Chap7 (SC de Puissance Le MOSFET) PDF
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Chapitre 7
LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE
DEUXIÈME PARTIE : LE MOSFET
CD:\ELP\Cours\Chap7 M. Correvon
T A B L E D E S M A T I E R E S
PAGE
7. LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (2) : LE MOSFET. .....................................................................1
7.1 HISTORIQUE. ...........................................................................................................................................................1
7.2 LE MOSFET EN MODE INTERRUPTEUR..................................................................................................................1
7.3 STRUCTURE DU MOSFET. .....................................................................................................................................1
7.3.1 Structure latérale...............................................................................................................................................1
7.3.2 Structure verticale. ............................................................................................................................................1
7.4 CAS PARTICULIER DU DMOSFET..........................................................................................................................2
7.5 MODE DE FONCTIONNEMENT DU MOSFET. ..........................................................................................................3
7.5.1 Processus de formation du canal. ....................................................................................................................3
7.5.2 Comportement à l'état ouvert. ..........................................................................................................................4
7.5.3 Comportement à l'état fermé : caractéristique statique ID=f(VDS,VGS). ..........................................................4
7.5.4 Éléments parasites. ...........................................................................................................................................5
7.5.4.1 Diode et transistor......................................................................................................................................................6
7.5.4.2 Capacités parasites.....................................................................................................................................................6
7.5.4.3 Drain – Source résistance..........................................................................................................................................7
7.5.5 Limitation dynamique en commutation............................................................................................................7
7.5.5.1 État ouvert (bloqué)...................................................................................................................................................7
7.5.5.2 État fermé (conducteur).............................................................................................................................................8
7.5.6 Avertissement.....................................................................................................................................................8
7.5.7 Grandeurs nominales de sélection. ..................................................................................................................9
7.5.7.1 Tension Drain-Source : UDS......................................................................................................................................9
7.5.7.2 Résistance Drain-Source à l'état passant: RDSON. .....................................................................................................9
7.5.7.3 Courant de Drain en DC : ID. ....................................................................................................................................9
7.5.8 Limites maximales d'utilisation (Absolute maximum ratings).........................................................................9
7.5.8.1 Courant de Drain: ID et IDpulse..................................................................................................................................10
7.5.8.2 Tension Grille-Source VGS......................................................................................................................................12
7.5.8.3 Puissance maximale dissipée. .................................................................................................................................12
7.5.8.4 Température maximale de jonction en fonctionnement Tjmax................................................................................12
7.5.8.5 Température maximale de stockage. ......................................................................................................................12
7.5.8.6 Énergie d'avalanche.................................................................................................................................................12
7.5.9 Caractéristiques statiques...............................................................................................................................15
7.5.9.1 Caractéristique V(BR)DSS=f(TJ).................................................................................................................................15
7.5.9.2 Caractéristique ID=f(VDS,VGS). ...............................................................................................................................16
7.5.9.3 Tension Grille-Source de seuil VGS(th)=f(TJ). .........................................................................................................17
7.5.9.4 Courant de fuite de Drain à l'état bloqué IDSS.........................................................................................................17
7.5.9.5 Courant de fuite de Grille IGSS. ...............................................................................................................................18
7.5.9.6 Résistance RDSON à l'état passant. ...........................................................................................................................18
7.5.9.7 Résistance équivalente d'entrée...............................................................................................................................19
7.5.10 Caractéristiques dynamiques. ...................................................................................................................19
7.5.10.1 Caractéristique de transfert ID=f(VGS). ...................................................................................................................19
7.5.10.2 Mesures des capacités parasites. .............................................................................................................................20
7.5.10.3 Condensateurs parasites. .........................................................................................................................................23
7.5.10.4 Caractéristique de transfert de charge.....................................................................................................................23
7.5.10.5 Transfert des charges. Énergie fournie par la commande......................................................................................25
7.5.10.6 Estimation des temps de commutation. ..................................................................................................................27
7.5.10.7 Temps de commutation...........................................................................................................................................32
7.5.10.8 Énergie dissipée en conduction et en commutation. ..............................................................................................33
7.5.11 Diode intrinsèque.......................................................................................................................................35
7.5.11.1 Courant continu passant IS. .....................................................................................................................................36
7.5.11.2 Courant impulsionnel maximum ISM. .....................................................................................................................36
7.5.11.3 Tension de passage dans le sens direct VSD............................................................................................................36
7.5.11.4 Temps trr et charge Qrr de recouvrement.................................................................................................................37
7.5.11.5 Courant inverse maximum Irrm................................................................................................................................37
7.5.11.6 Décroissance maximale du courant d'extinction dIrr/dt.........................................................................................37
