SE 014 Les Amplificateurs Generalites PDF

J AUVRAY Systèmes Electroniques
LES AMPLIFICATEURS
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CARACTERISTIQUES DES AMPLIFICATEURS
Un amplificateur est un quadripôle qui peut donc être défini en régime linéaire autour d’un
point de polarisation par 4 paramètres , par exemple :
v1 = Z E i1 + G12 i2
v 2 = g i1 + Y22 i2
ou Ze est l’impédance d’entrée, Y22 l’admittance de sortie , g le gain de transconductance et G12 un
paramètre de réaction qui doit être aussi petit que possible ,pour les amplificateurs basse fréquence
il est souvent négligé.
Dans ce cas un amplificateur peut être
représenté par le schéma ci contre: I1 Zs I2
G est le gain en tension , relié aux
paramètres précédents par :
g
G=
ZE G V1
V1 Ze V2
Les caractéristiques d’un amplificateur
sont définies par les grandeurs suivantes .
Bande passante
Le gain G dépend de la fréquence .
Si v1=a cos 2πft

alors v2=|G|a cos(2πft+φ)
d’ou le gain complexe G(2πf)=|G(f)| ejφ(f)
Si G(0) n’est pas nul on parle d’amplificateur à courant continu, sinon d’amplificateurs
alternatifs.
|G| ayant une valeur maximale Go , la fréquence de coupure basse FB est celle en dessous de
laquelle ce module est inférieur à GO / 2 , la fréquence de coupure haute FH celle au delà de
laquelle le gain est de nouveau inférieur à cette valeur. L’écart FH-FB est la bande passante de
l’amplificateur.
FH − FB
Si est petit devant 1 on parle d’amplificateurs sélectifs.
FH + FB
|G|
Il est d’usage de distinguer des
Amplificateur large bande
amplificateurs basse fréquences dont la bande
Go
passante recouvre la bande audio (jusqu'à 20kHz
) et des amplificateurs hautes fréquences (HF) , -3dB
le plus souvent sélectifs. Les amplificateurs Vidéo
sont à la fois HF et large bande.
B
FB FH
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Amplificateurs- généralités
Gain en puissance et gain en puissance utilisable.

Le gain en puissance est le rapport entre la puissance délivrée sur la charge et celle qui est
fournie sur l’impédance d’entrée .
Dans le cas général, en supposant que les impédances sont réelles ,
RE
v1 = u 0
RE + RG
RE RL Rg Rs
v S = Gu 0
RE + RG RL + RS
D’ou le gain en puissance : U0 V1 Re G V1 V2 RL
2
RE  RL 
GP = G 2  
RL  RL + RS 
Il dépend des impédances mises en œuvre.
Or un générateur u0,Rg délivre dans une charge Re une puissance
RE u 02
P = u 02 qui est maximale lorsque RE=RG , elle vaut alors c’est la
(RE + RG )2 4 RG
puissance utilisable de la source. On dit qu’il y a adaptation d’impédance
Si les impédances ne sont pas réelle, ZG=RG+jYG et ZL=RL+jXL la condition devient

RG=RL
YG=-XL
De même un amplificateur délivre une puissance maximale dans une charge RL si
elle est égale à son impédance de sortie. Les conditions optimales de transfert de puissance
entre une source et une charge sont obtenues lorsque l’adaptation d’impédance est réalisée
à l’entrée et à la sortie. Le gain de puissance correspondant est alors appelé Gain en
puissance utilisable.
Dans ce cas la tension d’entrée est u0/2 et la puissance u02/4RE
La puissance de sortie G²u0²/16RL et le gain en puissance utilisable GPU=G²RE/4RL
L'adaptation d'impédance n'est possible à toute fréquence que si les impédances sont
réelles ce qui n'est possible que dans une faible gamme de fréquences.
Facteur et température de bruit

L'agitation thermique provoque l'apparition aux bornes d'une résistance R d'un bruit
blanc de densité d'amplitude quadratique moyenne de = 4 K TR B B étant la bande de fréquence
dans laquelle ce bruit est mesuré. ( bruit Johnson ) Une résistance est un générateur de bruit blanc
de puissance utilisable KTB , proportionnelle à la largeur de bande considérée.
Bruit d'un circuit accordé
C'est un cas particulièrement important compte tenu de l'utilisation généralisée des

circuits accordés en HF .Un tel circuit ne comporte qu'une seulr source
de bruit, la résistance de pertes qui détermine le Q . C
R
La fem de bruit est 4k TR B elle débite sur l'impédance
L
formée par L et C en parallèle soit 4kTRB
jLω
Z=
1 − LCω 2
Dans une bande élémentaire df on peut écrire :
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 2
2
jLω
dv = 4k TR df
2
R(1 − LCω 2 ) + jLω

qui se met sous la forme :
dω 1
dv 2 = 4k TR
2π ω ω0 2
Q2 ( − ) +1
ω0 ω
La tension totale de bruit s'obtient en intégrant de 0 à l'infini Le résultat est surprenant, le bruit
ne dépend que du condensateur :
kT
dv 2 =
C
1 1
On notera que l'énergie électrostatique dans le condensateur s'écrit CdV 2 = kT
2 2
Bruit d'un amplificateur
Considérons alors un amplificateur attaqué par une source et débitant sur une charge ,
l'adaptation d'impédance étant assurée à l'entrée et à la sortie .La résistance interne de la source
injecte à l'entrée dans une bande B un bruit de puissance utilisable PUE=KTB Si GPU est le gain en
puissance utilisable de l'amplificateur la puissance utilisable de bruit en sortie devrait être GPUKTB,
en réalité elle est F fois plus grande, soit FGPUKTB , F est le facteur de bruit de l'amplificateur , il est
exprimé le plus souvent en décibels
FdB= 10 Log F
Remarquons bien que ce facteur de bruit est fonction de la température de référence
considérée , généralement 300°K .
Une autre caractérisation du bruit d’un amplificateur est indépendante de toute température
de référence , c'est sa température de bruit.
La puissance en sortie étant FGPUKTB et non GPUKTB on peut considérer que l'amplificateur
ajoute un bruit propre FGPUKTB- GPUKTB=(F-1) GPUKTB,correspondant à un bruit d'entrée de
(F-1)KTB qui est le bruit qui serait introduit par une résistance portée à la température TB telle que
KTBB=(F-1)KTB c'est à dire TB=(F-1)T
TB est la température de bruit de Facteur de bruit Température de bruit
l'amplificateur. Pour T=300°K
Le tableau ci contre montre la relation qui 0,1 dB 7°K
existe entre le facteur de bruit défini pour une 0,5 dB 36,6°K
température de référence de 300°K et la 1 dB 77°K
température de bruit. 3 dB 300°K
6 dB 894 °K
10 dB 2700°K
Facteur de bruit d'une chaîne de quadripôles
Un amplificateur est souvent construit par la mise en série de plusieurs étages ayant chacun
un facteur de bruit propre.
Si nous nous plaçons dans le cas ou toutes les impédances sont adaptées, le bruit en sortie
du premier étage est : F1GPU1KTB ou B est la bande passante globale ( le premier étage peut avoir
une bande passante plus large, mais le bruit en dehors de la bande globale B est éliminé par les
étages suivants ). Ce bruit est considéré comme un signal et se trouve donc multiplié par le gain de
l'étage suivant qui ajoute son propre bruit.
La puissance utilisable de bruit en sortie du second étage est donc :
GPU2F1GPU1KTB + (F2-1)GPU2KTB
Mais cette puissance à la sortie d'un ensemble de gain GPU1GPU2 est aussi F GPU1GPU2KTB
ou F est le facteur de bruit global.
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On a donc :
GPU2F1GPU1KTB + (F2-1)GPU2KTB= F GPU1GPU2KTB
( F2 − 1)
soit : F1 = F1 +
G PU 1
Formule généralisable à un nombre quelconque d'étages .Le facteur de bruit d'un
étage est divisé par le gain de tous les étages qui le précédent. Ainsi le facteur de bruit d'un
amplificateur dépend essentiellement de celui de son premier étage.
Adaptation d'impédance par résistances .

