fonctionnement

Lorsqu'une jonction PN est polarisée dans le sens direct, les électrons, qui sont majoritaires
dans la région de type n, sont injectés dans la région de type p et inversement pour les trous.
Au niveau de la jonction un certain nombre de recombinaisons se produisent, elles

25
correspondent au passage d’un état excité à un état stable qui se traduit par l’émission d’une
radiation.

La figure III.16 représente les énergies des raies d'émission que l'on peut obtenir avec
différents alliages.

Fig. III.16 : spectre d’émission de différents alliages

III.7.2 Caractéristique courant-tension

I (mA)

20

10

1 1,2 2 V (V)
Fig. III.17 : caractéristique I-V d’une LED
III.7.3 Applications

 Affichage lumineux
 Eclairage
 Emetteur infrarouge

26
III.8 Photo-coupleur

Le photo-coupleur est un composant optoélectronique capable de transmettre un signal d’un

circuit électrique d’entré émettant une radiation à un autre circuit électrique de sortie
comprenant un récepteur photosensible sans qu’il y a un contact entre eux. Ce dispositif est
représenté sur la figure suivante.

Fig. III.18 : schéma d’un photo-coupleur

Une diode électroluminescente permet l’émission de la lumière lorsqu'elle est soumise à une
polarisation directe. Un photo-coupleur, un récepteur de lumière, fonctionne en commutation.
Lorsque la LED est éclairé, un courant peut traverser le transistor qui peut être considérer
comme un interrupteur fermé.

III.8.1 Applications

Un photo-coupleur permet le couplage de deux circuits sans aucun contact électrique entre
eux, l’un est un circuit de puissance qui fonctionne sous une tension élevé commandé par un
autre circuit qui fonctionne à basse tension. Il sert aussi la protection des circuits à basse
tension, comme les microprocesseurs.

27
 Chapitre IV : Capteurs de températures

IV.1 Introduction

La température est certainement la grandeur physique la plus fréquente dans la mesure. En

effet, elle définit le comportement des matériaux lorsqu’ils sont soumis à un changement de la
température. De nombre important de propriétés de la matière et de phénomènes physiques
sensible à la température, c’est pourquoi, la mesure précise et le contrôle strict des
températures sont indispensable.

IV.2 Thermomètres à résistance

IV.2.1 Principe

La résistance électrique d’un conducteur métallique augmente avec la température. Cette

variation étant parfaitement réversible, on peut établir une relation R=f(T) entre la résistance
R et la température T(°C) sous la forme :


R  R0 1  aT  bT 2  cT 3 
où :

R0 est la résistance à 0°C, a, b et c des coefficients de température positifs, spécifiques au

métal considéré.

Les coefficients a, b et c de la loi de variation de R ayant été préalablement déterminés par un

ensemble de mesures à températures connues, la mesure de R permet de déduire la
température.

Pour de petites variations ∆T autour d’une valeur de la température T, la loi de variation de la

température peut être linéarisée :

RT  T   RT 1   R T 

1 dR
avec : R 
RT  dT

 R est la sensibilité thermique du capteur à la température T.

IV.2.2 Critères de choix du métal

Selon le domaine d’application et les qualités particulières recherchées, les résistances sont
réalisées en platine, en nickel, et plus rarement en cuivre ou en tungstène :

 Le platine peut être obtenu avec une très grande pureté (99.999%), ce qui lui confère
des propriétés mécaniques et électriques très stables.

28
  Le nickel possède une sensibilité thermique élevée mais ses propriétés électriques et
mécaniques beaucoup moins stables limitent son utilisation à des températures
inférieures à 250°C.
 L’avantage du cuivre est la linéarité de la loi de variation de la résistance, mais il ne
peut pas être employé au delà de 180°C pour des raisons de stabilité.
 La sensibilité thermique du tungstène est supérieure à celle du platine au dessus de
100K et il est utilisable à des températures plus élevées que le platine avec une
linéarité supérieure, mais sa stabilité est inférieure à celle du platine.

Le tableau suivant indique les valeurs de certain nombre de caractéristiques physiques

importantes des métaux précédemment considérés.

