L’effet photovoltaïque

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 vers une épaisseur d’atmosphère correspondant à 1.5 masse d’air.
La définition de ce spectre de ciel clair, noté AM 1.5, sert de réfé-
rence pour la mesure de cellules photovoltaïques. On peut égale-
ment remarquer le spectre du diffus par beau temps, nettement ren-

L’effet photovoltaïque
forcé vers le bleu du fait de la diffusion de Rayleigh sur l’air.

Les diffus par ciel couvert couvrent beaucoup mieux tout le spectre
visible (ciel blanc). Cela a son importance car nous verrons par la
suite solaire
le rayonnement que la sensibilité des cellules
= une émission photovoltaïques
de particules( est maximale
photons)
dans les régions rouge et infrarouge.
Les photons atteignent la terre avec différentes longueurs d'ondes.

Figure 2.8
Flux de photons
Spectre du rayonnement solaire :
AM0 (extraterrestre) et AM1.5

Irradiance spectrale [W/m2·. nm

(épaisseur de 1.5 atmosphère,
correspondant à une hauteur du AMO
soleil de 48° au niveau de la mer)
Rayonnement d'un corps noir
à 5900 K
AM 1.5
Absorption de la vapeur d'eau
de l'atmosphère

Composante diffuse (ciel clair)

Absorption H2O1CO2
Absorption CO2
ozone

Longueur d'onde [µm]

Spectre visible

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 L’effet photovoltaïque
Les photons vibrent à des fréquences f en Hertz et sont donc porteurs d’une
énergie E en Joules.
La répartition énergétique des différentes longueurs d'ondes du rayonnement
électromagnétique du Soleil est appelé spectre solaire.

E = h× f
E= h*c/ λ
1, 2419
E(eV ) =
λ(µm )

h est la constante de Planck (h = 6,62·10-34 Js)

λ est la longueur d’onde (m)
C est la vitesse de la lumière (m/s)
Unité couramment employée l’électron volt

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 L’effet photovoltaïque

• " phos, photos " désigne la lumière en grec

• " voltaïque ", mot dérivé du physicien italien Alessandro VOLTA, connu

pour ses travaux sur l’électricité.

• L’effet photovoltaïque constitue la conversion directe de l'énergie du

rayonnement solaire en énergie électrique.

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 L’effet photovoltaïque
Le principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque fait appel aux :

• propriétés du rayonnement.

• celles des semi-conducteurs.

On illumine un semi-conducteur avec un rayonnement de longueur d’onde

appropriée.

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 Principe de conduc,on dans un matériau

• Les atomes sont constitués de noyaux et d’électrons qui gravitent autour.

• Pour qu’un matériau conduise l’électricité il faut que des électrons soient
capables de se déplacer.

• Les électrons possèdent une certaine quantité d’énergie qui est

quantifiée.

• Il existe donc des niveaux d’énergie auxquels appartiennent les électrons.

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 Niveaux d’énergie des électrons

• La bande de valence : (ayant 2 électrons) les électrons qui s'y trouvent par6cipent aux liaisons
entre les atomes.

• La bande de conduc5on : les électrons qui s'y trouvent sont mobiles et peuvent bouger d'un
atome à l'autre si on leur applique un champ approprié, ils par6cipent donc à la conduc6on
électrique ; c'est le déplacement de ces électrons là qui est responsable du courant électrique.

• La bande interdite ou GAP la gamme d'énergie auxquelles les électrons n'ont pas accès (il n'y a
pas de niveau d'énergie dans ceFe gamme),.

• Le niveau de Fermi correspond à l'énergie limite qui sépare, au zéro absolu, les niveaux occupés
des niveaux vides. CeFe énergie est caractéris6que du matériau.

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 Bande de
conduction
EC
Principe de conduc,on dans un matériau Bande de
GAP Bande conduction
interdite Bandede
Principe deconduc5on
GAPdes matériaux
EV Niveau de Fermi
Bande de conduction Bande de
valence valence

Isolant Métal Semi conducteur

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 Gap
• Dans un métal, le gap est nul ; il y a con6nuité entre les bandes de valence et celles de
conduc6on, il y a donc toujours des électrons suscep6bles de conduire le courant.

• Dans un isolant, la dernière bande de valence est pleine, et le gap est énorme : il n'y a
donc aucune chance d'exciter un électron pour qu'il passe dans la bande de conduc6on
(l'énergie requise est trop importante et ferait fondre le matériau avant qu'il ne
commence à conduire).

• Pour les semi-conducteurs, à température nulle (=0 Kelvin) ce sont des isolants : bandes
de valence pleines, et bandes de conduc6on vides. Mais un apport d’énergie faible
(thermique ou lumineuse) suffit à faire passer des électrons dans la bande de conduc6on
car le gap est très faible (de l'ordre de l'eV) : le matériau devient ainsi conducteur.

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Principe de conduc,on dans un semi-conducteur
Les photons excitent les électrons
Energie

Photon E=hf> Egap

Bande de
conduction

Egap =1 à 2 eV Photon E=hf< Egap

Bande de valence

Semi conducteur
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Absorption de la lumière

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Absorption de la lumière

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Absorption de la lumière

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 L’effet photovoltaïque

si l’électron revient à son état initial n’ayant réussi à franchir le GAP l’agitation de l’électron
se traduit par un échauffement du matériau.