Pour modifier l'impédance interne d'une source on est souvent tenté de lui associer
une ou plusieurs résistances .Le calcul suivant montre cependant que cette méthode est
catastrophique en terme de facteur de bruit.
Considérons en effet une source de force électromotrice u0 et de résistance interne
Rg , associée à deux résistances série Rs et parallèle Rp .
L'ensemble présente alors une f e m Rs
RP Rg
u0
R g + RP Rp
et une résistance interne : Uo
Rs+Rp//Rg
Soit une puissance utilisable en sortie :

RP2
u 02
( RP + R g ) 2
PUS =
RP R g
4( RS + )
RP + R g
et de gain en puissance utilisable :
RP2
( RP + R g ) 2
G PU = ⋅ RS
RP Rg
( RS + )
RP + R g
La puissance utilisable de bruit étant toujours KTB le facteur de bruit a pour valeur :
RS Rg R R
F = (1 + 2 )+ (1 + S ) + S
RP RP RP Rg
qui est de la forme :
Rg rS R RP
F = F0 + + avec F0 = 1 + 2 S et rP = rS = RS
rP Rg RP R
1+ S
RP
RS
Le facteur de bruit est minimal pour R g = RS rP et vaut alors Fmin i = F0 + 2
rP
Pour adapter par exemple une source de 50Ω à une entrée 75Ω on prendra RS=25Ω et
aucune résistance parallèle. Alors le facteur de bruit est F=1+25/50=1,5 soit 1,76 dB Ce facteur de
75
bruit serait de 1 si l'adaptation se faisait par un transformateur de rapport = 1,22
50
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On peut montrer qu'en cas de non

adaptation aux accès le facteur de bruit est plus Rs v2
v1
élevé , il faut toujours adapter les impédances
pour un amplificateur qui travaille avec de très Rg Gv1
faibles signaux. Re
En effet nous venons de montrer qu'un Uo Bruit RL
amplificateur ajoute sa contribution propre de
bruit
(F-1)GPUkTB , il peut donc être représenté
par le schéma ci contre incluant cette source de
de²=4Rs(F-1)kTB
bruit.
On peut alors calculer les amplitudes de bruit et de signal sur la charge RL et en déduire les
rapports puissance de signal / puissance de bruit à l'entrée et la sortie . Ce rapport est précisément le
facteur de bruit F en cas d'adaptation .
PS
( )e
PB F −1 1
= 1+ K (1 + ) 2 avec K=Re/Rg
P 4 K
( S )s
PB
Expression qui donne bien F s'il y a adaptation à l'entrée Re=Rg , sinon le rapport est
toujours supérieur à F .
Distorsion
La linéarité d’un amplificateur n’est jamais parfaite c’est à dire qu’un signal sinusoïdal
subit une distorsion. Le signal de sortie non sinusoïdal peut être développé en série de Fourier .
v1 = a ⋅ cos(2πft )
v 2 = G a ⋅ cos(2πft + φ ) + G2 cos(2π 2 ft ) + G3 cos(2π 3 ft ) + L
G2 G3 … sont éventuellement complexes (déphasages ) ce sont les amplitudes des
harmoniques 2 3 etc (Le terme fondamental est souvent appelé harmonique 1 , l’harmonique n
étant de fréquence nf .) La distorsion est mesurée en % par
∑G
2
n
n
D = 100
Ga
rapport ente l’amplitude totale des harmonique et celle du fondamental.
Remarque : La distorsion d’un

amplificateur HF n’apparaît pas à l’examen du
signal de sortie qui reste quasiment sinusoïdal,
mais se révèle en examinant l’enveloppe d’un
signal HF modulé. Signal HF modulé en amplitude par une sinusoïde
Lorsqu'un amplificateur est soumis à

une contre- réaction entrée sortie sa distorsion
est divisée par le taux de contre réaction
(1+βG)
Sortie d’un ampli HF non linéaire ,l’enveloppe est déformée
LES AMPLIFICATEURS A COURANT CONTINU
Il est impossible en général d’obtenir un gain élevé avec un seul étage, un amplificateur est
donc constitué par la mise en série de plusieurs étages dont chacun contribue au gain total.
Malheureusement la tension continue de sortie d’un étage n’est pas seulement fonction du signal qu’il
reçoit à l’entrée mais aussi des paramètres des composants qui le constituent , le β des transistors
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par exemple, qui sont fonction de la température. La variation de tension collecteur d’un transistor due
à la modification du gain du transistor lorsque la température varie est considérée par l’étage suivant
comme un signal .Cette dérive est sans conséquence pour un amplificateur alternatif qui ne
transmet entre étages que des variations rapides de tension.
Le montage de la figure ci contre est par exemple
inutilisable en pratique. La tension de sortie varie autant lorsque la
+Vcc
température se modifie que sous l’influence d’une tension continue
d’entrée. On notera que sur ce montage les deux premiers
transistors travaillent avec une tension de collecteur de 0,7V ,ce qui
est tout à fait possible car à ce niveau les variations de tension
sont faibles . V2
Pour compenser ces dérives thermiques la solution la plus
simple est d’utiliser des étages différentiels, les dérives sur deux
transistors identiques portés à la même température s’annulent par
V1
différence.
La figure ci dessous montre le schéma de principe d’un amplificateur continu à grand gain
utilisant cette technique .Tous les amplificateurs opérationnels font appel à des étages différentiels.
Cependant lorsque le gain désiré dépasse 100dB
cette méthode ne suffit plus car les transistors d’une paire +Vcc
différentielle ne sont jamais rigoureusement identiques ni
rigoureusement à la même température .
La seule solution est de faire appel à la technique du
découpage .La tension continue d’entrée est transformée en
une tension alternative grâce à un découpeur ou chopper
,c’est cette tension alternative qui est amplifiée puis
retransformée en tension continue en fin de chaîne. V2
Le principe est illustré par la figure ci dessous V1
Tension alternative
Tension continue Tension continue de