Métal Résistivité à 0°C (µΩ.cm) Point de fusion (°C) Domaine d’application

Cuivre 7 1083 -190 à +150°C
Nickel 6.38 1453 -60 à +180°C
Platine 9.81 1769 -250 à +1100°C
Tungstène 1.72 3380 -269 à +27°C

Le matériau le plus utilisé est le platine, qui est généralement encapsulé avec de la céramique
et placé dans une gaine d’acier étanche. La résistance est de 100Ω à 0°C, ces thermomètres
sont donc généralement appelés des sondes Pt 100.

Fig. IV.1 : exemple de réalisation de résistances étalons en Platine

29
IV.3 Thermométrie par thermistance

Les thermistances sont des capteurs de température (conducteurs thermosensibles) dont la

résistance varie avec la température, leur sensibilité thermique est très élevée, de l’ordre de 10
fois celle des capteurs à résistance. Elles sont caractérisées par un coefficient de température
qui dépend de la température.

Elles sont constituées à partir de mélanges d’oxydes métalliques semi-conducteurs tels que les
oxydes de Nickel, de Cobalt ou de Manganèse, encapsulées dans une petite bille d’époxy ou
de verre.

On distingue deux types de thermistances : les CTN et les CTP

IV.3.1 Thermistance CTN

Une thermistance CTN (coefficient de température négatif) est réalisée à partir d’oxydes de
métaux (ex : manganèse, Nikel…). Sa résistance diminue de manière uniforme avec la
température. Son principe de fonctionnement est simple : plus la température est faible plus la
résistance diminue c’est pourquoi il y a différents modèles de résistances. Généralement, La
CTN est une résistance qui s’utilise entre -200 et 200°C.

Le symbole de la CTN est donné par :

-
Fig. IV.2 : symbole de la CTN
a. Caractéristique R(ϴ)

La variation de la résistance en fonction de la température est donnée par la relation suivante :

B
R  A exp  
 

où : A et B sont des constantes pour une résistance donnée

Fig. IV.3 : caractéristique R-ϴ de la CTN

30
La sensibilité thermique a pour expression :

1 dR B
  2
R dT T

b. Applications

 Mesure de la température
 Régulation de la température comme dans un système de chauffage domestique,
thermostat électronique, four,…
 Surveillance de la température

IV.3.2 Thermistance CTP

Une thermistance CTP (coefficient de température positif) est celle dont la résistance
augmente fortement avec la température dans une plage de température limitée (typiquement
entre 0°C et 100°C). Elles sont fabriquées à base de titanate de baryum.

Le symbole de la CTP est donné par :

Fig. IV.4 : symbole de la CTP

a. Caractéristique R(ϴ)

III

II
I

Fig. IV.5 : caractéristique R-ϴ de la CTP

La thermistance CTP présente trois zones, la zone I et zone III sont analogue à celle de la
thermistance CTN où la résistance diminue avec l’augmentation de la température. La CTP
est intéressante dans la zone II dont la résistance augmente avec la température.

b. Applications
 Détecteur de température, pour protéger des composants (moteurs, transformateurs)
contre une élévation de la température

31
  Protection contre des surintensités

IV.4 Thermocouple

Un thermocouple est constitué de deux conducteurs A et B de nature différente, dont les

jonctions sont à des températures T1 et T2 délivre une f.e.m qui dépend d’une part de la
nature de A et B, et d’autre part des températures des deux jonctions. En général, la
température de l’une des jonctions est fixe, connue et sert de référence (T1=Tref), tandis que
l’autre jonction est placée dans le milieu dont on cherche à mesurer la température.