Bibliographie
LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (2) : LE MOSFET Page 1
7.1 HISTORIQUE.
La théorie sur les transistors à effet de champ (Field Effect Transistor) a été conçue dans les
années 1920 – 1930, soit 20 ans avant que le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor)
fut inventé. A cette époque J.E. Lilienfeld (USA) propose un modèle de transistor basé sur le
contrôle du courant par l'application d'un champ électrique. Par manque de matériaux
semiconducteurs appropriés, et d'une technologie immature le développement de ce type de
transistor fut très lent. William Shockely proposa un premier transistor JFET en 1952. Les
premiers produits industriels firent définitivement leur apparition dans les années 1970.
iQ fermeture
commandée
ouverture
comandée
inversion du
uQ
courant
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D
iD Métallisation
de la source
Grille
uDS Canal Oxyde2
G
uGS Source
Oxyde1
S Courant Drain Drain Courant
Transistor Transistor
Courant Diode
(a) (b)
Figure 7-3 : (a) Représentation symbolique, (b) Structure en nid d'abeille
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- A la surface du substrat ont été diffusés des îlots de type P et dans ces îlots ont été
+
diffusés des îlots de type N .
- Une première couche d'oxyde isole la métallisation de grille G de la surface de la
+
pastille entre les îlots N et le substrat.
- Une deuxième couche d'oxyde isole la métallisation de grille de la métallisation de
source S qui relie entre elles les diverses cellules élémentaires.
Source Gate
SiO2
+
N
Accepteurs ionisés
P Frontière de la zone de dépletion
N-
Lorsque la tension Grille – Source VGS devient supérieure à une valeur appelée tension de seuil
VGS(Th) (threshold voltage) de l'ordre de quelques volts, les électrons deviennent localement
assez nombreux pour que la conductivité passe du type P au type N sur une épaisseur de
quelques microns en dessous de la couche d'oxyde : il apparaît des canaux de type N entre les
+
îlots N et la zone N0. Les électrons peuvent se déplacer dans ces canaux et donner naissance
au courant direct de drain. La longueur des canaux est très faible. Leur largeur totale est très
élevée car elle est égale au produit du périmètre d'une cellule par le nombre total de cellules;
elle peut atteindre plusieurs mètres par cm2 de silicium.
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VGS2 VGS3
SiO2 SiO2
+ +
N N
Electrons libres
Zone d'inversion
P P
N- N-
Ou Vox(x) est la tension Grille – Canal en fonction de la position x et donc la valeur maximum
est donnée pour x=L.
Pour de faibles valeurs de VDD, le courant ID est faible et il n'y a presque pas de chute de tension
aux bornes du canal sur la longueur L. Vox(0) ≅ Vox(L) ce qui provoque une largeur constante de
la zone d'inversion
En augmentant VDD, le courant de Drain ID va augmenter et la chute de tension aux bornes de la
zone d'inversion devient importante. Cette chute de tension linéique VCS(x) provoque une
réduction de la largeur de la zone d'inversion pour des x croissants. Cet effet entraîne à son tour
une augmentation de la résistance du canal et donc une diminution du courant ID. Lorsque
Vox(L)=VGS-VCS(L)=VGS(Th), la largeur de la zone d'inversion atteint sa valeur minimum ce qui
limite la vitesse de déplacement des porteurs minoritaires excédentaires présents. La Figure 7-6
illustre ce cas de fonctionnement.