d’entrée sortie -Vcc
Redresseur
Ampli
Etudions les différents constituants de
ce système.
Signal de Tension alternative
découpage Chopper amplifiée
1° Le chopper
Un simple transistor en commutation peut être envisagé (figure ci contre ) mais base
et collecteur ne sont pas disjoints et lorsque le signal
d’entrée est nul un signal parasite existe sur le collecteur. V1
Ce signal est de l’ordre de plusieurs millivolts et varie
10mV
avec la température. Une élimination par un montage
Signal parasite pour V1=0
différentiel ne permet guère de gagner plus d’un facteur
10 et le parasite résiduel est à peine inférieur au millivolt.
Signal de découpage
Un MOS convient beaucoup mieux car il n’y à
+-5V
Deux versions du chopper à MOS pas de liaison galvanique entre grille et
canal ,la capacité grille canal laisse
cependant passer les transitoires rapides
V1 V1 du signal de grille. Avec un peu de soin
et une fréquence de commutation assez
+-10V +-10V
Signal de découpage Signal de découpage basse le signal parasite peut être réduit à
quelques dizaines de microvolts
seulement.
Or pour de telles valeurs les amplificateurs opérationnels
classiques suffisent .Le but est d’atteindre des gains de l’ordre de 108
à 109 avec des tensions d’entrée se chiffrant en nanovolts. V1 Signal de
La seule solution est alors le chopper mécanique qui découpage
n’est pas autre chose qu’un relais électromagnétique construit pour
Relais
supporter une cadence de fonctionnement de quelques dizaines de
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hertz. Pour éviter la pollution des contacts sources de tensions parasites d’origine électrochimique
ou thermoélectriques ces derniers sont enfermés dans une ampoule de verre , ce sont les relais à
lames souples
Malgré tout des tensions de contact dues à la dissymétrie des dispositifs sont inévitables au
niveau de quelques nanovolts. Le dispositif le plus performant est enfin le chopper à condensateur
vibrant. Il s’agit d’un condensateur dont la valeur est modifié périodiquement en faisant vibrer l’une
des armatures .Il n’y à plus cette fois ni liaison galvanique ni couplage capacitif entre le signal de
commande et le signal découpé, et plus de contacts sujets au vieillissement .
Le signal de sortie à une amplitude qui
est proportionnelle à celle de la tension
continue d’entrée mais il n’est pas sinusoïdale R ou C
C
car le système est non linéaire paramétrique.
Si C(t) est la valeur de C en fonction du temps V1
la tension de sortie est solution de l’équation
différentielle non linéaire :
Diapason
entretenu Électrode
dV2 dC (t ) vibrante
v 2 (t ) = V1 − Ri = V1 − RC (t ) − RV2 (t )
dt dt
2° L’amplification
Le signal derrière le découpeur n’est généralement pas sinusoïdal , c’est un carré pour un
chopper à MOS ou relais. Il est inutile de chercher à l’amplifier sans déformation car d’une part il
serait très difficile de réaliser un amplificateur large bande dont le gain dépasse le million et d’autre
part le terme fondamental de la décomposition en série de Fourier a lui même une amplitude
proportionnelle à V1 . On utilisera dons un amplificateur sélectif accordé sur la fréquence de
découpage. Toute autre solution adoptée pour permettre d’atteindre un très grand gain ; par exemple
un ou plusieurs changements de fréquences, est parfaitement envisageable.
3° Restitution de la valeur continue
Un simple redressement par un circuit diode condensateur n’est pas possible , d’une part
parce qu’il n’est pas linéaire pour les faibles niveaux et surtout parce qu’il ne restitue pas le signe du
signal d’entrée.
Il faut faire appel à une détection synchrone.
Sous sa forme la plus simple une détection

synchrone est un découpage du signal sinusoïdal par
un signal carré de même fréquence.
Considérons la figure suivante :
D
Le signal sinusoïdal est découpé par un signal
C carré de même fréquence mais déphasé .Lorsque le
signal de commande de base est positif le transistor est
saturé et V2=0, au contraire lorsqu’il est négatif le
transistor est bloqué et C se charge à travers R1+R2..Si
R2>>R1 alors dans ce cas V2=V1 .
A cette approximation près tout se passe comme si V2 était le résultat du produit de
V1 par un signal carré 0 1 dont la décomposition en série de Fourier est :
1 2 1 1 
+ cos ωt − cos 3ωt + cos 5ωt + L
2 π 3 5 
Si v1 (t ) = a ⋅ cos(ωt + φ )
a 2a  1 
v 2 (t ) = cos(ωt + φ ) +  cos(ωt + φ ) cos ωt − cos(ωt + φ ) cos 3ωt + L
2 π  3 
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Le filtre passe bas RC élimine tous les signaux au delà de sa fréquence de coupure 1/2πRC,
a
si cette dernière est faible il ne reste que le terme continu : cos φ
π
La composante continue de V2 est fonction de la phase entre signal et découpage .
Remarquons que si la fréquence du signal est différente de celle du découpage il suffit dans
le calcul précédent de remplacer cos(ωt + φ ) par
cos(ω1t ) , ω1 étant la pulsation du signal. Si l’écart R1 V2 R2 V3
de fréquence est faible le filtre R2C ne laisse passer

que le signal basse fréquence qui est le
battement : RB
a C
cos(ω − ω 1 )t
π
en l’atténuant plus ou moins suivant la valeur de
l’écart de fréquences .C’est à dire compte tenu de
la fonction de transfert bien connue d’un filtre RC ,
l’amplitude de v2 est :
a 1
π  (ω − ω1 ) 
2
1+  
 RC 
Application à l’amplificateur à chopper.
Le montage que nous étudierons utilise un MOS au niveau du chopper, un amplificateur