L’énergie cinétique du photon est transformée en énergie thermique.

Par contre, dans les cellules photovoltaïques, une partie des électrons ne revient pas à
son état initial. Les électrons " décrochés " passent le GAP et vont dans la bande de
conduction et créent une tension électrique continue faible.

Une partie de l’énergie cinétique des photons est ainsi directement transformée en énergie
électrique : c’est l’effet photovoltaïque.

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Principe de conduction dans un matériau

Si l’énergie des photons est au moins égale à celle du Gap

énergé6que du matériau, alors :

• l’énergie des photons absorbés permet des transitions

électroniques depuis la bande de valence vers la bande de
conduction du semi-conducteur,

• créant ainsi des paires électron-trou, qui peuvent contribuer

au transport du courant (photoconductivité) par le matériau
lorsqu’on le polarise.

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 Dopage
Le dopage permet d’augmenter la concentration des porteurs. La méthode utilisée
pour créer ce champ est celle du "dopage" par des impuretés.

• Le dopage de type N (néga5f) : Il consiste à introduire dans la structure cristalline semi-

conductrice des atomes étrangers qui ont la propriété de donner chacun un électron
excédentaire (charge néga6ve), libre de se mouvoir dans le cristal. C'est le cas du
phosphore (P) dans le silicium (Si). Dans un matériau de type n, on augmente fortement
la concentra6on en électrons libres.

• Dans le cas d'un dopage P (posi5f) : On u6lise des atomes dont l'inser6on dans le réseau
cristallin donnera un trou excédentaire. Le bore (B) est le dopant de type p le plus
couramment u6lisé pour le silicium.

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 Semi conducteur
Les semi-conducteurs sont formés d'éléments ayant 4 électrons de valence
sur la dernière couche comme le silicium ou le germanium ou d'un
mélange d'éléments ayant 3 et 5 électrons de valence comme le gallium
et l'arsenic.

Dans un cristal de silicium pur, les atomes forment 4 liaisons de covalence

avec 4 voisins. Il remplissent ainsi la dernière couche en partageant les
électrons.

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Dopage silicium type N

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 Dopage silicium type N
• Enlever un autre atome de
silicium…

• Et le remplacer par un atome de

phosphore

• Comme plus d’’électrons sont

disponibles pour la conduction,
nous avons augmenté la
conductivité du matériau

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Dopage du silicium type P

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 Dopage silicium type P

• Enlever un autre atome de silicium…

• Et le remplacer par un atome de bore

• plus de trous sont disponibles pour

la conduction, nous avons augmenté
la conductivité du matériau

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 Jonction PN
P N
Lorsque l'on effectue deux dopages différents :type
n (donc électrons mobiles) et type p( donc trous
mobiles) de part et d'autre de la cellule

P N
Après diffusion et recombinaison des
charges libres (électrons et trous),.une
zone neutre dite de déplétion apparaît

P N
E
Un champ électrique apparaît (du aux Courant de dérive
différences de polarités des zones P et N) Courant de diffusion
alors s’opposant à la diffusion est tel que le
courant de diffusion est égal et opposé au
courant de dérive lié au champ E ainsi apparu.
Zone globalement négative Zone globalement positive

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 Polarisation de la jonction PN

• Pour polariser la jonction on applique une source de tension externe.

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 Polarisation de la jonction PN en direct
• La jonction est polarisée en direct quand la borne positive de la source est connectée à
la zone P et la borne négative est connectée à la zone N.

• Cette source extérieure modifie l'état de la jonction, la zone de déplétion devient plus
étroite, on a une diminution de la barrière de potentiel. La circulation des charges est
facilitée, on peut avoir circulation de courant dans la jonction.

• Ce courant sera d'autant plus grand que la diminution de la barrière de potentielle sera
importante. Le courant circule de la zone P vers la zone N (trous de P vers N et électrons
de N vers P).

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 Polarisation de la jonction PN en inverse
• La jonction est polarisée en inverse quand la borne négative de la source est connectée
à la zone P et la borne positive est connectée à la zone N.

• La zone de déplétion devient plus large, la barrière de potentiel augmente. La circulation

des charges est fortement limitée, on ne peut pratiquement pas avoir de courant dans la
jonction, il ne reste qu'un courant lié aux porteurs minoritaires.

• Ce courant très faible circule de la zone N vers la zone P, il augmente si la tension de

polarisation augmente et est sensible à la température.

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Composition cellule PV

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 Composition cellule PV

La cellule PV est composée de plusieurs couches minces à savoir :

• une grille conductrice avant " collectrice des électrons " qui doit également être
liée au silicium et ne pas être sensible à la corrosion;

• une couche "anti-reflet" sur la face avant dont le but est de faciliter au maximum
la pénétration d’un maximum de photons à travers la surface et de réduire les
pertes par réflexion ;

• une couche dopée N avec porteurs de charge libres négatifs (électrons) ;

• une couche dopée P avec porteurs de charge positifs (trous) ;

• une surface de contact conductrice en métal " collectrice des électrons ", ayant

une bonne conductivité ainsi qu'un bon accrochage sur le silicium ;

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