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VGS3 VGS3
R R
VDD1 VDD1
Source Gate Source Gate
SiO2 SiO2
Vox(x) Vox(x)
N+
Vcs(x) Inversion N+ Vcs(x) Inversion
Région saturée
Dépletion Dépletion
P P
N- x N- x
N+ N+
Drain Drain
Sur la caractéristique statique ID=f(VDS,VGS) présentée à la Figure 7-7, on peut voir les trois
zones de fonctionnement propre au MOSFET.
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N+
N-
N+
Drain
Figure 7-8 : Éléments parasites: Diode et transistor bipolaire
CGS = C0 + C N + + C P 7.2
CN+ N+
CP CGD
CDS N-
N+
Drain
Figure 7-9 : Éléments parasites: Condensateurs
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N+
RN + RCh RA
RJ
P
N- RD
N+ RS
Drain
Figure 7-10 : Éléments parasites: Résistance
RN + : Résistance de l'îlot N+. Cette résistance représente une très faible proportion
de la résistance globale de passage RDSON.
RCh : Résistance du canal N. Cette dernière représente une grande part de la
résistance globale de passage RDSON pour de faibles valeurs de tension
VBR(DSS).
RA : Lorsque la tension Grille – Source est positive, il y a accumulation de charge à
-
proximité de la Grille, dans la région N .
RJ : La résistance RJ correspond à la région N- située entre les zone de diffusion P
se comporte comme celle du canal d'un JFET.
RD : Cette résistance, située au-dessous des zones de diffusion P et jusqu'au
+
substrat N est la partie importante de la résistance globale de passage RDSON
pour de fortes valeurs de la tension VBR(DSS).
RS : Cette résistance de substrat peut être ignorée pour de fortes valeurs de la
tension VBR(DSS). Par contre pour des tensions VBR(DSS)≤50V, elle représente
une partie importante de la résistance RDSON.
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peut aller au-delà de la tension de seuil VGS(Th) ce qui a pour effet de rendre conducteur le
MOSFET.
Pour augmenter la tenue en dVDS/dt, il faut donc avoir une commande de Grille présentant une
impédance aussi faible que possible. Il est également possible, par une polarisation négative de
la Grille par rapport à la Source, d'augmenter la marge d'accroissement de la tension VGS avant
d'atteindre la tension de seuil VGS(Th). Il faut garde à l'esprit que si remède existe, il a un coût
non négligeable.
RD
CGD
CDS
Z RG NPN
G
Rb
CGS
ZG
VG
RS
S
Figure 7-11 : Circuit équivalent en régime dynamique
7.5.6 Avertissement.
Dans cette section, nous allons traité les caractéristiques utiles du transistor MOSFET. Les
fabricants ont chacun leur manière de présenter les caractéristiques de leurs composants. Pour
des raisons de clarté, nous ferons référence aux grandeurs caractéristiques présentées par
INFINEON.
Pour mieux cerner la signification de certains paramètres, nous proposerons également une
méthode de mesure des paramètres en question. La physique des semiconducteurs et le lot
d'équations qui en découle ne seront pas abordé ici. Chaque paramètre est défini pour des
conditions d'utilisations bien précises. Ces conditions sont spécifiées et correspondent à la
méthode de mesure effectuée. Il faut donc être prudent lors de l'analyse d'un problème
particulier.
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TJMAX − TC 1
I D MAX (TC ) = 7.5
RTHJC RDSON (TJMAX )
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Pour des faibles valeurs de VDS, le courant est limité par la résistance RDSON, puis par la
dissipation maximale possible sachant que les températures de Jonction TJ=TJMAX et de boîtier
TC=25°C sont imposées. La limite définie par le trait plein est valable pour le régime continu.