alternatif de gain 100db ( G =100000) et une détection synchrone par transistor Deux suiveurs de gain
unité ont été ajoutés en sortie pour adapter les impédances.
Lorsque le MOS
M1 est conducteur
c’est à dire
lorsque le signal
R2 V2 de découpage est
R0 R1
positif la tension
G Aop à l’entrée de
Aop
V1 l’ampli G est
M1 T C presque nulle (si
RB le Ron du MOS
est petite devant
R0 ) Au contraire
si le MOS est
+-10V
bloqué cette
Signal de découpage
tension d’entrée
est V1 .Le signal à
l’entrée de l’ampli est donc un signal carré d’amplitude V1 , dont le fondamental de la décomposition
en série de Fourier vaut :
2V1
cos ωt ω étant la pulsation du signal de découpage
π
L’amplificateur sélectif de gain G fournit en sortie sur la résistance R1 un signal G fois plus
fort .Nous admettrons qu’il n’introduit aucun déphasage (Il travaille à fréquence fixe et il est facile de
prévoir un circuit correcteur de phase qui assure cette condition.)
Le découpeur de sortie crée aux bornes du transistor T (Le niveau à cet endroit est
élevé et un simple transistor bipolaire suffit ) une tension dont la composante continue à pour valeur :
2G
V1 Cette tension continue apparaît aux bornes de C, donc en sortie. On peut
π2
constater que le gain global est voisin de 2G/10 soit ici environ 20000 , ce qui est peu. Pour atteindre
des gains très élevés le gain de l’amplificateur alternatif doit être extrêmement grand et sa réalisation
peut être difficile .
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Les applications de la détection synchrone
La détection synchrone est une technique majeure utilisée dans de nombreux domaines de
l’électronique et des télécommunications. Remarquons d’abord que le découpage tel que nous l’avons
présenté peut être remplacé par une simple multiplication du signal d’entrée par une référence
sinusoïdale. En effet nous avons développé le signal carré en série de Fourier et conservé
seulement le fondamental.
Le schéma de base d’un détecteur synchrone est alors le suivant :
MULTIPLICATEUR
Le multiplicateur peut d’ailleurs
être remplacé par un simple circuit non Signal d’entrée
linéaire
Ce circuit est d’abord un A cos wt + b(t)
phasemètre .Il permet de fournir une FILTRE PASSE BAS
information sur un signal dans une bande Référence
étroite de fréquence . Cos wt+phi
Exemple 1 : Mesure de la résistance série d’un condensateur.
Un condensateur n’est jamais parfait, il possède toujours une résistance série et en régime
sinusoïdal le courant et la tension ne sont plus exactement en quadrature. L’angle de pertes est l’écart
entre la valeur du déphasage et sa valeur idéale 90°.
Si r est cette résistance série la tension aux bornes d’un condensateur parcouru par un
courant i est ( r +1/jCω)i
Soit pour un courant i=i0 cosωt une tension v=r cosωt –(i0/Cω)sinωt
Si l’angle de pertes est faible le premier terme peut être faible devant le second .Pour le mettre en
évidence on effectue une détection synchrone. Le montage est représenté ci contre.
Dans le secondaire d’un
A cos wt transformateur attaqué par une
C
source de fréquence convenable on
R FILTRE PASSE BAS place en série le condensateur réel
sous test et une résistance pure R .Le
R1 courant alternatif circulant dans
l’enroulement secondaire crée aux
bornes du composant sous test une tension : v=r cosωt –(i0/Cω)sinωt et aux bornes de la résistance
RriO
R1 vR=R i0 cosωt Le produit de ces deux tensions fournit une composante continue qui est
2
directement proportionnelle à l’inconnue r
En remplaçant R1 par un condensateur idéal le même montage mesure C seule.
Exemple 2 Identification d’un signal dans un mélange de plusieurs signaux
On veut réaliser une double barrière optique permettant de détecter le sens de passage de
clients à l’entrée d’un magasin. Cette barrière est constituée de deux diodes électroluminescentes
DEL1 et DEL2 éclairant deux photodiodes PhD1 et PhD2 placées de l’autre coté de l’accès. (Figure )
Malheureusement les faisceaux
des sources lumineuses sont
DEL1 PhD1 Filtres divergents et les photodiodes
F1 S1
reçoivent de la lumière
F2 S2
DEL2 PHD2
simultanément des deux. Pour
rendre PhD1 sensible uniquement
à la lumière de DEL1 et PhD2 à
seulement DEL2 , les faisceaux
sont modulés par deux générateurs alternatifs de fréquences différentes F1 et F2. Cette modulation
peut être en tout ou rien ou sinusoïdale autour d’une valeur moyenne. La photodiode PhD1 délivre
alors un signal constitué par une composante continue et deux termes de fréquences F1 et F2. En
multipliant ce signal par une tension de fréquence F1 issue directement du générateur F1 on obtient
une composante continue qui ne dépend que de l’intensité lumineuse issue de DEL1 . Et même chose
pour PhD2.Ainsi avec des diodes électroluminescentes banales on obtient le même résultat qu’avec
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deux faisceaux laser très directifs . De plus le système est insensible à une lumière parasite , venant
de l’éclairage par exemple , à condition que les fréquences de ces parasites ne soient pas trop
voisines de F1 et F2 .
Exemple 3 . Méthode du Lock in
Lorsqu’un signal est de faible amplitude et noyé dans le bruit , il est possible d’en mesurer
l’amplitude à condition de lui associer une fréquence bien déterminée et d’effectuer une détection
synchrone.
Supposons que nous voulions mesurer l’absorption subie par un faisceau laser traversant une
colonne de gaz .La méthode directe consiste à mesure l’intensité de la lumière reçue par un détecteur
activé par le faisceau qui à traversé un long tube de verre ; rempli ou non avec le gaz à étudier. Mais
si l’absorption est faible la différence entre les deux niveaux peut être du même ordre de grandeur
que les fluctuations naturelles de la source ou du bruit thermodynamique.
La méthode , appelée parfois méthode du lock in consiste à utiliser deux colonnes identiques
dont l’une est vide et l’autre remplie de gaz. On permute alors rapidement , grâce à un disque ou un
prisme tournant , la lumière d’un tube dans l’autre. Si les deux chemins étaient identiques l’intensité
lumineuse reçue serait la même dans les deux cas et le signal sur le détecteur , continu., au bruit
près. Par contre le gaz étant absorbant l’intensité reçue d’une voie est légèrement inférieure à celle
reçue de l’autre. ,le signal utile est alors un carré dont l’amplitude est l’absorption cherchée et la
fréquence celle du découpage. Une cellule photoélectrique placée derrière le commutateur optique
fournit le signal de référence pour la détection synchrone. Le montage est représenté ci contre. Le
seul bruit résiduel provient des composantes de bruit dont les fréquences sont dans une bande
f ±1/2πRC RC étant la constante de temps du filtre passe bas de sortie.
1 Signal sur la cellule (sans bruit)