T1 A

B E
T2
A
Fig. IV.6 : principe d’un thermocouple

IV.4.1 Effets Thermoélectrique

a. Effet Peltier

A la jonction de deux conducteurs A et B différents mais à la même température T, s’établit

une différence de potentiel qui ne dépend que de la nature des conducteurs et de leur
température, c’est la f.e.m de Peltier :

VM  VN  PAT/ B

PAT/ B
T T
A M N B

Fig. IV.7

Loi de Volta : dans un circuit isotherme constitué de conducteurs différents, la somme des
f.e.m de Peltier est nulle. On a donc :

P  0
A
PAT/ B  PBT/ C  PCT/ D  PDT / A  0
PAT/ B  PBT/ C  PCT/ D   PDT / A D T
B
PAT/ D   PDT / A
donc : PAT/ B  PBT/ C  PCT/ D  PAT/ D C

32
 b. Effet Thomson

Entre deux points M et N de températures différentes TM et TN qui se trouvent à l’intérieur

d’un conducteur homogène A, s’établit une force électromotrice, qui ne dépend que de la
nature du conducteur et des températures TM et TN, c’est la f.e.m de Thomson :

TM TN
M A N

TATM TN
Fig. IV.8

TM
TATM TN   hAdT
TN

avec hA le coefficient de Thomson du conducteur qui dépend de la température.

Loi de Magnus : si les extrémités d’un circuit constitué d’un conducteur unique et homogène
sont à la même température, la f.e.m de Thomson est nulle.

c. Effet Seebeck

On considère le circuit électrique fermé (figure IV.9), constitué des deux conducteurs A et B
dont les jonctions sont aux températures T1 et T2. Ce circuit constitue un couple
TT
thermoélectrique et est le siège d’une f.e.m dite de Seebeck S A2/ B1 qui résulte des effets de
Peltier et de Thomson qui s’y produisent :

T2

f.e.m entre a et b : eab   hAdT T2

T1 b
c
T1
A
f.e.m entre c et d : ecd   hB dT
T2
B
f.e.m entre b et c : ebc  PAT2/ B
a d
T1
f.e.m entre d et a : eda  PB1/ A
T

Fig. IV.9
T2
S TA2/TB1  PAT2/ B  PAT1/ B   hA  hB dT
T1

33
Loi des métaux successifs

On considère un premier thermocouple formé des conducteurs A et B, et un deuxième

thermocouple formé des conducteurs B et C, les températures des jonctions étant T1 et T2
pour les deux conducteurs, nous pouvons en déduire la f.e.m du thermocouple constitué des
matériaux A et C comme :

T2
T2 T2

A
A C

C
B B

T1
T1 T1

Fig. IV.10

E TA2/TC1  E TA2/TB1  ECT2/TB1

Loi des températures successives

Lorsque la température de référence T1 d’un thermocouple prend une nouvelle valeur T1' la
TT T T'
f.e.m de Seebeck du couple A/B passe de la valeur S A2/ B1 à S A2/ B1 , et on peut écrire :

' '
S TA2/TB1  S TA2/TB1  S TA1/TB1

Loi des métaux intermédiaires

Quand on introduit un 3ème conducteur dans le circuit comprenant le couple A/B, la f.e.m dont
le circuit est le siège ne change pas à condition que les extrémités du conducteur ajouté soient
à la même température.
T2
T0 B
  hC dT 
T0
PBT0/ C PCT0/ B 0 A
T0
C

B T0
T1
Fig. IV.11

34
IV.5 Thermométrie par diode et transistor

Lorsqu’une diode ou un transistor monté en diode (base et collecteur reliés) (figure IV.12),
sont alimentés dans le sens direct à courant I constant, une tension V à leurs bornes, qui est
fonction de la température. Ces composants peuvent être considérés comme un capteur de
température dont la tension de sortie dépend de la grandeur d’entrée.

I
V V

Fig. IV.12

Le courant direct qui traverse une jonction PN est donné par l’expression:

 qV    Eg 
I  I 0 exp  d   I 0 où I 0  AT 3 exp  
 kT   kT 

Par conséquent, l’effet de la température se manifeste dans les deux relations des courants I et
I0.

35
Bibliographie

[1] G. ASCH et coll. (2006). LES CAPTEURS EN INSTRUMENTATION

INDUSTRIELLE. (DUNOD, Collection EEA, Paris), 847 pages, 6ème édition. ISBN :
2100057774
[2] L. BERGOUGNOUX, Conditionnement Electronique des Capteurs, Polytechnique
Marseille.

36
 Copyright Editions El-Djazair — Mai 2015
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