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Grâce à la capacité thermique des divers constituants du MOSFET, il est possible, d'augmenter
le courant sous forme d'impulsions, non répétitives dans le cadre de ce test. La limite supérieure
en courant est donnée par la limite technologique de la tension VGSMAX=20V. La limite en
tension est donnée par la tenue en tension de la diode intrinsèque inverse (V(BR)SS)
et
LI AS / AR
t AS / AR = 7.7
BVSS
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Cette énergie correspond à la coupure d'un courant ID dans une charge inductive. La tension
d'alimentation VDD, l'inductance L et la résistance R de la charge ainsi que la résistance de
Grille RGS doivent être spécifiée.
VDD = 10%V( BR ) DSS
V(BR)SS
L vDS(t)
vG R1
100R
tP tAS t
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par cette surtension est de très courte durée (<100ns). La fréquence de répétition doit être
définie de manière à ne pas dépasser la température de jonction maximum Tjmax.
VDD = 10%V( BR ) DSS
V(BR)SS
Flyback
vG R1
100R
tP tAR t
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On peut voir que cette caractéristique est fortement dépendante de la température de jonction.
On voit que pour des tensions VGS<6V, le coefficient en température est positif ce qui signifie
qu'une augmentation de température entraîne une augmentation du courant dans la zone active
(voir aussi Figure 7-25 : caractéristique de transfert ID=f(VGE)). Cette situation n'est pas
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favorable pour la mise en parallèle car la répartition des courants, durant les commutations, n'est
pas auto-asservie.
1V < VGS (Th ) < 4V pour 20°C < TJ < 150°C 7.8
Comme on peut le voir sur la Figure 7-22, le niveau de ce seuil présente une forte dépendance
avec la température. Ce comportement est désavantageux pour la mise en parallèle. De plus,
l'immunité aux bruits diminue fortement ce qui peut poser des problèmes si la commande
présente une impédance trop importante. En première approximation, on peut dire que la
tension de seuil à une dépendance linéaire par rapport à la température
avec ϑ = −8.5mV / ° K
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avec pour α
V(BR)DS [V] 50 60 100 200 400 500 600 800
α [1] 0.43 0.45 0.53 0.62 0.69 0.70 0.72 0.75
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La pente de cette courbe représente la transconductance. Cette dernière est donnée par la
relation.
⎡ ∆I ⎤
g fs = ⎢ D ⎥ 7.14
⎣ ∆VGS ⎦ VDS , I D
La transconductance est un paramètre important dans le calcul des temps de commutation. Cette
caractéristique est mesurée pour des impulsions de tension Grille – Source de tp=10us. Pour de
forts courants, l'augmentation de la température de jonction durant la mesure (10us) provoque
une diminution de la transconductance. On remarque ce phénomène sur la Figure 7-25.
−α
⎛T ⎞
g fs (TJ ) = g fs ( 300° K ) ⎜ J ⎟ avec TJ en [° K ] 7.15
⎝ 300 ⎠
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CGD
CDS
G
CGS
S
Figure 7-26 : Capacités parasites d'un MOSFET
En pratique les fabricants ne donnent pas directement ces condensateurs, ceci pour des raisons
de mesure. On définira aux paragraphes suivants les valeurs que l'on rencontre dans les data
sheets.
Ciss (VDS ,VGS ) = CGS (VDS ,VGS ) + CGD (VDS ,VGS ) 7.16
Capacité : C [pF]
4000
3200
C1 Ciss = CGD + CGS
Capacimètre G
HP 4279A S
2400
L C2 VDS Ciss
1600
VGS
800
0 10 20 30 40 VDS [V]
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La Figure 7-27 montre le schéma de principe de la mesure. Les condensateurs C1 et C2 ont des
valeurs telles qu'ils représentent des court-circuits alors que L'inductance L présente une
impédance très élevée à la fréquence de mesure (en général 1MHz).
Capacité : C [pF]
4000
D 3200
Capacimètre C oss = C DS + CGD
C3 HP 4279A
G L
S 2400
VGS C1 C2 VDS
1600
Coss
800
0 10 20 30 40 UDS [V]
La Figure 7-28 montre le schéma de principe de la mesure. Les condensateurs C1 et C3 ont des
valeurs telles qu'ils représentent des court-circuits alors que L'inductance L présente une
impédance très élevée à la fréquence de mesure (en général 1MHz).