2
T
Commutateur optique
Cellule de
TUBE 1 Vide mesure
Source
de Tube 2 plein de gaz
lumière Multiplicateur
Photodiode
générant la
référence
Filtre passe bas RC
Amélioration du rapport signal / bruit par détection synchrone
La détection synchrone est surtout utilisée pour "sortir " un signal du bruit ou plus
précisément pour déterminer l'amplitude d'un signal sinusoïdal complètement masqué par un bruit
bien plus grand.
La détection synchrone consiste à multiplier le signal reçu , signal utile plus signaux
parasites , par un signal de référence sinusoïdal et à filtrer passe bas le résultat.
Le signal utile dont la fréquence est celle de la référence fournit une tension continue dont
l’amplitude est à un facteur près son amplitude. Par contre un signal de fréquence différente fournit
un signal de battement dont la fréquence est la différence des fréquences qui est plus ou moins
atténué par le filtre passe bas de sortie. Ainsi dans le cas d’un filtre passe bas RC , les seules
composantes de bruit qui contribuent au bruit résiduel sont celles dont la fréquence se trouve dans
une bande de largeur ∆f =±1/2πRC autour de la fréquence de la référence.
Pour un bruit blanc la puissance est proportionnelle à la largeur de bande, la détection
synchrone apporte donc une amélioration du rapport signal bruit qui est dans le rapport des bandes.
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Soit par exemple une sinusoïde de fréquence 500Hz , d'amplitude 1V noyée dans un bruit de
puissance 10V2 donc d'amplitude quadratique moyenne 3,16V à la sortie d'un amplificateur dont la
largeur de bande est de 10kHz ( rapport signal bruit en amplitude 1/3) L'ensemble est multiplié par
une sinusoïde 500Hz et le résultat filtré par un passe bas RC de constante de temps
1seconde.(largeur de bande 0,16Hz) Aux bornes du condensateur la composante continue est de
0,5V , mais les signaux parasites ont une puissance divisée par 10000/0,32=31250, il reste donc
10/31250=3,2.10-4V² soit une amplitude de 18mV seulement , le rapport signal bruit est passé à 27 ,
soit un gain de près de 60. Le gain réel est un peu inférieur mais du même ordre de grandeur.
Il est important de noter que l'on ne mesure que l'amplitude du signal utile et non sa
forme qui est à priori connue.
LES AMPLIFICATEURS BASSE FREQUENCE DE PUISSANCE
La plupart des amplificateurs BF de puissance fonctionnent en classe B c'est à dire que les
alternances positives et négatives d'un signal sinusoïdal sont gérées par deux transistors distincts
fonctionnant l'un après l'autre.
+Vcc
Le schéma de principe est
représenté ci contre. R2
Les deux transistors de

R1
sortie sont montés en collecteur T2
commun ,Lorsque V2 est positive A
c’est le transistor T2 NPN qui fournit
V1 T1
le courant et la tension sur sa base
est V2+0,7, lorsqu’elle est négative RL V2
c’est T1 PNP qui travaille et la
tension de sortie de l’ampli op est
alors V2-0,7.Lorsque la tension de
sortie de cet ampli est comprise -Vcc
entre +0,7 et –0,7 les deux
transistors sont bloqués et la tension de sortie est nulle, mais alors la boucle de réaction est ouverte et
l’ampli travaille avec son gain maximal. L’écart ±0,7V est donc franchi avec une tension d’entrée qui
est seulement de ±0,7/G0 ou G0 est le gain en boucle ouverte, 100000 pour les fréquences très
basses. L’ensemble à un gain global -R2/R1 mais la sinusoïde de sortie est légèrement déformée
puisque la tension de sortie est nulle pour des valeurs très faibles de la tension d’entrée, c’est la
distorsion de croisement. Pour R1=R2 (gain 1) un niveau de sortie de l’ordre du volt et des
fréquences basses cet effet est presque négligeable puisque l’écart de tension d’entrée nécessaire
pour débloquer les transistors n’est que de 1,4/105=14µV , ce n’est plus vrai lorsque la fréquence
augmente .Les figures suivantes montrent cet effet pour une fréquence d’entrée de 100Hz et deux
niveaux d’amplitude puis 10kHz .L’amplificateur utilisé est un TL071 .
Pour éviter cette distorsion il faut pré-polariser les bases, ceci est réalisé en général en
intercalant deux diodes dont les seuils de conduction sont proches de ceux des transistors. Si la
tension d’alimentation est assez stable on peut également utiliser un pont de résistances.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 11
Pour de fortes puissances l’ampli op ne

peut pas fournir le courant base suffisant
aux deux transistors de puissance. ,il faut
faire appel à un double montage
Darlington. Il est parfois difficile de
trouver des composants de puissance
complémentaires, le montage Darlington
permet alors de se contenter de deux
gros NPN commandés par des
transistors complémentaires de faible
puissance. La figure ci contre représente
un tel étage de puissance , les
résistances R2 et R3 sont calculées
pou
r annuler la distorsion de croisement , la tension aux bornes de +Vcc
R2 doit être 1,4V (seuil des deux NPN) et celle aux bornes de R1
R3 0,7V , de façon que pour une tension d’entrée de 0V les
deux groupes de transistors soient en limite de conduction.
On peut également utiliser une diode à la place de R3 et
2 pour R2. R2
Si l’on ne dispose pas d’une alimentation symétrique il
faut faire appel à un condensateur de sortie et polariser l’entrée.
C’est ce qui est fait pour le schéma suivant qui est un R3
amplificateur de faible puissance destiné à un interphone.
Les deux résistances d’émetteur de 3,3Ω augmentent la
linéarité et protégent les transistors de sortie (2N2222 et
2N2905),le gain global est de 100 . R1
-Vcc
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 12
+15V
100k 1k Augmentation de la
1k Repos tension de sortie.
7,5V
7,5V
68 Sil est très facile d’obtenir un
1k Re 3,3fort courant de sortie il est beaucoup
1µF 1000µF
plus difficile de délivrer sur la charge
10k 741
C1 des tensions de plusieurs centaines
3,3 de volts. Il est par exemple difficile
68
de trouver des composants
V1 RL 8 complémentaires qui tiennent ces
1k tensions, les transistors PNP
100µF 1k supportant plus de 300V sont rares,
Si l’on veut utiliser pour les
étages de gain un amplificateur
opérationnel dont la tension
d’alimentation ne peut dépasser ±18V
, il faut lui associer un étage de sortie haute tension qui a nécessairement du gain. Dans ce cas la
stabilité de l’ensemble est critique. En effet l’ensemble est bouclé et obéit au critère de Nyquist. La
courbe de gain en boucle ouverte ne doit pas entourer dans le plan complexe le point –1.
Le gain de l’ensemble est le produit du gain de l’ampli op par celui de l’étage haute tension.
Plaçons nous dans le cas favorable ou ce dernier est purement réel. Un ampli op
inconditionnellement stable tel que le 741 a un déphasage de 90° à la fréquence pour laquelle sont
gain se réduit à 1, cette phase tournant très
vite ensuite. Sa courbe de gain dans le plan
complexe a donc la forme représentée ci Ampli op seul stable
Point -1
contre.( en rouge) elle n’entoure pas le point
–1, par contre l’adjonction de l’étage HT se Ampli op + étage HT instable
traduit par un grandissement ,la courbe
obtenue , en bleu , a toutes les chances
d’entourer le point critique, le montage est
instable.
La solution généralement adoptée
est de limiter le gain de l’ampli op en le
soumettant à une contre réaction locale.
Le circuit ci contre est une
possibilité, les composants de +150V
puissance sont des MOS R4
M1
complémentaires de puissance
+15V
.Lorsque la tension de sortie de l’ampli
op devient positive elle rend T1 R2
conducteur, son courant collecteur R3
induit une tension aux bornes de R4 R1 T1
qui fait conduire le MOS M1 (Canal P), A

une tension négative fait de même T2
V2
conduire M2 ( canal N) Les deux V1
transistors bipolaires doivent supporter
-15V
300V . .La résistance R3 limite le gain
de l’ampli op de façon à assurer la M2
stabilité de l’ensemble. Avec des MOS
adaptés une puissance de sortie très R5
-150V
importante peut être obtenue.
Cependant la mise au point d’un tel montage reste critique.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 13
LES AMPLIFICATEURS HAUTES FREQUENCES ( H F)
Lorsque la fréquence du signal augmente les capacités parasites, internes aux composants
ou dues aux câblages extérieurs , provoquent une chute rapide du gain. Avec les meilleurs transistors
il est difficile d'obtenir un gain important avec charge résistive de collecteur, au delà de quelques
centaines de kilohertz.
Dans la plupart des cas il n'est pas nécessaire de disposer d'un gain important dans une
large bande de fréquence, il est alors possible de neutraliser l'action de la capacité parasite en
l'associant à une self de façon à réaliser un circuit accordé au centre de la bande de fréquence
souhaitée.
1
Le circuit ci contre possède à la fréquence f0 = le même gain qu'un étage dont le
2π LC p
transistor aurait le même point de
Schéma équivalent avec modèle
polarisation et comme charge la BF de transistor
résistance R seule. RB L
Attention en présence de L R H11
Ib
le potentiel continu de collecteur est C
+Vcc, en supprimant L et C le point de V1 L V2
polarisation est complètement Rb R
C
différent. V2
V1
Cette méthode n'est pas
directement applicable car le Principe de l’amplificateur HF
condensateur parasite Cp à une
valeur mal définie et instable, il suffit pour lever cette difficulté d'ajouter en parallèle un condensateur
extérieur de valeur bien plus grande de façon à avoir une capacité d'accord connue et stable.
En prenant comme modèle du transistor le modèle simplifié BF le schéma équivalent du
montage est alors représenté sur la figure , le gain est directement proportionnel à l'impédance du
circuit RLC de charge . Il s'agit donc d'un filtre passe bande dont le gain est d'autant plus grand que
la largeur de bande est faible (produit gain bande +Vcc
constant )
Pour calculer le gain exact il faut tenir L C R
C
compte du schéma équivalent HF du transistor , RB R RB
par exemple son schéma de Giacoletto ou sa
L
matrice Y .
Pour obtenir un gain important la mise en
série de plusieurs étages est nécessaire. Le
couplage entre eux s'effectue soit par une simple V1 V2
capacité de liaison, soit par un transformateur qui
présente l'avantage de permettre une adaptation
d'impédance .
Une simple capacité entre le collecteur du +Vcc
premier étage et la base du second présente L

L C
l'inconvénient d'amortir considérablement le RB RB
circuit LC de collecteur du premier, en effet le R R
second étage à une impédance d'entrée faible ,
de l'ordre du kΩ.
V2
V1
Le transformateur de liaison est la
meilleure solution, le rapport de transformation
Liaison par autotransformateur, le rapport de
agit à la fois sur le gain et l'amortissement du transformation est n2/n1
premier étage. Le transformateur peut être en
réalité un autotransformateur comme sur la figure ci contre.( attention le point de masse est le fil
d'alimentation Vcc)
Pour éviter de prévoir une prise sur l'enroulement ce qui n'est pas toujours facile à
posteriori, il est possible d'assurer la même adaptation d'impédance en utilisant un pont diviseur
capacitif, on peut montrer en effet que l'effet est le même que par une prise sur l'enroulement à
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 14
condition que le Q ne soit pas trop faible. Le rapport de transformation est alors k=C2/(C1+C2) et la
résistance ramenée en parallèle sur l'enroulement primaire h11/k²
Bande passante d'un amplificateur à plusieurs étages.

+Vcc
Si l'on met en série n étages
L identiques de même coefficient de qualité, la
C1 L C
RB RB courbe de gain résultante est très pointue en
R R effet pour des fréquences de f0±f0/Q le gain
C2 chute de 3ndB par rapport à sa valeur
centrale. Pour obtenir un gain plus régulier
dans la bande il faut décaler les fréquences
V2 d'accord des divers étages. On réalise ainsi
V1 Adaptation d’impédance par
pont capacitif des amplificateurs dont le gain est presque
plat dans une bande de fréquence assez
large. Le réglage des différentes fréquences d'accord et coefficients de surtension est délicat car les
étages ne sont pas indépendants. En effet les paramètres h12 des transistors n'étant pas nuls une
variation de la charge de collecteur modifie l'impédance d'entrée. En touchant le réglage de l'un des
étages on modifie aussi celui des autres .Le calcul complet est très complexe et n'est d'aucune aide.
En pratique le réglage d'un amplificateur à plusieurs bobinages s'effectue à l'aide d'un vobulateur,
appareil qui visualise sur un écran la bande passante globale.
La non nullité du paramètre de réaction , que nous
Cext=Cb’c
avons appelé G12 au début du chapitre , ne complique pas Gain -1
seulement le réglage, elle est aussi source d'oscillations
souvent difficiles à maîtriser. Pour annuler G12 on fait
intervenir au niveau de chaque étage une réaction entrée RBB’
sortie locale Par exemple on voit sur la figure ci contre que

si l'on relie sortie et entrée par un amplificateur de gain -1 Cbe
Cb’c
via un condensateur de valeur égale à CB'C , l'influence Rbe
sortie entrée de cette capacité interne est annulée, ou
plutôt le serait si le Rbb' n'existait pas . Cette technique est
appelée unilatéralisation du transistor ou neutrodynage.
Sa mise en œuvre est délicate car le CB'C interne varie Schéma de Giacoletto et unilatéralisation
avec le point de polarisation et même la fréquence , et le réglage qui unilatéralise exactement le
transistor pour une certaine fréquence peut provoquer une oscillation pour une autre .
Il est plus sûr de faire appel à un étage ayant un coefficient de réaction naturellement faible,
c'est le cas du montage base commune , pour lequel la base reliée à la masse fait en quelque sorte
blindage entre émetteur et collecteur ,et surtout du montage cascode qui a été décrit dans le chapitre
sur les transistors bipolaires.
Pour obtenir une fonction de
Meme Q et faible couplage
transfert passe bande à sommet
plat comme un filtre de Butterworth +Vcc
on peut utiliser la méthode du L L L C