La Figure 7-29 montre le schéma de principe de la mesure. Les condensateurs C1 et C3 ont des
valeurs telles qu'ils représentent des court-circuits alors que les inductances L1 et L2 présentent
une impédance très élevée à la fréquence de mesure (en général 1MHz).
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Capacité : C [pF]
4000
L2
C2 3200
Crss = CGD
D
L1 G VDS 2400
S
C1
Capacimètre 1600
VGS HP 4279A
800
Crss
0 10 20 30 40 UDS [V]
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VDD
VCC=18V
Identique au
100kΩ D.U.T
10V
RG D.U.T
15V 100kΩ
uin
ferrite
tp 47kΩ
La durée de l'impulsion de courant tp est définie par la charge nécessaire à fournir à la Grille
pour assurer la conduction complète du transistor (fonctionnement dans la partie ohmique). On
limitera toute fois la tension de Grille à une valeur de l'ordre de 15V.
La Figure 7-32 montre un exemple de la mesure de l'évolution de la tension de VGS en fonction
de la charge fournie à la Grille. Cette caractéristique présente une dépendante à la tension VDS et
au courant ID.
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VGS(Th) VGS(Th)
WON MOSFET
(a) (b)
Figure 7-34 : Caractéristique de transfert de charges
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Tronçon OA
Quand vGS va de zéro à VGSp, la tension vDS reste constante et égale environ à VDD. La capacité
d'entrée est donc constante et égale à CissOFF.
Pour ce tronçon, QG = CissOFF⋅vGS. A l'extrémité du tronçon OA, la quantité d'électricité fournie
par la source de commande est donc :
et les capacités CGS, CDS et CGD ont respectivement à leurs bornes les tensions
vGS = VGSp
v DS = VDD 7.20
v DG = VDD − VGSp ≅ VDD
Tronçon AB
Ce tronçon correspond à la diminution de la tension vDS, donc à la décharge des capacités CGD
et CDS dont les valeurs augmentent au fur et à mesure que vDS diminue.
Le courant iG, toujours donné par
dvGS dv
I G = CGS ⋅ − CGD DG 7.21
dt dt
devient pratiquement égal à -CGD⋅dvDG/dt, servant entièrement à décharger CGD
La charge de CGS est momentanément interrompue : vGS reste constant tandis que QG continue à
augmenter (effet Miller).
La longueur QG3 - QG2 de ce tronçon correspond à la quantité de charge à extraire de CGD pour
faire passer vDG d'une valeur voisine de VDD à une valeur voisine de zéro.
t3 t3 v
dv DS 2
QG 3 − QG 2 = ∫ iG ⋅ dt = ∫ − C rss ⋅ DS ⋅ dt = ∫ C rss ⋅ dv DS
t2 t2
dt vDS 3
VDD
7.22
≅ ∫C
0
rss ⋅ dv DS
Tronçon BC
Ce tronçon correspond à la reprise et à la fin de la charge de CGS. Si la tension vDS ne varie plus
ayant atteint sa valeur à l'état passant RDSON⋅I, les capacités sont constantes. La charge fournie à
la capacité d'entrée à l'état passant CissON pour amener vGS de VGSp à VGSMAX est
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Le tracé OA'B'C' correspond à un courant commuté I' supérieur à I, le tracé OAB"C" à une
tension bloquée V'DD supérieure à VDD.
Remarque. En diminuant l'épaisseur de la couche d'oxyde entourant la grille, on obtient des
transistors dont le seuil de tension est assez faible pour qu'ils puissent être commandés par des
circuits logiques alimentés en 5 volts. Ce sont les L2FET (Logic Level Grille FET) dont la
capacité Grille-Drain est plus élevée.
L'énergie fournie par la commande pour la fermeture est
tp tp
La fraction de cette énergie utilisée pour charger les capacités parasites est donnée par :
∞ ∞
WON MOSFET = ∫ u GS ⋅ I G ⋅ dt = ∫ u GS ⋅ dQG 7.26
0 0
I
VDD
iD(t)
UG
RG vDS(t)
0 G
vG(t) vGS(t)
S
Les commandes de MOSFET sont des sources de tension dont la principale caractéristique est
leur faible impédance de sortie. Pour limiter le courant de Grille et donc la rapidité de
commutation, une résistance série est placée entre la commande et la Grille. On peut ainsi
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contrôler les dv/dt et di/dt de la partie puissance ce qui est primordiale pour des raisons de
compatibilité électromagnétique.
Dans le schéma de principe de la Figure 7-35, la charge inductive à été remplacée par une
source de courant. A l'échelle temporelle de la commutation, cette modification ne modifie en
rien le comportement dynamique en commutation du montage.
L'évolution des diverses grandeurs électriques est représentée à la Figure 7-36. On peut
décomposer cette dernière en intervalles de temps correspondant à des états particuliers du
MOSFET.
Phase 1 t0 ≤ t < t1.
La tension vGS(t) n'a pas atteint la tension de seuil VGS(Th), il n'existe donc pas de canaux
+
reliant N et N0 : iD(t) diffère peu de zéro, le courant dans la diode diffère peu de I, la
tension vDS(t) reste égale à VDD.
Phase 2 t1 ≤ t < t2.
Cette phase correspond à la croissance de iD(t) depuis zéro jusqu'à I. Tant que iD(t) est
inférieur à I, la diode D reste conductrice et vDS(t) reste égal à VDD.
Phase 3 t2 ≤ t < t3.
L'étude du transfert des charges, qui fait l'objet du paragraphe précédent, permet
d'expliquer le rôle de cette phase et d'en évaluer la durée. Durant cette phase, iD(t) = I,
vGS(t) reste pratiquement constant et égal à VGSp.
Phase 4 t3 ≤ t < t4.
Quand la tension vDS(t) approche de sa valeur finale rDSON⋅I, la tension vGS(t) recommence
à croître tendant vers UG et iG(t) à décroître, tendant vers zéro.
u(t) [V], i(t) [A]
VDD
vDS(t)
UG
UG vGS(t)
RG iD(t)
ID
VGSp
VGS(Th) iG(t)
t0 t1 t2 t3 t4
Figure 7-36 : Commutation sur charge inductive (évolution des grandeurs électriques)
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vG iCGS
t0 t1 t2 t3 t4
dv DG dv C
iD = CGD ⋅ = −CGD ⋅ GS = − GD OFF ⋅ iG ≅ 0 7.31
dt dt CissOFF
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en désignant par tdON le délai à la fermeture qui sépare l'application du créneau de tension UG
sur la Grille du début de la croissance du courant iD dans le transistor.
Phase 2 : t1 ≤ t < t2.
Les expressions de la tension vGS et du courant iG restent les mêmes que lors de la phase
précédente.
VGS(Th) iG(t)
gfsvGS
CGS
VG vGS
iCGS t0 t1 t2 t3 t4
Le courant qui passe par les canaux est donné par la transconductance
iD = ican + CGD ⋅
dv DG
dt
[
≅ ican = g fs ⋅ U G ⋅ (1 − e −t / τ1 ) − VGS (Th ) . ] 7.34
UG
t 2 = τ 1 ⋅ ln . 7.36
U G − VGSp
t rON = t 2 − t1 . 7.37
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UG vGS
iCGS
t0 t1 t2 t3 t4
Or
dvGS d (v DS − vGS ) dv dv
iG = CGS ⋅ − CGD ⋅ = (CGS + C DG ) ⋅ GS − CGD ⋅ DS
dt dt dt dt
7.39
dv dv dv
= Ciss ⋅ GS − C rss ⋅ DS ≅ −C rss ⋅ DS
dt dt dt
D'où
dv DS U G − VGSp
≅− . 7.40
dt RG ⋅ C rss
La tension vDS diminue d'abord très vite car alors Crss est très faible. Mais au fur et à mesure que
vDS diminue, Crss augmente (Figure 7-30) et la décroissance de vDS est moins rapide.