couplage transitionnel . Le RB RB
collecteur du transistor est chargé R
R
par un circuit accordé de Q faible
(10 par exemple ) dont le bobinage
est faiblement couplé à un
secondaire lui même accordé sur V1
V2
la même fréquence qui attaque
l'étage suivant.
Si compte tenu de l'impédance d'entrée du second étage les deux circuits ont le même Q, la
bande passante est maximaly flat lorsque le coefficient de couplage vaut 1/Q ( couplage critique )
Cette propriété est illustrée par la figure suivante qui représente la tension de sortie d'un double
transformateur accordé attaqué en courant , pour différentes valeurs du coefficient de couplage. Le
tracé est fait pour Q=10 et une fréquence d'accord de 159kHz pour les deux circuits pris
individuellement. Si k est faible , inférieur à 0,1 le maximum de gain est obtenu pour cette fréquence
et d'amplitude d'autant plus faible que k est petit. Pour k=0,1 le couplage critique est réalisé . Au delà
la courbe de gain présente deux maxima ,qui s'éloignent de plus en plus l'un de l'autre si k augmente.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 15
Pour k voisin de 1 l'un des maxima correspond à l'accord de la self primaire avec le condensateur
secondaire ramené au primaire soit f=112,5kHz , la seconde est rejetée à l'infini .
I1
V2
Le faible couplage est obtenu en écartant convenablement les

bobines l'une de l'autre, ou pour deux bobines isolées magnétiquement
par un faible condensateur placé entre elles (sa valeur doit être C/Q C C
pour le couplage critique ) .
Couplage par capacité en tête

NOTE Justification théorique
Un circuit primaire L1 C1 R1 est faiblement couplé à un secondaire L2 C2 R2 , M est la
mutuelle entre les deux bobinages M =k L1L2 Le primaire est attaqué par une source de
courant I1 et on calcule la tension secondaire v2 en absence de charge extérieure. Le
rapport v2/i1 n’est pas autre chose que le paramètre Z21 de la matrice Z du quadripôle. Or ce
paramètre est relié aux paramètres y par la relation :
Z 21 = −Y21 I1
Y11Y22 −Y12Y21 I’1 M I’2
A partir des équations du circuit
L2
v1 = jL1ωi1' + jMωi2' C2
V2
v 2 = jL2ωi2' + jMωi1' C1
R1 R2
L1
On calcule les paramètres y , le circuit étant
passif y12=y21
i2 k 1
y 21 = y12 = ( ) v 2 =0 = j
v1 1 − k ω L1 L2
2
En multipliant haut et bas par G1G2

Avec G1=1/R1 G2=1/R2
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 16
k G1G2 1
Il vient : y12 = j Or Q1 = coefficient de
1− k 2 ω ω G1 L1ω 01
G1 L1ω 01 G2 L2ω 02
ω 01 ω 02
qualité du circuit primaire seul .Le calcul est effectué pour des fréquences proches de
ω ω
l’accord des deux circuits ≅ ≅1 , k étant d’autre part petit devant 1
ω 01 ω 02
l’expression de y12 devient : y12 = y 21 = jk G1G 2 Q1 Q2
De même on peut calculer
y11 = G1 (1 + 2 jQ1 x)
y 22 = G2 (1 + 2 jQ2 x)
ω − ω0
Avec x =
ω0
En reportant ces valeurs dans l’expression de Z21 il vient :
− jk G1G2 Q1Q2
Z 21 =
[[ ( )]
G1G2 1 + Q1Q2 k 2 − 4 x 2 + 2 jx(Q1 + Q2 ) ]
Ou en module :
k Q1Q2
Z 21 =
[(
G1G2 1 + Q1Q2 k 2 − 4 x 2( ))
2
+ 4 x 2 (Q1 + Q2 )
2
]
Pour la fréquence centrale x=0
Q1Q2 k
A0 =
G1G2 1 + k Q1Q2
2
1
Ce gain de transfert est maximal pour k = k c = le couplage ainsi réalisé est appelé
Q1Q2
couplage critique., la valeur correspondante du gain est alors :
1 1
A0 max = = R1 R2
2 G1G2 2
soit R/2 si les deux circuits sont identiques
Cherchons maintenant les extréma du gain A , ou plus précisément ceux de |A|² ils se
produisent pour :
1 1 1 
ω = ω 0 ± k 2 −  2 + 2 
2  Q1 Q2 
La courbe du gain est maximaly flat lorsque ces deux fréquences viennent se confondre , ce
qui se produit pour
1 1 1 
k = kT =  2 + 2 
2  Q1 Q2 
On parle alors de couplage transitionnel . , il se confond avec le couplage critique si les
1
deux coefficients de qualité sont égaux, alors k T =
Q
On peut également calculer la bande passante en écrivant A²=A²max/2 , il vient :
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 17
B1 + B2
Au couplage transitionnel BT = ou B1 et B2 sont les bandes passantes des deux
2
ω 01
circuits pris individuellement : B1 =
Q1
1
Et au couplage critique : Bc = (B1 − B2 )4 + 16 B12 B22 − (B1 − B2 )2
2
Si les deux circuits sont identiques B=Bc=BT=B0√2
Exercice :
On se propose de réaliser avec un seul transistor un étage HF présentant les caractéristiques
suivantes :
Impédance d’entrée 50Ω
Bande passante type Butterworth largeur de bande 100kHz autour d’une fréquence centrale
de 1Mhz lorsque la sortie est chargée sur 50Ω
Le transistor utilisé est supposé avoir une fréquence de transition très élevée de façon que le modèle
BF β, h11 puisse être pour un premier calcul considéré comme acceptable. (β=100)
Nous adopterons un montage émetteur commun avec un courant collecteur de 2,6mA donc
IB=26µA et h11=1kΩ .Pour obtenir une impédance d’entrée de 50Ω un transformateur d’adaptation
d’entrée est nécessaire, nous accorderons ce circuit d’entrée mais avec un Q faible de façon qu’il
n’intervienne pas dans la bande passante de l’ensemble fixée essentiellement par le transformateur
au couplage transitionnel qui constitue la charge de collecteur .Le schéma est alors le suivant.
+Vcc 12V
470k RB
C2 29sp
2sp 10k
n1 C R2
1µF R1
C1 7sp 5k 470p
470pF C 470p
L RL
C L 50 V2
n
1µF
v1 Ck
29sp
29sp 33pF
12 − 0,7
La résistance RB est la résistance de polarisation du transistor RB = = 434kΩ , le
26 µA
condensateur C2 met à la masse en alternatif le sommet du bobinage , il doit à la fréquence de
travail avoir une impédance faible. 1µF peut convenir . Par commodité nous avons choisi tous les
bobinages identiques accordés par 470 pF soit L=53,9µH pour 1Mhz. Alors Lω0=338Ω et le h11 du
transistor fixe à 3 environ le Q du circuit d’entrée (1,5 seulement lorsque la source de 50Ω sera
connectée à l’entrée ) valeur faible qui convient parfaitement.
f0
Un transformateur au couplage transitionnel à une bande passante de 2 pour 100kHz il
Q
faut donc Q=14,3 c’est à dire R1=14,3x338=4833Ω Au secondaire la résistance série en présence
de charge est constituée de R2 et de la charge ramenée. En égalisant ces deux contributions il faut
que la charge de 50Ω ramène 4833x2=9666Ω d’ou le rapport de transformation
9666
n/n1= = 13,9 et R2=9666Ω . Reste la valeur du condensateur de couplage 470/13,9=33,8pF
50
.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 18
Le transformateur d’entrée doit adapter les 1000Ω , impédance d’entrée du transistor et les
1000
50Ω de l’impédance de source , soit un rapport de transformation = 4,47
50
Les bobinages sont réalisés dans des pots de ferrite de coefficient Al=63nH/sp² , ils
53900
comportent donc = 29,24 spires
63
Compte tenu de l’imprécision de ces calculs nous avons choisi les valeurs arrondies qui sont
indiquées sur la figure .
Autour de la fréquence centrale le transistor à une charge de collecteur voisine de
R1/2=2416Ω, son gain est de l’ordre de β RC =240 , compte tenu des transformateurs d’entrée et de
h11
sortie le gain global est alors de l’ordre de 4,47x240x1/13,9=78
Les amplificateurs HF spéciaux