Phase 4 : t3 ≤ t < t4.
La tension vDS approche de sa valeur finale RDSON⋅I, la tension vGS recommence à croître.
u(t) [V], i(t) [A]
VDD
vDS(t)
UG
I
UG vGS(t)
RG iD(t)
iG RG ID
CGD VGSp
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dvGS d (v DS − vGS )
iG = CGS ⋅ − CGD ⋅
dt dt
7.41
dv dv
= Ciss ⋅ GS − C rss ⋅ DS
dt dt
mais maintenant dvDS/dt est négligeable, et l'on a
dvGS
iG ≅ CissON ⋅ 7.42
dt
avec CissON valeur de Ciss pour vDS = RDSON⋅I. Cette relation jointe à
vG = U G = RG ⋅ iG + vGS 7.43
donne
t −t3 t −t3
− −
τ4 τ4
vGS = U G ⋅ (1 − e ) + vGSp ⋅ e
t − t3
7.44
−
τ4
iG = iG 2 ⋅ e
avec τ 4 = RG ⋅ C issON .
La durée de la phase 4 est approximativement égale à 3τ4.
10%
ton toff
t
vDS tdon tr tdoff tf
VDD
90% 90%
t
10% 10%
L'analyse détaillée (§ 0) montre que les temps de commutation sont fortement dépendant du
courant ID et de la résistance placée en série avec la Grille. Les fabricants les plus consciencieux
donnent des courbes tenant compte de ces deux paramètres.
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Il est donc possible d'estimer, pour une application particulière les divers temps liés à la
commutation. Il faut noter toutefois que, pour une branche (pont en H, onduleur, …) les
caractéristiques des diodes de roue libre ont une influence non négligeable sur le comportement
de la commutation.
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paramètres en jeu, la tâche n'est pas réalisable. Le fabricant propose des courbes donnant
l'énergie de commutation en fonction de divers paramètres.
A partir de ces courbes et par une simple règle d'homothétie il est possible de connaître, pour
une application donnée, l'énergie de commutation à la fermeture et à l'ouverture du composant.
Il faut toutefois noter que la caractéristique de recouvrement de la diode de roue libre associée
au MOSFET peut avoir une importance capitale.
Pour être complet, il faudrait encore connaître la dépendance de l'énergie de commutation avec
la tension VDS et la tension VGS. Le fabricant ne donne pas ces courbes pour les raisons
suivantes :
[ ]
PCom = Eon ( I D ( réelle ) , RG ( réelle ) ,VDS ( réelle ) ) + Eoff ( I D ( réelle ) , RG ( réelle ) ,VDS ( réelle ) ) ⋅ Fp 7.48
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Pour les MOSFET capables de supporter des tensions de plusieurs centaines de volts à l'état
bloqué, la zone N0 est épaisse et les caractéristiques dynamiques de la diode interne peuvent
être insuffisantes pour pouvoir l'utiliser dans la réalisation d'un interrupteur rapide bidirectionnel
en courant. Il faut alors rendre le MOSFET unidirectionnel en courant en plaçant une diode D3
en série avec lui (Figure 7-44 (b)), puis ajouter une diode rapide D2 en anti-parallèle sur
l'ensemble. La diode D3 peut être du type Schottky car elle n'a pas de tension inverse à
supporter.
D3
D
D
D2
G
Di
G
S
S
(a) (b)
Figure 7-44 : (a) Diode parasite interne, (b) Montage classique
Les caractéristiques données par les fabricants sont en générale les suivantes :
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BIBLIOGRAPHIE
[2] Infineon
INTRODUCTION TO AVALANCHE
Consideration for CoolMOSTM in SMPS applications
Application Note AN-CoolMOS-04
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