Pour obtenir une amplification avec un bruit très faible d’autre structures d’amplificateurs HF
sont parfois utilisées, nous citerons ici brièvement l’amplificateur à résistance négative et les
amplificateurs paramétriques.
L’amplificateur à résistance négative
Considérons une source d’impédance interne Rg associée à une charge RL et une

résistance r placée en parallèle sur l’ensemble. Rg
La tension v2 aux bornes de la charge est alors :
−rR L
R L −r −rR L
v2=u0 =u0 R RL
rR R GR L −r(R G +R L)
v2
RG − L U0
R L−r
le gain peut être supérieur à 1 si r est une résistance
négative de module supérieur à R GR L
2R L+R G Amplificateur dipôle
ou à résistance négative
Cette résistance négative est en général obtenue
avec une diode tunnel convenablement polarisée. Et parfois refroidie pour diminuer le
bruit. I A K
La mise au point d’un tel amplificateur pour lequel entrée et sortie sont
confondues (amplificateur dipôle ) est délicate, il est en particulier difficile d’éviter des R<0
oscillations très haute fréquence
Une diode tunnel est une jonction PN fortement dopée pour laquelle la tension 0
V
0,7V
Zener est devenue positive. Les diodes tunnels sont devenus rares sur le marché et de
mise en œuvre délicate.
Les amplificateurs paramétriques à

varactors
Fs FP Fs+fP Filtres
Les varactors ne sont pas autre chose que des
diodes dont la capacité de jonction varie avec la
tension appliquée ,comme les diodes à capacité
variable (varicaps) mais adaptées pour un emploi aux Varactor Charge
très hautes fréquences.
Pompe
Considérons le montage ci contre associant Signal
une source , un générateur de pompe ,une charge et
un varactor sur un même conducteur via trois filtres passe bande
Si fS FP sont les fréquences de la source et du signal de pompe , on peut montrer que la
puissance recueillie sur la charge à travers le filtre passe bande centré sur fS+fP peut atteindre la
valeur: Pout =PS f P +fS
fS
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 19
Plus précisément Manley et Roove ont établi les relations :

∞ ∞ mPm ,n
∑ ∑ mf
m = 0 n = −∞ + nf p
=0
S
∞ ∞ mPm ,n
∑∑
n = 0 m = −∞ mf S + nf p
=0
ou Pmn est la puissance circulant à travers la réactance à la fréquence nfS+mfP (Positive si elle est
dissipée )
Ces amplificateurs sont surtout utilisés en hyperfréquence avec une technologie guide
d’ondes
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 20

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J AUVRAY Systèmes Electroniques

CARACTERISTIQUES DES AMPLIFICATEURS

Si v1=a cos 2πft

Gain en puissance et gain en puissance utilisable.

Si les impédances ne sont pas réelle, ZG=RG+jYG et ZL=RL+jXL la condition devient

Facteur et température de bruit

Bruit d'un circuit accordé

C'est un cas particulièrement important compte tenu de l'utilisation généralisée des

R(1 − LCω 2 ) + jLω

Bruit d'un amplificateur

Facteur de bruit d'une chaîne de quadripôles

Adaptation d'impédance par résistances .

Soit une puissance utilisable en sortie :

On peut montrer qu'en cas de non

Remarque : La distorsion d’un

Lorsqu'un amplificateur est soumis à

LES AMPLIFICATEURS A COURANT CONTINU

Tension continue Tension continue de

3° Restitution de la valeur continue

Il faut faire appel à une détection synchrone.

Sous sa forme la plus simple une détection

de fréquence est faible le filtre R2C ne laisse passer

Le montage que nous étudierons utilise un MOS au niveau du chopper, un amplificateur

Les applications de la détection synchrone

Exemple 1 : Mesure de la résistance série d’un condensateur.

Exemple 2 Identification d’un signal dans un mélange de plusieurs signaux

Exemple 3 . Méthode du Lock in

1 Signal sur la cellule (sans bruit)

Amélioration du rapport signal / bruit par détection synchrone

LES AMPLIFICATEURS BASSE FREQUENCE DE PUISSANCE

Les deux transistors de

Pour de fortes puissances l’ampli op ne

conducteur, son courant collecteur R3

induit une tension aux bornes de R4 R1 T1

qui fait conduire le MOS M1 (Canal P), A

LES AMPLIFICATEURS HAUTES FREQUENCES ( H F)

premier étage et la base du second présente L

Bande passante d'un amplificateur à plusieurs étages.

sortie locale Par exemple on voit sur la figure ci contre que

on peut utiliser la méthode du L L L C

Le faible couplage est obtenu en écartant convenablement les

Couplage par capacité en tête

En multipliant haut et bas par G1G2

Les amplificateurs HF spéciaux

L’amplificateur à résistance négative

Considérons une source d’impédance interne Rg associée à une charge RL et une

Les amplificateurs paramétriques à

Plus précisément Manley et Roove ont établi les relations :

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